JP2011132387A - カーボンナノチューブ複合構造体および粘着部材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合構造体は、基材上に複数のカーボンナノチューブ柱状構造体を備えたカーボンナノチューブ複合構造体であって、該基材のヤング率が90〜130GPaである。
【選択図】図1
Description
本発明のカーボンナノチューブ複合構造体が備えるカーボンナノチューブ柱状構造体の第1の好ましい実施形態は、層数分布の分布幅が好ましくは10層以上であり、該層数分布の最頻値の相対頻度が好ましくは25%以下である。上記層数分布の分布幅は、より好ましくは10〜30層、さらに好ましくは10〜25層、特に好ましくは10〜20層である。上記層数分布における最大層数は、好ましくは5〜30層、より好ましくは10〜30層、さらに好ましくは15〜30層、特に好ましくは15〜25層であり、上記層数分布における最小層数は、好ましくは1〜10層、より好ましくは1〜5層である。上記層数分布の最頻値の相対頻度は、より好ましくは1〜25%、さらに好ましくは5〜25%、特に好ましくは10〜25%、最も好ましくは15〜25%である。上記層数分布の最頻値は、好ましくは2〜10層に存在し、より好ましくは3〜10層に存在する。本発明のカーボンナノチューブ複合構造体が備えるカーボンナノチューブ柱状構造体が上記のような実施形態をとることにより、本発明のカーボンナノチューブ複合構造体を粘着部材として用いた場合に、非常に優れた粘着特性を示し得る。
本発明のカーボンナノチューブ複合構造体が備えるカーボンナノチューブ柱状構造体の第2の好ましい実施形態は、層数分布の最頻値が好ましくは層数10層以下に存在し、該最頻値の相対頻度が好ましくは30%以上である。上記層数分布の最頻値は、より好ましくは9層以下に存在し、さらに好ましくは1〜9層に存在し、特に好ましくは2〜8層に存在し、最も好ましくは3〜8層に存在する。上記層数分布における最大層数は、好ましくは1〜20層、より好ましくは2〜15層、さらに好ましくは3〜10層である。上記層数分布における最小層数は、好ましくは1〜10層、より好ましくは1〜5層である。上記層数分布の最頻値の相対頻度は、より好ましくは30〜100%、さらに好ましくは30〜90%、特に好ましくは30〜80%、最も好ましくは30〜70%である。上記層数分布の最頻値は、好ましくは1〜10層に存在し、より好ましくは2〜8層に存在し、さらに好ましくは2〜6層に存在する。本発明のカーボンナノチューブ複合構造体が備えるカーボンナノチューブ柱状構造体が上記のような実施形態をとることにより、本発明のカーボンナノチューブ複合構造体を粘着部材として用いた場合に、非常に優れた粘着特性を示し得る。
図3に示すような両端支持の板状試料(d×b×Lmm)の中央部に荷重(PN)をかけたときに生じるたわみ(hmm)を差動トランスにて検出し、ヤング率E(N/m2)を下記式から算出した。
E=(1/4)(L3/(d3・b))(P/h)×106
得られたカーボンナノチューブ複合構造体を180°に折り曲げたときに割れが生じるかどうかを確認した。
○:割れが生じずに折り曲げができた。
×:割れが生じた。
(株)リガク社製の「LE/TCM−FA8510B」装置を用い、レーザーフラッシュ法にて、測定項目として熱拡散率(t1/2法)および比熱(外挿法)を採用し、測定温度25℃での基材の熱伝導率を測定した。
導電性の評価として、体積抵抗率を測定した。図4に示す装置を用い、垂直方向の体積抵抗率を測定した。すなわち、基材を10mmφ、厚み35μmに切り出し、該基材の両末端を導電性のゴム電極(Ag含有、体積抵抗率=5.07×10−3Ωcm)で挟み込み、上側のゴム電極上にSUSの重り(65g)を載置し、電圧(1.0V)をかけ、電流量から体積抵抗率(ρV)を求めた(体積抵抗率ρV(Ωcm)=〔電圧(V)/電流(A)〕×〔面積(cm2)/厚み(cm)〕)。測定した体積抵抗率(ρV)の逆数を導電性とした。
ガラス(MATSUNAMI スライドガラス27mm×56mm)に、1cm2単位面積に切り出したカーボンナノチューブ複合構造体における複数のカーボンナノチューブ柱状構造体の先端が接触するように載置し、5kgのローラーを一往復させてカーボンナノチューブの先端をガラスに圧着した。その後、30分間放置した。引張り試験機(Instron Tensil Tester)で引張速度50mm/minにて、25℃にてせん断試験を行い、得られたピークを対ガラスせん断接着力とした。
銅基材(日鉱金属社製、JTCS、厚み35μm)上に、真空蒸着装置(JEOL製、JEE−4X Vacuum Evaporator)により、Al2O3膜(厚み10nm)を形成した。このAl2O3膜上に、スパッタ装置(ULVAC製、RFS−200)にてさらにFe薄膜(厚み1nm)を蒸着させて触媒層を形成した。
次に、触媒層付銅基材をカットして、30mmφの石英管内に載置し、水分350ppmに保ったヘリウム/水素(120/80sccm)混合ガスを石英管内に30分間流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて管内を765℃まで35分間で段階的に昇温させ、765℃にて安定させた。765℃にて10分間放置後、温度を保持したまま、ヘリウム/水素/エチレン(105/80/15sccm、水分率350ppm)混合ガスを管内に充填させ、30分間放置してカーボンナノチューブを基材上に成長させ、カーボンナノチューブ複合構造体(1)を得た。
得られたカーボンナノチューブ複合構造体(1)中のカーボンナノチューブ柱状構造体(1)は、長さが710μm、層数分布の最頻値が層数2層に存在し、該最頻値の相対頻度が62%であった。
結果を表1にまとめた。
黄銅基材(日鉱金属社製、C2680、厚み35μm、銅:亜鉛=66:34(重量比))とした以外は実施例1と同様に行い、カーボンナノチューブ複合構造体(2)を得た。
得られたカーボンナノチューブ複合構造体(2)中のカーボンナノチューブ柱状構造体(2)は、長さが700μm、層数分布の最頻値が層数2層に存在し、該最頻値の相対頻度が60%であった。
結果を表1にまとめた。
Al2O3膜上に、スパッタ装置(ULVAC製、RFS−200)にてさらにFe薄膜(厚み0.35nm)を蒸着させて触媒層を形成した以外は実施例1と同様に行い、カーボンナノチューブ複合構造体(3)を得た。
得られたカーボンナノチューブ複合構造体(3)中のカーボンナノチューブ柱状構造体(3)は、長さが720μm、層数分布の最頻値が層数1層に存在し、該最頻値の相対頻度が63%であった。
結果を表1にまとめた。
Al2O3膜上に、スパッタ装置(ULVAC製、RFS−200)にてさらにFe薄膜(厚み2.0nm)を蒸着させて触媒層を形成した以外は実施例1と同様に行い、カーボンナノチューブ複合構造体(4)を得た。
得られたカーボンナノチューブ複合構造体(4)中のカーボンナノチューブ柱状構造体(4)は、長さが710μm、層数分布の最頻値が層数3層に存在し、該最頻値の相対頻度が65%であった。
結果を表1にまとめた。
基材をシリコン基板(エレクトロニクス エンド製、厚み525μm)とした以外は実施例1と同様に行い、カーボンナノチューブ複合構造体(C1)を得た。
得られたカーボンナノチューブ複合構造体(C1)中のカーボンナノチューブ柱状構造体(C1)は、長さが720μm、層数分布の最頻値が層数2層に存在し、該最頻値の相対頻度が62%であった。
結果を表1にまとめた。
基材をSUS304(森松工業社製、厚み35μm)とした以外は実施例1と同様に行い、カーボンナノチューブ複合構造体(C2)を得た。
得られたカーボンナノチューブ複合構造体(C2)中のカーボンナノチューブ柱状構造体(C2)は、長さが680μm、層数分布の最頻値が層数2層に存在し、該最頻値の相対頻度が65%であった。
結果を表1にまとめた。
基材をSUS329J4L(森松工業社製、厚み35μm)とした以外は実施例1と同様に行い、カーボンナノチューブ複合構造体(C3)を得た。
得られたカーボンナノチューブ複合構造体(C3)中のカーボンナノチューブ柱状構造体(C3)は、長さが700μm、層数分布の最頻値が層数2層に存在し、該最頻値の相対頻度が66%であった。
結果を表1にまとめた。
2 カーボンナノチューブ柱状構造体
10 カーボンナノチューブ複合構造体
Claims (6)
- 基材上に複数のカーボンナノチューブ柱状構造体を備えたカーボンナノチューブ複合構造体であって、
該基材のヤング率が90〜130GPaである、
カーボンナノチューブ複合構造体。 - 前記基材の熱伝導率が100W/mK以上である、請求項1に記載のカーボンナノチューブ複合構造体。
- 前記基材の導電率が1.0×107m−1・Ω−1以上である、請求項1または2に記載のカーボンナノチューブ複合構造体。
- 前記基材が、銅、または銅を50重量%以上含む銅合金のいずれかからなる、請求項1から3までのいずれかに記載のカーボンナノチューブ複合構造体。
- 前記カーボンナノチューブ柱状構造体の先端の25℃における対ガラスせん断接着力が15N/cm2以上である、請求項1から4までのいずれかに記載のカーボンナノチューブ複合構造体。
- 請求項1から5までのいずれかに記載のカーボンナノチューブ複合構造体を含む、粘着部材。
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