JP2011111530A - Adhesive sheet and method for producing the same and method for producing semiconductor device and semiconductor device - Google Patents

Adhesive sheet and method for producing the same and method for producing semiconductor device and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2011111530A
JP2011111530A JP2009269072A JP2009269072A JP2011111530A JP 2011111530 A JP2011111530 A JP 2011111530A JP 2009269072 A JP2009269072 A JP 2009269072A JP 2009269072 A JP2009269072 A JP 2009269072A JP 2011111530 A JP2011111530 A JP 2011111530A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
adhesive
release substrate
film
adhesive sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009269072A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6045773B2 (en
Inventor
Shinya Kato
慎也 加藤
Takahiro Tokuyasu
孝寛 徳安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2009269072A priority Critical patent/JP6045773B2/en
Publication of JP2011111530A publication Critical patent/JP2011111530A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6045773B2 publication Critical patent/JP6045773B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet that enables easy position recognition of an adhesive layer by a sensor upon pre-cut processing of a dicing tape and also enables suppression of position sift between the adhesive layer and the dicing tape. <P>SOLUTION: The adhesive sheet includes a release substrate 1 and a laminate 4 with a predetermined shape. The laminate 4 includes: an adhesive layer 2 with a predetermined planar shape disposed on the release substrate 1; and an adhesive film 3 formed to cover the adhesive layer 2 and to contact the release substrate 1 at the periphery of the adhesive layer 2. A plurality of the laminates 4 are distributed on the release substrate 1 in the longitudinal direction of the release substrate 1. In the adhesive layer 2, the light transmittance at 200-800 nm wavelengths is 10-90% and spectral transmittance in the 200-400 nm wavelength region is 85% or less. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet, a manufacturing method thereof, a manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor device.

近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量小型化の要求が急速に高まりつつある。これに伴い、半導体素子の高密度実装に対するニーズは年々強まり、特に半導体素子を積層するスタックドマルチチップパッケージ(以下、「スタックドMCP」という)の開発がその中心を担っている。   In recent years, there has been a rapid increase in demands for multifunctional and lightweight and compact mobile related devices. Along with this, the need for high-density mounting of semiconductor elements is increasing year by year, and the development of a stacked multichip package (hereinafter referred to as “stacked MCP”) in which semiconductor elements are stacked plays a central role.

スタックドMCPの技術開発は、パッケージの小型化と多段積載という相反する目標の両立にある。そのため、特に半導体素子に使用されるシリコンウェハの厚さは薄膜化が急速に進み、ウェハ厚さ100μm以下のものが積極的に使用、検討されている。また、多段積載は、パッケージ作製工程の複雑化を引き起こすため、パッケージ作製工程の簡素化、及び、多段積載によるワイヤーボンディングの熱履歴回数の増加に対応した作製プロセス、材料の提案が求められている。   The technical development of stacked MCP is to achieve both conflicting goals of package miniaturization and multi-stage loading. For this reason, the thickness of silicon wafers used for semiconductor elements has been rapidly reduced, and wafers with a thickness of 100 μm or less are being actively used and studied. In addition, since the multi-stage stacking causes the complexity of the package manufacturing process, there is a need for a manufacturing process and material proposals corresponding to the simplification of the package manufacturing process and the increase in the number of thermal histories of wire bonding due to multi-stage stacking. .

このような状況の中、スタックドMCPの接着部材としては、従来からペースト材料が用いられてきた。しかし、ペースト材料では、半導体素子の接着プロセスにおいて樹脂のはみ出しが生じたり、膜厚精度が低いといった問題がある。これらの問題は、ワイヤーボンディング時の不具合発生やペースト剤のボイド発生等の原因となるため、ペースト材料を用いた場合では、上述の要求に対処しきれなくなってきている。   Under such circumstances, a paste material has been conventionally used as an adhesive member of the stacked MCP. However, the paste material has a problem that the resin protrudes in the bonding process of the semiconductor element and the film thickness accuracy is low. Since these problems cause problems during wire bonding, voids in the paste, and the like, when the paste material is used, it has become impossible to cope with the above requirements.

こうした問題を改善するために、近年、ペースト材料に代えてフィルム状の接着剤が使用される傾向にある。フィルム状の接着剤はペースト材料と比較して、半導体素子の接着プロセスにおけるはみ出し量を少なく制御することが可能であり、且つ、フィルムの膜厚精度を高めて、膜厚のばらつきを小さくすることが可能であることから、特にスタックドMCPへの適用が積極的に検討されている。   In recent years, in order to improve such a problem, a film-like adhesive has been used instead of the paste material. Compared to paste materials, film adhesives can control the amount of protrusion in the bonding process of semiconductor elements, and increase film thickness accuracy to reduce film thickness variation. Therefore, application to a stacked MCP is being actively studied.

このフィルム状接着剤は、通常、接着剤層が剥離基材上に形成された構成を有しており、その代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付け方式がある。ウェハ裏面貼り付け方式とは、半導体素子の作製に用いられるシリコンウェハの裏面にフィルム状接着剤を直接貼付ける方法である。この方法では、半導体ウェハに対するフィルム状接着剤の貼付けを行った後、剥離基材を除去し、接着剤層上にダイシングテープを貼り付ける。その後、ウェハリングに装着させて所望の半導体素子寸法にウェハを接着剤層ごと切削加工する。ダイシング後の半導体素子は裏面に同じ寸法に切り出された接着剤層を有する構造となっており、この接着剤層付きの半導体素子をピックアップして搭載されるべき基板に熱圧着等の方法で貼り付ける。   This film-like adhesive usually has a configuration in which an adhesive layer is formed on a release substrate, and one of typical usage methods is a wafer back surface application method. The wafer back surface attaching method is a method of directly attaching a film adhesive to the back surface of a silicon wafer used for manufacturing a semiconductor element. In this method, after a film adhesive is applied to a semiconductor wafer, the release substrate is removed, and a dicing tape is applied on the adhesive layer. Thereafter, the wafer is mounted on the wafer ring, and the wafer is cut into a desired semiconductor element size together with the adhesive layer. The semiconductor element after dicing has a structure having an adhesive layer cut out to the same size on the back surface. The semiconductor element with the adhesive layer is picked up and attached to a substrate to be mounted by a method such as thermocompression bonding. wear.

この裏面貼付け方式に用いられるダイシングテープは、通常、粘着剤層が基材フィルム上に形成された構成を有しており、感圧型ダイシングテープとUV型ダイシングテープとの2種類に大別される。ダイシングテープに要求される機能としては、ダイシング時には、ウェハ切断に伴う負荷によって半導体素子が飛散しない十分な粘着力が求められ、ダイシングした各半導体素子をピックアップする際には、各素子への粘着剤残りが無く、接着剤層付きの半導体素子がダイボンダー設備で容易にピックアップできることが求められる。   The dicing tape used for this back surface application method usually has a configuration in which an adhesive layer is formed on a base film, and is roughly divided into two types, a pressure-sensitive dicing tape and a UV dicing tape. . As a function required for the dicing tape, at the time of dicing, a sufficient adhesive force is required so that the semiconductor element does not scatter due to a load accompanying cutting of the wafer, and when picking up each diced semiconductor element, an adhesive to each element It is required that there is no residue and that a semiconductor element with an adhesive layer can be easily picked up by a die bonder facility.

また、パッケージ作製工程の短縮化の要望から、更にプロセス改善の要求が高まっている。従来のウェハ裏面貼付け方式では、ウェハへフィルム状接着剤を貼付けた後、ダイシングテープを貼付けるという2つの工程が必要であったことから、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとの両方の機能を併せ持つ接着シート(ダイボンドダイシングシート)が開発されている。この接着シートとしては、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせた構造を持つ積層タイプ(例えば、特許文献1〜3参照)や、一つの樹脂層で粘着剤層と接着剤層との両方の機能を兼ね備えた単層タイプ(例えば、特許文献4参照)がある。   In addition, there is a growing demand for process improvement due to the desire to shorten the package manufacturing process. In the conventional wafer back surface pasting method, two steps of pasting the dicing tape after pasting the film adhesive on the wafer are necessary. In order to simplify this process, the film adhesive and An adhesive sheet (die-bonded dicing sheet) having both functions of a dicing tape has been developed. As this adhesive sheet, a laminated type having a structure in which a film adhesive and a dicing tape are bonded together (for example, see Patent Documents 1 to 3), or both a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer with a single resin layer. There is a single layer type (see, for example, Patent Document 4) having the above functions.

また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法(いわゆるプリカット加工)が知られている(例えば特許文献5及び6参照)。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。   Further, there is known a method (so-called precut processing) in which such an adhesive sheet is processed in advance into the shape of a wafer constituting a semiconductor element (see, for example, Patent Documents 5 and 6). Such pre-cut processing is a method in which a resin layer is punched in accordance with the shape of the wafer to be used, and the resin layer other than the portion to which the wafer is attached is peeled off.

かかるプリカット加工を施す場合、積層タイプの接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すことによって作製される。また、単層タイプの接着シートは一般的に、剥離基材上に接着剤層と粘着剤層の両方の機能を有する樹脂層(以下、「粘接着層」という)を形成し、この粘接着層に対してプリカット加工を行い、樹脂層の不要部分を除去した後に基材フィルムと貼り合わせる等の方法により作製される。   When such pre-cut processing is performed, generally, a laminated type adhesive sheet is pre-cut in a film adhesive so that the adhesive layer is matched to the wafer shape and bonded to the dicing tape. It is manufactured by applying pre-cut processing that matches the wafer ring shape. In addition, a single-layer type adhesive sheet generally forms a resin layer (hereinafter referred to as “adhesive layer”) having both functions of an adhesive layer and an adhesive layer on a release substrate. The adhesive layer is prepared by a method such as pre-cut processing, removing unnecessary portions of the resin layer, and bonding to the base film.

特許第3348923号公報Japanese Patent No. 3348923 特開平10−335271号公報JP 10-335271 A 特許第2678655号公報Japanese Patent No. 2678655 特公平7−15087号公報Japanese Patent Publication No. 7-15087 実公平6−18383号公報Japanese Utility Model Publication No. 6-18383 登録実用新案3021645号公報Registered Utility Model No. 3021645

上述した積層タイプの接着シートを作製する場合のプリカット加工において、ダイシングテープにプリカット加工を施す際には、接着剤層の端部をセンサ等で位置認識し、接着剤層とダイシングテープの貼り付け位置にずれを生じさせない機構が広く採用されている。一方で、接着剤層の薄膜化が進んでおり、接着剤層の位置認識の際、センサの誤作動が発生し、ダイシングテープのプリカット加工で接着剤層とダイシングテープの位置がずれてしまうという問題がある。   In the pre-cut processing for producing the laminated type adhesive sheet described above, when pre-cut processing is performed on the dicing tape, the position of the edge of the adhesive layer is recognized by a sensor or the like, and the adhesive layer and the dicing tape are attached. A mechanism that does not cause a shift in position is widely used. On the other hand, thinning of the adhesive layer is progressing, and when the position of the adhesive layer is recognized, the sensor malfunctions, and the position of the adhesive layer and the dicing tape is shifted by the pre-cut processing of the dicing tape. There's a problem.

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、ダイシングテープのプリカット加工時にセンサによる接着剤層の位置認識を容易とすることが可能であり、接着剤層とダイシングテープの位置ずれを抑制可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and can easily recognize the position of the adhesive layer by the sensor during the precut processing of the dicing tape. It is an object of the present invention to provide an adhesive sheet capable of suppressing misalignment, a method for manufacturing the same, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet, and a semiconductor device.

上記目的を達成するために、本発明は、剥離基材と、該剥離基材上に配置された所定の平面形状を有する接着剤層、及び、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムからなる、所定の形状を有する積層体と、を備え、上記剥離基材上に複数の上記積層体が上記剥離基材の長尺方向に分散配置された接着シートであって、上記接着剤層の波長200〜800nmの光線透過率が10〜90%であり、且つ、波長200〜400nmの領域での分光透過率が85%以下である、接着シートを提供する。   In order to achieve the above object, the present invention provides a release substrate, an adhesive layer having a predetermined planar shape disposed on the release substrate, and covering the adhesive layer and of the adhesive layer. A laminate having a predetermined shape made of an adhesive film formed so as to be in contact with the release substrate at the periphery, and a plurality of the laminates on the release substrate in the longitudinal direction of the release substrate The adhesive sheet is dispersed and arranged, wherein the adhesive layer has a light transmittance of 10 to 90% at a wavelength of 200 to 800 nm and a spectral transmittance of 85% or less in a region of a wavelength of 200 to 400 nm. An adhesive sheet is provided.

かかる接着シートは、接着剤層の端部を検出するセンサから発光される光線の透過率を低下させ、接着剤層の端部の位置認識を容易とすることが可能である。そのため、接着剤層を薄膜化した場合であっても、ダイシングテープである粘着フィルムのプリカット加工の際に接着剤層の位置認識でのセンサの誤作動が防止され、接着剤層と粘着フィルムの位置ずれが十分に抑制される。   Such an adhesive sheet can reduce the transmittance of light emitted from a sensor that detects the end of the adhesive layer, and can easily recognize the position of the end of the adhesive layer. Therefore, even when the adhesive layer is thinned, the sensor malfunction in the position recognition of the adhesive layer is prevented during the precut processing of the adhesive film that is a dicing tape, and the adhesive layer and the adhesive film Misalignment is sufficiently suppressed.

また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層は、(A)ポリエーテル系化合物、顔料、染料及び光吸収剤からなる群より選択される少なくとも一種の光透過率調整成分と、(B)熱重合性成分と、(C)官能性モノマーを構成単位として含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分と、を含有することが好ましい。これにより、粘着フィルムのプリカット加工の際に接着剤層の位置認識でのセンサの誤作動がより十分に防止されるとともに、接着剤層は優れた接着強度が得られる。   In the adhesive sheet of the present invention, the adhesive layer includes (A) at least one light transmittance adjusting component selected from the group consisting of a polyether compound, a pigment, a dye, and a light absorber, and (B). It is preferable to contain a heat-polymerizable component and (C) a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more containing a functional monomer as a structural unit. Thereby, the malfunction of the sensor in the position recognition of the adhesive layer is more sufficiently prevented during the precut processing of the pressure-sensitive adhesive film, and the adhesive layer has excellent adhesive strength.

また、本発明の接着シートにおいて、上記ポリエーテル系化合物は、芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド及び芳香族ポリエーテルアミドからなる群より選択される少なくとも一種であることが好ましい。これにより、接着剤層の接着強度をより向上させることができる。   In the adhesive sheet of the present invention, the polyether compound is preferably at least one selected from the group consisting of an aromatic polyetherimide, an aromatic polyetheramideimide, and an aromatic polyetheramide. Thereby, the adhesive strength of an adhesive bond layer can be improved more.

また、本発明の接着シートにおいて、上記(C)高分子量成分は、エポキシ基含有モノマー単位の含有量が0.5〜50質量%であるグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体であることが好ましい。これにより、接着剤層の接着強度をより向上させることができる。   In the adhesive sheet of the present invention, the (C) high molecular weight component may be a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer having an epoxy group-containing monomer unit content of 0.5 to 50% by mass. preferable. Thereby, the adhesive strength of an adhesive bond layer can be improved more.

また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層は、25℃での貯蔵弾性率が10〜10000MPaであり、且つ、260℃での硬化後の貯蔵弾性率が0.5〜1000MPaであることが好ましい。これにより、プリカットの加工性が十分に確保されるとともに、該接着シートを用いて作製された半導体装置の信頼性を良好なものとすることができる。   In the adhesive sheet of the present invention, the adhesive layer has a storage elastic modulus at 25 ° C. of 10 to 10,000 MPa, and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C. of 0.5 to 1000 MPa. Is preferred. Thereby, the processability of the precut is sufficiently ensured, and the reliability of the semiconductor device manufactured using the adhesive sheet can be improved.

更に、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層の厚さが15μm以下であることが好ましい。本発明の接着シートによれば、接着剤層の厚さを15μm以下に薄膜化した場合であっても、粘着フィルムのプリカット加工の際に接着剤層の位置認識でのセンサの誤作動が防止され、接着剤層と粘着フィルムの位置ずれが十分に抑制される。   Furthermore, in the adhesive sheet of the present invention, the adhesive layer preferably has a thickness of 15 μm or less. According to the adhesive sheet of the present invention, even when the thickness of the adhesive layer is reduced to 15 μm or less, the sensor malfunction due to the position recognition of the adhesive layer is prevented during the precut processing of the adhesive film. Thus, the positional deviation between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film is sufficiently suppressed.

本発明はまた、上記本発明の接着シートの製造方法であって、剥離基材上に接着剤層を積層する第1の積層工程と、上記接着剤層の上記剥離基材に接する側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで上記接着剤層に対して切り込みを入れ、切り込まれた外周部分の接着剤層を除去し、所定の平面形状を有する接着剤層を形成する第1の切断工程と、上記所定の平面形状を有する接着剤層及び上記剥離基材を覆うように、粘着フィルムを積層する第2の積層工程と、上記粘着フィルムの上記剥離基材側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで上記粘着フィルムに対して切り込みを入れ、切り込まれた外周部分の粘着フィルムを除去し、上記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接する粘着フィルムとからなる、所定の形状を有する積層体を形成する第2の切断工程と、を含む接着シートの製造方法を提供する。   The present invention is also a method for producing the adhesive sheet of the present invention, wherein the first lamination step of laminating the adhesive layer on the release substrate and the side of the adhesive layer that contacts the release substrate are opposite. A first notch is formed in the adhesive layer from the side surface until reaching the release substrate, and the adhesive layer in the outer peripheral portion thus cut is removed to form an adhesive layer having a predetermined planar shape. Cutting step, a second laminating step of laminating the pressure-sensitive adhesive film so as to cover the adhesive layer having the predetermined planar shape and the peeling substrate, and a side opposite to the peeling substrate side of the pressure-sensitive adhesive film Cut the adhesive film from the surface until reaching the release substrate, remove the adhesive film on the outer peripheral portion that was cut, cover the adhesive layer of the predetermined planar shape, and the adhesive layer and Viscosity in contact with the release substrate around the adhesive layer Consisting of a film, to provide a production method of the adhesive sheet comprising a second cutting step of forming a laminate having a predetermined shape, a.

かかる接着シートの製造方法によれば、第2の切断工程において、接着剤層の端部を検出するセンサから発光される光線の透過率を低下させ、接着剤層の端部の位置認識を容易とすることが可能である。そのため、接着剤層を薄膜化した場合であっても、ダイシングテープである粘着フィルムのプリカット加工の際に接着剤層の位置認識でのセンサの誤作動が防止され、接着剤層と粘着フィルムの位置ずれが十分に抑制された接着シートを得ることができる。   According to this method for manufacturing an adhesive sheet, in the second cutting step, the transmittance of light emitted from a sensor that detects the end of the adhesive layer is reduced, and the position of the end of the adhesive layer is easily recognized. Is possible. Therefore, even when the adhesive layer is thinned, the sensor malfunction in the position recognition of the adhesive layer is prevented during the precut processing of the adhesive film that is a dicing tape, and the adhesive layer and the adhesive film An adhesive sheet in which the displacement is sufficiently suppressed can be obtained.

本発明はまた、上記本発明の接着シートにおける上記積層体を上記剥離基材から剥離し、上記積層体を、上記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程と、上記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも上記接着剤層と上記粘着フィルムとの界面まで切削部材で切削し、上記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、上記粘着フィルムから上記半導体素子を上記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、上記接着剤層付き半導体素子における上記半導体素子を、上記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。ここで、上記被着体は、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子であることが好ましい。   The present invention also peels off the laminate in the adhesive sheet of the invention from the release substrate, and attaches the laminate to a semiconductor wafer from the surface on the adhesive layer side to obtain a semiconductor wafer with a laminate. A dicing step of cutting the semiconductor wafer with the laminated body with a cutting member to at least an interface between the adhesive layer and the adhesive film, and cutting the semiconductor wafer into a semiconductor element of a predetermined size; The semiconductor element is picked up from the pressure-sensitive adhesive film together with the adhesive layer to obtain a semiconductor element with an adhesive layer, and the semiconductor element in the semiconductor element with the adhesive layer is attached via the adhesive layer A method for manufacturing a semiconductor device is provided that includes a bonding step of bonding to a body. Here, the adherend is preferably a support member for mounting a semiconductor element or another semiconductor element.

本発明は更に、上記本発明の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を提供する。   The present invention further provides a semiconductor device manufactured by the semiconductor device manufacturing method of the present invention.

本発明によれば、ダイシングテープのプリカット加工時にセンサによる接着剤層の位置認識を容易とすることが可能であり、接着剤層とダイシングテープの位置ずれを抑制可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to easily recognize the position of the adhesive layer by the sensor at the time of precut processing of the dicing tape, and the adhesive sheet capable of suppressing the positional deviation between the adhesive layer and the dicing tape, and the manufacturing method thereof, And the manufacturing method and semiconductor device of a semiconductor device using the said adhesive sheet can be provided.

本発明の接着シートの好適な一実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows suitable one Embodiment of the adhesive sheet of this invention. 図1に示す接着シートを図1のX−X’線に沿って切断した場合の断面図である。It is sectional drawing at the time of cut | disconnecting the adhesive sheet shown in FIG. 1 along the X-X 'line | wire of FIG. (a)〜(d)は、本発明の接着シートの製造方法の好適な一実施形態を示す一連の工程図である。(A)-(d) is a series of process figures which show suitable one Embodiment of the manufacturing method of the adhesive sheet of this invention. (e)〜(h)は、本発明の接着シートの製造方法の好適な一実施形態を示す一連の工程図である。(E)-(h) is a series of process figures which show suitable one Embodiment of the manufacturing method of the adhesive sheet of this invention. 本発明の接着シートにおける積層体を半導体ウェハ及びウェハリングに圧着した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which crimped | bonded the laminated body in the adhesive sheet of this invention to the semiconductor wafer and the wafer ring.

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

<接着シート>
本発明の接着シートは、剥離基材と、該剥離基材上に配置された所定の平面形状を有する接着剤層、及び、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムからなる、所定の形状を有する積層体と、を備え、上記剥離基材上に複数の上記積層体が上記剥離基材の長尺方向に分散配置された接着シートであって、上記接着剤層の波長200〜800nmの光線透過率が10〜90%であり、且つ、波長200〜400nmの領域での分光透過率が85%以下であることを特徴とするものである。
<Adhesive sheet>
The adhesive sheet of the present invention includes a release substrate, an adhesive layer having a predetermined planar shape disposed on the release substrate, and the release group covering the adhesive layer and around the adhesive layer. A laminate having a predetermined shape made of an adhesive film formed so as to be in contact with the material, and a plurality of the laminates are dispersedly arranged in the longitudinal direction of the release substrate on the release substrate. An adhesive sheet, wherein the adhesive layer has a light transmittance of 10 to 90% at a wavelength of 200 to 800 nm, and a spectral transmittance in a region of a wavelength of 200 to 400 nm is 85% or less. To do.

本発明の接着シートは、上述したプリカット加工が施された接着シートである。そして、本発明の接着シートにおいては、接着剤層部分の波長200〜800nmの光線透過率及び200〜400nmの領域での分光透過率が上記範囲内であることにより、ダイシングテープとしての粘着フィルムのプリカット加工時に、センサから発光される光線の接着剤層における透過率を低下させ、接着剤層の端部の検出を容易とすることが可能となり、接着剤層と粘着フィルムの位置ずれ等の不良を十分に抑制することができる。   The adhesive sheet of the present invention is an adhesive sheet subjected to the above-described precut processing. And in the adhesive sheet of this invention, when the light transmittance of the wavelength 200-800 nm and the spectral transmittance in the 200-400 nm area | region of the adhesive layer part are in the said range, of the adhesive film as a dicing tape During pre-cut processing, it is possible to reduce the transmittance of the light emitted from the sensor in the adhesive layer, making it easy to detect the edge of the adhesive layer, and defects such as misalignment between the adhesive layer and the adhesive film Can be sufficiently suppressed.

図1は、本発明の接着シートの好適な一実施形態を示す平面図であり、図2は、図1に示す接着シートを図1のX−X’線に沿って切断した場合の断面図である。図1及び図2に示すように、接着シート10は、剥離基材1と、該剥離基材1上に配置された所定の平面形状を有する接着剤層2、及び、該接着剤層2を覆い且つ該接着剤層2の周囲で剥離基材1に接するように形成された粘着フィルム3からなる、所定の形状を有する積層体4と、を備えており、剥離基材1上に複数の積層体4が剥離基材1の長尺方向に分散配置された構造を有している。また、積層体4の周囲には、粘着フィルム3が残存している。更に、この粘着フィルム3は、基材フィルム8に粘着剤層7を設けたものとなっている。   FIG. 1 is a plan view showing a preferred embodiment of the adhesive sheet of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the adhesive sheet shown in FIG. 1 taken along the line XX ′ of FIG. It is. As shown in FIGS. 1 and 2, the adhesive sheet 10 includes a release substrate 1, an adhesive layer 2 having a predetermined planar shape disposed on the release substrate 1, and the adhesive layer 2. And a laminated body 4 having a predetermined shape, which is made of an adhesive film 3 formed so as to be in contact with the peeling substrate 1 around the adhesive layer 2. The laminate 4 has a structure in which the laminate 4 is dispersedly arranged in the longitudinal direction of the release substrate 1. Further, the adhesive film 3 remains around the laminate 4. Further, the pressure-sensitive adhesive film 3 has a base film 8 provided with a pressure-sensitive adhesive layer 7.

接着シート10において、接着剤層2及び粘着フィルム3は、所定の平面形状となるようにプリカット加工が施されている。粘着フィルム3のプリカット加工時には、センサによって、接着剤層2の端部6の位置が検出され、その検出結果に基づいて、粘着フィルム3にプリカット加工が施されることとなる。このとき、接着剤層2の波長200〜800nmの光線透過率及び200〜400nmの領域での分光透過率が本願特定の条件を満たしていることにより、接着剤層2が薄膜化された場合であっても、センサによる接着剤層2の位置認識を容易とすることができ、接着剤層2とダイシングテープ3の位置ずれが十分に抑制されることとなる。   In the adhesive sheet 10, the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 are pre-cut so as to have a predetermined planar shape. When the adhesive film 3 is precut, the position of the end 6 of the adhesive layer 2 is detected by the sensor, and the adhesive film 3 is precut based on the detection result. At this time, when the adhesive layer 2 is thinned by the light transmittance of the adhesive layer 2 having a wavelength of 200 to 800 nm and the spectral transmittance in the region of 200 to 400 nm satisfying the specific conditions of the present application. Even if it exists, the position recognition of the adhesive bond layer 2 by a sensor can be made easy, and the position shift of the adhesive bond layer 2 and the dicing tape 3 will fully be suppressed.

接着シート10において、上記接着剤層2は、上記剥離基材1を剥離した後に上記積層体4を貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する所定の平面形状を有していることが好ましい。   In the adhesive sheet 10, the adhesive layer 2 preferably has a predetermined planar shape that matches the planar shape of the adherend to which the laminate 4 is to be attached after the release substrate 1 is peeled off. .

上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層2が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。なお、接着剤層2の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状と相似であってもよく、半導体ウェハの平面形状の面積よりもやや大きくてもよい。   Examples of the adherend include a semiconductor wafer, and the adhesive layer 2 having a planar shape that matches the planar shape of the semiconductor wafer tends to facilitate the process of dicing the semiconductor wafer. There is. In addition, the planar shape of the adhesive layer 2 does not need to completely match the planar shape of the semiconductor wafer. For example, the planar shape of the semiconductor wafer may be similar to the planar shape of the semiconductor wafer. It may be slightly larger.

接着シート10において、粘着フィルム3は、基材フィルム8上に粘着剤層7を形成した構造を有している。上記粘着剤層7は、上記剥離基材1を剥離した後に上記接着剤層2を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層2に対して室温(25℃)で粘着性を有することが好ましい。これにより、半導体ウェハをダイシングする際に半導体ウェハが十分に固定され、ダイシングが容易となる。また、半導体ウェハをダイシングする際にウェハリングを用い、このウェハリングに粘着剤層7が密着するように積層体4の貼り付けを行った場合、ウェハリングへの粘着力が十分に得られてダイシングが容易となる。   In the adhesive sheet 10, the pressure-sensitive adhesive film 3 has a structure in which the pressure-sensitive adhesive layer 7 is formed on the base film 8. The pressure-sensitive adhesive layer 7 preferably has adhesiveness at room temperature (25 ° C.) with respect to the adherend to which the adhesive layer 2 is to be attached and the adhesive layer 2 after the release substrate 1 is peeled off. . Thereby, when dicing a semiconductor wafer, a semiconductor wafer is fully fixed and dicing becomes easy. Further, when a wafer ring is used when dicing a semiconductor wafer, and the laminate 4 is attached so that the adhesive layer 7 is in close contact with the wafer ring, sufficient adhesion to the wafer ring is obtained. Dicing becomes easy.

また、接着剤層2がウェハリングに直接貼り付けられる場合には、接着剤層2の粘着力は、ウェハリングから容易に剥離できる程度の低い粘着力に調整する必要が生じるが、粘着剤層7をウェハリングに貼り付けることにより、このような粘着力の調整が不要となる。したがって、接着剤層2には十分に高い粘着力を持たせるとともに、粘着剤層7にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。更に、粘着剤層7の粘着力を十分に低く調整することができるため、剥離基材1と粘着剤層7との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材1からの接着剤層2及び粘着剤層7の剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。   Further, when the adhesive layer 2 is directly attached to the wafer ring, the adhesive force of the adhesive layer 2 needs to be adjusted to a low adhesive force that can be easily peeled off from the wafer ring. By sticking 7 to the wafer ring, such adjustment of the adhesive force becomes unnecessary. Accordingly, the adhesive layer 2 has a sufficiently high adhesive strength, and the adhesive layer 7 has a sufficiently low adhesive strength that allows the wafer ring to be easily peeled off, thereby dicing the semiconductor wafer. The subsequent wafer ring peeling operation can be performed more efficiently. Furthermore, since the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 7 can be adjusted to be sufficiently low, it becomes easy to create a peeling start point between the peeling substrate 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 7, and the adhesive layer 2 from the peeling substrate 1. In addition, the adhesive layer 7 can be easily peeled off, and the occurrence of poor peeling can be more sufficiently suppressed.

更に、上記粘着剤層7は、高エネルギー線の照射により上記接着剤層2に対する粘着力が低下することが好ましい。これにより、接着剤層2を粘着剤層7から剥離する際において、紫外線、電子線、放射線等の高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。   Furthermore, the pressure-sensitive adhesive layer 7 is preferably reduced in adhesive strength to the adhesive layer 2 by irradiation with high energy rays. As a result, when the adhesive layer 2 is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 7, the peeling can be easily performed by irradiating with high energy rays such as ultraviolet rays, electron beams, and radiation.

接着シート10において、接着剤層2は、25℃での貯蔵弾性率が10〜10000MPaであり、且つ、260℃での硬化後の貯蔵弾性率が0.5〜1000MPaであることが好ましい。25℃での硬化前の接着剤層2の貯蔵弾性率が上記範囲であると、プリカットの加工性を確保しやすくなる。また、260℃での完全に硬化せしめた接着剤層2の貯蔵弾性率が上記範囲であると、半導体装置の信頼性に優れる。この貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置(レオロジ社製、商品名:DVE−V4)を使用し、接着剤層2の硬化物に引張荷重をかけて、周波数10Hz、昇温速度5〜10℃/minの条件で−70℃から300℃まで測定する、温度依存性測定モードによって測定できる。   In the adhesive sheet 10, the adhesive layer 2 preferably has a storage elastic modulus at 25 ° C of 10 to 10,000 MPa and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C of 0.5 to 1000 MPa. When the storage elastic modulus of the adhesive layer 2 before curing at 25 ° C. is in the above range, it becomes easy to ensure the precut processability. Moreover, when the storage elastic modulus of the adhesive layer 2 completely cured at 260 ° C. is in the above range, the reliability of the semiconductor device is excellent. This storage elastic modulus is, for example, using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by Rheology, trade name: DVE-V4), applying a tensile load to the cured product of the adhesive layer 2, a frequency of 10 Hz, and a heating rate. It can be measured by a temperature dependence measurement mode in which measurement is performed from −70 ° C. to 300 ° C. under a condition of 5 to 10 ° C./min.

本実施形態に係る接着シート10は、上述のように、剥離基材1と、該剥離基材1上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層2と、該接着剤層2の周囲で上記剥離基材1に接するよう形成された粘着フィルム3とが順次積層された構成を有している。本実施形態において、接着剤層2と粘着フィルム3とを積層したものを積層体4という。上記接着剤層2及び粘着フィルム3からなる積層体4は、所定の形状に切断されており、剥離基材1上に部分的に積層され、上記積層体4は、複数個、剥離基材1の長さ方向に分散配置されている。更に、剥離基材1には、積層体4の形状の周縁に沿って、接着剤層2側の面から剥離基材1の厚み方向に切り込み部(以下、「切り込み部A」ともいう」がウェハリング形状に合致した形にプリカットされている。   As described above, the adhesive sheet 10 according to the present embodiment includes the release substrate 1, the adhesive layer 2 disposed on the release substrate 1 and having a predetermined planar shape, and the adhesive layer 2. It has a configuration in which an adhesive film 3 formed so as to be in contact with the peeling substrate 1 around the periphery is sequentially laminated. In this embodiment, what laminated | stacked the adhesive bond layer 2 and the adhesion film 3 is called the laminated body 4. FIG. The laminate 4 composed of the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 is cut into a predetermined shape and partially laminated on the release substrate 1, and the laminate 4 includes a plurality of release substrates 1. Are distributed in the length direction. Further, the release substrate 1 has a cut portion (hereinafter also referred to as “cut portion A”) in the thickness direction of the release substrate 1 from the surface on the adhesive layer 2 side along the periphery of the shape of the laminate 4. Pre-cut to match the wafer ring shape.

ここで、積層体4の上記所定の形状とは、剥離基材1上に積層体4が部分的に積層された状態となり、上記接着剤層2の所定の平面形状が半導体ウェハ等の被着体の平面形状よりも大きい平面形状であれば、特に制限されないが、例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウェハ形状(円の外周の一部が直線である形状)等の、半導体ウェハへの貼付が容易な形状であることが好ましい。これらの中でも、半導体ウェハ搭載部以外の無駄な部分を少なくするために、円形やウェハ形状が好ましい。   Here, the predetermined shape of the laminated body 4 is a state in which the laminated body 4 is partially laminated on the peeling substrate 1, and the predetermined planar shape of the adhesive layer 2 is applied to a semiconductor wafer or the like. The shape is not particularly limited as long as it is larger than the planar shape of the body, but for example, circular, substantially circular, quadrangular, pentagonal, hexagonal, octagonal, wafer shape (a shape in which a part of the outer periphery of the circle is a straight line) It is preferable that the shape be easy to be attached to a semiconductor wafer. Among these, in order to reduce useless parts other than the semiconductor wafer mounting portion, a circular shape or a wafer shape is preferable.

半導体ウェハのダイシングを行う際には、通常、ダイシング装置での取り扱いのためにウェハリングが用いられる。この場合、接着シート10から剥離基材1を剥離し、粘着フィルム3にウェハリングを貼り付け、その内側に半導体ウェハを貼り付ける。ここで、ウェハリングは、円環状や四角環状等の枠となっており、接着シート10における積層体4の粘着フィルム3は、更にこのウェハリングに合致する平面形状を有していることが好ましい。   When dicing a semiconductor wafer, a wafer ring is usually used for handling with a dicing apparatus. In this case, the peeling base material 1 is peeled from the adhesive sheet 10, a wafer ring is attached to the adhesive film 3, and a semiconductor wafer is attached to the inside thereof. Here, the wafer ring has an annular or square frame, and the adhesive film 3 of the laminate 4 in the adhesive sheet 10 preferably has a planar shape that matches the wafer ring. .

粘着フィルム3は、基材フィルム8と該基材フィルム8上に形成された粘着剤層7とで構成されている。粘着剤層7は、室温(25℃)で半導体ウェハやウェハリング等の被着体を十分に固定することが可能であり、且つ、ウェハリング等に対してはダイシング後に剥離可能な程度の粘着性を有していることが好ましい。該粘着剤層7の高エネルギー線照射前の粘着力は3.0〜150N/mであることが好ましく、30〜100N/mであることがより好ましい。150N/mを越えるとウェハリングから剥がし難く、作業性が低下する。3.0N/m未満であるとウェハリングに対する保持力が不足し、半導体装置の製造工程において支障をきたす恐れがある。   The pressure-sensitive adhesive film 3 is composed of a base film 8 and a pressure-sensitive adhesive layer 7 formed on the base film 8. The pressure-sensitive adhesive layer 7 can sufficiently fix an adherend such as a semiconductor wafer or a wafer ring at room temperature (25 ° C.), and can be peeled off after dicing to a wafer ring or the like. It is preferable to have the property. The pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 7 before irradiation with high energy rays is preferably 3.0 to 150 N / m, and more preferably 30 to 100 N / m. When it exceeds 150 N / m, it is difficult to peel off from the wafer ring, and workability is deteriorated. If it is less than 3.0 N / m, the holding force with respect to the wafer ring is insufficient, which may cause trouble in the manufacturing process of the semiconductor device.

以下、接着シート10を構成する各層について詳細に説明する。   Hereinafter, each layer constituting the adhesive sheet 10 will be described in detail.

本実施形態における剥離基材1は、接着シート10の使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものである。かかる剥離基材1としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。   The peeling substrate 1 in this embodiment plays a role as a carrier film when the adhesive sheet 10 is used. Examples of the release substrate 1 include polyester films such as polyethylene terephthalate films, polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, polypropylene films, polymethylpentene films, polyolefin films such as polyvinyl acetate films, polyvinyl chloride films, A plastic film such as a polyimide film can be used. Moreover, paper, a nonwoven fabric, metal foil, etc. can also be used.

また、剥離基材1の接着剤層2側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていることが好ましい。   The surface of the release substrate 1 on the adhesive layer 2 side is preferably surface-treated with a release agent such as a silicone release agent, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent.

剥離基材1の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、10〜500μmであることが好ましく、20〜100μmであることがより好ましく、25〜50μmであることが特に好ましい。   Although the thickness of the peeling base material 1 can be suitably selected in the range which does not impair the workability | operativity at the time of use, it is preferable that it is 10-500 micrometers, It is more preferable that it is 20-100 micrometers, It is 25-50 micrometers. It is particularly preferred.

本実施形態における接着剤層2は、波長200〜800nmの光線透過率が10〜90%であり、且つ、波長200〜400nmの領域での分光透過率が85%以下であることが必要である。ここで、接着剤層2の波長200〜800nmの光線透過率は10〜90%であるが、20〜80%であることがより好ましく、30〜60%であることが特に好ましい。この光線透過率が10%未満であると、位置認識用のセンサの検出下限界をこえてしまい、90%を超えると、接着剤層の位置認識でのセンサの誤作動が生じやすくなる。また、接着剤層2の波長200〜500nmの領域での分光透過率は85%以下であるが、70%以下であることがより好ましく、60%以下であることが特に好ましい。この分光透過率が85%を超えると、接着剤層の位置認識でのセンサの誤作動が生じやすくなる。   The adhesive layer 2 in the present embodiment needs to have a light transmittance of 10 to 90% at a wavelength of 200 to 800 nm and a spectral transmittance of 85% or less in a region of a wavelength of 200 to 400 nm. . Here, the light transmittance at a wavelength of 200 to 800 nm of the adhesive layer 2 is 10 to 90%, more preferably 20 to 80%, and particularly preferably 30 to 60%. If the light transmittance is less than 10%, the lower detection limit of the position recognition sensor is exceeded, and if it exceeds 90%, malfunction of the sensor in the position recognition of the adhesive layer is likely to occur. The spectral transmittance of the adhesive layer 2 in the wavelength range of 200 to 500 nm is 85% or less, more preferably 70% or less, and particularly preferably 60% or less. If this spectral transmittance exceeds 85%, the sensor is likely to malfunction during position recognition of the adhesive layer.

接着剤層2は、(A)ポリエーテル系化合物、顔料、染料及び光吸収剤からなる群より選択される少なくとも一種の光透過率調整成分と、(B)熱重合性成分と、(C)官能性モノマーを構成単位として含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分と、を含有する層であることが好ましい。   The adhesive layer 2 includes (A) at least one light transmittance adjusting component selected from the group consisting of polyether compounds, pigments, dyes and light absorbers, (B) a thermopolymerizable component, and (C). A layer containing a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more and containing a functional monomer as a constituent unit is preferable.

上記(A)光透過率調整成分の一種であるポリエーテル系化合物は、アミド基(−NHCO−)、エステル基(−CO−O−)、イミド基(−NR、ただしRはそれぞれ−CO−である)、エーテル基(−O−)又はスルホン基(−SO−)を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。特に、アミド基、エステル基、イミド基又はエーテル基を有する熱可塑性樹脂であることがより好ましい。このようなポリエーテル系化合物として具体的には、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド及び芳香族ポリエーテルイミド等が挙げられる。 The polyether compound which is a kind of the light transmittance adjusting component (A) is an amide group (—NHCO—), an ester group (—CO—O—), an imide group (—NR 2 , where R is —CO. A thermoplastic resin having an ether group (—O—) or a sulfone group (—SO 2 —). In particular, a thermoplastic resin having an amide group, an ester group, an imide group or an ether group is more preferable. Specific examples of such polyether compounds include aromatic polyamides, aromatic polyesters, aromatic polyimides, aromatic polyamideimides, aromatic polyethers, aromatic polyetheramide imides, aromatic polyetheramides, aromatics Examples include polyesterimide and aromatic polyetherimide.

これらの中で、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルイミド及び芳香族ポリエーテルアミドが、接着性の点から好ましい。   Among these, aromatic polyether amide imide, aromatic polyether imide and aromatic polyether amide are preferable from the viewpoint of adhesiveness.

上記の樹脂はいずれも、塩基成分である芳香族ジアミン又はビスフェノール等と、酸成分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸若しくは芳香族塩化物又はこれらの反応性誘導体とを重縮合させて製造することができる。すなわち、アミンと酸との反応に用いられている公知の方法で製造することができ、諸条件等についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸又はこれらの反応性誘導体とジアミンとの重縮合反応については、公知の方法が用いられる。   All of the above resins are produced by polycondensing an aromatic component such as aromatic diamine or bisphenol and an acid component such as dicarboxylic acid, tricarboxylic acid, tetracarboxylic acid or aromatic chloride or a reactive derivative thereof. can do. That is, it can be produced by a known method used for the reaction between an amine and an acid, and there are no particular restrictions on various conditions. A known method is used for the polycondensation reaction of aromatic dicarboxylic acid, aromatic tricarboxylic acid or a reactive derivative thereof with diamine.

芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる塩基成分としては、特に制限はないが、例えば、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)]ヘキサフルオロプロパン等のエーテル基を有する芳香族ジアミン;4,4’−メチレンビス(2,6−ジイソプロピルアミン)等のエーテル基を有しない芳香族ジアミン;1,3−ビス(3−アミノプロピル)−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミン;及び1,12−ジアミノドデカン、1,6−ジアミノヘキサン等のα,ω−ジアミノアルカンが好適に用いられる。   The base component used for the synthesis of aromatic polyetherimide, aromatic polyetheramideimide or aromatic polyetheramide is not particularly limited, but for example, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) Phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 2,2-bis [4- (4 -Aminophenoxy)] aromatic diamine having an ether group such as hexafluoropropane; aromatic diamine having no ether group such as 4,4′-methylenebis (2,6-diisopropylamine); 1,3-bis (3 -Aminopropyl) -siloxane diamines such as tetramethyldisiloxane; and 1,12-diaminododecane α such as 1,6-diaminohexane, .omega. diamino alkane is preferably used.

芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド又は芳香族ポリエーテルアミドの合成に用いられる酸成分としては、例えば、(a)無水トリメリット酸、無水トリメリット酸クロライド等の無水トリメリット酸の反応性誘導体、ピロメリット酸二無水物等の単核芳香族トリカルボン酸無水物又は単核芳香族テトラカルボン酸二無水物、(b)ビスフェノールAビストリメリテート二無水物、オキシジフタル酸無水物等の多核芳香族テトラカルボン酸二無水物、(c)テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸クロライド、イソフタル酸クロライド等のフタル酸の反応性誘導体等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。   Examples of the acid component used for the synthesis of aromatic polyetherimide, aromatic polyetheramideimide or aromatic polyetheramide include (a) trimellitic anhydride such as trimellitic anhydride and trimellitic anhydride chloride. Reactive derivatives, mononuclear aromatic tricarboxylic anhydrides such as pyromellitic dianhydride or mononuclear aromatic tetracarboxylic dianhydrides, (b) bisphenol A bis trimellitate dianhydride, oxydiphthalic anhydride, etc. Examples include polynuclear aromatic tetracarboxylic dianhydrides, (c) aromatic dicarboxylic acids such as reactive derivatives of phthalic acid such as terephthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid chloride, and isophthalic acid chloride.

本実施形態においては、ポリエーテル系化合物が5質量%減少する温度が300℃以上であることが好ましく、350℃以上であることがより好ましく、400℃以上であることがさらに好ましい。ポリエーテル化合物が5質量%減少する温度が300℃未満の場合、被着体に接着剤層2を接着する際の熱や、半導体素子製造工程での熱でアウトガスが生じやすい傾向がある。なお、ポリエーテル系化合物が5質量%減少する温度は、示差熱天秤(セイコー電子工業社製、商品名:TG/DTA220)により、昇温速度10℃/分で測定して求められる。   In the present embodiment, the temperature at which the polyether compound is reduced by 5% by mass is preferably 300 ° C. or higher, more preferably 350 ° C. or higher, and further preferably 400 ° C. or higher. When the temperature at which the polyether compound is reduced by 5% by mass is less than 300 ° C., outgas tends to occur due to heat generated when the adhesive layer 2 is bonded to the adherend or heat generated in the semiconductor element manufacturing process. The temperature at which the polyether compound is reduced by 5% by mass is obtained by measuring with a differential thermal balance (trade name: TG / DTA220, manufactured by Seiko Denshi Kogyo Co., Ltd.) at a heating rate of 10 ° C./min.

(A)光透過率調整成分としてポリエーテル系化合物を用いる場合、その使用量は、(B)熱重合性成分100質量部に対して、0.1〜50質量部であることが好ましく、1〜30質量部であることがより好ましく、2〜10質量部であることが特に好ましい。使用量がこの範囲にあると、接着剤層2の貯蔵弾性率が確保でき、また高温での耐半田リフロー性が良好なものとなる傾向にあるとともに、接着剤層2における波長200〜400nmの領域の分光透過率を、より確実に85%以下まで低下させることができる。   (A) When using a polyether-type compound as a light transmittance adjustment component, it is preferable that the usage-amount is 0.1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of (B) thermopolymerizable components. More preferably, it is -30 mass parts, and it is especially preferable that it is 2-10 mass parts. When the amount used is within this range, the storage elastic modulus of the adhesive layer 2 can be secured, and the solder reflow resistance at high temperatures tends to be good, and the wavelength of the adhesive layer 2 is 200 to 400 nm. The spectral transmittance of the region can be more reliably reduced to 85% or less.

(A)光透過率調整成分である顔料及び染料については、プリカット加工時にセンサから発する光線を吸収する性質があるものであれば特に制限はないが、例えば、顔料であればアゾ系、フタロシアニン系、アントラキノン系、レーキ系、ペリレン系、ペリノン系、キナクリドン系、チオインジゴ系、ジオキサンジン系、イソインドリノン系、キノフタロン系などの顔料が挙げられる。また、染料であれば、アゾ系、フタロシアニン系、アントラキノン系、カルボニル系、インジゴ系、キノンイミン系、メチン系、キノリン系、ニトロ系などの染料が挙げられる。   (A) The pigment and dye which are light transmittance adjusting components are not particularly limited as long as they have the property of absorbing light emitted from the sensor during precut processing. For example, pigments are azo-based and phthalocyanine-based pigments. And anthraquinone, lake, perylene, perinone, quinacridone, thioindigo, dioxazine, isoindolinone, and quinophthalone pigments. Examples of the dye include azo, phthalocyanine, anthraquinone, carbonyl, indigo, quinoneimine, methine, quinoline, and nitro dyes.

(A)光透過率調整成分として顔料及び/又は染料を用いる場合、その使用量は、(B)熱重合性成分100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましく、0.3〜10質量部であることがより好ましく、0.5〜5質量部であることが特に好ましい。使用量がこの範囲にあると、接着剤層2の貯蔵弾性率が確保できるとともに、接着剤層2における波長200〜400nmの領域の分光透過率を、より確実に85%以下まで低下させることができる。   (A) When using a pigment and / or dye as the light transmittance adjusting component, the amount used is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (B) thermopolymerizable component, It is more preferably 0.3 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.5 to 5 parts by mass. When the amount used is within this range, the storage elastic modulus of the adhesive layer 2 can be secured, and the spectral transmittance in the region of the wavelength 200 to 400 nm in the adhesive layer 2 can be more reliably reduced to 85% or less. it can.

(A)光透過率調整成分である光吸収剤については、プリカット加工時にセンサから発する光線を吸収する性質があるものであれば特に制限はないが、例えば、パラメトキシケイ皮酸2エチルヘキシル(オクチル)、パラジメチルアミノ安息香酸2エチルヘキシル(オクチル)、オキシベンゾン、サリチル酸2エチルヘキシル(オクチル)、4−tert−ブチル−4−メトキシ−ベンゾイルメタン、サリチル酸フェニルシノキサート、パラアミノ安息香酸エステル2−(2−ヒドロキシー5−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、グアイアズレンなどのベンゼン系化合物やフェノール系化合物が挙げられる。   (A) The light absorber that is a light transmittance adjusting component is not particularly limited as long as it has a property of absorbing light emitted from the sensor during precut processing. For example, 2-methoxyhexyl paramethoxycinnamate (octyl) ), Paradimethylaminobenzoic acid 2-ethylhexyl (octyl), oxybenzone, salicylic acid 2-ethylhexyl (octyl), 4-tert-butyl-4-methoxy-benzoylmethane, salicylic acid phenylcinoxalate, paraaminobenzoic acid ester 2- (2-hydroxy-) Benzene compounds and phenolic compounds such as 5-methylphenyl) benzotriazole and guaiazulene are exemplified.

(A)光透過率調整成分として光吸収剤を用いる場合、その使用量は、(B)熱重合性成分100質量部に対して、0.01〜20質量部であることが好ましく、0.1〜10質量部であることがより好ましく、0.3〜5質量部であることが特に好ましい。使用量がこの範囲にあると、接着剤層2における波長200〜400nmの領域の分光透過率を、より確実に85%以下まで低下させることができる。   (A) When a light absorber is used as the light transmittance adjusting component, the amount used is preferably 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (B) the thermopolymerizable component. It is more preferably 1 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.3 to 5 parts by mass. When the usage amount is within this range, the spectral transmittance in the region of the wavelength 200 to 400 nm in the adhesive layer 2 can be more reliably lowered to 85% or less.

これらのポリエーテル系化合物、顔料、染料及び光吸収剤は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   These polyether compounds, pigments, dyes and light absorbers can be used singly or in combination of two or more.

接着剤層2に用いられる(B)熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、接着シート10としての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化して接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。   The (B) thermopolymerizable component used for the adhesive layer 2 is not particularly limited as long as it is polymerized by heat. For example, glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group, isocyanurate group, Examples thereof include compounds having a functional group such as an amino group and an amide group. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. In consideration of the heat resistance of the adhesive sheet 10, it is preferable to use a thermosetting resin that is cured by heat and exerts an adhesive action.

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性、作業性、信頼性に優れる接着シート10が得られる点で、エポキシ樹脂を使用することが好ましい。   Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a phenol resin, a thermosetting polyimide resin, a polyurethane resin, a melamine resin, and a urea resin. Among these, it is preferable to use an epoxy resin in that the adhesive sheet 10 having excellent heat resistance, workability, and reliability can be obtained.

エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. As such an epoxy resin, for example, a bifunctional epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy, a novolac type epoxy resin such as a phenol novolac type epoxy resin or a cresol novolac type epoxy resin, or the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be used.

ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコートシリーズ(エピコート807、エピコート815、エピコート825、エピコート827、エピコート828、エピコート834、エピコート1001、エピコート1004、エピコート1007、エピコート1009)、ダウケミカル社製のDER−330、DER−301、DER−361、及び、東都化成株式会社製のYD8125、YDF8170等が挙げられる。   As the bisphenol A type epoxy resin, Epicoat series (Epicoat 807, Epicoat 815, Epicoat 825, Epicoat 827, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004, Epicoat 1007, Epicoat 1009) manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Dow Examples thereof include DER-330, DER-301, and DER-361 manufactured by Chemical Corporation, and YD8125 and YDF8170 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.

フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート152、エピコート154、日本化薬株式会社製のEPPN−201、ダウケミカル社製のDEN−438等が挙げられる。   Examples of the phenol novolac type epoxy resin include Epicoat 152 and Epicoat 154 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., EPPN-201 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DEN-438 manufactured by Dow Chemical Company, and the like.

クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である日本化薬株式会社製のEOCN−102S、EOCN−103S、EOCN−104S、EOCN−1012、EOCN−1025、EOCN−1027や、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である東都化成株式会社製のYDCN700−10等が挙げられる。   Examples of the cresol novolac type epoxy resin include EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, and o-cresol novolac type epoxy resin manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. -YDCN700-10 made by Toto Kasei Co., Ltd., which is a cresol novolac type epoxy resin, and the like.

多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のEpon 1031S、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト0163、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールEX−611、EX−614、EX−614B、EX−622、EX−512、EX−521、EX−421、EX−411、EX−321等が挙げられる。   As the polyfunctional epoxy resin, Epon 1031S manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Araldite 0163 manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Denacol EX-611, EX-614, EX-614B, EX-622 manufactured by Nagase ChemteX Corporation. , EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321, and the like.

グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート604、東都化成株式会社製のYH−434、三菱ガス化学株式会社製のTETRAD−X及びTETRAD−C、住友化学株式会社製のELM−120等が挙げられる。   As glycidylamine type epoxy resins, Epicoat 604 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YH-434 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., TETRAD-X and TETRAD-C manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., ELM manufactured by Sumitomo Chemical Co. -120 etc. are mentioned.

複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトPT810、UCC社製のERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等が挙げられる。   Examples of the heterocyclic ring-containing epoxy resin include Araldite PT810 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, ERL4234, ERL4299, ERL4221, and ERL4206 manufactured by UCC.

脂環式エポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業(株)製のエポリードシリーズ、セロキサイドシリーズ等が挙げられる。   Examples of the alicyclic epoxy resin include Epolide series and Celoxide series manufactured by Daicel Chemical Industries.

これらのエポキシ樹脂は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   These epoxy resins can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

エポキシ樹脂を使用する際は、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でも特に、吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。なお、本発明においてエポキシ樹脂硬化剤とは、エポキシ基に触媒的に作用し架橋を促進するような、いわゆる硬化促進剤と呼ばれるものも含む。   When using an epoxy resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent. As the epoxy resin curing agent, known curing agents that are usually used can be used, for example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, dicyandiamide, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol. Examples thereof include bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups per molecule such as S, phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin and cresol novolac resin. Among these, phenol resins such as phenol novolak resin, bisphenol A novolak resin, and cresol novolak resin are preferable in terms of excellent electric corrosion resistance when absorbing moisture. In the present invention, the epoxy resin curing agent includes what is called a curing accelerator that acts catalytically on an epoxy group to promote crosslinking.

上記エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール樹脂の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製の商品名:フェノライトLF4871、フェノライトLF2822、フェノライトTD−2090、フェノライトTD−2149、フェノライトVH−4150、フェノライトVH4170、明和化成株式会社製の商品名:H−1、ジャパンエポキシレジン株式会社製の商品名:エピキュアMP402FPY、エピキュアYL6065、エピキュアYLH129B65、及び、三井化学株式会社製の商品名:ミレックスXL、ミレックスXLC、ミレックスRN、ミレックスRS、ミレックスVR等が挙げられる。   Among the phenol resins as the epoxy resin curing agent, for example, trade names of Dainippon Ink & Chemicals, Inc .: Phenolite LF4871, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149 , Phenolite VH-4150, Phenolite VH4170, product name manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd .: H-1, product name manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd .: Epicure MP402FPY, Epicure YL6065, Epicure YLH129B65, and Mitsui Chemicals, Inc. Product names: Mirex XL, Mirex XLC, Mirex RN, Mirex RS, Mirex VR and the like.

(C)官能性モノマーを構成単位として含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分のうち好ましいものの一つとして、官能性モノマーを構成単位として含む重合体が挙げられる。かかる重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを構成単位として含有するグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体等が好ましく、さらにこれらは、接着剤層2の構成原料として用いられる、硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好ましい。   (C) Among the high molecular weight components having a functional monomer as a structural unit and having a weight average molecular weight of 100,000 or more, a polymer containing a functional monomer as a structural unit can be mentioned. Examples of the functional group in such a polymer include a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group, and an amide group, and among them, a glycidyl group is preferable. More specifically, a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer containing a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a constituent unit is preferable, and these are used as a constituent raw material of the adhesive layer 2. It is preferably incompatible with a thermosetting resin such as an epoxy resin before curing.

上記官能性モノマーを構成単位として含む重合体であって、重量平均分子量が10万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを構成単位として含有し、かつ重量平均分子量が10万以上であるグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体等が挙げられ、その中でも硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であるものが好ましい。   The polymer containing the functional monomer as a structural unit, and the high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more contains, for example, a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a structural unit, and Examples thereof include glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymers having a weight average molecular weight of 100,000 or more, and among them, those that are incompatible with thermosetting resins such as epoxy resins before curing are preferred.

上記グリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体としては、例えば、グリシジル基含有(メタ)アクリルエステル共重合体、グリシジル基含有アクリルゴム等を使用することができ、グリシジル基含有アクリルゴムがより好ましい。本発明でいうグリシジル基含有アクリルゴムとは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等からなるグリシジル基を含有する共重合体である。   As said glycidyl group containing (meth) acrylic copolymer, a glycidyl group containing (meth) acrylic ester copolymer, a glycidyl group containing acrylic rubber, etc. can be used, for example, and a glycidyl group containing acrylic rubber is more preferable. The glycidyl group-containing acrylic rubber as used in the present invention is a copolymer containing a glycidyl group mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of butyl acrylate and acrylonitrile, or ethyl acrylate and acrylonitrile. .

上記官能性モノマーとは、官能基を有するモノマーのことをいい、このようなモノマーとしては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。重量平均分子量が10万以上であるグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体として具体的には、例えば、ナガセケムテックス株式会社製のHTR−860P−3(商品名)等が挙げられる。   The functional monomer means a monomer having a functional group, and it is preferable to use glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as such a monomer. Specific examples of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more include HTR-860P-3 (trade name) manufactured by Nagase ChemteX Corporation.

(C)高分子量成分において、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー単位の量は、加熱により硬化して網目構造を効果的に形成する観点から、モノマー全量を基準として0.5〜50質量%であることが好ましい。また、十分な接着力を確保できるとともに、ゲル化を防止することができるという観点からは、0.5〜6.0質量%であることがより好ましく、0.8〜5.0質量%であることがさらに好ましく、1.0〜4.0質量%であることが特に好ましい。   (C) In the high molecular weight component, the amount of the epoxy group-containing monomer unit such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is from 0.5 to 0.5 on the basis of the total amount of monomer from the viewpoint of curing by heating and effectively forming a network structure. It is preferable that it is 50 mass%. Further, from the viewpoint that sufficient adhesive force can be secured and gelation can be prevented, it is more preferably 0.5 to 6.0% by mass, and 0.8 to 5.0% by mass. More preferably, it is 1.0 to 4.0% by mass.

(C)高分子量成分は、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマーと、エポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーとを共重合させたものであってもよい。エポキシ基含有モノマー以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート等が挙げられ、これらは1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル(メタ)アクリレートとは、エチルアクリレート又はエチルメタクリレートを示す。エポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体のTgを考慮して決定し、Tgが−10℃以上となるように調整することが好ましい。Tgが−10℃以上であると、未硬化状態での接着剤層2のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。   (C) The high molecular weight component may be obtained by copolymerizing an epoxy group-containing monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate with a functional monomer other than the epoxy group-containing monomer. Examples of the functional monomer other than the epoxy group-containing monomer include ethyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and these can be used alone or in combination of two or more. . In the present invention, ethyl (meth) acrylate means ethyl acrylate or ethyl methacrylate. The mixing ratio in the case of using a combination of functional monomers other than the epoxy group-containing monomer is determined in consideration of the Tg of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer and adjusted so that the Tg is -10 ° C or higher. It is preferable to do. When Tg is −10 ° C. or higher, the tackiness of the adhesive layer 2 in an uncured state is appropriate, and the handleability tends to be good.

上記官能性モノマーを重合させて、官能性モノマーを構成単位として含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。官能性モノマーを構成単位として含む高分子量成分の重量平均分子量は、10万以上であるが、30万〜300万であることが好ましく、50万〜200万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。   When a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more containing the functional monomer as a constituent unit is produced by polymerizing the functional monomer, the polymerization method is not particularly limited. For example, pearl polymerization, solution Methods such as polymerization can be used. The weight average molecular weight of the high molecular weight component containing a functional monomer as a constituent unit is 100,000 or more, preferably 300,000 to 3,000,000, and more preferably 500,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is within this range, the strength, flexibility, and tackiness of a sheet or film are appropriate, and the flowability is appropriate, so the circuit fillability of wiring is ensured. It tends to be possible.

なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。   In the present invention, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.

また、官能性モノマーを構成単位として含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分の使用量は、(B)熱重合性成分100質量部に対して、10〜400質量部であることが好ましい。使用量がこの範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、(C)高分子量成分の使用量は、(B)熱重合性成分100質量部に対して、15〜350質量部であることがより好ましく、20〜300質量部であることが特に好ましい。   Moreover, the usage-amount of the high molecular weight component whose weight average molecular weight which contains a functional monomer as a structural unit is 100,000 or more is 10-400 mass parts with respect to 100 mass parts of (B) thermopolymerizable components. preferable. When the amount used is within this range, storage elastic modulus and flowability during molding can be ensured, and handling properties at high temperatures tend to be good. Further, the amount of the (C) high molecular weight component used is more preferably 15 to 350 parts by mass, and particularly preferably 20 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (B) thermopolymerizable component. .

また、熱で硬化する接着剤層2の貯蔵弾性率を大きくするために、例えば、エポキシ樹脂等の(B)熱重合性成分の使用量を増やしたり、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げたり、無機フィラーを添加するといった方法を用いることができる。接着剤層2の貯蔵弾性率を大きくするための無機フィラーについては、後述する。   Moreover, in order to increase the storage elastic modulus of the adhesive layer 2 that is cured by heat, for example, the amount of the (B) thermopolymerizable component such as an epoxy resin is increased, the epoxy resin having a high glycidyl group concentration, or the hydroxyl group concentration A method of increasing the cross-linking density of the whole polymer by using a high phenol resin or adding an inorganic filler can be used. The inorganic filler for increasing the storage elastic modulus of the adhesive layer 2 will be described later.

また、接着剤層2には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与、及び、上述した貯蔵弾性率の向上等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。なお、無機フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらの中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。これらの無機フィラーは、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   In addition, an inorganic filler may be added to the adhesive layer 2 for the purpose of improving its handleability, improving thermal conductivity, adjusting melt viscosity, imparting thixotropic properties, and improving the storage elastic modulus described above. it can. The inorganic filler is not particularly limited. For example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker , Boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like. The shape of the inorganic filler is not particularly limited. Among these, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica are preferable for improving thermal conductivity. For the purpose of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, crystallinity Silica, amorphous silica and the like are preferable. These inorganic fillers can be used alone or in combination of two or more.

また、無機フィラーの平均粒径は0.005μm〜1.0μmであることが好ましく、これより小さくても大きくても接着性が低下する可能性がある。   Moreover, it is preferable that the average particle diameter of an inorganic filler is 0.005 micrometer-1.0 micrometer, and adhesiveness may fall even if it is smaller or larger than this.

無機フィラーを用いる場合の配合量は、接着剤層2の固形分全量を基準として1〜20質量%であることが好ましい。この配合量が1質量%未満では無機フィラーの添加効果が得られない傾向があり、20質量%を超えると、接着剤層2の貯蔵弾性率の過剰な上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。   When the inorganic filler is used, the blending amount is preferably 1 to 20% by mass based on the total solid content of the adhesive layer 2. If the blending amount is less than 1% by mass, the effect of adding the inorganic filler tends to be not obtained. If the blending amount exceeds 20% by mass, the storage elastic modulus of the adhesive layer 2 is excessively increased, the adhesiveness is decreased, and voids remain. There is a tendency to cause problems such as deterioration of electrical characteristics.

接着剤層2の厚さは、半導体素子搭載用の支持部材等の被着体への接着性は十分に確保しつつ、半導体ウェハへの貼り付け作業及び貼り付け後のダイシング作業に影響を及ぼさない範囲であることが望ましい。かかる観点から、接着剤層2の厚さは、1〜300μmであることが好ましく、1〜75μmであることがより好ましく、1〜20μmであることが特に好ましい。厚さが1μm未満であると、十分なダイボンド接着力を確保することが困難となる傾向があり、300μmを超えると、貼り付け作業やダイシング作業への影響等の不具合が生じる傾向がある。   The thickness of the adhesive layer 2 has an effect on the bonding operation to the semiconductor wafer and the dicing operation after the bonding while ensuring sufficient adhesion to the adherend such as a support member for mounting the semiconductor element. It is desirable that there is no range. From this viewpoint, the thickness of the adhesive layer 2 is preferably 1 to 300 μm, more preferably 1 to 75 μm, and particularly preferably 1 to 20 μm. When the thickness is less than 1 μm, it tends to be difficult to ensure a sufficient die-bonding adhesive force, and when it exceeds 300 μm, there is a tendency that problems such as an influence on the pasting work and the dicing work occur.

また、半導体装置の軽量小型化の観点からは、接着剤層2の厚さは、15μm以下であることが好ましく、1〜15μmであることがより好ましく、3〜15μmであることが特に好ましい。従来の接着剤層では、厚さを15μm以下にした場合、プリカット加工時のセンサによる接着剤層の位置認識が困難となる傾向があったが、本発明によれば、接着剤層2の厚さを15μm以下に薄膜化した場合であっても、センサによる接着剤層の位置認識が容易となる。   Further, from the viewpoint of reducing the weight and size of the semiconductor device, the thickness of the adhesive layer 2 is preferably 15 μm or less, more preferably 1 to 15 μm, and particularly preferably 3 to 15 μm. In the conventional adhesive layer, when the thickness is 15 μm or less, there is a tendency that the position recognition of the adhesive layer by the sensor at the time of precut processing tends to be difficult, but according to the present invention, the thickness of the adhesive layer 2 Even when the thickness is reduced to 15 μm or less, the position of the adhesive layer can be easily recognized by the sensor.

本実施形態の接着シート10を構成する粘着フィルム3としては、基材フィルム8と粘着剤層7とから構成されたものを用いることができる。   As the pressure-sensitive adhesive film 3 constituting the adhesive sheet 10 of the present embodiment, a film composed of the base film 8 and the pressure-sensitive adhesive layer 7 can be used.

基材フィルム8には、剥離基材1に用いたフィルム又はシートと同様のものを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。更に、基材フィルム8は、これらのフィルムが2層以上に積層されたものであってもよい。   As the base film 8, the same film or sheet as that used for the release base 1 can be used. For example, polyester film such as polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, polyolefin film such as polyvinyl acetate film, plastic film such as polyvinyl chloride film, polyimide film, etc. Can be mentioned. Furthermore, the base film 8 may be one in which these films are laminated in two or more layers.

粘着剤層7は、高エネルギー線の照射により重合する高エネルギー線重合性成分を含有することが好ましい。これにより、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層2を貼り付けた後、ダイシングを行う前に放射線等の高エネルギー線を照射してダイシング時の粘着力を向上させることや、逆にダイシングを行った後に放射線等の高エネルギー線を照射して粘着力を低下させることでピックアップを容易にすることができる。本発明において、このような高エネルギー線重合性成分としては、従来の高エネルギー線重合性のダイシングシートに使用されていた化合物を特に制限なく使用することができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 7 preferably contains a high energy ray polymerizable component that is polymerized by irradiation with high energy rays. As a result, after adhering the adhesive layer 2 to an adherend such as a semiconductor wafer, before applying dicing, high energy rays such as radiation are irradiated to improve the adhesive force during dicing, or conversely dicing. Picking up can be facilitated by irradiating a high energy ray such as radiation and lowering the adhesive strength after carrying out. In the present invention, as such a high energy ray polymerizable component, a compound used in a conventional high energy ray polymerizable dicing sheet can be used without particular limitation.

粘着剤層7に用いられる高エネルギー線重合性成分としては、例えば、放射線重合性成分が挙げられる。放射線重合性成分としては、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−2−エチルヘキシル、メタクリル酸−2−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、4−ビニルトルエン、4−ビニルピリジン、N−ビニルピロリドン、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、1,3−アクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、1,2−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、トリス(β−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートのトリアクリレート等を使用することができる。   Examples of the high energy ray polymerizable component used in the pressure-sensitive adhesive layer 7 include a radiation polymerizable component. Although it does not restrict | limit especially as a radiation polymerizable component, For example, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, methacrylic acid-2- Ethylhexyl, pentenyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane Diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane Methacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, penta Erythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, styrene, divinylbenzene, 4-vinyltoluene, 4-vinylpyridine, N-vinylpyrrolidone, 2-hydroxyethyl Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 1,3-acryloyloxy-2-hydroxy Propane, 1,2-methacryloyloxy-2-hydroxypropane, methylenebisacrylamide, N, N- dimethyl acrylamide, N- methylol acrylamide, tris (beta-hydroxyethyl) can be used triacrylate isocyanurate.

また、粘着剤層7には、光重合開始剤(例えば、放射線等の高エネルギー線の照射によって遊離ラジカルを生成するようなもの)を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−モルフォリノプロパノン−1、2,4−ジエチルチオキサントン、2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−フェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2,4−ジ(p−メトキシフェニル)−5−フェニルイミダゾール二量体、2−(2,4−ジメトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。   In addition, a photopolymerization initiator (for example, one that generates free radicals by irradiation with high energy rays such as radiation) can be added to the pressure-sensitive adhesive layer 7. Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-methoxy- 4′-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxy- Aromatic ketones such as cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropanone-1,2,4-diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, benzoin Methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin pheny Benzoin ethers such as ether, benzoins such as methylbenzoin and ethylbenzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4 , 5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-phenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer 2-mer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer, 2- (2,4-dimethoxy) 2,4,5-triarylimidazole dimer such as phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, - phenyl acridine, 1,7-bis (9,9'-acridinyl) like acridine derivatives heptane, and the like.

また、粘着剤層7の厚さは、10〜500μmであることが好ましく、25〜200μmであることがより好ましく、50〜150μmであることが特に好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 7 is preferably 10 to 500 μm, more preferably 25 to 200 μm, and particularly preferably 50 to 150 μm.

本実施形態の接着シート10は、以上説明したような剥離基材1、接着剤層2及び粘着フィルム3を備えるものである。本実施形態の接着シート10において、剥離基材1には、接着剤層2と粘着フィルム3とからなる層体の平面形状の周縁に沿って、剥離基材1の接着剤層2側の面から剥離基材1の厚み方向に切り込み部A、及び、剥離基材1の粘着フィルム3側の面から剥離基材1の厚み方向に切り込み部Bが形成されている。   The adhesive sheet 10 of the present embodiment includes the release substrate 1, the adhesive layer 2, and the pressure-sensitive adhesive film 3 as described above. In the adhesive sheet 10 of this embodiment, the release substrate 1 has a surface on the adhesive layer 2 side of the release substrate 1 along the planar peripheral edge of the layered body composed of the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3. From the surface of the peeling substrate 1 in the thickness direction of the peeling substrate 1 and the cutting portion B in the thickness direction of the peeling substrate 1 from the surface of the peeling substrate 1 on the adhesive film 3 side.

<接着シートの製造方法>
上記接着シートの製造方法について説明する。本発明の接着シートの製造方法は、剥離基材上に接着剤層を積層する第1の積層工程と、上記接着剤層の上記剥離基材に接する側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで上記接着剤層に対して切り込みを入れ、切り込まれた外周部分の接着剤層を除去し、所定の平面形状を有する接着剤層を形成する第1の切断工程と、上記所定の平面形状を有する接着剤層及び上記剥離基材を覆うように、粘着フィルムを積層する第2の積層工程と、上記粘着フィルムの上記剥離基材側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで上記粘着フィルムに対して切り込みを入れ、切り込まれた外周部分の粘着フィルムを除去し、上記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接する粘着フィルムとからなる、所定の形状を有する積層体を形成する第2の切断工程と、を含む方法である。
<Method for producing adhesive sheet>
The manufacturing method of the said adhesive sheet is demonstrated. The method for producing an adhesive sheet of the present invention includes a first lamination step of laminating an adhesive layer on a release substrate, and the release substrate from a surface opposite to the side in contact with the release substrate of the adhesive layer. A first cutting step of cutting the adhesive layer until reaching the point, removing the adhesive layer on the cut outer peripheral portion, and forming an adhesive layer having a predetermined planar shape; A second laminating step of laminating an adhesive film so as to cover the adhesive layer having a planar shape and the release substrate, and the release substrate is reached from a surface opposite to the release substrate side of the adhesive film. Cut the adhesive film up to the above, remove the adhesive film of the cut outer peripheral portion, cover the adhesive layer of the predetermined planar shape, and the adhesive layer around the adhesive layer Consisting of an adhesive film in contact with the release substrate A second cutting step of forming a laminate having a shape, the method comprising.

図3(a)〜(d)及び図4(e)〜(h)は、本発明の接着シートの製造方法の好適な一実施形態を示す一連の工程図である。本実施形態の接着シートの製造方法においては、まず、図3(a)に示すように、長尺の剥離基材1上の全面に長尺の接着剤層2を積層する(第1の積層工程)。次に、図3(b)に示すように、プリカット刃15又はそれに相当する部材を用いて、接着剤層2の剥離基材1に接する側と反対側の面F1から剥離基材1に達するまで切り込みを入れ、切り込み部Aを環状に形成して所定の形状にプリカット加工を施す。その後、図3(c)に示すように、プリカット加工を施した接着剤層2の不要部分を剥離除去する。これにより、図3(c)及び(d)に示すように、剥離基材1上に、該剥離基材1の長尺方向に島状に分散配置された所定の平面形状を有する接着剤層2を形成する(第1の切断工程)。   FIGS. 3A to 3D and FIGS. 4E to 4H are a series of process diagrams showing a preferred embodiment of the method for producing an adhesive sheet of the present invention. In the method for manufacturing an adhesive sheet of the present embodiment, first, as shown in FIG. 3A, a long adhesive layer 2 is laminated on the entire surface of a long release substrate 1 (first lamination). Process). Next, as shown in FIG.3 (b), it reaches the peeling base material 1 from the surface F1 on the opposite side to the peeling base material 1 side of the adhesive bond layer 2 using the precut blade 15 or a member corresponding to it. A cut is made until the cut portion A is formed in an annular shape and pre-cut into a predetermined shape. Then, as shown in FIG.3 (c), the unnecessary part of the adhesive bond layer 2 which gave the precut process is peeled and removed. As a result, as shown in FIGS. 3C and 3D, an adhesive layer having a predetermined planar shape dispersed and arranged in an island shape in the longitudinal direction of the release substrate 1 on the release substrate 1. 2 is formed (first cutting step).

次に、図4(e)に示すように、接着剤層2及び露出している剥離基材1の全体を覆うように粘着フィルム3を積層する(第2の積層工程)。次いで、図4(f)に示すように、粘着フィルム3に対してプリカット刃15等を用いて剥離基材1に達するまで切り込みを入れ、切り込み部Bを環状に形成してプリカット加工を施す。このとき、センサにより接着剤層2の端部の位置を検出することにより、該接着剤層2と同心円状に粘着フィルム3の円形プリカット加工を行う。その後、図4(g)に示すように、プリカット加工を施した粘着フィルム3の不要部分を剥離除去する。これにより、図4(h)に示すように、剥離基材1上に、接着剤層2及び粘着フィルム3からなる積層体4を形成する(第2の切断工程)。以上により、図1及び2に示したものと同様の構造を有する接着シート10が作製される。   Next, as shown in FIG.4 (e), the adhesion film 3 is laminated | stacked so that the whole adhesive layer 2 and the peeling base material 1 which has been exposed may be covered (2nd lamination process). Next, as shown in FIG. 4 (f), the adhesive film 3 is cut using the precut blade 15 or the like until it reaches the peeling substrate 1, and the cut portion B is formed in an annular shape to perform precut processing. At this time, by detecting the position of the end portion of the adhesive layer 2 with a sensor, the circular pre-cut processing of the adhesive film 3 is performed concentrically with the adhesive layer 2. Then, as shown in FIG.4 (g), the unnecessary part of the adhesive film 3 which gave the precut process is peeled and removed. Thereby, as shown in FIG.4 (h), the laminated body 4 which consists of the adhesive bond layer 2 and the adhesion film 3 is formed on the peeling base material 1 (2nd cutting process). As described above, the adhesive sheet 10 having the same structure as that shown in FIGS. 1 and 2 is produced.

第1の積層工程においては、まず、接着剤層2を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して接着剤層形成用ワニスとし、これを剥離基材1上に塗布後、加熱により溶剤を除去する。   In the first laminating step, first, the material constituting the adhesive layer 2 is dissolved or dispersed in a solvent to form an adhesive layer forming varnish, which is applied onto the release substrate 1 and then the solvent is removed by heating. To do.

一方、第2の積層工程において積層する粘着フィルム3は、まず、粘着剤層7を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム8上に塗布し、加熱により溶剤を除去することで得られる。なお、基材フィルム(支持フィルム)上に粘着剤層7を形成した後、該粘着剤層7上に別の基材フィルムを貼り合わせてもよい。その場合、第2の積層工程において粘着フィルム3を積層する際には、一方の基材フィルム(支持フィルム)を剥離して積層を行う。   On the other hand, the pressure-sensitive adhesive film 3 to be laminated in the second lamination step is prepared by first dissolving or dispersing the material constituting the pressure-sensitive adhesive layer 7 in a solvent to form a pressure-sensitive adhesive layer-forming varnish, and applying this onto the base film 8. It is obtained by removing the solvent by heating. In addition, after forming the adhesive layer 7 on a base film (support film), another base film may be bonded on the adhesive layer 7. In that case, when laminating the adhesive film 3 in the second laminating step, lamination is performed by peeling off one base film (support film).

ここで、接着剤層形成用ワニス及び粘着剤層形成用ワニスの調製に使用する上記溶剤としては、各構成材料を溶解又は分散することが可能なものであれば特に限定されないが、層形成時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。   Here, the solvent used for the preparation of the adhesive layer forming varnish and the pressure sensitive adhesive layer forming varnish is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse each constituent material. Taking into account the volatility of the solvent, for example, a solvent having a relatively low boiling point such as methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, xylene is used. It is preferable to do this. In addition, for the purpose of improving the coating properties, for example, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone can be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more. In addition, after preparing a varnish, the bubble in a varnish can also be removed by vacuum deaeration.

第1の積層工程における接着剤層形成用ワニスの剥離基材1への塗布方法、及び、第2の積層工程における粘着剤層形成用ワニスの基材フィルム8への塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、ダイコート法等を用いることができる。   As a method for applying the adhesive layer forming varnish to the release substrate 1 in the first lamination step and a method for applying the pressure sensitive adhesive layer forming varnish to the substrate film 8 in the second lamination step, known methods are known. For example, a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a curtain coating method, a die coating method, or the like can be used.

また、接着剤層2と粘着フィルム3との貼り合わせは、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。   Further, the bonding of the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 can be performed by a conventionally known method, for example, using a laminator or the like.

以上、本発明の接着シート及び接着シートの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。   As mentioned above, although preferred embodiment of the adhesive sheet of this invention and the manufacturing method of an adhesive sheet was described in detail, this invention is not limited to these embodiment.

<半導体装置の製造方法>
本発明の接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の接着シートにおける上記積層体を上記剥離基材から剥離し、上記積層体を、上記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程と、上記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも上記接着剤層と上記粘着フィルムとの界面まで切削部材で切削し、上記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、上記粘着フィルムから上記半導体素子を上記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、上記接着剤層付き半導体素子における上記半導体素子を、上記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含む方法である。ここで、上記被着体としては、半導体素子搭載用の支持部材、別の半導体素子が挙げられる。
<Method for Manufacturing Semiconductor Device>
A method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet of the present invention will be described. The method for producing a semiconductor device of the present invention includes the step of peeling the laminate in the adhesive sheet of the invention from the release substrate, and attaching the laminate to a semiconductor wafer from the surface on the adhesive layer side. An attaching step for obtaining a semiconductor wafer with a laminate, and cutting the semiconductor wafer with a laminate with a cutting member to at least an interface between the adhesive layer and the adhesive film, and cutting the semiconductor wafer into semiconductor elements of a predetermined size A dicing step of picking up the semiconductor element from the pressure-sensitive adhesive film together with the adhesive layer to obtain a semiconductor element with an adhesive layer; and the semiconductor element in the semiconductor element with the adhesive layer, the adhesive layer And an adhesion step of adhering to the adherend via the substrate. Here, examples of the adherend include a support member for mounting a semiconductor element and another semiconductor element.

本発明の接着シート10は、剥離基材1がキャリアフィルムの役割を果たしており、2つのロール及び楔状の部材とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第1のロールを形成し、他端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第2のロールを形成している。そして、第2のロールの巻芯には、当該巻芯を回転させるための巻芯駆動用モータが接続されており、接着シート10における積層体4が剥離された後の剥離基材1が所定の速度で巻回されるようになっている。   The adhesive sheet 10 of the present invention is wound in a state where the release substrate 1 serves as a carrier film and is supported by two rolls and a wedge-shaped member while one end thereof is connected to a cylindrical core. The first roll is formed, and the second roll is formed by being wound with the other end connected to the cylindrical core. And the core drive motor for rotating the said core is connected to the core of the 2nd roll, and the peeling base material 1 after the laminated body 4 in the adhesive sheet 10 peeled is predetermined. It is designed to be wound at a speed of.

まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第2のロールの巻芯が回転し、第1のロールの巻芯に巻回されている接着シート10が第1のロールの外部に引き出される。そして、引き出された接着シート10は、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ及びそれを囲むように配置されたウェハリング上に導かれる。   First, when the winding core driving motor rotates, the winding core of the second roll rotates, and the adhesive sheet 10 wound around the winding core of the first roll is pulled out of the first roll. The drawn adhesive sheet 10 is guided onto a disk-shaped semiconductor wafer disposed on a movable stage and a wafer ring disposed so as to surround the disk-shaped semiconductor wafer.

次に、剥離基材1から、接着剤層2及び粘着フィルム3からなる積層体4が剥離される。このとき、接着シート10の剥離基材1側から楔状の部材が当てられており、剥離基材1は部材側へ鋭角に曲げられ、剥離基材1と積層体4との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材1と積層体4との境界面にエアーが吹き付けられている。   Next, the laminate 4 composed of the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 is peeled from the peeling substrate 1. At this time, a wedge-shaped member is applied from the peeling substrate 1 side of the adhesive sheet 10, the peeling substrate 1 is bent at an acute angle toward the member side, and the peeling starting point is between the peeling substrate 1 and the laminate 4. Will be created. Furthermore, air is blown to the boundary surface between the peeling substrate 1 and the laminate 4 so that the peeling starting point is more efficiently created.

このようにして剥離基材1と積層体4との間に剥離起点が作り出された後、粘着フィルム3の粘着剤層7がウェハリングと密着し、接着剤層2が半導体ウェハと密着するように積層体4の貼り付けが行われる。このとき、ロールによって積層体4は、図5に示すように半導体ウェハ11及びウェハリング12に圧着されることとなる。そして半導体ウェハ11及びウェハリング12上への積層体4の貼り付けが完了する。   After the peeling starting point is created between the peeling substrate 1 and the laminate 4 in this way, the pressure-sensitive adhesive layer 7 of the pressure-sensitive adhesive film 3 is in close contact with the wafer ring, and the adhesive layer 2 is in close contact with the semiconductor wafer. The laminated body 4 is attached to the substrate. At this time, the laminated body 4 is pressed against the semiconductor wafer 11 and the wafer ring 12 as shown in FIG. Then, the stacking of the stacked body 4 on the semiconductor wafer 11 and the wafer ring 12 is completed.

以上のような手順により、半導体ウェハ11への積層体4の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハ11への積層体4の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製のRAD−2500(商品名)等が挙げられる。   By the procedure as described above, the laminate 4 can be attached to the semiconductor wafer 11 continuously in an automated process. As an apparatus for performing the operation of attaching the laminate 4 to the semiconductor wafer 11, for example, RAD-2500 (trade name) manufactured by Lintec Corporation can be given.

そして、このような工程により積層体4を半導体ウェハ11に貼り付ける場合、接着シート10を用いることにより、剥離基材1と積層体4との間の剥離起点(剥離基材1と粘着剤層7との間の剥離起点)を容易に作り出すことができ、剥離不良の発生を十分に抑制することができる。   And when bonding the laminated body 4 to the semiconductor wafer 11 by such a process, by using the adhesive sheet 10, the peeling origin (peeling base material 1 and adhesive layer) between the peeling base material 1 and the laminated body 4 is used. 7 can be easily created, and the occurrence of defective peeling can be sufficiently suppressed.

次に、上記の工程により積層体4が貼り付けられた半導体ウェハ11を、切削部材、例えばダイシング刃により必要な大きさにダイシングして、接着剤層2が付着した半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層2及び粘着剤層7により半導体ウェハ11は基材フィルム8に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハ11やダイシング後の半導体素子が脱落することが十分に抑制される。   Next, the semiconductor wafer 11 to which the laminate 4 has been attached by the above-described process is diced to a required size by a cutting member, for example, a dicing blade, to obtain a semiconductor element to which the adhesive layer 2 is adhered. Here, steps such as washing and drying may be further performed. At this time, since the semiconductor wafer 11 is sufficiently adhered and held on the base film 8 by the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 7, the semiconductor wafer 11 and the semiconductor element after dicing may fall off during each of the above steps. Sufficiently suppressed.

次に、放射線等の高エネルギー線を粘着剤層7に照射し、粘着剤層7を重合硬化させる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。粘着剤層7への高エネルギー線の照射は、粘着剤層7の接着剤層2が設けられていない側の面から行う。   Next, the adhesive layer 7 is irradiated with high energy rays such as radiation to polymerize and cure the adhesive layer 7. At this time, heating may be further performed for the purpose of accelerating the curing reaction simultaneously with or after irradiation with the high energy beam. Irradiation of the high-energy rays to the pressure-sensitive adhesive layer 7 is performed from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 7 on which the adhesive layer 2 is not provided.

高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を粘着剤層7の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層7を硬化させることにより、半導体素子のピックアップ時において、接着剤層2と粘着剤層7との界面で剥離が生じやすくなり、接着剤層2が半導体素子の下面に付着した状態でピックアップされることとなる。そして、接着剤層2が付着した半導体素子を、接着剤層2を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層2は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。   After the high energy beam irradiation, the semiconductor element to be picked up is picked up by, for example, a suction collet. At this time, the semiconductor element to be picked up can be pushed up from the lower surface of the pressure-sensitive adhesive layer 7 by, for example, a needle rod. By curing the pressure-sensitive adhesive layer 7, when the semiconductor element is picked up, peeling easily occurs at the interface between the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 7, and the adhesive layer 2 is attached to the lower surface of the semiconductor element. It will be picked up. Then, the semiconductor element to which the adhesive layer 2 is attached is placed on the support member for mounting the semiconductor element via the adhesive layer 2 and heated. The adhesive layer 2 develops an adhesive force by heating, and the bonding between the semiconductor element and the semiconductor element mounting support member is completed. Then, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.

<半導体装置>
本発明の半導体装置は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板上に半導体素子が、接着剤層2を介して積層されている。また、有機基板には、回路パターン及び端子が形成されており、この回路パターンと半導体素子とが、ワイヤボンドによってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材により封止され、半導体装置が形成されている。この半導体装置は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート10を用いて製造されるものである。
<Semiconductor device>
In the semiconductor device of the present invention, a semiconductor element is laminated via an adhesive layer 2 on an organic substrate serving as a support member for mounting a semiconductor element. Further, a circuit pattern and a terminal are formed on the organic substrate, and the circuit pattern and the semiconductor element are connected to each other by wire bonds. These are sealed with a sealing material to form a semiconductor device. This semiconductor device is manufactured using the adhesive sheet 10 of the present invention by the above-described method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.

以上、本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。   As mentioned above, although the manufacturing method of the semiconductor device of this invention and the suitable embodiment of the semiconductor device were demonstrated in detail, this invention is not limited to these embodiment.

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example.

(実施例1〜5及び比較例1)
[半導体用接着シートの作製]
(A)光透過率調整成分としてのポリエーテル系化合物、顔料、染料及び光吸収剤と、(B)熱重合性成分としてのエポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤と、カップリング剤とを、下記表1に示す組成(配合単位は質量部)で配合してなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて90分間混練した。これに、(C)高分子量成分を混合してワニスを得、真空脱気した。真空脱気後のワニス(不揮発分:15質量%)を、剥離基材としての長さ460m、幅300mm、厚さ50μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名:ピューレックスA31、PETフィルム)上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して、膜厚が5μmの未硬化状態の接着剤層を形成した(第1の積層工程)。
(Examples 1-5 and Comparative Example 1)
[Preparation of adhesive sheet for semiconductors]
(A) Polyether compound, pigment, dye and light absorber as light transmittance adjusting component, (B) Epoxy resin and epoxy resin curing agent as thermopolymerizable component, coupling agent Cyclohexanone was added to the composition obtained by blending with the composition shown in 1 (the blending unit is part by mass), stirred and mixed, and then kneaded for 90 minutes using a bead mill. This was mixed with (C) a high molecular weight component to obtain a varnish and vacuum degassed. A polyethylene terephthalate film (made by Teijin DuPont Films, Inc., trade name) obtained by subjecting the varnish after vacuum degassing (nonvolatile content: 15% by mass) to a release substrate having a length of 460 m, a width of 300 mm, and a thickness of 50 μm. Purex A31, PET film) and dried by heating at 140 ° C. for 5 minutes to form an uncured adhesive layer having a thickness of 5 μm (first laminating step).

Figure 2011111530
Figure 2011111530

なお、表1中の各成分の詳細は以下の通りである。
ポリエーテル系化合物:酸成分としての無水トリメリット酸3.2質量部と、塩基成分としての2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン3.1質量部とを重縮合させてなるポリエーテル系化合物
顔料:C.I.Pig Black 7(三菱化学社製)
染料:フタロシアニンブルー系染料(大日精化社製、商品名:クロモファイン・フタロシアニンブルー)
光吸収剤:ベンゾトリアゾール
エポキシ樹脂:YDCN−700−10(商品名、東都化成社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂)
エポキシ樹脂硬化剤:ミレックスXLC−LL(商品名、三井化学社製、フェノール樹脂)
高分子量成分:HTR−860P−3(商品名、ナガセケムテックス社製、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を2〜6質量%有するアクリルゴム、重量平均分子量80万)
カップリング剤:NUC A−1160(商品名、GE東芝社製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン)
The details of each component in Table 1 are as follows.
Polyether compound: Polycondensation of 3.2 parts by mass of trimellitic anhydride as an acid component and 3.1 parts by mass of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane as a base component Polyether compound obtained by pigment pigment: C.I. I. Pig Black 7 (Mitsubishi Chemical Corporation)
Dye: Phthalocyanine blue dye (manufactured by Dainichi Seika Co., Ltd., trade name: Chromofine phthalocyanine blue)
Light absorber: benzotriazole Epoxy resin: YDCN-700-10 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin)
Epoxy resin curing agent: Millex XLC-LL (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, phenol resin)
High molecular weight component: HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, acrylic rubber having 2 to 6% by mass of a monomer unit derived from glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, weight average molecular weight 800,000)
Coupling agent: NUC A-1160 (trade name, manufactured by GE Toshiba Corporation, γ-ureidopropyltriethoxysilane)

次に、得られた接着剤層に対して、切り込みが剥離基材に達するまで、直径210mm(φ)の円形プリカット加工を行い、不要な接着剤層を除去した(第1の切断工程)。   Next, the obtained adhesive layer was subjected to circular pre-cut processing with a diameter of 210 mm (φ) until the cut reached the peeling substrate, and the unnecessary adhesive layer was removed (first cutting step).

粘着フィルムは以下の手順で作製した。まず、放射線重合性成分としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬(株)製、商品名:カヤラッドDPHA)63質量%、光重合開始剤として2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル−2−モルフォリノプロパン−1−オン(Ciba Speciality Chemicals社製、商品名:イルガキュア907)5質量%、及び、ワニス調整用溶媒としてシクロヘキサノン32質量%を配合し、60分間以上攪拌混合して、粘着剤層形成用ワニスを調製した。この粘着剤層形成用ワニスを、膜厚38μmの支持フィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名:テイジンピューレックスA53)上に塗布し、110℃で10分間加熱乾燥を行い、膜厚10μmの粘着剤層を形成した。次いで、得られた粘着剤層上に、基材フィルムとしてのポリエチレン製フィルム(膜厚100μm)を貼り合せ、支持フィルム付き粘着フィルムを得た。   The adhesive film was produced by the following procedure. First, as a radiation polymerizable component, dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: Kayarad DPHA) 63 mass%, photopolymerization initiator 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl- 2-Morpholinopropan-1-one (Ciba Specialty Chemicals, trade name: Irgacure 907) 5% by mass and cyclohexanone 32% by mass as a varnish adjusting solvent were mixed and stirred and mixed for 60 minutes or more. An adhesive layer forming varnish was prepared, which was applied on a 38 μm-thick support film (manufactured by Teijin DuPont Films, trade name: Teijin Purex A53) at 110 ° C. for 10 minutes. A pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed by heating and drying. On the adhesive layer, bonding the polyethylene film (thickness 100 [mu] m) as a base film, to obtain a support film with an adhesive film.

その後、不要部分を除去した接着剤層及び剥離基材上に、支持フィルム付き粘着フィルムを、支持フィルムを剥離しながら粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧1kg/cm、速度0.5m/分の条件で貼付けた(第2の積層工程)。   Thereafter, on the adhesive layer and the release substrate from which unnecessary portions have been removed, the pressure-sensitive adhesive film with a support film is placed at room temperature, linear pressure 1 kg / cm, so that the pressure-sensitive adhesive layer contacts the adhesive layer while peeling the support film. Affixed at a speed of 0.5 m / min (second lamination step).

そして、粘着フィルムに対して、切り込みが剥離基材に達するまで、接着剤層と同心円状に直径290mm(φ)の円形プリカット加工を行い、粘着フィルムの不要部分を除去した(第2の切断工程)。この第2の切断工程におけるプリカットは、接着剤層の端部をセンサにより位置認識することにより行った。これにより、図1及び2に示すような構造を有する半導体用接着シートを得た。   Then, the adhesive film was subjected to circular precut processing with a diameter of 290 mm (φ) concentrically with the adhesive layer until the cut reached the peeling substrate, and unnecessary portions of the adhesive film were removed (second cutting step) ). The pre-cut in the second cutting step was performed by recognizing the position of the end of the adhesive layer with a sensor. As a result, an adhesive sheet for a semiconductor having a structure as shown in FIGS. 1 and 2 was obtained.

(接着シートの特性評価)
実施例1〜5及び比較例1で作製した半導体用接着シートの特性を、以下に示す各項目によって評価した。評価結果を表2に示す。
(Characteristic evaluation of adhesive sheet)
The characteristics of the adhesive sheets for semiconductor produced in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 were evaluated by the following items. The evaluation results are shown in Table 2.

[光線透過率]
接着シートにおける接着剤層を25mm×50mmに切り出し、0.4mm厚の透明ガラス板に、60℃ホットプレート上で、ゴムローラを用いて2kgfの圧力で、シワ・気泡の発生がないように貼り付けた。これを測定サンプルとして、接着剤層の波長200〜800nmの光線透過率、及び、波長200〜400nmの領域での分光透過率を、分光光度計(島津製作所製、商品名:LC−4000)を用いて測定した。
[Light transmittance]
Cut out the adhesive layer in the adhesive sheet to 25mm x 50mm, and paste it on a 0.4mm thick transparent glass plate on a 60 ° C hot plate using a rubber roller so that no wrinkles or bubbles are generated. It was. Using this as a measurement sample, the light transmittance of the adhesive layer at a wavelength of 200 to 800 nm and the spectral transmittance at a wavelength of 200 to 400 nm were measured using a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: LC-4000). And measured.

[弾性率(貯蔵弾性率)]
上記ポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布した後の状態における接着剤層の貯蔵弾性率を、動的粘弾性測定装置(レオロジー社製、DVE−V4)を用いて測定した(サンプルサイズ:長さ20mm、幅4mm、膜厚20μm、温度範囲:−60〜150℃、昇温速度:5℃/min、引張りモード、10Hz、自動静荷重)。
[Elastic modulus (storage modulus)]
The storage elastic modulus of the adhesive layer in a state after being coated on the polyethylene terephthalate film was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVE-V4, manufactured by Rheology) (sample size: length 20 mm, width). 4 mm, film thickness 20 μm, temperature range: −60 to 150 ° C., heating rate: 5 ° C./min, tensile mode, 10 Hz, automatic static load).

[接着強度]
接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムからなる積層体を剥離基材から剥離し、該積層体の接着剤層側の面を、ダイシング加工すべき半導体ウェハに貼着した。次いで、半導体ウェハをダイシングし、洗浄及び乾燥を行った後、接着剤層付き半導体素子をピックアップし、半導体素子を接着剤層を介して被着体である42アロイリードフレーム(大日本印刷社製)に貼り付け、半導体装置を作製した。得られた半導体装置のダイシェア強度(接着強度)を、DAGE社製のD−4000(商品名)を用いて測定した。
[Adhesive strength]
In the adhesive sheet, the laminate composed of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film was peeled off from the release substrate, and the surface on the adhesive layer side of the laminate was attached to a semiconductor wafer to be diced. Next, the semiconductor wafer is diced, washed and dried, and then a semiconductor element with an adhesive layer is picked up, and the 42 alloy lead frame (Dai Nippon Printing Co., Ltd.), which is an adherend, is attached to the semiconductor element through the adhesive layer. ) To prepare a semiconductor device. The die shear strength (adhesive strength) of the obtained semiconductor device was measured using D-4000 (trade name) manufactured by DAGE.

[プリカット品歩留り]
接着シートの作製において、長さ460m×幅300mmの剥離基材上に、上述した第1の積層工程、第1の切断工程、第2の積層工程及び第2の切断工程を経て、接着剤層及び粘着フィルムからなる積層体300枚を形成した。形成した積層体300枚について、接着剤層と粘着フィルムとの位置ずれが5mm未満である場合を良品、位置ずれが10mm以上である又はプリカットされていない場合を不良品として、下記式によりプリカット品歩留り(%)を求めた。
プリカット品歩留り(%)={良品の数/300(積層体の全枚数)}×100
[Pre-cut product yield]
In the production of the adhesive sheet, the adhesive layer is passed through the first laminating step, the first cutting step, the second laminating step, and the second cutting step described above on a peeling substrate having a length of 460 m and a width of 300 mm. And 300 laminated bodies which consist of adhesive films were formed. About 300 sheets of the laminated body formed, the case where the positional deviation between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film is less than 5 mm is a non-defective product, the case where the positional deviation is 10 mm or more or not pre-cut is a defective product, Yield (%) was calculated.
Pre-cut product yield (%) = {number of non-defective products / 300 (total number of laminates)} × 100

Figure 2011111530
Figure 2011111530

1…剥離基材、2…接着剤層、3…粘着フィルム、4…積層体、7…粘着剤層、8…基材フィルム、10…接着シート、11…半導体ウェハ、12…ウェハリング。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Release base material, 2 ... Adhesive layer, 3 ... Adhesive film, 4 ... Laminated body, 7 ... Adhesive layer, 8 ... Base film, 10 ... Adhesive sheet, 11 ... Semiconductor wafer, 12 ... Wafer ring.

Claims (10)

剥離基材と、
該剥離基材上に配置された所定の平面形状を有する接着剤層、及び、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムからなる、所定の形状を有する積層体と、
を備え、前記剥離基材上に複数の前記積層体が前記剥離基材の長尺方向に分散配置された接着シートであって、
前記接着剤層の波長200〜800nmの光線透過率が10〜90%であり、且つ、波長200〜400nmの領域での分光透過率が85%以下である、接着シート。
A release substrate;
An adhesive layer having a predetermined planar shape disposed on the release substrate, and an adhesive film that covers the adhesive layer and is formed so as to contact the release substrate around the adhesive layer A laminate having a predetermined shape;
An adhesive sheet in which a plurality of the laminates are dispersed and arranged in the longitudinal direction of the release substrate on the release substrate,
An adhesive sheet, wherein the adhesive layer has a light transmittance of 10 to 90% at a wavelength of 200 to 800 nm and a spectral transmittance of 85% or less in a region of a wavelength of 200 to 400 nm.
前記接着剤層が、(A)ポリエーテル系化合物、顔料、染料及び光吸収剤からなる群より選択される少なくとも一種の光透過率調整成分と、(B)熱重合性成分と、(C)官能性モノマーを構成単位として含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分と、を含有する、請求項1記載の接着シート。   The adhesive layer comprises (A) at least one light transmittance adjusting component selected from the group consisting of polyether compounds, pigments, dyes and light absorbers, (B) a thermopolymerizable component, and (C). The adhesive sheet of Claim 1 containing the high molecular weight component which has a weight average molecular weight which contains a functional monomer as a structural unit and is 100,000 or more. 前記ポリエーテル系化合物が、芳香族ポリエーテルイミド、芳香族ポリエーテルアミドイミド及び芳香族ポリエーテルアミドからなる群より選択される少なくとも一種である、請求項2記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 2, wherein the polyether-based compound is at least one selected from the group consisting of aromatic polyetherimide, aromatic polyetheramideimide, and aromatic polyetheramide. 前記(C)高分子量成分が、エポキシ基含有モノマー単位の含有量が0.5〜50質量%であるグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体である、請求項2又は3記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 2 or 3, wherein the (C) high molecular weight component is a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer having an epoxy group-containing monomer unit content of 0.5 to 50 mass%. 前記接着剤層は、25℃での貯蔵弾性率が10〜10000MPaであり、且つ、260℃での硬化後の貯蔵弾性率が0.5〜1000MPaである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の接着シート。   The adhesive layer has a storage elastic modulus at 25 ° C of 10 to 10000 MPa and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C of 0.5 to 1000 MPa. The adhesive sheet according to item. 前記接着剤層の厚さが15μm以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の接着シート。   The adhesive sheet as described in any one of Claims 1-5 whose thickness of the said adhesive bond layer is 15 micrometers or less. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の接着シートの製造方法であって、
剥離基材上に接着剤層を積層する第1の積層工程と、
前記接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで前記接着剤層に対して切り込みを入れ、切り込まれた外周部分の接着剤層を除去し、所定の平面形状を有する接着剤層を形成する第1の切断工程と、
前記所定の平面形状を有する接着剤層及び前記剥離基材を覆うように、粘着フィルムを積層する第2の積層工程と、
前記粘着フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで前記粘着フィルムに対して切り込みを入れ、切り込まれた外周部分の粘着フィルムを除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接する粘着フィルムとからなる、所定の形状を有する積層体を形成する第2の切断工程と、
を含む接着シートの製造方法。
It is a manufacturing method of the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 6,
A first laminating step of laminating an adhesive layer on the release substrate;
Cut the adhesive layer until it reaches the release substrate from the surface opposite to the side of the adhesive layer that contacts the release substrate, and remove the adhesive layer at the outer peripheral portion that was cut, A first cutting step of forming an adhesive layer having a predetermined planar shape;
A second laminating step of laminating an adhesive film so as to cover the adhesive layer having the predetermined planar shape and the release substrate;
The adhesive film is cut from the surface opposite to the release substrate side of the adhesive film until reaching the release substrate, the adhesive film on the cut outer peripheral portion is removed, and the predetermined planar shape A second cutting step of forming a laminate having a predetermined shape, and an adhesive layer that covers the adhesive layer and is in contact with the release substrate around the adhesive layer;
The manufacturing method of the adhesive sheet containing this.
請求項1〜6のいずれか一項に記載の接着シートにおける前記積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程と、
前記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面まで切削部材で切削し、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、
前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、
前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
The said laminated body in the adhesive sheet as described in any one of Claims 1-6 is peeled from the said peeling base material, the said laminated body is affixed on a semiconductor wafer from the surface at the side of the said adhesive bond layer, and a laminated body is attached. An attaching process for obtaining a semiconductor wafer;
A dicing step of cutting the semiconductor wafer with a laminate with a cutting member to at least an interface between the adhesive layer and the adhesive film, and cutting the semiconductor wafer into a semiconductor element of a predetermined size;
Picking up the semiconductor element together with the adhesive layer from the adhesive film to obtain a semiconductor element with an adhesive layer;
Adhering step of adhering the semiconductor element in the semiconductor element with the adhesive layer to an adherend through the adhesive layer;
A method of manufacturing a semiconductor device including:
前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である、請求項8記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the adherend is a support member for mounting a semiconductor element or another semiconductor element. 請求項8又は9記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
A semiconductor device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8.
JP2009269072A 2009-11-26 2009-11-26 Adhesive sheet, method for manufacturing the same, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device Active JP6045773B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009269072A JP6045773B2 (en) 2009-11-26 2009-11-26 Adhesive sheet, method for manufacturing the same, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009269072A JP6045773B2 (en) 2009-11-26 2009-11-26 Adhesive sheet, method for manufacturing the same, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011111530A true JP2011111530A (en) 2011-06-09
JP6045773B2 JP6045773B2 (en) 2016-12-14

Family

ID=44234117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009269072A Active JP6045773B2 (en) 2009-11-26 2009-11-26 Adhesive sheet, method for manufacturing the same, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6045773B2 (en)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129786A (en) * 2009-12-18 2011-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for wafer processing and method of manufacturing the same
JP2011171545A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for wafer processing, and method of manufacturing the same
WO2012046737A1 (en) * 2010-10-06 2012-04-12 古河電気工業株式会社 Tape for wafer processing and production method for same
JP5023225B1 (en) * 2011-03-10 2012-09-12 日東電工株式会社 Method for manufacturing film for semiconductor device
JP2012191048A (en) * 2011-03-11 2012-10-04 Nitto Denko Corp Dicing film with protection film
JP2013023685A (en) * 2011-07-26 2013-02-04 Nitto Denko Corp Adhesive sheet, semiconductor device, and method for producing the same
JP2013038315A (en) * 2011-08-10 2013-02-21 Ajinomoto Co Inc Manufacturing method of semiconductor package
JP2013071348A (en) * 2011-09-28 2013-04-22 Lintec Corp Apparatus and method for producing multilayer sheet
JP2015198117A (en) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 Thermosetting die bond film, die bond film with dicing sheet, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
EP3098277A1 (en) * 2015-05-27 2016-11-30 Henkel AG & Co. KGaA Pre-cut film and a production method thereof
JP2017195254A (en) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社ディスコ Expandable sheet
JP2018016705A (en) * 2016-07-27 2018-02-01 古河電気工業株式会社 Tape for electronic devices
KR20190021447A (en) * 2017-02-24 2019-03-05 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Mask-integrated surface protection tape and method of manufacturing semiconductor chip using the same
WO2019131556A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Method for manufacturing stacked body
WO2019130616A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Laminate production method
WO2019130617A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Laminate production method
WO2019230036A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 古河電気工業株式会社 Electronic device processing tape and method for manufacturing electronic device processing tape
WO2020230527A1 (en) * 2019-05-14 2020-11-19 日東電工株式会社 Laminate and reinforcing film
CN112029436A (en) * 2019-06-03 2020-12-04 日东电工株式会社 Adhesive sheet, adhesive kit, and laminate
WO2021193942A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 リンテック株式会社 Sheet for production of semiconductor device
JP2021153099A (en) * 2020-03-24 2021-09-30 リンテック株式会社 Sheet peeling device and sheet peeling method
WO2023026584A1 (en) 2021-08-23 2023-03-02 古河電気工業株式会社 Film-like adhesive agent, and electronic component using same and method for producing same
KR20230095957A (en) 2021-06-25 2023-06-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Electronic device processing tape and electronic device processing tape manufacturing method
KR20230095958A (en) 2021-06-25 2023-06-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Electronic device processing tape and electronic device processing tape manufacturing method

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63172766A (en) * 1987-01-09 1988-07-16 Hitachi Chem Co Ltd Polyether amide imide polymer composition
JP2004051736A (en) * 2002-07-18 2004-02-19 Nitto Denko Corp Ultraviolet curable pressure sensitive adhesive sheet
JP2004137436A (en) * 2002-10-18 2004-05-13 Hitachi Kasei Polymer Co Ltd Double sided adhesive tape
JP2004182822A (en) * 2002-12-02 2004-07-02 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive member and light source apparatus
JP2005019962A (en) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet
JP2007002173A (en) * 2005-06-27 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet and method for producing the sheet, and, method for producing semiconductor device, and the semiconductor device
JP2009059917A (en) * 2007-08-31 2009-03-19 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP2009124127A (en) * 2007-10-22 2009-06-04 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing semiconductor deice, and semiconductor device
JP2010074129A (en) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured by the same, and dicing-tape integral type adhesive sheet

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63172766A (en) * 1987-01-09 1988-07-16 Hitachi Chem Co Ltd Polyether amide imide polymer composition
JP2004051736A (en) * 2002-07-18 2004-02-19 Nitto Denko Corp Ultraviolet curable pressure sensitive adhesive sheet
JP2004137436A (en) * 2002-10-18 2004-05-13 Hitachi Kasei Polymer Co Ltd Double sided adhesive tape
JP2004182822A (en) * 2002-12-02 2004-07-02 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive member and light source apparatus
JP2005019962A (en) * 2003-06-06 2005-01-20 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet
JP2007002173A (en) * 2005-06-27 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet and method for producing the sheet, and, method for producing semiconductor device, and the semiconductor device
JP2009059917A (en) * 2007-08-31 2009-03-19 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP2009124127A (en) * 2007-10-22 2009-06-04 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing semiconductor deice, and semiconductor device
JP2010074129A (en) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured by the same, and dicing-tape integral type adhesive sheet

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129786A (en) * 2009-12-18 2011-06-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for wafer processing and method of manufacturing the same
JP2011171545A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for wafer processing, and method of manufacturing the same
WO2012046737A1 (en) * 2010-10-06 2012-04-12 古河電気工業株式会社 Tape for wafer processing and production method for same
JP2012080023A (en) * 2010-10-06 2012-04-19 Furukawa Electric Co Ltd:The Wafer processing tape and method of manufacturing same
US8658515B2 (en) 2011-03-10 2014-02-25 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing film for semiconductor device
JP5023225B1 (en) * 2011-03-10 2012-09-12 日東電工株式会社 Method for manufacturing film for semiconductor device
JP2012191048A (en) * 2011-03-11 2012-10-04 Nitto Denko Corp Dicing film with protection film
US8614139B2 (en) 2011-03-11 2013-12-24 Nitto Denko Corporation Dicing film with protecting film
JP2013023685A (en) * 2011-07-26 2013-02-04 Nitto Denko Corp Adhesive sheet, semiconductor device, and method for producing the same
JP2013038315A (en) * 2011-08-10 2013-02-21 Ajinomoto Co Inc Manufacturing method of semiconductor package
JP2013071348A (en) * 2011-09-28 2013-04-22 Lintec Corp Apparatus and method for producing multilayer sheet
JP2015198117A (en) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 Thermosetting die bond film, die bond film with dicing sheet, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
WO2016188646A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 Henkel Ag & Co. Kgaa Pre-cut film and a production method thereof
EP3098277A1 (en) * 2015-05-27 2016-11-30 Henkel AG & Co. KGaA Pre-cut film and a production method thereof
JP2017195254A (en) * 2016-04-19 2017-10-26 株式会社ディスコ Expandable sheet
JP2018016705A (en) * 2016-07-27 2018-02-01 古河電気工業株式会社 Tape for electronic devices
KR20190021447A (en) * 2017-02-24 2019-03-05 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Mask-integrated surface protection tape and method of manufacturing semiconductor chip using the same
KR102244291B1 (en) 2017-02-24 2021-04-26 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Mask-integrated surface protection tape and method for producing semiconductor chip using same
KR102191706B1 (en) 2017-02-24 2020-12-16 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Mask-integrated surface protection tape and method for manufacturing semiconductor chips using the same
KR20200108508A (en) * 2017-02-24 2020-09-18 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Mask-integrated surface protection tape and method for producing semiconductor chip using same
JP2019119199A (en) * 2017-12-28 2019-07-22 日東電工株式会社 Manufacturing method of laminate
CN110997324A (en) * 2017-12-28 2020-04-10 日东电工株式会社 Method for producing laminate
WO2019131555A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Method for manufacturing stacked body
JP2019119200A (en) * 2017-12-28 2019-07-22 日東電工株式会社 Manufacturing method of laminate
JP2019119858A (en) * 2017-12-28 2019-07-22 日東電工株式会社 Manufacturing method of laminate
CN110214084A (en) * 2017-12-28 2019-09-06 日东电工株式会社 The manufacturing method of laminated body
WO2019131556A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Method for manufacturing stacked body
WO2019130616A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Laminate production method
JP2019119208A (en) * 2017-12-28 2019-07-22 日東電工株式会社 Manufacturing method of laminate
WO2019130617A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 日東電工株式会社 Laminate production method
CN110997323A (en) * 2017-12-28 2020-04-10 日东电工株式会社 Method for producing laminate
KR102292767B1 (en) 2018-05-31 2021-08-23 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Tape for electronic device processing and manufacturing method of tape for electronic device processing
KR20200006031A (en) 2018-05-31 2020-01-17 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Manufacturing method of tape for electronic device processing and tape for electronic device processing
JP2019210301A (en) * 2018-05-31 2019-12-12 古河電気工業株式会社 Electronic device processing tape and manufacturing method for electronic device processing tape
WO2019230036A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 古河電気工業株式会社 Electronic device processing tape and method for manufacturing electronic device processing tape
TWI734984B (en) * 2018-05-31 2021-08-01 日商古河電氣工業股份有限公司 Electronic device processing tape and manufacturing method of electronic device processing tape
WO2020230527A1 (en) * 2019-05-14 2020-11-19 日東電工株式会社 Laminate and reinforcing film
CN112029436A (en) * 2019-06-03 2020-12-04 日东电工株式会社 Adhesive sheet, adhesive kit, and laminate
JP2021153099A (en) * 2020-03-24 2021-09-30 リンテック株式会社 Sheet peeling device and sheet peeling method
JP7379234B2 (en) 2020-03-24 2023-11-14 リンテック株式会社 Sheet peeling device and sheet peeling method
WO2021193942A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 リンテック株式会社 Sheet for production of semiconductor device
KR20230095957A (en) 2021-06-25 2023-06-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Electronic device processing tape and electronic device processing tape manufacturing method
KR20230095958A (en) 2021-06-25 2023-06-29 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Electronic device processing tape and electronic device processing tape manufacturing method
WO2023026584A1 (en) 2021-08-23 2023-03-02 古河電気工業株式会社 Film-like adhesive agent, and electronic component using same and method for producing same
KR20240025505A (en) 2021-08-23 2024-02-27 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 Film-type adhesive, electronic components using the same, and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6045773B2 (en) 2016-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6045773B2 (en) Adhesive sheet, method for manufacturing the same, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR100892799B1 (en) Adhesive sheet and method for manufacturing the same, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP4876451B2 (en) Adhesive sheet
JP6097893B2 (en) Semiconductor processing tape
JP2019175958A (en) Semiconductor processing tape
JP2014017327A (en) Adhesive composition for semiconductor device, adhesive film for semiconductor device, adhesive film with dicing film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP5691230B2 (en) Adhesive sheet and adhesive sheet roll
JP2011199307A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2009124127A (en) Adhesive sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing semiconductor deice, and semiconductor device
JP5370416B2 (en) Adhesive sheet
JP2016058458A (en) Semiconductor processing tape and method of manufacturing semiconductor device manufactured using the same
KR102112771B1 (en) Semiconductor processing tape
KR20210015889A (en) Glass processing tape
KR20210015893A (en) Glass processing tape
JP5370414B2 (en) Manufacturing method of adhesive sheet
JP2019176158A (en) Semiconductor processing tape
JP2011142253A (en) Adhesive film for semiconductor and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP5578016B2 (en) Adhesive sheet, method for manufacturing adhesive sheet, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR20190113749A (en) Semiconductor Processing Tape
JP2019175960A (en) Semiconductor processing tape
JP5370415B2 (en) Adhesive sheet
KR102720278B1 (en) Sheet for semiconductor processing
KR20210015888A (en) Glass processing tape
JP2012082336A (en) Adhesive sheet, method for producing the same, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR20210015891A (en) Glass processing tape

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120926

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140203

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20141028

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150306

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20150313

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20150522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160826

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6045773

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S801 Written request for registration of abandonment of right

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311801

ABAN Cancellation due to abandonment
R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350