JP2011146446A5 - - Google Patents

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基板１１０は、例えば、ＳｉＣからなる。バッファ層１１５は、ＡｌＮとＡｌＧａＮの積層構造からなる。電子走行層１２０は、基板１１０上にエピタキシャル成長にて形成されたｉ型ＧａＮからなる。電子供給層１３０は、電子走行層１２０上にエピタキシャル成長にて形成されたｎ型ＡｌＧａＮからなる（ｉ型ＡｌＧａＮを用いることもできる）。一例として、電子供給層１３０を構成するＡｌＧａＮのＡｌ組成は、２０％以上４０％以下とすることができる。ソース電極１５０およびドレイン電極１７０は、例えば基板１１０側からＴｉとＡｌとが順に積層されたオーミック電極であり、電子供給層１３０上において互いに離間して設けられている。ゲート電極１６０は、例えば基板１１０側からＮｉとＡｕとが順に積層されたショットキ電極であり、ソース電極１５０とドレイン電極１７０との間に設けられている。本実施形態においては、ソース電極１５０、ゲート電極１６０およびドレイン電極１７０は、電子供給層１３０と接触して設けられている。
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