JP2011129613A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 輻射加熱源の温度を低温域から中温域として使用しても、シリコンウエハの加熱効率の低下を抑制することが可能な熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 輻射加熱源31と、輻射加熱源31の上方に設けられた第1の反射板8aと、輻射加熱源31の下方に設けられた第2の反射板8bと、を備え、シリコンを含む被加熱体Wが第1の反射板8aと第2の反射板8bとの間に配置され、シリコンを含む被加熱体Wが、輻射加熱源31からの輻射エネルギが第1の反射板8aと第2の反射板8bとの間で反射を繰り返す空間S内で熱処理されるように構成する。
【選択図】図1
【解決手段】 輻射加熱源31と、輻射加熱源31の上方に設けられた第1の反射板8aと、輻射加熱源31の下方に設けられた第2の反射板8bと、を備え、シリコンを含む被加熱体Wが第1の反射板8aと第2の反射板8bとの間に配置され、シリコンを含む被加熱体Wが、輻射加熱源31からの輻射エネルギが第1の反射板8aと第2の反射板8bとの間で反射を繰り返す空間S内で熱処理されるように構成する。
【選択図】図1
Description
この発明は、熱処理装置に関する。
半導体デバイスの製造においては、被処理基板である半導体ウエハ(以下単にウエハと記す)に対して、成膜処理、酸化拡散処理、改質処理、アニール処理等の各種熱処理が行われる。これら熱処理の中でも、特に、成膜後の歪み除去のためのアニール処理や、イオンインプランテーション後のアニール処理は、スループットの向上の観点および拡散を最小限に抑える観点から、高速での昇降温が指向されている。このような高速昇降温が可能な熱処理装置として、ハロゲンランプに代表されるランプを輻射加熱源として用いたものが多用されている。
このような輻射加熱源を用いた熱処理装置としては、ダブルエンドタイプのランプを複数平面状に敷き詰めた加熱ユニットを有するものが知られている(例えば特許文献1)。
しかしながら、輻射加熱源を用いた熱処理装置においては、輻射加熱源の温度を低温域から中温域、例えば、ハロゲンランプのフィラメントの色温度を、例えば、約200〜1200℃程度として使用する場合、シリコンウエハの加熱効率が低下する、という事情がある。
この発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、輻射加熱源の温度を低温域から中温域として使用しても、シリコンウエハの加熱効率の低下を抑制することが可能な熱処理装置を提供する。
上記課題を解決するため、この発明の一態様に係る熱処理装置は、輻射加熱源と、前記輻射加熱源の上方に設けられた第1の反射板と、前記輻射加熱源の下方に設けられた第2の反射板と、を備え、シリコンを含む被加熱体が前記第1の反射板と前記第2の反射板との間に配置され、前記シリコンを含む被加熱体が、前記輻射加熱源からの輻射エネルギが前記第1の反射板と前記第2の反射板との間で反射を繰り返す空間内で熱処理されるように構成する。
この発明によれば、輻射加熱源の温度を低温域から中温域として使用しても、シリコンウエハの加熱効率の低下を抑制することが可能な熱処理装置を提供できる。
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
図1は、この発明の一実施形態に係る熱処理装置の一例を概略的に示す断面図である。
熱処理装置100は、シリコンを含む被加熱体、例えば、シリコンウエハWを処理する処理空間Sを規定する処理容器1と、処理容器1の上端に固定されたリング状をなすリッド2と、リッド2に支持され、複数のハロゲンランプを備えたランプユニット3と、処理容器1内でウエハWを支持するウエハ支持部4と、処理容器1内でウエハ支持部4に支持されたウエハWを昇降駆動および回転駆動させるための駆動機構5とを主な構成要素として備えている。
処理容器1の側壁上部にはガス導入孔11が形成されており、アニールの際の処理ガスとしてArガス等が処理ガス供給源(図示せず)から図示せぬガス配管を介して処理容器1内へ供給されるようになっている。処理容器1の底壁には、排気口13が形成されており、この排気口13には図示せぬ排気管が接続される。そして、排気管に接続された図示せぬ真空ポンプを作動させることにより、処理容器1内が排気口13を介して排気され、処理容器1内が所定の真空雰囲気にされる。また、処理容器1の側壁のガス導入孔11とは反対側には、ウエハWを搬入出する搬入出口15が設けられており、この搬入出口15はゲートバルブ16により開閉可能となっている。
ウエハ支持部4は、回転および昇降可能に設けられたベースプレート17と、ベースプレート17の外周面に立設された複数のウエハ支持ピン18と、ベースプレート17の下面中心から下方に延びる回転シャフト19とを有している。回転シャフト19は駆動機構5に接続されている。
ウエハ支持ピン18に支持されているウエハWの外周には、例えばシリコンで形成された均熱リング20が設けられている。均熱リング20は支持部材21によって支持されている。処理容器1の底部には、温度を測定する温度計、例えば、放射温度計22が設けられている。
ランプユニット3は、リッド2に支持され処理容器1の上方に処理容器1の上部開口を覆うように設けられたベース部材30と、ベース部材30に取り付けられた輻射加熱源、本例では、ハロゲンランプ31とを備えている。ハロゲンランプ31は、図1中では一本のみが示されているが、実際には平面的に複数備えられている。本例のランプユニット3は、複数のハロゲンランプ31が一体となったカートリッジタイプのランプモジュールとして構成される。
ランプユニット3上には、冷却水等の冷却媒体により、ランプユニット3及び処理容器1等を冷却する冷却機構6が取り付けられている。
また、ランプユニット3と処理空間Sとの間には、ランプユニット3と処理空間Sとを互いに遮断する透過窓、本例では石英製の透過窓7が設けられている。本例の透過窓7は、リッド2に取り付けられている。
さらに、一実施形態に係る熱処理装置100は、ハロゲンランプ31の上方と、ウエハWの下方とに、それぞれ反射板8a、8bが備えられている。反射板8aは、本例ではランプユニット3内に設けられ、ハロゲンランプ31のシリコンウエハW側とは反対の方向に放射された光を、シリコンウエハW側に反射させる。また、反射板8bは、本例ではウエハ支持部4内に設けられ、シリコンウエハWを透過した光を、シリコンウエハW側に反射させる。
図2は、ハロゲンランプの温度とピーク波長との関係を示す図である。
ピーク波長は、ウィーンの変位則に基づいて、ハロゲンランプ31の温度から次のように求められる。
ピーク波長[μm] = 約2897/ハロゲンランプの温度[K]
例えば、ハロゲンランプ31の温度(詳しくはハロゲンランプ31のフィラメントの色温度)が1000℃(=1273K)の時には、ピーク波長は約2.28μmと求められる。
ピーク波長[μm] = 約2897/ハロゲンランプの温度[K]
例えば、ハロゲンランプ31の温度(詳しくはハロゲンランプ31のフィラメントの色温度)が1000℃(=1273K)の時には、ピーク波長は約2.28μmと求められる。
図2には、ハロゲンランプ31の温度が200℃(=473K)から3200℃(=3473K)までのピーク波長が示されている。ちなみに、ハロゲンランプ31の温度が200℃のときのピーク波長は約6.12μmとなり、ハロゲンランプ31の温度が3200℃のときのピーク波長は約0.83μmとなる。このようにハロゲンランプ31は、その温度が高くなるにつれてピーク波長が短波長側に、反対にその温度が低くなるにつれてピーク波長が長波長側に移る傾向を示す。
図3は、シリコンウエハの温度とシリコンウエハの分光放射率との関係を示す図である。
図3に示すように、シリコンウエハWは、その温度が600℃以上であるときと、600未満であるときとで分光放射率の性質が変化する。具体的には、シリコンウエハWの温度が600℃以上であるときには、例えば、波長0.5μm〜15μmの範囲において、その分光放射率が0.6から0.7の範囲でほとんど変化しない。対して、シリコンウエハWの温度が600℃未満であるときには、例えば、波長約1μm〜7μmの範囲において、その分光放射率が低下する、という性質を示す。さらに、波長約1μm〜7μmの範囲における分光放射率の低下の度合いは、シリコンウエハWの温度が、例えば、520℃、470℃、420℃、350℃、270℃と下がるにつれて大きくなる。例えば、シリコンウエハWの温度が270℃であるときには、波長1μm〜7μmの範囲における分光放射率は、ほぼ0.05にまで低下する。
図3には、ハロゲンランプ31の温度が、例えば、1000℃のときの分光分布が示してある。ハロゲンランプ31の温度が1000℃のとき、ピーク波長は約2.28μmであり、この約2.28μmの波長をピークとして、例えば、波長約0.4μm〜12μmのような広い範囲に波長が分布する。
シリコンウエハを600℃未満の温度に加熱したい場合には、ハロゲンランプの温度は、1200℃以下、消費電力やハロゲンランプ31の寿命を考慮してパワーを下げたい、との要求があれば1000℃以下の温度に低く抑えることになる。しかしながら、ハロゲンランプ31の温度が1200℃以下のときには、図2に示したように、そのピーク波長は、約1.96μm以上になってしまう。約1.96μm以上の波長は、シリコンウエハの温度が600℃未満であるときに分光放射率が低下する、波長1.2μmから7μmの範囲と合致する。このため、シリコンウエハは、ハロゲンランプ31からの輻射熱を吸収し難くなり、シリコンウエハの温度が上がり難くなる、という事情を招く。
そこで、この発明の一実施形態に係る熱処理装置100は、シリコンウエハWの上下に、光を反射する反射板8a、8bを設けている。反射板8a、8bを設けることで、ハロゲンランプ31から放射された光、及びハロゲンランプ31から放射されシリコンウエハWを透過した光は、反射板8a、8bで反射される。結果として、ハロゲンランプ31から放射された輻射エネルギが、2枚の反射板8a、8b間で反射を繰り返す構成となる。このようにハロゲンランプ31から放射された輻射エネルギが反射板8a、8b間で反射を繰り返す構成とし、かつ、シリコンウエハWをこの反射が繰り返される空間内に配置することで、シリコンウエハWの、光透過回数が、反射板8a、8bが無い場合に比較して増やすことができる。
このように、一実施形態に係る熱処理装置100によれば、シリコンウエハWの光透過回数が増えることで、ハロゲンランプ31の温度を低温域から中温域、例えば、約200℃〜1200℃の範囲とした場合でも、シリコンウエハWがハロゲンランプ31からの輻射熱を吸収し難くなる事情を解消することができる。
また、一実施形態に係る熱処理装置100は、輻射加熱源としてシリコンウエハWの吸収率が良い短波長光、例えば、レーザー光を用いてシリコンウエハWを熱処理する熱処理装置に比較して、安価な輻射加熱源、例えば、ハロゲンランプ31を利用しても加熱効率を上げることができる、という利点も得ることができる。
また、ハロゲンランプ31から出た光は、反射板8a、8bで反射されるため、ハロゲンランプ31が発した輻射エネルギが、真空容器1やランプユニット3に吸収される割合を減らすことができ、装置自体の熱効率が向上する、という利点も得ることができる。
また、輻射エネルギが真空容器1やランプユニット3に吸収される割合が減ることで、例えば、図4に示すように、真空容器1やランプユニット3を冷却する冷却機構6を排除することも可能であり、装置を簡素化できる、という利点も得ることができる。
図5Aは一実施形態に係る熱処理装置が備える反射板の一構造例を示す平面図、図5Bは図5A中の5B−5B線に沿う断面図である。
図5A及び図5Bに示すように、一構造例に係る反射板8(8a、8b)の平面形状は、円板状である。さらに、反射板8(8a、8b)は、凹部82を有したベース体81と、凹部82の底に形成された反射体83と、凹部82を封止し、密閉空間85を形成するキャップ体84とを含んで構成されている。キャップ体84は、ベース体81に、例えば融着させることで接合される。ハロゲンランプ31からの光は、ベース体81の凹部82の形成面とは反対側の面からベース体81に入射され、凹部82の底に形成された反射体83で反射されて、ベース体81から出射される。
このようにベース体81はハロゲンランプ31からの光が入射されて出射される。また、ベース体81、反射体83、及びキャップ体84は、熱処理中にシリコンウエハWと温度と同程度の温度まで昇温される。
このため、まず、ベース体81に要求される能力は、光を透過させる性質を持ち、かつ、光の減衰が少なく、しかも高温となっても変質やガスを放出し難いことを挙げることができる。このような要求を満たす材料の一例は石英である。
また、反射体83に要求される能力は、光を反射させる性質を持ち、かつ、光を吸収し難く、高い反射率で反射でき、しかも高温となっても溶けたり、反射率が変動したりするなどの変質を起こし難いことを挙げることができる。このような要求を満たす材料の一例はモリブデンである。
さらに、この一構造例においては、高温となることによる反射体83の変質や反射率の低下をより抑制するために、反射板8の内部に密閉空間85を形成し、この密閉空間85の内部に反射体83を設けるようにしている。このように、反射体83を密閉空間85の内部に設けることで、反射体83が処理雰囲気に直接晒されないようにすることができる。これにより、反射体83の処理雰囲気、特にシリコンウエハWからのデガスによる変質、及び上記デガスによる変質や付着物の付着に伴う反射率の低下を、より抑制することが可能となる。
さらに、この一構造例においては、密閉空間85の内部に、不活性ガスを充填するようにしている。密閉空間85の内部に不活性ガスを充填することで、密閉空間85の内部の雰囲気で反射体83が変質してしまう可能性も無くすことができる。密閉空間85内に、充填される不活性ガスの例としては、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガスなどを挙げることができる。また、窒素ガスであっても良い。
キャップ体84は、ベース体81とは異なり、光を透過させるなどの能力は特に要求されないが、高温となっても溶けたり、密閉空間85の内部にガスを放出したりしないことが望ましい。本例では、キャップ体84はベース体81と同じ石英を用いた。
また、ベース体81やキャップ体84は、シリコンウエハWからのデガス等により表面が汚染される。しかしながら、ベース体81やキャップ体84を、例えば石英で構成すると、定期的な洗浄、例えば、ウェット洗浄を行えば、上記汚染を簡単に除去することができる。
また、反射板8は、石英とモリブデンだけで構成することで、比較的安価に製作可能でる上、寿命も長く、ベース体81やキャップ体84の表面が腐蝕した場合でも、表面を研磨すれば容易に再生可能である、という利点も得ることができる。
以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は、上記一実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
例えば、上記一実施形態では、単純にシリコンウエハを加熱処理する熱処理装置を例にとって示したが、成膜装置等、シリコンウエハの加熱が必要な他の装置に適用することができる。
また、上記一実施形態では、輻射加熱源としてハロゲンランプを例示したが、例えば、波長が1μmを超える波長(例えば、ピーク波長が1μmから長波長側)を出す輻射加熱源であれば、ハロゲンランプ以外の輻射加熱源を利用することも可能である。
8、8a、8b…反射板、31…ハロゲンランプ、81…ベース体、82…凹部、83…反射体、84…キャップ体、85…密閉空間、W…シリコンウエハ、S…処理空間。
Claims (5)
- 輻射加熱源と、
前記輻射加熱源の上方に設けられた第1の反射板と、
前記輻射加熱源の下方に設けられた第2の反射板と、を備え、
シリコンを含む被加熱体が前記第1の反射板と前記第2の反射板との間に配置され、前記シリコンを含む被加熱体が、前記輻射加熱源からの輻射エネルギが前記第1の反射板と前記第2の反射板との間で反射を繰り返す空間内で熱処理されるように構成したことを特徴とする熱処理装置。 - 熱処理中の前記輻射加熱源のピーク波長が1μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記シリコンを含む被加熱体の加熱温度が600℃未満であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の熱処理装置。
- 前記第1、第2の反射板が、
凹部を有したベース体と、
前記凹部の底に形成された反射体と、
前記ベース体の凹部側に接合されることで密閉空間を形成するキャップ体と、を含んで構成されることを特徴とする請求項1から請求項3いずれか一項に記載の熱処理装置。 - 前記密閉空間に、不活性ガスが充填されていることを特徴とする請求項4に記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009284840A JP2011129613A (ja) | 2009-12-16 | 2009-12-16 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009284840A JP2011129613A (ja) | 2009-12-16 | 2009-12-16 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011129613A true JP2011129613A (ja) | 2011-06-30 |
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ID=44291916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009284840A Pending JP2011129613A (ja) | 2009-12-16 | 2009-12-16 | 熱処理装置 |
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Country | Link |
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2009
- 2009-12-16 JP JP2009284840A patent/JP2011129613A/ja active Pending
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