JP2011146457A - 分離方法及び分離装置 - Google Patents

分離方法及び分離装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011146457A
JP2011146457A JP2010004690A JP2010004690A JP2011146457A JP 2011146457 A JP2011146457 A JP 2011146457A JP 2010004690 A JP2010004690 A JP 2010004690A JP 2010004690 A JP2010004690 A JP 2010004690A JP 2011146457 A JP2011146457 A JP 2011146457A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
support substrate
adhesive
peeling
peripheral edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010004690A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5448860B2 (ja
Inventor
Yoshihiro Inao
吉浩 稲尾
Akihiko Nakamura
彰彦 中村
Kimihiro Nakata
公宏 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2010004690A priority Critical patent/JP5448860B2/ja
Publication of JP2011146457A publication Critical patent/JP2011146457A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5448860B2 publication Critical patent/JP5448860B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】支持基板及びウエーハを破損させることなく分離することができる分離方法及び分離装置を提供する。
【解決手段】本発明の分離方法は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、上記接着剤を溶解する溶解工程と、上記溶解工程後、上記支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、上記保持部材を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、上記空隙から剥離部材を挿入し、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過させる通過工程とを含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、接着された支持基板とウエーハとを分離する分離方法、及び分離装置に関するものである。
近年、携帯電話、デジタルAV機器及びICカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップの小型化、薄型化及び高集積化への要求が高まっている。
薄型のチップは、例えば、高純度シリコン単結晶等をスライスしてウエーハとした後、ウエーハ表面にIC等の所定の回路パターンをエッチング形成して集積回路を組み込み、このウエーハの裏面を研削機によって研削して所定の厚さにする。研削後、ウエーハをダイシングすることによってチップ化されている。このとき、ウエーハの厚さは、一般に100〜600μm程度であり、貫通電極を形成する場合にはさらに研削し、厚さ50〜100μm程度にしている。
このように、半導体チップの製造では、ウエーハの厚さが薄いためにウエーハ自体の強度が低く、ウエーハに形成された回路パターンには凹凸があるため、研削工程又はダイシング工程への搬送時に外力が加わると破損し易い。また、研削工程では、ウエーハを研削することによって生じた研磨屑の除去、又は研磨時に発生した熱の除去のため、精製水を用いてウエーハの裏面を洗浄しながら研削処理している。このとき、ウエーハの回路パターン面を保護すると共に、ウエーハ自体の破損を防止するため、ウエーハに支持基板(以下、「プレート」又は「支持体」ともいう)を接着させてから各加工処理を行なっている。
また、この支持基板は、ウエーハの各加工処理の終了後に取り外す必要がある。そこで、これまでに、ウエーハから支持基板を剥離する様々な方法が用いられている。
例えば、特許文献1には、プレートに貼り付けられたウエーハを剥離するウエーハ剥離装置が開示されている。このウエーハ剥離装置では、まず、ウエーハが貼り付けられたプレートを傾斜状態で支持する。このウエーハの周縁にスクレーパを近づけ、当該周縁にスクレーパの刃先面を当接する。その後、スクレーパの刃先面における他の部分がウエーハの周縁における他の部分に接するように移動させることにより、ウエーハをプレートから剥離させる。
また、特許文献2においても、支持体に接着されたウエーハを剥離する方法が開示されている。この方法では、ウエーハと支持体とが接着されている両面粘着シートの層にブレードを水平方向から挿入し、奥まで差し込む。これにより、両面粘着シートの一部が分断され、ウエーハと支持体との間に剥離界面(剥離の起点)が生じる。この状態において、ウエーハの上面に貼着されたダイシングテープに配置されたアームを上昇させて、ウエーハを上方へ付勢しながらブレードを上下に振動させると、剥離界面へ振動エネルギが付加されて剥離が進行する。
一方、シリコンウエーハ等のウエーハを貼り合わせて形成した接着ウエーハが知られており、耐放射線強度及び高速動作等を要求するLSIに応用されている。この接着ウエーハの作製において、貼り合わせたウエーハの境界に気泡が混入した場合は不良品として扱われるため、その対策として、例えば、接着ウエーハをそれぞれ剥離して再利用する技術が特許文献3に開示されている。
特許文献3の接着ウエーハの剥離方法では、まず、2つのシリコンウエーハ同士が接着された接着ウエーハを、固定剥離治具の挿入部が嵌合するように吸着テーブルに載置して固定する。次に、先端に挿入部を有する可動剥離治具を接着ウエーハに向けて移動させ、接着ウエーハの接着面に可動剥離治具を挿入する。このとき、可動剥離治具の押圧力により接着ウエーハの片側から接着面内に挿入部が挿入され、接着ウエーハの上側ウエーハを下側ウエーハから剥離する。
特開平11−111824号公報(1999年4月23日公開) 特開2006−32506号公報(2006年2月2日公開) 特開平7−240355号公報(1995年9月12日公開)
しかし、特許文献1〜3に開示されている技術では、支持基板とウエーハとの間(もしくはウエーハ同士の間)に挿入部材を挿入するという操作は、あくまで剥離のきっかけを与えるにすぎず、サイズのより大きなウエーハを扱った場合、容易に分離することができない。
例えば、特許文献1に開示されているウエーハ剥離装置では、ウエーハの周縁部に直接スクレーパの刃先面を当接させて、ウエーハとプレートとの間に該刃先面の一部を入り込ませている。そのため、ウエーハとスクレーパとの界面の幅がスクレーパの刃先面よりも大きくなければ、ウエーハの周縁部がスクレーパの刃先面によって傷つくことがある。また、スクレーパの刃先面によって直接剥離されるのはウエーハの周縁部に留まり、ウエーハの中心付近の領域にまで達するものではない。よって、さらにサイズの大きなウエーハを取り扱った場合、単にウエーハの周縁部にスクレーパの刃先面を挿入しただけでは、ウエーハをプレートから剥離できないおそれがある。
また、特許文献2に開示されている方法において、両面粘着シートの一部を分断させて剥離界面を生じさせているが、これはあくまで剥離の起点を形成したにすぎない。つまり、ウエーハと支持体とを実質的に分離させているのは、アームを上昇させてウエーハを持ち上げると同時に、ブレードを振動させて剥離を進行させることによる。この方法では、十分に接着面が剥離されていない場合、ウエーハを持ち上げるときにウエーハが撓むことがある。この撓みはウエーハのサイズが大きくなるほど生じ易く、アームからウエーハが外れて落下することがあり、撓み自体によりウエーハが損傷するという問題もある。
また、特許文献3では、結合力の弱い水素結合のみにより接着されたシリコンウエーハ同士を剥離するものであり、ウエーハと支持基板とを接着した形態に当該技術を用いたとしても、固定剥離治具及び可動剥離治具の挿入部をウエーハの周縁部に挿入することのみでウエーハ同士を剥離させる方法では、上記特許文献1と同様の問題が生じる。
ところで、ウエーハと支持基板との接着体の剥離方式として、支持基板に予め形成された貫通孔から溶解液を注入して接着剤を溶解し、支持基板を引き上げて剥離する方式も考えられる。図2は、本発明者らが考えた剥離方式の一つを説明する概略工程図である。
この方式では、支持基板21とウエーハ22とが接着剤により接着された接着体において、まず、支持基板21に形成された複数の貫通孔から溶解液を注入し、接着剤が半ば溶解した後、支持基板21の端部をクランプ26によって数箇所保持する(図2の(a))。次に、支持基板21を保持した状態のクランプ26を上昇させ、接着層23から支持基板21を剥離させることにより(図2の(b))、支持基板21が撓みにより外周部から剥離が進行する(図2の(c))。これにより、ウエーハ22から支持基板21を完全に剥離させる(図2の(d))。しかし、この剥離方式では、ウエーハを支持基板から剥離させる際、支持基板又はウエーハに損傷を与えるおそれがある。
つまり、図2に示す剥離方式では、クランプ26を上昇させて支持基板21を撓ませて剥離を進行させる。しかし、ウエーハ22のサイズを大きくするに伴い、ウエーハ22を支持する支持基板21も大きくする必要があり、この場合、支持基板21の撓み量も増加する。その結果、支持基板21がクランプ26から外れたり、撓みにより支持基板21自体が破損したりしてしまうことがある。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、支持基板及びウエーハを破損させることなく、これらを分離することができる分離方法及び分離装置を提供することにある。
本発明に係る分離方法は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、上記接着剤を溶解する溶解工程と、上記溶解工程後、上記支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、上記保持部材を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、上記空隙から剥離部材を挿入し、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過させる通過工程とを含む。
また、本発明に係る分離装置は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離装置であって、上記支持基板と上記ウエーハとの間に上記接着剤を溶解する溶解液を注入する注入手段と、上記支持基板の周縁部を保持する保持手段と、上記周縁部を保持した状態で、上記保持手段を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動手段と、上記空隙から挿入され、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過することによって上記支持基板と上記ウエーハとを剥離する剥離手段とを備えている。
本発明によれば、支持基板及びウエーハを破損させることなく分離することができる分離方法及び分離装置を提供することができる。
本発明の分離方法の一実施形態を説明する概略工程図である。 本発明者らが考えた剥離方式の一つを説明する概略工程図である。
本発明に係る分離方法の一実施形態について以下に説明する。なお、本発明の範囲はこれらの説明に拘束されることはなく、以下の例示以外についても、本発明の趣旨を損なわない範囲で適宜変更して実施することができる。
〔1.分離方法〕
本発明に係る分離方法は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、接着剤を溶解する溶解工程と、該溶解工程後、支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、該保持部材をウエーハから離れる方向に移動させ、周縁部とウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、該空隙から剥離部材を挿入し、支持基板とウエーハとの間を通過させる通過工程とを含む。
支持基板は、例えばウエーハに研磨等の加工を施すときに、該ウエーハを保護するために支持可能な基板である。支持基板としては、可撓性を有するものであれば特に限定されず、当業者に公知の基板を用いればよい。可撓性を有する支持基板の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アルミナ、炭化珪素、アルミニウム、樹脂、ステンレス、又は鉄−ニッケル合金等の金属類等が挙げられる。
支持基板の形状は、ウエーハの形状に応じて適宜設計すればよいが、複数の貫通孔が形成されていることが好ましい。例えば、支持基板の両面にそれぞれ開口面を有している複数の貫通孔が形成されていれば、溶解工程において当該貫通孔から溶解液を注入し、接着剤を容易に溶解することができる。なお、支持基板における貫通孔の形成方法は、当業者に公知の方法を用いればよい。
ウエーハは、例えばその表面に回路パターンが形成されており、当該回路パターンの形成面が支持基板と接着され得る。ウエーハとしては、当業者が利用可能な公知のウエーハを用いればよく、その材料には、例えば、石英、シリコン、サファイヤ、GaAs(ガリウムヒ素)等の化合物半導体が挙げられる。
また、本発明の分離方法により支持基板とウエーハとを分離するにあたって、支持基板とウエーハとは、接着剤により互いに接着されている。すなわち、支持基板とウエーハとの界面には接着剤が塗布され、接着層が形成され得る。
接着剤としては、例えばアクリル系樹脂、炭化水素系樹脂(ポリシクロオレフィン樹脂、テルペン樹脂、石油樹脂等)、又はノボラックタイプのフェノール樹脂系材料を含有してなる接着剤組成物等、有機溶剤に対して可溶性を示す接着剤を用いることが好ましく、これらを単独で用いても組み合わせて用いてもよい。
溶解工程は、支持基板とウエーハとを接着している接着剤を溶解する工程である。ここでいう「溶解」とは、上記界面に塗布されている接着剤の少なくとも一部が溶解されればよく、接着剤の全て(全部)が溶解されなくてもよい。
接着剤の溶解方法は、例えば、支持基板に複数の貫通孔が設けられている場合、当該貫通孔から溶解液を注入して接着剤を溶解することが好ましい。すなわち、この方法では、溶解液を接着剤に直接接触させることが可能であるため、接着剤をより確実に溶解させることができる。
溶解液としては、接着剤に用いられる従来公知の溶剤を使用すればよく、そのような溶剤としては、例えば、p−メンタン、d−リモネン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体;ジオキサンのような環式エーテル類;並びに乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類、又はこれらの混合物などを挙げることができる。これらの溶解液のいずれを用いるかは、使用する接着剤に応じて適宜選択すればよい。また、溶解液の温度、又は注入量等の種々の条件は、例えば、溶解液又は接着剤の種類等により適宜選択すればよい。
移動工程は、支持基板を移動させることによって、支持基板とウエーハとの間に空隙を形成する工程である。具体的には、溶解工程において接着剤の少なくとも一部が溶解された後、まず、支持基板の周縁部を保持部材により保持し、この状態で保持部材をウエーハから離れる方向に移動させて、支持基板の周縁部とウエーハとの間に空隙を形成する。
保持部材としては、支持基板の周縁部を保持することができると共に、移動可能な部材であればよく、例えば、クランプ又は吸着パッド等が挙げられる。また、保持部材によって保持される位置は、支持基板を持ち上げることが可能な位置であれば特に限定されるものではなく、例えば対向する2箇所もしくは均等間隔に配置された3箇所、又はそれ以上の箇所を保持してもよい。
また、保持部材をウエーハから離れる方向に移動させるとは、ウエーハに対して支持基板が接着されている側へ保持部材を移動させることが意図される。例えば、支持基板がウエーハの上面に接着されている場合、保持部材を上方へ移動させれば、ウエーハから離れる方向に移動させることになる。
なお、ここでいう「移動」は、あくまで支持基板の周縁部とウエーハとの間に空隙が形成される程度の移動であればよく、その範囲は特に限定されないが、周縁部とウエーハとの間の空隙が、後述する剥離部材の高さ以上になるまで保持部材を移動させることが好ましい。つまり、移動工程において形成される空隙は、通過工程において剥離部材を挿入させることが可能な幅であればよい。よって、この時点で保持部材を移動させるのは、剥離部材が挿入可能な必要最低限の範囲での移動であればよいため、例えば保持部材を上昇させたとしても、支持基板が大きく撓むことはない。
通過工程は、移動工程において形成された空隙から剥離部材を挿入し、支持基板とウエーハとの間を通過させる工程である。すなわち、通過工程では、支持基板とウエーハとの間を、剥離部材を通過させることによって、支持基板とウエーハとの間の接着を剥がし、これらを分離させる。
剥離部材は、望ましくは移動工程において形成された空隙の幅よりも小さく、その形状としては、例えば、糸状、三角形、長方形、薄刃形状等が挙げられるが、なかでも糸状又は薄刃形状であることが好ましい。剥離部材が糸状であれば、保持部材を移動させる量が少なくてよいので、空隙を形成する際の支持基板の撓みを抑えることができる。剥離部材としては、例えば、ワイヤ等を用いることができる。また、剥離部材が薄刃形状であれば、ブレード等を用いることができる。これらの材質としては、樹脂、金属、ガラス、アルミナ又はゴム系等を用いることができる。
剥離部材の通過とは、空隙から挿入した剥離部材を、当該空隙が形成されている周縁部とは異なる他の周縁部から取り出すように移動させればよいが、特に、支持基板の周縁部とウエーハとの間の全領域を掃引することが好ましい。これにより、接着剤が塗布されている全ての領域を剥離部材によって剥離することができるので、支持基板とウエーハとを容易に分離することができる。
通過のさせ方は、特に限定されるものではなく、例えば、一箇所の空隙から対向する空隙まで一方向に通過させればよい。また、例えば支持基板の直径よりも大きい糸状の剥離部材を用いた場合、剥離部材の一端を固定し、他端が弧を描くように動かすことによって通過させてもよい。さらに、複数の剥離部材を通過させてもよく、この場合、2つの剥離部材を周縁部における互いに異なる位置から挿入させて、中心で合わせるように移動させてもよい。
さらに、通過工程では、剥離部材を、ウエーハと剥離部材との間の距離が、支持基板と剥離部材との間の距離よりも大きい位置に配置して通過させることが好ましい。つまり、剥離部材をウエーハよりも支持基板に近い位置で通過させることにより、剥離部材がウエーハに接触せず、ウエーハの表面に形成された回路パターンを傷つけることがない。この場合、支持基板を破損させないために、剥離部材を支持基板に接触させずに通過させることがより好ましい。これにより、ウエーハ及び支持基板の両者とも剥離部材による損傷を与えることがない。
このように、本発明の分離方法では、ウエーハではなく支持基板を移動させることによって分離するので、ウエーハに損傷を与えるおそれが低い。また、単に支持基板を移動させて分離するのではなく、剥離部材によって接着面を剥離させて分離する。すなわち、保持部材を移動させて支持基板の周縁部とウエーハとの間に空隙を形成してから、当該空隙から剥離部材を挿入して通過させる。
よって、サイズの大きなウエーハを扱った場合であっても、支持基板が大きく撓むことがないため、支持基板が保持部材から外れるおそれを低減することができると共に、撓みによる支持基板自体の破損も防ぐことができる。したがって、支持基板及びウエーハを破損させることなく、これらを分離することができる。
なお、本発明の分離方法は、本発明の分離装置によって実行され得る。
〔2.分離装置〕
本発明の分離装置は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離装置であって、支持基板とウエーハとの間に接着剤を溶解する溶解液を注入する注入手段と、支持基板の周縁部を保持する保持手段と、周縁部を保持した状態で、保持手段をウエーハから離れる方向に移動させ、周縁部とウエーハとの間に空隙を形成する移動手段と、空隙から挿入され、支持基板とウエーハとの間を通過することによって支持基板とウエーハとを剥離する剥離手段とを備えている。
注入手段は、支持基板とウエーハとの間に溶解液を注入する。注入手段としては特に限定されるものではなく、例えば、溶解液を供給するための供給孔、及び供給した溶解液を吸引するための吸引孔が設けられた基板を注入手段とすることができる。すなわち、このような構造を有する注入手段では、支持基板に設けられた貫通孔と対向する面において、中心に供給孔を、中心から最も離れた位置に吸引孔をそれぞれ設けて、溶解液を供給しつつ、吸引すればよい。注入手段の別の構成例としては、注入手段の外周に凸部を設けることにより、溶解液の飛散を物理的に抑制することができる。また、注入手段には、接着剤への溶解液の浸透を促進するため、超音波発生器が取り付けられていてもよい。
保持手段は、支持基板の周縁部を保持する。保持手段としては、例えば、クランプが挙げられる。保持手段は、支持基板の周縁部の端部を把持し、ウエーハから支持基板を剥離できるものであればよい。保持手段は、支持基板の外周側端部を把持するようになっていればよいが、特に、支持基板の外周側端部に面取り部位を設けている場合、当該面取り部位を把持するようになっていることが好ましい。つまり、ウエーハを支持する支持基板としては、通常、ガラスプレート等が用いられるが、このようなプレートの外周側端部はR形状に面取りされていることがある。保持手段は、この面取り部位を把持することによって、より確実に支持基板を把持することができる。
移動手段は、支持基板の周縁部を保持している保持手段を、ウエーハから離れる方向に移動させる。なお、保持手段と移動手段とは別々の部材であってもよいし、これらの機能を兼ね備えた同一の部材であってもよい。
剥離手段は、支持基板とウエーハとの間を通過して支持基板とウエーハとを剥離する。剥離手段としては、例えば、ワイヤ又はブレード等を用いることができ、その材質としては、樹脂、金属、ガラス、アルミナ又はゴム系等を用いることができる。
本発明の分離装置によれば、サイズの大きなウエーハを扱った場合であっても、支持基板が大きく撓むことなくウエーハと支持基板とを分離することができるため、支持基板及びウエーハを破損させることなく、これらを分離することができる。
〔3.分離方法の流れ〕
本実施形態に係る分離方法の具体的な手順の一例について、図1に基づいて以下に説明する。図1は、本発明の分離方法の一実施形態を説明する概略工程図である。なお、以下に示す分離装置は、保持台4、クランプ(保持手段,移動手段)6、及びワイヤ(剥離手段)7を備えており、接着剤によって支持基板1と接着されたウエーハ2が、ダイシングテープ5上の保持台4に保持されている。また、支持基板1には複数の貫通孔が設けられている。
まず、図示しない注入手段が支持基板1に設けられた複数の貫通孔に溶解液を注入する。これにより、接着層3の少なくとも一部が溶解された後、クランプ6によって支持基板1を保持する(図1の(a))。ここでは、クランプ6は対向する2箇所の周縁部を保持しているが、これに限定されるものではない。
次に、支持基板1を保持した状態のクランプ6を上昇させて、支持基板1の周縁部を持ち上げる(図1の(b))。これにより、支持基板1の周縁部とウエーハとの間には接着層3を介して空隙が形成されるので、この空隙からワイヤ7を挿入し、反対側の空隙へ向けてワイヤ7を通過させる(図1の(c)中、左向きの矢印方向)。このワイヤ7が反対側の空隙まで完全に通過することにより(図1の(d))、支持基板1をウエーハ2から分離することができる。
また、ワイヤ7の通過後、接着層3から剥離された支持基板1をクランプ6によりさらに持ち上げて、支持基板1をウエーハ2から完全に離す。以上により、支持基板及びウエーハを破損させることなく、これらを分離することができる。
以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。
以下、本発明の実施例について説明する。
本実施例では、支持基板としては、ウエーハと同等もしくは若干大きいガラス基板を使用し、ウエーハとしては、直径300mmのシリコンウエーハを使用した。また、支持基板とウエーハとを接着する接着剤には、アクリル系接着剤を使用し、溶解液としてはPGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate)を使用した。
なお、本実施例において用いた分離装置の構成は図1に示す分離装置と同様であるため、説明の便宜上、同一の部材には同一の番号を付して説明する。
まず、支持基板1に設けられた複数の貫通孔に溶解液を注入した後、クランプ6によって支持基板1を保持し、クランプ6を上昇させた。このとき、クランプ6によって保持されている支持基板1の周縁部は持ち上げられているが、その周辺は持ち上げられていない。この状態からさらにクランプ6を上昇させて、支持基板1の周縁部全体を持ち上げた。これにより、周縁部全体とウエーハ2との間に空隙が形成された。
次に、形成された空隙からワイヤ7を挿入した。なお、ワイヤ7としては、樹脂ワイヤを用いた。このとき、保持台4上に配置されたウエーハ2を傷つけないように、ワイヤ7が支持基板1に近い側を通過するように配置した。このワイヤ7を、支持基板1とウエーハ2との間を通過させた。これにより、支持基板1とウエーハ2との間の接着は全て剥がれた。その後、クランプ6によって支持基板1を持ち上げ、ウエーハ2から完全に分離させた。
以上のように、本実施例の分離方法によれば、直径300mmの支持基板を用いても、支持基板を持ち上げた際の撓み量を最小限に抑えて、ウエーハから支持基板を剥離させて分離することができた。したがって、支持基板がクランプから外れてしまうことがなく、撓みによる支持基板の破損は起こらなかった。
本発明は、携帯電話、デジタルAV機器及びICカード等に搭載される半導体チップの製造に利用することができる。
1 支持基板
2 ウエーハ
3 接着層
4 保持台
6 クランプ(保持部材)
7 ワイヤ(剥離部材)

Claims (7)

  1. 接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、
    上記接着剤を溶解する溶解工程と、
    上記溶解工程後、上記支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、上記保持部材を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、
    上記空隙から剥離部材を挿入し、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過させる通過工程とを含むことを特徴とする分離方法。
  2. 上記通過工程では、上記剥離部材によって、上記周縁部と上記ウエーハとの間の全領域を掃引することを特徴とする請求項1に記載の分離方法。
  3. 上記移動工程では、上記周縁部と上記ウエーハとの間の空隙が上記剥離部材の高さ以上になるまで上記保持部材を移動させることを特徴とする請求項1又は2に記載の分離方法。
  4. 上記通過工程では、上記剥離部材を、上記ウエーハと当該剥離部材との間の距離が、上記支持基板と当該剥離部材との間の距離よりも大きい位置に配置して通過させることを特徴とする請求項3に記載の分離方法。
  5. 上記剥離部材の形状は、糸状又はブレード形状であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の分離方法。
  6. 上記支持基板には複数の貫通孔が設けられており、
    上記溶解工程では、上記貫通孔から溶解液を注入して上記接着剤を溶解することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の分離方法。
  7. 接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離装置であって、
    上記支持基板と上記ウエーハとの間に上記接着剤を溶解する溶解液を注入する注入手段と、
    上記支持基板の周縁部を保持する保持手段と、
    上記周縁部を保持した状態で、上記保持手段を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動手段と、
    上記空隙から挿入され、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過することによって上記支持基板と上記ウエーハとを剥離する剥離手段とを備えていることを特徴とする分離装置。
JP2010004690A 2010-01-13 2010-01-13 分離方法及び分離装置 Active JP5448860B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010004690A JP5448860B2 (ja) 2010-01-13 2010-01-13 分離方法及び分離装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010004690A JP5448860B2 (ja) 2010-01-13 2010-01-13 分離方法及び分離装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011146457A true JP2011146457A (ja) 2011-07-28
JP5448860B2 JP5448860B2 (ja) 2014-03-19

Family

ID=44461071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010004690A Active JP5448860B2 (ja) 2010-01-13 2010-01-13 分離方法及び分離装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5448860B2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013041973A (ja) * 2011-08-15 2013-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研削方法
JP2013098366A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2014038877A (ja) * 2012-08-10 2014-02-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
US8771456B2 (en) 2012-03-23 2014-07-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device and substrate separating apparatus
CN103988282A (zh) * 2011-10-27 2014-08-13 聚斯微技术平版印刷有限公司 对临时键合的半导体晶片去键合
JP2014204044A (ja) * 2013-04-08 2014-10-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2014532992A (ja) * 2011-10-31 2014-12-08 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated 結合ウェハ構造体を劈開させるための固定装置及び劈開方法
US8975160B2 (en) 2013-03-21 2015-03-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for semiconductor device
JP2015176945A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 日本碍子株式会社 研磨基板の製造方法
JP2015174166A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 日本碍子株式会社 基板キャリア及び研磨基板の製造方法
KR101607098B1 (ko) * 2015-02-06 2016-03-29 디디피에이 주식회사 엘씨디 패널로부터의 아이티오 글라스 회수 방법
AT519840A5 (de) * 2014-01-28 2018-10-15 Ev Group E Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Lösen eines ersten Substrats
WO2019059057A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
JP2020178058A (ja) * 2019-04-19 2020-10-29 ハイソル株式会社 層状物質劈開方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9472437B2 (en) 2009-04-16 2016-10-18 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US9583374B2 (en) 2009-04-16 2017-02-28 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
JP2013041973A (ja) * 2011-08-15 2013-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研削方法
CN103988282A (zh) * 2011-10-27 2014-08-13 聚斯微技术平版印刷有限公司 对临时键合的半导体晶片去键合
JP2014534640A (ja) * 2011-10-27 2014-12-18 ズース マイクロテック リトグラフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 一時的に接着された半導体ウエハの剥離
JP2015144319A (ja) * 2011-10-27 2015-08-06 ズース マイクロテック リトグラフィー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 一時的に接着された半導体ウエハの剥離方法
JP2014532992A (ja) * 2011-10-31 2014-12-08 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated 結合ウェハ構造体を劈開させるための固定装置及び劈開方法
US9925755B2 (en) 2011-10-31 2018-03-27 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Clamping apparatus for cleaving a bonded wafer structure and methods for cleaving
JP2013098366A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US8771456B2 (en) 2012-03-23 2014-07-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device and substrate separating apparatus
JP2014038877A (ja) * 2012-08-10 2014-02-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
US8975160B2 (en) 2013-03-21 2015-03-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for semiconductor device
JP2014204044A (ja) * 2013-04-08 2014-10-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
AT519840A5 (de) * 2014-01-28 2018-10-15 Ev Group E Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Lösen eines ersten Substrats
AT519840B1 (de) * 2014-01-28 2019-04-15 Ev Group E Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Lösen eines ersten Substrats
JP2015174166A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 日本碍子株式会社 基板キャリア及び研磨基板の製造方法
JP2015176945A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 日本碍子株式会社 研磨基板の製造方法
KR101607098B1 (ko) * 2015-02-06 2016-03-29 디디피에이 주식회사 엘씨디 패널로부터의 아이티오 글라스 회수 방법
WO2019059057A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
JPWO2019059057A1 (ja) * 2017-09-20 2020-09-03 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
JP7115490B2 (ja) 2017-09-20 2022-08-09 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
JP2020178058A (ja) * 2019-04-19 2020-10-29 ハイソル株式会社 層状物質劈開方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5448860B2 (ja) 2014-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5448860B2 (ja) 分離方法及び分離装置
JP5591859B2 (ja) 基板の分離方法及び分離装置
TW529095B (en) Method of dividing wafer and manufacture of semiconductor device
US20140150981A1 (en) Peeling apparatus, peeling system and peeling method
JP5210060B2 (ja) 剥離装置および剥離方法
JP2010010207A (ja) 剥離装置および剥離方法
US20140150980A1 (en) Peeling apparatus, peeling system and peeling method
JP2006135272A (ja) 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
KR20050067019A (ko) 반도체 집적회로장치의 제조방법
JP2006203023A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
WO2008114806A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2008021929A (ja) サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
TWI254397B (en) Apparatus and method of automatically cleaning a pick-up head
JP2005109433A (ja) 半導体ウエーハの切削方法および研削用のバンプ保護部材
JP2001093864A (ja) 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法
JP2012169548A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
US20070057410A1 (en) Method of fabricating wafer chips
JP5912805B2 (ja) 板状物の転写方法
JP2010099733A (ja) レーザ加工装置
JP5572241B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2005057158A (ja) エキスパンド方法及びエキスパンド装置
CN107316833B (zh) 晶片的加工方法
US20190295877A1 (en) Method of debonding work-carrier pair with thin devices
JP5271972B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2013219245A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121121

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5448860

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350