JP2011146597A - 発光素子および表示装置 - Google Patents
発光素子および表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011146597A JP2011146597A JP2010007362A JP2010007362A JP2011146597A JP 2011146597 A JP2011146597 A JP 2011146597A JP 2010007362 A JP2010007362 A JP 2010007362A JP 2010007362 A JP2010007362 A JP 2010007362A JP 2011146597 A JP2011146597 A JP 2011146597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- type contact
- light emitting
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Abstract
【解決手段】電極22に接するn型コンタクト層27において、少なくとも電極21との対向領域に開口27Aが設けられている。n型コンタクト層27よりも外側(光射出側)には、開口27Aと連通する複数の開口28Aを有する樹脂ブロック層28が設けられている。各開口28Aの深さ、すなわち、樹脂ブロック層28の厚さは、n型コンタクト層27の厚さ(例えば、数十nm)よりも厚くなっている。
【選択図】図4
Description
1.表示装置および発光素子の構成
2.発光素子の製造方法
3.表示装置の効果
図1は、本発明の一実施の形態に係る表示装置1の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の表示装置1は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてLEDが用いられたものである。この表示装置1は、例えば、図1に示したように、表示パネル10(支持基板)および駆動IC20(駆動部)を備えている。
表示パネル10は、一の面内に、画像表示領域10Aと、画像表示領域10Aを取り囲む環状のフレーム領域10Bとを有している。画像表示領域10Aには、例えば、図2に示したように、複数のデータ配線11が垂直方向(図中の上下方向)に延在して形成されており、所定のピッチで並列配置されている。画像表示領域10Aには、さらに、例えば、複数のスキャン配線12がデータ配線11と交差する方向、具体的には、水平方向(図中の左右方向)に延在して形成されており、所定のピッチで並列配置されている。
表示画素13には、例えば、1または複数の発光素子14が実装されている。なお、図2には、3つの発光素子14で一つの表示画素13が構成されており、一つの表示画素13からRGB3原色の光を出力することができるようになっている場合が例示されている。発光素子14は、例えばLEDである。
次に、本実施の形態の発光素子14の製造方法の一例について説明する。図7から図10は、発光素子14の製造過程における素子の断面構成の一例を工程順に表したものである。
本実施の形態では、電極22に接するn型コンタクト層27において、少なくとも電極21との対向領域に開口27Aが設けられており、さらに、n型コンタクト層27よりも外側(光射出側)には、開口27Aと連通する複数の開口28Aを有する樹脂ブロック層28が設けられている。ここで、各開口28Aの深さ、すなわち、樹脂ブロック層28の厚さが、n型コンタクト層27の厚さ(例えば、数十nm)よりも厚くなっている。これにより、例えば、製造過程において、発光素子14を、樹脂層41を介して支持基板40に固定することにより表示装置1を製造したときに、樹脂ブロック層28が、樹脂層41が開口27A内に入り込み、開口27A内の空隙を全て埋め尽くすのを効果的に妨げることができる。その結果として、表示装置1において開口27A内に空隙が残っている。従って、本実施の形態では、発光素子14の光射出面(n型コンタクト層27の下面26B)全体が樹脂層41に密着することがないので、光取り出し効率の低下を抑制することができる。
Claims (6)
- 第1導電型コンタクト層、第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層および樹脂ブロック層をこの順に含む半導体層と、
前記第1導電型コンタクト層に接する第1電極と、
前記第2導電型コンタクト層に接する第2電極と
を備え、
前記第2導電型コンタクト層は、少なくとも前記第1電極との対向領域に第1開口を有し、
前記樹脂ブロック層は、前記第1開口と連通する複数の第2開口を有し、
前記第1開口は、空隙を有する
発光素子。 - 各第2開口は、第1方向に延在しており、
前記樹脂ブロック層のうち互いに隣り合う第2開口同士の間が前記第1方向に延在する棒状の梁部となっている
請求項1に記載の発光素子。 - 前記梁部は、(110)面に垂直な方向に延在しており、かつ(111)面によって形成された傾斜面を側面に有する
請求項2に記載の発光素子。 - 前記樹脂ブロック層の厚さは、前記第2導電型コンタクト層の厚さよりも厚くなっている
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記第2導電型コンタクト層は、前記第2導電型クラッド層側の表面に、前記第2導電型クラッド層に接していない露出面を有しており、
前記第2電極は、前記露出面に接している
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光素子。 - 支持基板上に樹脂層を介して固定された複数の発光素子を有する表示パネルと、
各発光素子を駆動する駆動部と
を備え、
前記発光素子は、
前記支持基板から遠い順に、第1導電型コンタクト層、第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型コンタクト層、および前記樹脂層に接する樹脂ブロック層をこの順に含む半導体層と、
前記第1導電型コンタクト層に接する第1電極と、
前記第2導電型コンタクト層に接する第2電極と
を備え、
前記第2導電型コンタクト層は、少なくとも前記第1電極との対向領域に第1開口を有し、
前記樹脂ブロック層は、前記第1開口と連通する複数の第2開口を有し、
前記第1開口は、空隙を有する
表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010007362A JP2011146597A (ja) | 2010-01-15 | 2010-01-15 | 発光素子および表示装置 |
US12/985,079 US8294175B2 (en) | 2010-01-15 | 2011-01-05 | Light-emitting device and display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010007362A JP2011146597A (ja) | 2010-01-15 | 2010-01-15 | 発光素子および表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011146597A true JP2011146597A (ja) | 2011-07-28 |
Family
ID=44277279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010007362A Pending JP2011146597A (ja) | 2010-01-15 | 2010-01-15 | 発光素子および表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8294175B2 (ja) |
JP (1) | JP2011146597A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2998096B1 (fr) * | 2012-11-14 | 2015-01-30 | Astron Fiamm Safety | Connexion electrique d'un dispositif oled |
KR20150025231A (ko) * | 2013-08-28 | 2015-03-10 | 서울반도체 주식회사 | 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛 |
US9385279B2 (en) * | 2014-05-30 | 2016-07-05 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
TWM521008U (zh) * | 2016-01-27 | 2016-05-01 | Lite On Technology Corp | 車燈裝置及其發光模組 |
CN111864019B (zh) * | 2020-07-10 | 2021-11-30 | 武汉大学 | 一种具有嵌入式散射层的倒装发光二极管及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06268332A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2002182580A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Sony Corp | 素子の選択転写方法、画像表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
JP2007194247A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4491948B2 (ja) | 2000-10-06 | 2010-06-30 | ソニー株式会社 | 素子実装方法および画像表示装置の製造方法 |
JP4055405B2 (ja) | 2001-12-03 | 2008-03-05 | ソニー株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-01-15 JP JP2010007362A patent/JP2011146597A/ja active Pending
-
2011
- 2011-01-05 US US12/985,079 patent/US8294175B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06268332A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2002182580A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Sony Corp | 素子の選択転写方法、画像表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
JP2007194247A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110175860A1 (en) | 2011-07-21 |
US8294175B2 (en) | 2012-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6770637B2 (ja) | 製造方法、及び、光電子デバイスのアレイ | |
JP5989420B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4055405B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
US7317211B2 (en) | Light-emitting device, light-emitting apparatus, image display apparatus, method of manufacturing light-emitting device, and method of manufacturing image display apparatus | |
JP5537446B2 (ja) | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 | |
JP5378130B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US8987764B2 (en) | Semiconductor light emitting device and light source unit | |
US20160276323A1 (en) | Light-emitting device and display device | |
KR101304090B1 (ko) | 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2004273596A (ja) | 素子転写方法および表示装置 | |
TWI525862B (zh) | 元件模組 | |
US10950763B2 (en) | Method of manufacturing light emitting module | |
US10658423B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP2011146597A (ja) | 発光素子および表示装置 | |
US20200098963A1 (en) | Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device | |
JP2007194383A (ja) | 光学部材およびバックライト | |
JP2008060608A (ja) | 素子転写方法 | |
JP7208470B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
JP2006261266A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法並びに電子機器 | |
JP2001127343A (ja) | 複合発光素子及びその製造方法 | |
US20220028926A1 (en) | Method for Producing a Radiation-Emitting Semiconductor Device and Radiation-Emitting Semiconductor Device | |
WO2024082074A1 (zh) | 一种微发光二极管及其显示装置 | |
JP2015216401A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2011035029A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131028 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140325 |