JP2011146656A5 - ウェハ処理装置、ウェハ処理方法およびデバイスの製造方法 - Google Patents
ウェハ処理装置、ウェハ処理方法およびデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011146656A5 JP2011146656A5 JP2010008466A JP2010008466A JP2011146656A5 JP 2011146656 A5 JP2011146656 A5 JP 2011146656A5 JP 2010008466 A JP2010008466 A JP 2010008466A JP 2010008466 A JP2010008466 A JP 2010008466A JP 2011146656 A5 JP2011146656 A5 JP 2011146656A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- stage
- wafer
- processing apparatus
- bonding surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (27)
- 互いに重ね合されて接合される第1接合面を有する第1半導体ウェハと第2接合面を有する第2半導体ウェハとをそれぞれ処理するウェハ処理装置であって、
前記第1半導体ウェハを保持する第1ステージと、
前記第2接合面が前記第1接合面に対向するように前記第2半導体ウェハを保持する第2ステージと、
前記第1ステージと前記第2ステージの少なくともいずれかに対して相対移動しているときに、相対移動する前記第1接合面と前記第2接合面の少なくともいずれかに対して不活性ガスを照射することにより前記第1接合面と前記第2接合面の少なくともいずれかをそれぞれ活性化する活性化装置と
を備えるウェハ処理装置。 - 前記第1ステージおよび前記第2ステージは、前記第1半導体ウェハと前記第2半導体ウェハとを互いに位置合わせして重ね合わせるべく、前記第1接合面と前記第2接合面が対向する方向に直交する方向を含む方向に相対移動が可能であり、
前記活性化装置は、前記第1半導体ウェハと前記第2半導体ウェハとを互いに位置合わせするときに、前記第1接合面および前記第2接合面を活性化する請求項1に記載のウェハ処理装置。 - 前記第1ステージと前記第2ステージとが相対移動しているときに、前記位置合わせを行うべく前記第1半導体ウェハと前記第2半導体ウェハとにそれぞれ設けられた複数のアライメントマークを観察する観察装置を備える請求項2に記載のウェハ処理装置。
- 前記第1接合面と前記活性化装置との距離、および前記第2接合面と前記活性化装置との距離の少なくともいずれかが一定となるように、前記第1ステージと前記第2ステージとを相対移動する請求項1から3のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。
- 前記活性化装置は、
前記第1ステージとの相対移動に伴って前記第1接合面の全面に不活性ガスを照射して前記第1接合面を活性化する第1活性化装置と、
前記第2ステージとの相対移動に伴って前記第2接合面の全面に不活性ガスを照射して前記第2接合面を活性化する第2活性化装置と
を有する請求項1から4のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。 - 前記第2ステージは前記第1ステージに対して移動可能であり、
前記第2活性化装置は、前記第2ステージに対して相対的に固定され、前記第2ステージの移動時に一体的に移動する請求項5に記載のウェハ処理装置。 - 前記第1活性化装置と前記第2活性化装置の相互の距離が近いほど前記第2ステージの移動速度を早くする請求項6に記載のウェハ処理装置。
- 前記第1活性化装置と前記第2活性化装置の相互の距離が近いほど前記第1活性化装置と前記第2活性化装置の少なくとも一方の不活性ガス照射濃度を小さくする請求項6または7に記載のウェハ処理装置。
- 前記第2ステージの移動時に前記第1活性化装置と前記第2活性化装置とを同時に作動させる請求項5から8のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。
- 前記第1活性化装置および前記第2活性化装置は、前記第1ステージおよび前記第2ステージが互いに対向する位置からずれた位置において前記第1半導体ウェハおよび前記第2半導体ウェハに対向するように配置されており、
前記第1接合面および前記第2接合面は、前記第1活性化装置および前記第2活性化装置が前記ずれた位置から相対移動することにより、それぞれ全面的に活性化される請求項5から9のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。 - 前記第1活性化装置の照射口および前記第2活性化装置の照射口は、相対移動する方向に直交する方向に対してそれぞれ傾斜している請求項5から10のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。
- 前記第1活性化装置の照射口および前記第2活性化装置の照射口は、前記第1接合面および前記第2接合面が活性化されていくときの移動方向にそれぞれ傾斜している請求項11に記載のウェハ処理装置。
- 前記第1活性化装置の不活性ガスの照射により削られた前記第2半導体ウェハの一部を捕獲する第1捕獲部を備える請求項5から12のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。
- 前記第2活性化装置の不活性ガスの照射により削られた前記第1半導体ウェハの一部を捕獲する第2捕獲部を備える請求項5から13のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。
- 前記第1ステージ、前記第2ステージ、前記第1活性化装置および前記第2活性化装置は真空チャンバに設置されている請求項5から14のいずれか1項に記載のウェハ処理装置。
- 前記真空チャンバに設置され、前記第1半導体ウェハを保持する第1半導体ウェハホルダおよび前記第2半導体ウェハを保持する第2半導体ウェハホルダを搬送する搬送装置を備え、
前記搬送装置は、前記第1半導体ウェハホルダを基準として前記第1半導体ウェハの位置を調整し、前記第2半導体ウェハホルダを基準として前記第2半導体ウェハの位置を調整する位置調整機構を有する請求項15に記載のウェハ処理装置。 - 互いに重ね合されて接合される第1半導体ウェハと第2半導体ウェハとをそれぞれ処理するウェハ処理装置であって、
前記第1半導体ウェハおよび前記第2半導体ウェハをそれぞれ保持するステージと、
前記ステージの少なくともいずれかに対して相対移動しているときに、相対移動する前記第1半導体ウェハの表面と前記第2半導体ウェハの表面の少なくともいずれかに対して不活性ガスを照射することにより少なくともいずれかの前記表面を活性化する活性化装置と、
前記活性化装置によりそれぞれの前記表面が活性化された前記第1半導体ウェハおよび前記第2半導体ウェハを互いに重ね合せて接合する接合部と
を備えるウェハ処理装置。 - 互いに重ね合されて接合される第1半導体ウェハと第2半導体ウェハとをそれぞれ処理するウェハ処理装置であって、
前記第1半導体ウェハを保持する第1ステージと、
前記第2半導体ウェハが前記第1半導体ウェハに対向するように前記第2半導体ウェハを保持し、前記第1ステージに対向する面に沿って前記第1ステージと相対的に移動する第2ステージと、
前記第1ステージに対して相対的に固定され、前記第2ステージに保持された前記第2半導体ウェハに対して加工を行う第1加工装置と、
前記第1ステージと前記第2ステージとが相対移動しているときに前記第1加工装置が前記第2半導体ウェハに対して行う加工を制御する制御部と
を備えるウェハ処理装置。 - 前記第2ステージに対して相対的に固定され、前記第1ステージに保持された前記第1半導体ウェハに対して加工を行う第2加工装置を備え、
前記制御部は、前記第1ステージと前記第2ステージとが相対移動しているときに前記第2加工装置が前記第1半導体ウェハに対して行う加工を制御する請求項18に記載のウェハ処理装置。 - 前記第2加工装置が行う加工は、前記第1加工装置が行う加工と同一種類の加工である請求項19に記載のウェハ処理装置。
- 前記第1加工装置は、前記第2半導体ウェハの表面へ不活性ガスを照射することにより前記第2半導体ウェハの表面を活性化させる第1活性化装置であり、
前記第2加工装置は、前記第1半導体ウェハの表面へ不活性ガスを照射することにより前記第1半導体ウェハの表面を活性化させる第2活性化装置である請求項19または20に記載のウェハ処理装置。 - 前記第1加工装置は、前記第2半導体ウェハの表面を加熱する第1加熱装置であり、
前記第2加工装置は、前記第1半導体ウェハの表面を加熱する第2加熱装置である請求項19または20に記載のウェハ処理装置。 - 前記第1加工装置は、前記第2半導体ウェハの表面を洗浄する第1洗浄装置であり、
前記第2加工装置は、前記第1半導体ウェハの表面を洗浄する第2洗浄装置である請求項19または20に記載のウェハ処理装置。 - 互いに重ね合されて接合される第1接合面を有する第1半導体ウェハと第2接合面を有する第2半導体ウェハとをそれぞれ処理するウェハ処理方法であって、
前記第1半導体ウェハを第1ステージに保持する第1保持工程と、
前記第2接合面が前記第1接合面に対向するように前記第2半導体ウェハを第2ステージに保持する第2保持工程と、
前記第1ステージと前記第2ステージの少なくともいずれかに対して相対移動しているときに、相対移動する前記第1接合面と前記第2接合面の少なくともいずれかに対して不活性ガスを照射することにより前記第1接合面と前記第2接合面の少なくともいずれかをそれぞれ活性化する活性化工程と、
前記活性化工程により活性化された前記第1半導体ウェハおよび前記第2半導体ウェハを互いに重ね合せて接合する接合工程と
を有するウェハ処理方法。 - 前記第1ステージおよび前記第2ステージを前記第1接合面と前記第2接合面が対向する方向に直交する方向を含む方向に相対移動させることにより、前記第1半導体ウェハと前記第2半導体ウェハとを互いに位置合わせする位置合わせ工程を含み、
前記位置合わせ工程において、前記活性化工程が行われる請求項24に記載のウェハ処理方法。 - 前記位置合わせ工程は、前記第1半導体ウェハと前記第2半導体ウェハとにそれぞれ設けられた複数のアライメントマークを観察する請求項25に記載のウェハ処理方法。
- 複数の半導体ウェハを重ね合わせて製造されるデバイスの製造方法であって、
前記複数の半導体ウェハを重ね合わせる工程は、
第1ステージに第1半導体ウェハを載置する第1載置工程と、
前記第1ステージに対向して配置され前記第1ステージと対向する面内の少なくとも一方向に前記第1ステージと相対的に移動する第2ステージに第2半導体ウェハを載置する第2載置工程と、
前記第1ステージに対して相対的に固定された第1加工装置により、前記第1ステージおよび前記第2ステージの相対移動時に前記第2半導体ウェハに対して加工を行う加工工程と
を有するデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010008466A JP5445160B2 (ja) | 2010-01-18 | 2010-01-18 | ウェハ処理装置、ウェハ処理方法およびデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010008466A JP5445160B2 (ja) | 2010-01-18 | 2010-01-18 | ウェハ処理装置、ウェハ処理方法およびデバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011146656A JP2011146656A (ja) | 2011-07-28 |
JP2011146656A5 true JP2011146656A5 (ja) | 2013-03-21 |
JP5445160B2 JP5445160B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=44461214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010008466A Active JP5445160B2 (ja) | 2010-01-18 | 2010-01-18 | ウェハ処理装置、ウェハ処理方法およびデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5445160B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG10201402670UA (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-30 | Systems Automation S Pte Ltd Fa | An apparatus and method for wafer stacking |
JP6485897B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2019-03-20 | 国立大学法人東京工業大学 | 半導体装置の製造方法 |
JP6727049B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2020-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム |
WO2021210380A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム |
CN112053985B (zh) * | 2020-07-03 | 2024-02-02 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 一种晶圆对准装置及其对准方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2701709B2 (ja) * | 1993-02-16 | 1998-01-21 | 株式会社デンソー | 2つの材料の直接接合方法及び材料直接接合装置 |
DE10030431A1 (de) * | 2000-06-21 | 2002-01-10 | Karl Suess Kg Praez Sgeraete F | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und/oder Bonden von Substraten |
JP4626160B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | ウェハ重ね合わせ方法及びウェハ重ね合わせ装置 |
JP5354900B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の作製方法 |
-
2010
- 2010-01-18 JP JP2010008466A patent/JP5445160B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102651554B1 (ko) | 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP6352376B2 (ja) | 基板処理システムおよび基板処理方法 | |
JP2011146656A5 (ja) | ウェハ処理装置、ウェハ処理方法およびデバイスの製造方法 | |
KR102468635B1 (ko) | 레이저 가공 장치 | |
TWI424901B (zh) | The edge of the glass plate grinding device | |
CN109923640B (zh) | 接合装置、接合系统、接合方法和计算机存储介质 | |
KR20160068669A (ko) | 이격 장치 및 이격 방법 | |
TW201718150A (zh) | 雷射加工裝置 | |
JP5913845B2 (ja) | 板状部材の搬送装置および搬送方法 | |
KR20160027924A (ko) | 정렬 장치 및 정렬 방법 | |
JP6223873B2 (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
JP5507775B1 (ja) | ボンディング装置およびボンディング方法 | |
JP5445160B2 (ja) | ウェハ処理装置、ウェハ処理方法およびデバイスの製造方法 | |
JP2015153837A5 (ja) | ||
JP6047392B2 (ja) | 分割装置および分割方法 | |
KR101394312B1 (ko) | 웨이퍼 정렬장치 | |
CN105321863A (zh) | 晶圆切割定位装置及方法 | |
JP5781642B2 (ja) | ボンディング装置 | |
JP5827046B2 (ja) | 板状部材の支持装置および支持方法、ならびに板状部材の搬送装置 | |
JP5707950B2 (ja) | 基板重ね合わせ装置および基板重ね合わせ方法 | |
JP2010157640A (ja) | 基板受渡し装置およびその方法 | |
JP5799304B2 (ja) | 露光ユニット及びそれを用いた露光方法 | |
JP6435669B2 (ja) | 基板加工装置 | |
JP7494875B2 (ja) | 基板重ね合わせ装置および基板処理方法 | |
KR101636049B1 (ko) | 웨이퍼 공급 장치 |