JP2011122958A - 画像データの3次元ベース設定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ピークがZ軸正方向に出る場合は、半球・半楕円体(Z≧0)を求めるべきベース点の座標(xi、yi)を含むように配置し、その底面が(xi,yi)を含むように走査させ、それぞれの位置で表面形状像のZ位置と半球・半楕円体の高さの差の最小値lminと、(xi、yi)での半球・半楕円体の高さを求める。これらをそれぞれ足し合わせ、最大値をL(Xi,Yi)とし、ベース点を(Xi,Yi,L(Xi,Yi))として設定する。そして、対象面の全体にベース点を設定するために、同様の方法により対象面内全体にベース点を設定していき、得られた複数のベース点に基づいて3次元計測ベースを設定する。
【選択図】図2
Description
走査型プローブ顕微鏡(SPM)による表面形状像の測定等では、試料の表面上を直線状に走査し、走査軸を順次ずらしていくことにより行われる。このときの走査型電子顕微鏡で測定される一測定点当たりの分析領域はnmオーダーと極めて微小である。一測定点当たりの分析時間が相当程度かかることもあるので、広い試料面に対して面分析を行う場合は分析点数が多くなるに伴い分析時間もかかることになる。したがって、このような場合は最初から分析点数を多くすると非効率となるので試料面全体に対して分析点数を少なめに設定して測定を行い、測定結果を見て詳細分析する箇所を決定し限定した範囲内で測定することが多い。
対象面に対してX−Y平面上の座標軸としてX軸と、Y軸とを有し、さらにX−Y平面においてX軸、Y軸の交点で垂直方向に伸長する計測値軸Zとを有し、対象面の座標(x,y)に対し一の計測値Z(x,y)が特定される3次元スペクトルに対するベース点の設定方法において、
前記計測曲線のピークがZ軸正方向に出る場合は、半球又は半楕円体C [z≧0,f(x,y)=c{1−(x−d)2/a2−(y−e)2/b2}1/2] の底面が、ベース点を設定すべき位置座標(xi,yi)を含むようにd及びeを設定し、
前記Cを設定した後、前記Cの底面の各位置で計測値Zから前記Cの高さを引いた値を計算し、それらの最小値をlminとし、
該lminが取得された前記Cの位置における前記位置座標(xi,yi)での高さを求め、前記lminと前記位置座標(xi,yi)での高さを足した値を計算し、
前記Cの底面が前記位置座標(xi,yi)を含む範囲で前記Cをくまなくずらしていき、他の位置においてもlminと前記位置座標(xi,yi)での高さを足した値を計算し、
これらの計算された和のうち最大値をL(xi,yi)とし、対象面上での座標(xi,yi)上のベース点を(xi,yi,L(xi,yi))として設定することを特徴とする。
前記ベース点設定方法を用いて、前記対象面の全体にベース点を設定し、設定されたそれぞれのベース点に基づいて3次元計測ベースを設定することを特徴とする。
対象面に対してX−Y平面上の座標軸としてX軸と、Y軸とを有し、さらにX−Y平面においてX軸、Y軸の交点で垂直方向に伸長する計測値軸Zとを有し、前記対象面の座標(x,y)に対し一の計測値Z(x,y)が特定される3次元スペクトルに対するベース点の設定方法において、
前記計測曲線のピークがZ軸負方向に出る場合は、半球又は半楕円体C [z≦0,f(x,y)=c{1−(x−d)2/a2−(y−e)2/b2}1/2] の底面が、ベース点を設定すべき位置座標(xi,yi)を含むようにd及びeを設定し、
前記Cを設定した後、前記Cの底面の各位置で、前記Cの高さから計測値Zを引いた値を計算し、それらの最小値をlminとし、
該lminが取得された前記Cの位置における前記位置座標(xi,yi)での高さを求め、前記位置座標(xi,yi)での高さから前記lminを引いた値を計算し、
前記Cの底面が前記位置座標(xi,yi)を含む範囲で前記Cをくまなくずらしていき、他の位置においても前記位置座標(xi,yi)での高さから前記lminを引いた値を計算し、
これらの計算された和のうち最小値をL(xi,yi)とし、対象面上での座標(xi,yi)上のベース点を(xi,yi,L(xi,yi))として設定することを特徴とする。
前記ベース点設定方法を用いて、前記対象面の全体にベース点を設定し、設定されたそれぞれのベース点に基づいて3次元計測ベースを設定することを特徴とする。
すなわち、「a」と「b」と「c」が適切に設定されることによりピークに対してベース点が高く設定されるのを防ぐことができる。
以下、ピークがZ軸正方向に出る場合について、実際に半楕円体を用いて、ベース点を設定すべき位置座標(xi,yi)に対して一のベース点(xi,yi,zB(xi,yi))を設定するまでの流れについて説明する。
まず操作者は、図1に示されているように表面形状像のZ位置のピークの形状に対応した半楕円体C[z≧0,f(x,y)=c{1−(x−d)2/a2−(y−e)2/b2}1/2]の設定を行う。ここで「a」は、X−Y平面における半楕円体のX軸径となる。X軸方向におけるピークの半値幅の2倍以上に「a」を設定するのが好適である。また「b」は、X−Y平面における半楕円体のY軸径となる。Y軸方向におけるピークの半値幅の2倍以上に「b」を設定するのが好適である。また「c」を大きくするとベース点が高く設定されるので、表面形状像のZ位置の形状に合わせて適切に調整すべきである。
一方、Cの底面の中心座標は(d,e)となるので、パラメータ「d」と「e」を変更することによってX−Y平面上のCの初期位置を調整することができる。またCを走査するときはCの底面が位置座標(xi,yi)を含むようにすべきであるから、初期位置もその範囲で設定すべきである。したがって、初期位置としてその底面が位置座標(xi,yi)を含むように「d」と「e」を設定することを要する。
操作者は以上のような各パラメータの初期設定だけを考慮すればよい。その後は何ら操作や設定を要求されることはなく、自動で3次元計測ベースを設定できる。
操作者により各パラメータが設定された後、本発明は自動で以下の処理を行い、ベース点を設定する。
まずCを初期位置に配置し、Cの底面の各位置で計測値ZからCの高さを引いた値を求める。そして、求めた値のうちの最小値をlminとする。
最小値lminを求めるためには、Cの底面の各位置で計測値ZからCの高さを引いた値を求めることが必要となるが、その位置は計測点と同じ座標とするのが好適である。
lminと位置座標(xi,yi)でのCの高さについて線で示すと図2のようになる。
また、位置座標(xi,yi)と、最小値lminが設定された格子点の位置とのZ軸正方向から見たときの具体的な位置関係を、図3に示した。
以上の操作によってベース点が設定される。
また、本発明の方法により3次元計測ベースが設定されるまでの流れをフローチャートとして図5に示した。
一方、ピークがZ軸負方向に出る場合においても、半球又は半楕円体Cの設定やlmin及びL(xi,yi)の計算で式が異なること以外は、Z軸正方向にピークが出る場合と手順に異なるところはなく、本質的には同じ原理でベース点の設定を行うことができる。これらの相違部分について詳しく説明する。
つまり、Z軸正方向にピークが出る場合はZ≧0の範囲で半球又は半楕円体Cを設定していたのに対して、Z軸負方向にピークが出る場合はZ≦0の範囲で半球又は半楕円体Cを設定する点で異なる。
Z軸負方向にピークが出る場合においても、以上の差異を考慮してベース点を設定することによりベース点とピークの距離が適切に保たれる。
入力デバイスからCを設定するための初期パラメータが設定された後、試料表面分析装置のSPMより得られた面分析データをもとに表面形状像が形成され、その後本発明の方法が用いられ3次元計測ベースが設定される。そして、当該3次元計測ベースにより得られた表面形状像のZ位置が補正され、補正後の表面形状像がモニタに表示される。
ところで、本発明の用途としてはSPMを用いた測定対象面の表面分析に限らず、等高線表示図・色分け図・鳥瞰図等のベース補正にも適用することが可能である。
すなわち、表面形状像等のZ位置情報を取得するSPM等の分析装置のみに限られず、FT−IRやラマン分光計等を使用してX−Y方向の二次元的にスペクトルを取得していきマッピング測定を行った上で、スペクトルの特定のピークの高さやスペクトルの特定の波数でのベースラインの高さで作成した色分け表示図、等高線表示図、鳥瞰図等に対しても本発明の方法により三次元ベース設定をすることが可能である。
Claims (6)
- 対象面に対してX−Y平面上の座標軸としてX軸と、Y軸とを有し、さらにX−Y平面においてX軸、Y軸の交点で垂直方向に伸長する計測値軸Zとを有し、前記対象面の座標(x,y)に対し一の計測値Z(x,y)が特定される3次元計測面に対するベース点の設定方法において、
前記計測曲線のピークがZ軸正方向に出る場合は、半球又は半楕円体C [z≧0,f(x,y)=c{1−(x−d)2/a2−(y−e)2/b2}1/2] の底面が、ベース点を設定すべき位置座標(xi,yi)を含むようにd及びeを設定し、
前記Cを設定した後、前記Cの底面の各位置で、計測値Zから前記Cの高さを引いた値を計算し、それらの最小値をlminとし、
該lminが取得された前記Cの位置における前記位置座標(xi,yi)での高さを求め、前記lminと前記位置座標(xi,yi)での前記Cの高さを足した値を計算し、
前記Cの底面が前記位置座標(xi,yi)を含む範囲で前記Cをくまなくずらしていき、他の位置においてもlminと前記位置座標(xi,yi)での前記Cの高さを足した値を計算し、
これらの計算された和のうち最大値をL(xi,yi)とし、対象面上での座標(xi,yi)上のベース点を(xi,yi,L(xi,yi))として設定することを特徴とするベース点設定方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記半球又は半楕円体C [z≧0,f(x,y)=c{1−(x−d)2/a2−(y−e)2/b2}1/2の「a」をピークのX軸方向の半値幅の2倍以上に設定し、「b」をピークのY軸方向の半値幅の2倍以上に設定することを特徴とするベース点設定方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記ベース点設定方法を用いて、前記対象面の全体にベース点を設定し、設定されたそれぞれのベース点に基づいて3次元計測ベースを設定することを特徴とする3次元計測ベース設定方法。 - 対象面に対してX−Y平面上の座標軸としてX軸と、Y軸とを有し、さらにX−Y平面においてX軸、Y軸の交点で垂直方向に伸長する計測値軸Zとを有し、前記対象面の座標(x,y)に対し一の計測値Z(x,y)が特定される3次元計測面に対するベース点の設定方法において、
前記計測曲線のピークがZ軸負方向に出る場合は、半球又は半楕円体C [z≦0,f(x,y)=c{1−(x−d)2/a2−(y−e)2/b2}1/2] の底面が、ベース点を設定すべき位置座標(xi,yi)を含むようにd及びeを設定し、
前記Cを設定した後、前記Cの底面の各位置で、前記Cの高さから計測値Zを引いた値を計算し、それらの最小値をlminとし、
該lminが取得された前記Cの位置における前記位置座標(xi,yi)での高さを求め、前記位置座標(xi,yi)での前記Cの高さから前記lminを引いた値を計算し、
前記Cの底面が前記位置座標(xi,yi)を含む範囲で前記Cをくまなくずらしていき、他の位置においても前記位置座標(xi,yi)での前記Cの高さから前記lminを引いた値を計算し、
これらの計算された和のうち最小値をL(xi,yi)とし、対象面上での座標(xi,yi)上のベース点を(xi,yi,L(xi,yi))として設定することを特徴とするベース点設定方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記半球又は半楕円体C [z≦0,f(x,y)=c{1−(x−d)2/a2−(y−e)2/b2}1/2の「a」をピークのX軸方向の半値幅の2倍以上に設定し、「b」をピークのY軸方向の半値幅の2倍以上に設定することを特徴とするベース点設定方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記ベース点設定方法を用いて、前記対象面の全体にベース点を設定し、設定されたそれぞれのベース点に基づいて3次元計測ベースを設定することを特徴とする3次元計測ベース設定方法。
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