JP2011146457A - 分離方法及び分離装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の分離方法は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、上記接着剤を溶解する溶解工程と、上記溶解工程後、上記支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、上記保持部材を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、上記空隙から剥離部材を挿入し、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過させる通過工程とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明に係る分離方法は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、接着剤を溶解する溶解工程と、該溶解工程後、支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、該保持部材をウエーハから離れる方向に移動させ、周縁部とウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、該空隙から剥離部材を挿入し、支持基板とウエーハとの間を通過させる通過工程とを含む。
本発明の分離装置は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離装置であって、支持基板とウエーハとの間に接着剤を溶解する溶解液を注入する注入手段と、支持基板の周縁部を保持する保持手段と、周縁部を保持した状態で、保持手段をウエーハから離れる方向に移動させ、周縁部とウエーハとの間に空隙を形成する移動手段と、空隙から挿入され、支持基板とウエーハとの間を通過することによって支持基板とウエーハとを剥離する剥離手段とを備えている。
本実施形態に係る分離方法の具体的な手順の一例について、図1に基づいて以下に説明する。図1は、本発明の分離方法の一実施形態を説明する概略工程図である。なお、以下に示す分離装置は、保持台4、クランプ(保持手段,移動手段)6、及びワイヤ(剥離手段)7を備えており、接着剤によって支持基板1と接着されたウエーハ2が、ダイシングテープ5上の保持台4に保持されている。また、支持基板1には複数の貫通孔が設けられている。
2 ウエーハ
3 接着層
4 保持台
6 クランプ(保持部材)
7 ワイヤ(剥離部材)
Claims (7)
- 接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、
上記接着剤を溶解する溶解工程と、
上記溶解工程後、上記支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、上記保持部材を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、
上記空隙から剥離部材を挿入し、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過させる通過工程とを含むことを特徴とする分離方法。 - 上記通過工程では、上記剥離部材によって、上記周縁部と上記ウエーハとの間の全領域を掃引することを特徴とする請求項1に記載の分離方法。
- 上記移動工程では、上記周縁部と上記ウエーハとの間の空隙が上記剥離部材の高さ以上になるまで上記保持部材を移動させることを特徴とする請求項1又は2に記載の分離方法。
- 上記通過工程では、上記剥離部材を、上記ウエーハと当該剥離部材との間の距離が、上記支持基板と当該剥離部材との間の距離よりも大きい位置に配置して通過させることを特徴とする請求項3に記載の分離方法。
- 上記剥離部材の形状は、糸状又はブレード形状であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の分離方法。
- 上記支持基板には複数の貫通孔が設けられており、
上記溶解工程では、上記貫通孔から溶解液を注入して上記接着剤を溶解することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の分離方法。 - 接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離装置であって、
上記支持基板と上記ウエーハとの間に上記接着剤を溶解する溶解液を注入する注入手段と、
上記支持基板の周縁部を保持する保持手段と、
上記周縁部を保持した状態で、上記保持手段を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動手段と、
上記空隙から挿入され、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過することによって上記支持基板と上記ウエーハとを剥離する剥離手段とを備えていることを特徴とする分離装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010004690A JP5448860B2 (ja) | 2010-01-13 | 2010-01-13 | 分離方法及び分離装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010004690A JP5448860B2 (ja) | 2010-01-13 | 2010-01-13 | 分離方法及び分離装置 |
Publications (2)
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JP2011146457A true JP2011146457A (ja) | 2011-07-28 |
JP5448860B2 JP5448860B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=44461071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5448860B2 (ja) |
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A977 | Report on retrieval |
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