JP2011135077A - インプリントリソグラフィ装置およびインプリントリソグラフィ方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インプリントリソグラフィ装置100は、基板ホルダ120に対してインプリントテンプレートホルダ110を変位させるアクチュエータ130を備える。インプリントテンプレートホルダ110および/または基板ホルダ120の支持構造140は、基部160に取り付けられた振動絶縁システム150に取り付けられる。振動絶縁システム150は、基部160に対する支持構造140の振動を絶縁する。インプリント過程中にアクチュエータ130を制御する制御ユニットは、振動絶縁システム150の調節部材を制御して、インプリント過程の少なくとも一部の間、振動絶縁システム150の動特性を調節し、支持構造140に作用する力による、基部160に対する支持構造140の変位を低減させる。
【選択図】図2
Description
Claims (9)
- インプリントテンプレートを保持するように構成されたインプリントテンプレートホルダと、
基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記基板ホルダに対して前記インプリントテンプレートホルダを変位させてインプリント過程を実行するように構成されたアクチュエータと、を備え、
前記インプリントテンプレートホルダおよび/または前記基板ホルダは支持構造上に支持され、該支持構造は、インプリントリソグラフィ装置の基部に取り付けられた振動絶縁システムに取り付けられ、該振動絶縁システムは、前記基部に対する前記支持構造の振動を絶縁するように構成され、
前記インプリント過程中に前記アクチュエータを制御するように構成された制御ユニットをさらに備え、該制御ユニットは、前記振動絶縁システムの調節部材を制御して、前記インプリント過程の少なくとも一部の間、前記振動絶縁システムの動特性を調節し、前記インプリント過程の間、前記支持構造に作用する力による前記基部に対する前記支持構造の変位を低減させるように構成されることを特徴とするインプリントリソグラフィ装置。 - 前記動特性は剛性を含み、前記制御ユニットは、前記インプリント過程の少なくとも一部の間、前記調節部材を制御して前記振動絶縁システムの剛性を増大させるように構成されることを特徴とする請求項1に記載のインプリントリソグラフィ装置。
- 前記動特性は減衰を含み、前記制御ユニットは、前記インプリント過程の少なくとも一部の間、前記調節部材を制御して前記振動絶縁システムの減衰を増大させるように構成されることを特徴とする請求項1に記載のインプリントリソグラフィ装置。
- 前記振動絶縁システムは、前記支持構造を支持するように構成された空気マウントを備え、
前記調節部材は、前記支持構造にアクチュエータ力を作用させる第2アクチュエータを備え、
前記制御ユニットは、前記アクチュエータ力を制御して前記支持構造の変位を低減するように構成されることを特徴とする請求項1または2に記載のインプリントリソグラフィ装置。 - 前記振動絶縁システムの前記調節部材は、前記基部と前記支持構造の間に配置された調節可能ダンパーを備え、
該調節可能ダンパーは、前記減衰の少なくとも一部を提供するように構成され、
前記制御ユニットは、前記調節可能ダンパーを制御するように構成されることを特徴とする請求項3に記載のインプリントリソグラフィ装置。 - 前記調節可能ダンパーが磁性流体ダンパーであることを特徴とする請求項5に記載のインプリントリソグラフィ装置。
- 前記磁性流体ダンパーは、該磁性流体ダンパーの磁性流体内に磁界を発生するように構成されたコイルを備えることを特徴とする請求項6に記載のインプリントリソグラフィ装置。
- 前記制御ユニットは、前記コイルを流れる電流を制御して、前記磁性流体ダンパーの減衰特性を制御するように構成されることを特徴とする請求項7に記載のインプリントリソグラフィ装置。
- インプリントテンプレートを保持するインプリントテンプレートホルダおよび/または支持構造上にインプリント可能な媒体を有する基板を保持する基板ホルダを支持し、
振動絶縁システムによって、基板に対する前記支持構造の振動絶縁を提供し、
アクチュエータを用いて前記基板および前記インプリントテンプレートを位置合わせし、
前記基板ホルダに対して前記インプリントテンプレートホルダを変位させてインプリント過程を実行し、
前記インプリント過程の少なくとも一部の間、前記振動絶縁システムの調節部材を制御して前記振動絶縁システムの動特性を調節し、前記インプリント過程の間に前記支持構造に作用する力による基部に対する前記支持構造の変位を低減させることを含むインプリントリソグラフィ方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180071166A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 |
CN110221518A (zh) * | 2018-03-03 | 2019-09-10 | 长春工业大学 | 一种可精确控制的滚压装置及方法 |
KR20200012740A (ko) * | 2018-07-26 | 2020-02-05 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 제어 방법, 임프린트 방법 및 제조 방법 |
CN113917793A (zh) * | 2021-09-22 | 2022-01-11 | 哈尔滨工业大学 | 一种支撑机构及光刻机 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7676088B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
WO2012016744A1 (en) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US11073758B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus control, control method and manufacturing method |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60180840U (ja) * | 1984-05-12 | 1985-11-30 | 株式会社トーキン | 磁性流体ダンパ |
JPS60241539A (ja) * | 1984-05-12 | 1985-11-30 | Tohoku Metal Ind Ltd | 磁性流体ダンパ |
JPH0343185A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-25 | Toshiba Corp | 搬送装置 |
WO2000014779A1 (fr) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition, dispositif et procede de production dudit appareil |
JP2003148552A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-21 | Canon Inc | 除振装置及びその制御方法、並びに該除振装置を有する露光装置、及びその保守方法、半導体デバイス製造方法、並びに半導体製造工場 |
JP2003232398A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Canon Inc | 除振装置の調整方法および除振装置 |
JP2004257424A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Canon Inc | 除振装置 |
JP2005167166A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Bussan Nanotech Research Institute Inc | 位置制御可能なパターン形成装置及び位置制御方法 |
JP2006108581A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007329367A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Canon Inc | 加工装置及びデバイス製造方法 |
JP2009507359A (ja) * | 2005-06-02 | 2009-02-19 | テクニカル・マニュファクチャリング・コーポレイション | 能動的に振動を減衰するためのシステムとその方法 |
JP2009208413A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Brother Ind Ltd | マイクロコンタクトプリント方法及びマイクロコンタクトプリント装置 |
JP2010274634A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Canon Inc | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP2011124346A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Canon Inc | インプリント装置及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60180840A (ja) | 1984-02-29 | 1985-09-14 | 株式会社巴川製紙所 | 木目調樹脂化粧板 |
US4731255A (en) * | 1984-09-26 | 1988-03-15 | Applied Materials Japan, Inc. | Gas-phase growth process and an apparatus for the same |
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
JP2001023896A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-26 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
EP1352295B1 (en) | 2000-10-12 | 2015-12-23 | Board of Regents, The University of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
JP2004197212A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-07-15 | Aisin Seiki Co Ltd | 軟磁性成形体、軟磁性成形体の製造方法、軟磁性粉末材料 |
JP4393244B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | インプリント装置 |
EP1594001B1 (en) * | 2004-05-07 | 2015-12-30 | Obducat AB | Device and method for imprint lithography |
US7087906B2 (en) * | 2004-09-08 | 2006-08-08 | Nikon Corporation | Bellows with spring anti-gravity device |
US7170582B2 (en) * | 2004-12-13 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Support device and lightographic apparatus |
KR100729427B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2007-06-15 | 주식회사 디엠에스 | 미세패턴 형성장치 |
US7445094B1 (en) * | 2005-10-11 | 2008-11-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Passive magneto-rheological vibration isolation apparatus |
US7697115B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-04-13 | Asml Holding N.V. | Resonant scanning mirror |
EP2118706B1 (en) * | 2007-02-06 | 2019-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and process |
-
2010
- 2010-11-22 NL NL2005735A patent/NL2005735A/en not_active Application Discontinuation
- 2010-12-09 US US12/964,459 patent/US9715171B2/en active Active
- 2010-12-20 JP JP2010282942A patent/JP5474751B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60180840U (ja) * | 1984-05-12 | 1985-11-30 | 株式会社トーキン | 磁性流体ダンパ |
JPS60241539A (ja) * | 1984-05-12 | 1985-11-30 | Tohoku Metal Ind Ltd | 磁性流体ダンパ |
JPH0343185A (ja) * | 1989-07-12 | 1991-02-25 | Toshiba Corp | 搬送装置 |
WO2000014779A1 (fr) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition, dispositif et procede de production dudit appareil |
JP2003148552A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-21 | Canon Inc | 除振装置及びその制御方法、並びに該除振装置を有する露光装置、及びその保守方法、半導体デバイス製造方法、並びに半導体製造工場 |
JP2003232398A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Canon Inc | 除振装置の調整方法および除振装置 |
JP2004257424A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Canon Inc | 除振装置 |
JP2005167166A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Bussan Nanotech Research Institute Inc | 位置制御可能なパターン形成装置及び位置制御方法 |
JP2006108581A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009507359A (ja) * | 2005-06-02 | 2009-02-19 | テクニカル・マニュファクチャリング・コーポレイション | 能動的に振動を減衰するためのシステムとその方法 |
JP2007329367A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Canon Inc | 加工装置及びデバイス製造方法 |
JP2009208413A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Brother Ind Ltd | マイクロコンタクトプリント方法及びマイクロコンタクトプリント装置 |
JP2010274634A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Canon Inc | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP2011124346A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Canon Inc | インプリント装置及び物品の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180071166A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 |
CN110221518A (zh) * | 2018-03-03 | 2019-09-10 | 长春工业大学 | 一种可精确控制的滚压装置及方法 |
CN110221518B (zh) * | 2018-03-03 | 2023-11-28 | 长春工业大学 | 一种滚压装置及滚压方法 |
KR20200012740A (ko) * | 2018-07-26 | 2020-02-05 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 제어 방법, 임프린트 방법 및 제조 방법 |
KR102545495B1 (ko) * | 2018-07-26 | 2023-06-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 제어 방법, 임프린트 방법 및 제조 방법 |
CN113917793A (zh) * | 2021-09-22 | 2022-01-11 | 哈尔滨工业大学 | 一种支撑机构及光刻机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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