JP5370414B2 - Manufacturing method of adhesive sheet - Google Patents
Manufacturing method of adhesive sheet Download PDFInfo
- Publication number
- JP5370414B2 JP5370414B2 JP2011126576A JP2011126576A JP5370414B2 JP 5370414 B2 JP5370414 B2 JP 5370414B2 JP 2011126576 A JP2011126576 A JP 2011126576A JP 2011126576 A JP2011126576 A JP 2011126576A JP 5370414 B2 JP5370414 B2 JP 5370414B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive layer
- film
- layer
- adhesive sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims description 251
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims description 249
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 272
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 84
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 64
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 description 75
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 40
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- -1 methacryloyl group Chemical group 0.000 description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 23
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 15
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 12
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 12
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 8
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 7
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- GVYLCNUFSHDAAW-UHFFFAOYSA-N mirex Chemical compound ClC12C(Cl)(Cl)C3(Cl)C4(Cl)C1(Cl)C1(Cl)C2(Cl)C3(Cl)C4(Cl)C1(Cl)Cl GVYLCNUFSHDAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 4
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 3
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 3
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylphenyl)-2-hydroxy-2-phenylethanone Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDKSQNHUHMMKPP-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(4-methoxyphenyl)-4-phenyl-1h-imidazole Chemical class C1=CC(OC)=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC(OC)=CC=2)N1 MDKSQNHUHMMKPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXAYEPUDXSKVHS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-bis(3-methoxyphenyl)-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC(C2=C(NC(=N2)C=2C(=CC=CC=2)Cl)C=2C=C(OC)C=CC=2)=C1 RXAYEPUDXSKVHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class ClC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIOGJAPOAUEYJO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 XIOGJAPOAUEYJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class C1=CC(OC)=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004198 2-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(F)=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- KRFFWELOYNJROH-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 KRFFWELOYNJROH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHLKOHSAWQPOFO-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-1h-imidazole Chemical class N1C=NC=C1C1=CC=CC=C1 XHLKOHSAWQPOFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 9,10-phenanthroquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 9-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=NC2=CC=CC=C12 MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004823 Reactive adhesive Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARNIZPSLPHFDED-UHFFFAOYSA-N [4-(dimethylamino)phenyl]-(4-methoxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ARNIZPSLPHFDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GANNOFFDYMSBSZ-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Mg] Chemical class [AlH3].[Mg] GANNOFFDYMSBSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N antimony bismuth Chemical compound [Sb].[Bi] PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ZNAAXKXXDQLJIX-UHFFFAOYSA-N bis(2-cyclohexyl-3-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1CCCCC1C=1C(O)=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC(O)=C1C1CCCCC1 ZNAAXKXXDQLJIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical group 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 230000002103 transcriptional effect Effects 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。 The present invention relates to an adhesive sheet, a manufacturing method thereof, a manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor device.
従来、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との接合には銀ペーストが主に使用されている。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、銀ペーストからなる接着剤層の膜厚の制御困難性、及び接着剤層のボイド発生などにより上記要求に対処しきれなくなってきている。 Conventionally, silver paste is mainly used for joining a semiconductor element and a support member for mounting the semiconductor element. However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor elements, the support members used are required to be small and fine. In response to these requirements, silver paste causes problems during wire bonding due to protrusions and inclination of semiconductor elements, difficulty in controlling the thickness of the adhesive layer made of silver paste, and generation of voids in the adhesive layer. As a result, it has become impossible to meet the above requirements.
そのため、上記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。このフィルム状接着剤は、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式において使用されている。フィルム状接着剤を用いて個片貼付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、ロール状（リール状）に巻き取られたフィルム状接着剤をカッティング又はパンチングによって任意のサイズに切り出し、フィルム状接着剤の個片を得る。この個片を、半導体素子搭載用の支持部材に貼り付け、フィルム状接着剤付き支持部材を得る。その後、ダイシング工程によって個片化した半導体素子をフィルム状接着剤付き支持部材に接合（ダイボンド）して半導体素子付き支持部材を作製する。更に、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程等を経ることにより半導体装置を作製する。 For this reason, film adhesives have been used in recent years to meet the above requirements. This film-like adhesive is used in an individual piece attaching method or a wafer back surface attaching method. When a semiconductor device is manufactured by using a film-like adhesive and a single-piece pasting method, first, the film-like adhesive wound up in a roll shape (reel shape) is cut out to an arbitrary size by cutting or punching. A piece of adhesive is obtained. This piece is attached to a support member for mounting a semiconductor element to obtain a support member with a film adhesive. Then, the semiconductor element separated by the dicing process is joined (die-bonded) to the support member with a film adhesive to produce a support member with a semiconductor element. Furthermore, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.
しかし、個片貼付け方式においてフィルム状接着剤を用いる場合には、フィルム状接着剤を切り出して支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であるため、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。 However, in the case of using a film adhesive in the piece pasting method, a dedicated assembly device for cutting out the film adhesive and bonding it to the support member is necessary, so compared with the method using silver paste There was a problem that the manufacturing cost was high.
一方、フィルム状接着剤を用いてウェハ裏面貼付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、半導体ウェハの回路面とは反対側の面（裏面）にフィルム状接着剤を貼付け、更にフィルム状接着剤の半導体ウェハ側と反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる。次に、ダイシングによって半導体ウェハ及びフィルム状接着剤を個片化し、フィルム状接着剤付き半導体素子を得る。得られたフィルム状接着剤付き半導体素子をピックアップし、それを半導体素子搭載用の支持部材に接合（ダイボンド）する。その後、加熱、硬化、ワイヤボンド等の工程を経ることにより半導体装置を作製する。 On the other hand, when a semiconductor device is manufactured by using a film-like adhesive by a wafer backside attachment method, first, a film-like adhesive is attached to the surface (backside) opposite to the circuit surface of the semiconductor wafer. A dicing tape is bonded to the surface of the adhesive opposite to the semiconductor wafer. Next, the semiconductor wafer and the film adhesive are separated into pieces by dicing to obtain a semiconductor element with a film adhesive. The obtained semiconductor element with a film adhesive is picked up and bonded (die-bonded) to a support member for mounting the semiconductor element. Thereafter, a semiconductor device is manufactured through processes such as heating, curing, and wire bonding.
このフィルム状接着剤を用いたウェハ裏面貼付け方式は、フィルム状接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、フィルム状接着剤を個片化するための専用の装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま又は熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、フィルム状接着剤を用いた半導体装置の組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。 The wafer back surface pasting method using the film adhesive does not require a dedicated device for separating the film adhesive into individual pieces because the semiconductor element with the film adhesive is bonded to the support member. The assembly apparatus for silver paste can be used as it is or by modifying a part of the apparatus such as adding a hot platen. For this reason, the semiconductor device is attracting attention as a method that can be manufactured at a relatively low cost among the methods for assembling a semiconductor device using a film adhesive.
しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウェハ裏面貼付け方式においては、半導体ウェハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウェハに貼付する工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼付する工程との２つの貼付工程が必要である。そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つ接着シート（ダイボンドダイシングシート）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このような接着シートは、例えば、剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有している。 However, in the wafer back surface pasting method using the film adhesive, the process of applying the film adhesive to the semiconductor wafer and the process of applying the dicing tape to the film adhesive before dicing the semiconductor wafer. And two pasting steps are required. Therefore, in order to simplify this process, an adhesive sheet (die-bonded dicing sheet) having both functions is developed by laminating a film adhesive and a dicing tape (see, for example, Patent Document 1). ). Such an adhesive sheet has, for example, a three-layer structure of release substrate / adhesive layer / adhesive film.
また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献２参照）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層（接着剤層及び粘着フィルム）を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。 In addition, there is known a method (so-called precut processing) in which such an adhesive sheet is processed in advance into the shape of a wafer constituting a semiconductor element (see, for example, Patent Document 2). Such pre-cut processing is a method in which a resin layer (an adhesive layer and an adhesive film) is punched in accordance with the shape of a wafer to be used, and a resin layer other than a portion to which the wafer is attached is peeled off.
プリカット加工が施された接着シートは、例えば、図１１（ａ）に示すような構造を有している。また、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の接着シート２００のＸ−Ｘ端面図であり、剥離基材１上に接着剤層２が積層され、その上にさらに粘着フィルム３が、剥離基材１側が粘着性を有する面となるようにして積層されている。なお、粘着フィルム３は接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように積層されており、これにより、半導体ウェハのダイシングを行う際に、半導体ウェハの外周部のウェハリングに粘着フィルム３を貼り付けて接着シート２００を固定することができるようになっている。
The adhesive sheet that has been subjected to the pre-cut processing has a structure as shown in FIG. Moreover, FIG.11 (b) is XX end elevation of the
かかるプリカット加工を施す場合、上記の接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。 When performing such pre-cut processing, the above adhesive sheet is generally pre-cut with a film-like adhesive in accordance with the wafer shape of the adhesive layer, bonded to the dicing tape, and then attached to the dicing tape. It is manufactured by applying a pre-cut process in accordance with the wafer ring shape, or by bonding a dicing tape pre-cut into a wafer ring shape in advance with a pre-cut film adhesive.
上記プリカット加工が施された接着シート２００は、通常、図１２に示すように長尺の剥離基材１を用いて円筒状の巻き芯１１に巻きつけて、ロール状の接着シートロール２１０として提供される。このとき、上記接着シート２００等の従来のプリカット加工が施された接着シートでは、以下のような不具合が生じることを本発明者らは見出した。すなわち、上記プリカット加工が施された接着シート２００においては、図１１（ｂ）に示すように、部分的に接着剤層２と粘着フィルム３とを積層するため、接着剤層２と粘着フィルム３との積層部分が他の部分よりも厚くなる。そのため、接着シートロールの直径が大きくなったり、巻き取り時の張力が高くなった場合、図１３（ａ）に示すように、接着剤層２の部分に他の接着剤層２の巻き跡１２が転写され、図１３（ａ）のＹ−Ｙ端面図である図１３（ｂ）に示すように、フィルムの平滑性が損なわれることがある。また、接着剤層２の厚みが厚くなった場合、巻き跡１２が更に転写されやすくなる。これら巻き跡１２の転写により接着シート２００に平滑性の欠陥があると、接着シート２００を半導体ウェハへ貼り付けた時に半導体ウェハと接着剤層２との間に空気を巻き込み、半導体装置組み立て方法上、不具合が生じることがある。
The
なお、接着シートとしては、図１４（ａ）及び図１４（ａ）のＺ−Ｚ端面図である図１４（ｂ）に示すように、ウェハ形状に合わせてプリカット加工された接着剤層２及び粘着フィルム３の外方にも粘着フィルム３が形成された接着シート２２０及び接着シートロール２３０も知られているが、この場合にも、上記と同様に接着剤層２に巻き跡１２が転写され、半導体装置組み立て方法上の不具合が生じることがある。
In addition, as an adhesive sheet, as shown to FIG.14 (b) which is a ZZ end view of FIG.14 (a) and FIG.14 (a), the
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and in the case where an adhesive sheet having an adhesive layer formed in a predetermined planar shape by pre-cut processing or the like is wound into a roll, the adhesive Adhesive sheet capable of sufficiently suppressing the transfer of winding marks to the layer, and capable of sufficiently suppressing generation of voids due to air entrainment when the adhesive layer is attached to the adherend, and a method for producing the same, Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet and a semiconductor device.
上記目的を達成するために、本発明は、剥離基材と、該剥離基材上に部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有する接着シートであって、前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層が、前記剥離基材上における前記粘着フィルムの外方に形成されていることを特徴とする接着シートを提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a release substrate, an adhesive layer having a predetermined planar shape partially formed on the release substrate, covering the adhesive layer, and A pressure-sensitive adhesive film formed so as to be in contact with the peeling substrate around the adhesive layer, and having a film thickness equal to or greater than the total film thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film Provided is an adhesive sheet, characterized in that a support layer having a surface is formed outside the pressure-sensitive adhesive film on the release substrate.
ここで、本発明において上記支持層の膜厚が上記接着剤層及び上記粘着フィルムの合計の膜厚と同等であるとは、支持層の膜厚が接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚と実質的に同一であることを意味する。また、本発明において上記支持層の膜厚は、接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚の１．０〜１．５倍であることが好ましい。なお、上記膜厚はそれぞれの層の最大膜厚を意味する。 Here, in the present invention, the film thickness of the support layer is equivalent to the total film thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film. The film thickness of the support layer is the total film thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film. Means substantially the same. In the present invention, the thickness of the support layer is preferably 1.0 to 1.5 times the total thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film. In addition, the said film thickness means the maximum film thickness of each layer.
本発明の接着シートは、所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートであるが、剥離基材上の、半導体装置を製造する場合等に必要とされる接着剤層及び粘着フィルム以外の部分に、これらの積層部分と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層が形成されていることにより、接着シートをロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。従来の接着シートでは、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分が他の部分に比べて厚くなるため、ロール状に巻き取ると、この積層部分に巻き取りの圧力が集中していた。そのため、この積層部分と粘着フィルムのみの部分との段差が巻き取りの圧力により他の接着剤層に転写されることとなる。これに対して本発明の接着シートは、支持層を備えることで、プリカット加工が施された接着シートにかかっていた巻き取りの圧力を分散するか或いは支持層に集めることができ、上記積層部分と粘着フィルム３のみの部分との段差が他の接着剤層に転写されることを抑制することが可能となる。そして、接着剤層への巻き跡の転写が抑制されることにより、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等の発生を十分に抑制することができる。
The adhesive sheet of the present invention is an adhesive sheet having an adhesive layer formed in a predetermined planar shape, but is necessary for manufacturing a semiconductor device on a release substrate, and an adhesive film. In other parts, a support layer having a film thickness equal to or greater than these laminated parts is formed, so that when the adhesive sheet is wound up in a roll shape, another adhesive layer is added to the adhesive layer. It is possible to sufficiently suppress the transfer of the traces. In the conventional adhesive sheet, since the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film is thicker than the other portions, the winding pressure is concentrated on the laminated portion when it is rolled up. Therefore, the level difference between the laminated portion and the pressure-sensitive adhesive film is transferred to the other adhesive layer by the winding pressure. On the other hand, the adhesive sheet of the present invention is provided with a support layer, so that the winding pressure applied to the adhesive sheet subjected to the precut processing can be dispersed or collected in the support layer. It is possible to suppress the step between the
また、本発明の接着シートにおいて、上記支持層は、上記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び上記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されてなるものであることが好ましい。 In the adhesive sheet of the present invention, the support layer is preferably formed by laminating a support adhesive layer having the same composition as the adhesive layer and a support adhesive film having the same composition as the adhesive film.
これにより、支持層を設けるために新たに粘着フィルム等を用意する必要がなく、プリカットの形状の変更のみで、容易に支持層を設けることができる。 Thereby, it is not necessary to newly prepare an adhesive film or the like for providing the support layer, and the support layer can be easily provided only by changing the shape of the precut.
また、上記支持層は、上記支持接着剤層と、該支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように上記支持接着剤層上に積層された上記支持粘着フィルムと、からなるものであることが好ましい。 The support layer includes the support adhesive layer, the support adhesive film which covers the support adhesive layer and is laminated on the support adhesive layer so that a part thereof is in contact with the release substrate; It is preferable that it consists of.
このように、支持粘着フィルムの一部が剥離基材に接していることにより、支持層が剥離基材に貼り付けられた状態を十分に維持することができる。そのため、本発明の接着シートにおける接着剤層及び粘着フィルムを半導体ウェハに貼り付ける際に、半導体ウェハに貼り付けるべき接着剤層及び粘着フィルムが剥離基材１から剥離する前に不要な部分である支持層が剥離して工程の不具合が発生することを十分に抑制することができる。
Thus, when a part of support adhesive film is in contact with the peeling base material, the state where the support layer was affixed on the peeling base material can fully be maintained. Therefore, when the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film in the adhesive sheet of the present invention are attached to the semiconductor wafer, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film to be attached to the semiconductor wafer are unnecessary portions before peeling from the
また、本発明の接着シートにおいて、前記剥離基材は長尺のものであり、上記支持層は、少なくとも上記剥離基材の短手方向（長手方向に直交する方向）の両端部上に形成されていることが好ましい。 In the adhesive sheet of the present invention, the release substrate is long, and the support layer is formed on at least both ends of the release substrate in the short direction (direction perpendicular to the longitudinal direction). It is preferable.
これにより、接着シートをロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることをより十分に抑制することができる。そして、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等の発生をより十分に抑制することができる。 Thereby, when an adhesive sheet is wound up in roll shape, it can suppress more fully that the trace of another adhesive bond layer is transcribe | transferred to an adhesive bond layer. And when sticking an adhesive bond layer to adherends, such as a semiconductor wafer, generation of a void etc. by entrainment of air can be controlled more fully.
また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層及び上記粘着フィルムの少なくとも一方は、円形形状あるいは上記剥離基材を剥離した後に上記接着剤層又は上記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有していることが好ましい。 In the adhesive sheet of the present invention, at least one of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film is a flat surface of an adherend to which the adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive film is to be attached after peeling off the circular shape or the release substrate. It preferably has a planar shape that matches the shape.
上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。なお、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状よりもやや大きい平面形状であってもよい。また、一般的に半導体ウェハは円の外周の一部が直線である平面形状を有しているため、接着シートの平面形状が円形形状である場合でも、一般的な半導体ウェハへの接着剤層の貼り付け、及び、半導体ウェハのダイシングを容易に行うことが可能となる傾向にある。 Examples of the adherend include a semiconductor wafer, and the adhesive layer has a planar shape that matches the planar shape of the semiconductor wafer, which tends to facilitate the process of dicing the semiconductor wafer. is there. Note that the planar shape of the adhesive layer does not need to completely match the planar shape of the semiconductor wafer, and may be a slightly larger planar shape than the planar shape of the semiconductor wafer, for example. Moreover, since the semiconductor wafer generally has a planar shape in which a part of the outer periphery of the circle is a straight line, even when the planar shape of the adhesive sheet is a circular shape, the adhesive layer on the general semiconductor wafer And the semiconductor wafer dicing tend to be easily performed.
また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層は、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものであることが好ましい。 Moreover, the adhesive sheet of this invention WHEREIN: It is preferable that the said adhesive bond layer contains a thermoplastic resin and a thermopolymerizable component.
これにより、かかる接着剤層を介して、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができる。 Thereby, the semiconductor element can be sufficiently fixed to the supporting member for mounting the semiconductor element or another semiconductor element via the adhesive layer.
ここで、上記熱可塑性樹脂は、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分であることが好ましい。これにより、半導体装置作製における作業環境下でフィルム形状を維持し、取り扱い易い接着シートにすることができる。また、重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を用いることにより、接着剤層の室温での硬さを高めることができ、接着シートを巻き取った際の圧力により接着剤層に巻き跡が転写されることを抑制することができる。更に、何らかの原因で接着剤層に巻き跡の転写が生じた場合でも、上記の熱可塑性樹脂を用いていることで、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際の熱により容易に変形し、ボイドを低減することができる。 Here, the thermoplastic resin is preferably a high molecular weight component having a functional monomer and a weight average molecular weight of 100,000 or more. Thereby, it can be set as the adhesive sheet which maintains a film shape in the working environment in semiconductor device manufacture, and is easy to handle. Moreover, by using a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more, the hardness of the adhesive layer at room temperature can be increased, and the adhesive layer is traced by the pressure when the adhesive sheet is wound up. Can be prevented from being transferred. Furthermore, even when the transfer of the winding mark occurs in the adhesive layer for some reason, the use of the above thermoplastic resin makes it easy to deform due to heat when the adhesive layer is attached to the semiconductor wafer. Can be reduced.
また、上記高分子量成分は、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体であることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製の作業の中で、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、作製上の不具合を低減することができる。 The high molecular weight component is preferably an epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer. As a result, the semiconductor element can be sufficiently fixed to the supporting member for mounting the semiconductor element or another semiconductor element through the adhesive layer in the process of manufacturing the semiconductor device, thereby reducing manufacturing problems. can do.
また、上記熱重合性成分は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製後、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、半導体装置が使用される環境下で半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。 Moreover, it is preferable that the said thermopolymerizable component contains an epoxy resin and an epoxy resin hardening | curing agent. Accordingly, after the semiconductor device is manufactured through the adhesive layer, the semiconductor element can be sufficiently fixed to the semiconductor element mounting support member or another semiconductor element, and the semiconductor device can be used in an environment where the semiconductor device is used. Damage or failure of the device can be prevented.
また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層は、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａであることが好ましい。 In the adhesive sheet of the present invention, the adhesive layer has a storage elastic modulus before curing at 25 ° C. of 10 to 10,000 MPa, and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C. of 0.5 to 30 MPa. It is preferable that
ここで、本発明における貯蔵弾性率は、強制振動非共振法による引張り試験によって求めることができる。 Here, the storage elastic modulus in this invention can be calculated | required by the tension test by a forced vibration non-resonance method.
本発明の接着シートにおいて、接着剤層が上記範囲の貯蔵弾性率を有することにより、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との間の応力を緩和し、幅広い温度域で十分な接着力を確保することが可能となる。これにより、半導体装置作製の作業中あるいは半導体装置が使用される環境下で、半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。 In the adhesive sheet of the present invention, the adhesive layer has a storage elastic modulus in the above range, so that the stress between the semiconductor element and the supporting member for mounting the semiconductor element is relieved, and sufficient adhesive force is obtained in a wide temperature range. It can be secured. As a result, the semiconductor device can be prevented from being damaged or broken during the manufacturing process of the semiconductor device or in an environment where the semiconductor device is used.
更に、本発明の接着シートは、高エネルギー線の照射により、上記接着剤層と上記粘着フィルムとの間の粘着力が低下することが好ましい。 Furthermore, in the adhesive sheet of the present invention, it is preferable that the adhesive force between the adhesive layer and the adhesive film is reduced by irradiation with high energy rays.
これにより、接着剤層と粘着フィルムとを剥離する際において、高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。 Thereby, when peeling an adhesive bond layer and an adhesive film, peeling becomes possible easily by irradiating a high energy ray.
本発明はまた、上記本発明の接着シートを製造するための接着シートの製造方法であって、剥離基材上に接着剤層を積層する第１の積層工程と、上記接着剤層の上記剥離基材に接する側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層の外方に配置される支持接着剤層とを形成する第１の切断工程と、上記所定の平面形状の接着剤層上に、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接するように粘着フィルムを積層するとともに、上記支持接着剤層上に、上記粘着フィルムと同一組成であり、且つ、上記粘着フィルムの膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持粘着フィルムを積層する第２の積層工程と、を含むことを特徴とする接着シートの製造方法を提供する。 The present invention is also a method for producing an adhesive sheet for producing the adhesive sheet of the present invention, wherein a first laminating step of laminating an adhesive layer on a release substrate and the peeling of the adhesive layer are performed. Cut from the surface opposite to the side in contact with the substrate until it reaches the release substrate to form a predetermined planar adhesive layer and a supporting adhesive layer disposed outside the adhesive layer A first cutting step, and an adhesive film is laminated on the adhesive layer having the predetermined planar shape so as to cover the adhesive layer and to contact the release substrate around the adhesive layer. And a second laminating step of laminating a supporting adhesive film having the same composition as the adhesive film and having a film thickness equal to or greater than the film thickness of the adhesive film on the supporting adhesive layer. A method for producing an adhesive sheet is provided.
本発明はまた、上記本発明の接着シートを製造するための接着シートの製造方法であって、剥離基材上に接着剤層を積層する第１の積層工程と、上記接着剤層の上記剥離基材に接する側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層の外方に配置される支持接着剤層とを形成する第１の切断工程と、上記所定の平面形状の接着剤層、上記支持接着剤層及び上記剥離基材を覆うように、粘着フィルムを積層する第３の積層工程と、上記粘着フィルムの上記剥離基材側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、上記所定の平面形状の接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接する上記粘着フィルムと、上記支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する第２の切断工程と、を含むことを特徴とする接着シートの製造方法を提供する。 The present invention is also a method for producing an adhesive sheet for producing the adhesive sheet of the present invention, wherein a first laminating step of laminating an adhesive layer on a release substrate and the peeling of the adhesive layer are performed. Cut from the surface opposite to the side in contact with the substrate until it reaches the release substrate to form a predetermined planar adhesive layer and a supporting adhesive layer disposed outside the adhesive layer A first cutting step, a third laminating step of laminating an adhesive film so as to cover the adhesive layer having the predetermined planar shape, the supporting adhesive layer, and the release substrate, and the above-mentioned adhesive film The adhesive is cut from the surface opposite to the release substrate side until reaching the release substrate, covers the adhesive layer having the predetermined planar shape, and is in contact with the release substrate around the adhesive layer A supporting adhesive film disposed on the film and the supporting adhesive layer; To provide a production method of the adhesive sheet, characterized in that it comprises a second cutting step of forming the beam, the.
これらの接着シートの製造方法によれば、ロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることを十分に抑制することが可能な本発明の接着シートを効率的に製造することができる。 According to these methods for producing an adhesive sheet, the adhesive according to the present invention can sufficiently suppress the transfer of the trace of the other adhesive layer to the adhesive layer when wound into a roll. A sheet can be manufactured efficiently.
上記本発明の接着シートの製造方法において、上記支持粘着フィルムを、一部が上記剥離基材と接するように上記支持接着剤層上に積層することが好ましい。また、上記剥離基材は長尺のものであり、上記支持接着剤層及び上記支持粘着フィルムを、少なくとも上記剥離基材の短手方向の両端部上に形成することが好ましい。また、上記接着剤層及び上記粘着フィルムの少なくとも一方を、円形形状あるいは上記剥離基材を剥離した後に上記接着剤層又は上記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有するものとすることが好ましい。また、上記接着剤層は、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａであるものであることが好ましい。更に、上記粘着フィルムは、高エネルギー線の照射により、上記接着剤層に対する粘着力が低下するものであることが好ましい。 In the method for producing an adhesive sheet of the present invention, the support adhesive film is preferably laminated on the support adhesive layer so that a part thereof is in contact with the release substrate. Moreover, the said peeling base material is a long thing, It is preferable to form the said support adhesive layer and the said support adhesive film on the both ends of the transversal direction of the said peeling base material at least. In addition, at least one of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film has a circular shape or a planar shape that matches the planar shape of the adherend to which the adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive film is to be attached after peeling the release substrate. It is preferable to have it. In addition, the adhesive layer has a storage elastic modulus before curing at 25 ° C. of 10 to 10,000 MPa and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C. of 0.5 to 30 MPa. preferable. Furthermore, it is preferable that the said adhesive film is what the adhesive force with respect to the said adhesive bond layer falls by irradiation of a high energy ray.
本発明はまた、上記本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層及び上記粘着フィルムからなる積層体を上記剥離基材から剥離し、上記積層体を、上記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程と、上記積層体付き半導体ウェハを、上記接着剤層と上記粘着フィルムとの界面までダイシングし、上記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、上記積層体に高エネルギー線を照射して上記粘着フィルムの上記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、上記粘着フィルムから上記半導体素子を上記接着剤層とともにピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、上記接着剤層付き半導体素子における上記半導体素子を、上記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 The present invention also provides the adhesive sheet of the present invention, wherein the laminate comprising the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film is peeled off from the release substrate, and the laminate is applied to the semiconductor wafer from the surface on the adhesive layer side. Affixing step for obtaining a semiconductor wafer with a laminated body by pasting, dicing the semiconductor wafer with a laminated body to the interface between the adhesive layer and the adhesive film, and converting the semiconductor wafer into a semiconductor element of a predetermined size A dicing step for cutting, and after irradiating the laminate with high energy rays to reduce the adhesive force of the adhesive film to the adhesive layer, the semiconductor element is picked up from the adhesive film together with the adhesive layer, A pickup process for obtaining a semiconductor element with an adhesive layer, and the semiconductor element in the semiconductor element with the adhesive layer are interposed via the adhesive layer. To provide a method of manufacturing a semiconductor device which comprises a bonding step of bonding the adherend, the.
かかる製造方法によれば、その製造工程において本発明の接着シートを用いているため、半導体ウェハに接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等の発生を十分に抑制することができ、半導体装置を効率的に製造することができる。 According to this manufacturing method, since the adhesive sheet of the present invention is used in the manufacturing process, generation of voids due to air entrainment can be sufficiently suppressed when the adhesive layer is attached to the semiconductor wafer. A semiconductor device can be efficiently manufactured.
ここで、上記被着体は、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子であることが好ましい。 Here, the adherend is preferably a support member for mounting a semiconductor element or another semiconductor element.
本発明は更に、上記本発明の半導体装置の製造方法により製造されていることを特徴とする半導体装置を提供する。 The present invention further provides a semiconductor device manufactured by the semiconductor device manufacturing method of the present invention.
本発明によれば、プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。 According to the present invention, when an adhesive sheet having an adhesive layer formed in a predetermined planar shape by pre-cut processing or the like is wound up in a roll shape, it is sufficiently suppressed that the trace is transferred to the adhesive layer. An adhesive sheet capable of sufficiently suppressing the generation of voids due to air entrainment when an adhesive layer is attached to an adherend, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet In addition, a semiconductor device can be provided.
（接着シート）
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
(Adhesive sheet)
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.
図１〜６は、それぞれ本発明の接着シートの第１〜第６実施形態を示す模式図である。ここで、図１（ａ）は、本発明の接着シートの第１実施形態を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す接着シート１００を図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断した場合の模式端面図である。図２（ａ）は、本発明の接着シートの第２実施形態を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す接着シート１１０を図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断した場合の模式端面図である。図３（ａ）は、本発明の接着シートの第３実施形態を示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す接着シート１２０を図３（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した場合の模式端面図である。図４（ａ）は、本発明の接着シートの第４実施形態を示す平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す接着シート１３０を図４（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断した場合の模式端面図である。図５（ａ）は、本発明の接着シートの第５実施形態を示す平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す接着シート１４０を図５（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断した場合の模式端面図である。図６（ａ）は、本発明の接着シートの第６実施形態を示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す接着シート１５０を図６（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断した場合の模式端面図である。
1-6 is a schematic diagram which shows 1st-6th embodiment of the adhesive sheet of this invention, respectively. Here, Fig.1 (a) is a top view which shows 1st Embodiment of the adhesive sheet of this invention, FIG.1 (b) shows the
図１〜６に示すように、接着シートは、長尺の剥離基材１上に、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる積層体１０が形成された構成を有している。また、接着剤層２は所定の平面形状を有して剥離基材１上に部分的に積層されており、粘着フィルム３は、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように積層されている。そして、積層体１０の外方には、支持接着剤層２２及び支持粘着フィルム２３からなる支持層２０が形成されている。この支持層２０は、積層体１０の最大膜厚（接着剤層２と粘着フィルム３とが積層されている部分の膜厚）と同等又はそれ以上の最大膜厚（支持接着剤層２２と支持粘着フィルム２３とが積層されている部分の膜厚）を有するように形成されている。
As shown in FIGS. 1-6, the adhesive sheet has the structure by which the
図１に示す接着シート１００において、支持層２０は、接着シート１００の短手方向中央部以外の部分に、積層体１０の周囲を囲むように形成されている。また、接着シート１００における支持層２０は、支持粘着フィルム２３が支持接着剤層２２を覆い、且つ、支持粘着フィルム２３の積層体１０側と反対側の端部が剥離基材１と接するように構成されている。
In the
図２に示す接着シート１１０において、支持層２０は、接着シート１１０の短手方向中央部以外の部分に、積層体１０の周囲を囲むように形成されている。また、接着シート１１０における支持層２０は、支持粘着フィルム２３と支持接着剤層２２とが略同一形状となるように構成されている。
In the
図３に示す接着シート１２０において、支持層２０は、接着シート１２０の短手方向中央部以外の部分に、積層体１０の周囲を囲むように形成されている。また、接着シート１２０における支持層２０は、支持粘着フィルム２３が支持接着剤層２２を覆い、且つ、支持粘着フィルム２３の積層体１０側の端部が剥離基材１と接するように構成されている。
In the
図４に示す接着シート１３０において、支持層２０は、接着シート１３０の短手方向中央部以外の部分に、積層体１０の周囲を囲むように形成されている。また、接着シート１３０における支持層２０は、支持粘着フィルム２３が支持接着剤層２２を覆い、且つ、支持粘着フィルム２３の短手方向両端部が剥離基材１と接するように構成されている。
In the
図５に示す接着シート１４０において、支持層２０は、接着シート１４０の短手方向両端部に形成されている。また、接着シート１４０における支持層２０は、支持粘着フィルム２３が少なくとも支持接着剤層２２の積層体１０側と反対側の端部を覆うように構成されている。
In the
図６に示す接着シート１５０において、支持層２０は、接着シート１５０の短手方向両端部に形成されている。また、接着シート１５０における支持層２０は、支持粘着フィルム２３が支持接着剤層２２の短手方向中央部を覆うように構成されている。
In the
以下、これら本発明の接着シートの各構成要素について詳細に説明する。 Hereinafter, each component of the adhesive sheet of the present invention will be described in detail.
支持接着剤層２２は、その形状、大きさ、位置について特に制限されるものではない。支持接着剤層２２の形状は、断続的でも連続的でもよいが、ロール状に巻き取った際の接着剤層２への巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、剥離基材１の長手方向に連続的に形成されていることが好ましい。なお、支持接着剤層２２は、巻き跡の転写をより十分に低減する観点からは剥離基材１の短手方向についても連続的に形成されていることが好ましいが、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置のセンサーの構成上、短手方向中央部についてのみは支持接着剤層２２が形成されていないことが好ましい。
The
支持接着剤層２２の大きさは、巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、できる限り大きい方が好ましい。なお、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置構成上、積層体１０とは重ならないことが望ましい。
The size of the
また、支持接着剤層２２の組成は特に制限されないが、例えば、後述する接着剤層２と同様の組成とされる。
Further, the composition of the
支持粘着フィルム２３は、その形状、大きさ、位置について特に制限されるものではない。支持粘着フィルム２３の形状は、断続的でも連続的でもよいが、ロール状に巻き取った際の接着剤層２への巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、剥離基材１の長手方向に連続的に形成されていることが好ましい。なお、支持粘着フィルム２３は、巻き跡の転写をより十分に低減する観点からは剥離基材１の短手方向についても連続的に形成されていることが好ましいが、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置のセンサーの構成上、短手方向中央部についてのみは支持粘着フィルム２３が形成されていないことが好ましい。
The
支持粘着フィルム２３の大きさは、巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、できる限り大きい方が好ましい。なお、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置構成上、積層体１０とは重ならないことが望ましい。
The size of the
また、支持粘着フィルム２３の組成は特に制限されないが、例えば、後述する粘着フィルム３と同様の組成とされる。
Further, the composition of the
本発明の接着シートにおいては、これら支持接着剤層２２及び支持粘着フィルム２３が積層されて支持層２０が形成されている。支持層２０は、接着シートをロール状に巻き取った際の接着剤層２への巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、少なくとも剥離基材１の短手方向の両端部上に形成されていることが好ましい。支持層２０の形成位置は、巻き跡の転写が起こりやすい位置を考慮すると、積層体１０の存在する部分の剥離基材１の長手方向前後と短手方向左右の４箇所にあることが好ましく、積層体１０と重ならないように、全面に存在することがより好ましい。但し、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置のセンサーを考慮すると、短手方向中央部についてのみは支持接着剤層２０はない方が好ましい。すなわち、支持層２０は、剥離基材１における積層体１０が形成されている部分と短手方向中央部とを除く部分をできる限り多く覆うように形成されていることが好ましい。また、支持層２０は、上述したように、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる積層体１０の膜厚（接着剤層２と粘着フィルム３とが積層されている部分の膜厚）と同等又はそれ以上の膜厚を有しているが、支持層２０の膜厚は、積層体１０の膜厚の１．０〜１．５倍であることが好ましい。
In the adhesive sheet of the present invention, the
支持層２０において、支持接着剤層２２と支持粘着フィルム２３との大きさの関係について特に制限はないが、巻き取り時の圧力を支持層２０に分散させ、巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、両方とも面積が大きい方が好ましく、図１〜６に示される接着シートのうち、図１、図２、図３及び図５に示される接着シートが好ましい。さらに、支持接着剤層２２と支持粘着フィルム２３とが積層されている部分が大きい方が好ましく、図１〜３に示される接着シートがより好ましく、支持層２０が全て支持接着剤層２０と支持粘着フィルム２３とが積層された構造となっている、図２に示される接着シートが特に好ましい。一方、支持接着剤層２２及び支持粘着フィルム２３をそれぞれ後述する接着剤層２及び粘着フィルム３と同様の組成で形成した場合、通常、支持接着剤層２２と剥離基材１との間の接着力は、支持粘着フィルム２３と剥離基材１との間の接着力よりも小さくなる。この場合、半導体ウェハと接着シートにおける積層体１０とを貼り合わせる際に、半導体ウェハに貼り付けるべき積層体１０が剥離基材１から剥離する前に不要な部分である支持層２０が剥離して工程の不具合が発生することを抑制するため、支持粘着フィルム２３が支持接着剤層２２を覆い、且つ、支持粘着フィルム２３の一部が剥離基材１と接するように支持層２０を形成することが好ましく、図１〜６に示される接着シートのうち、図１、図３及び図４に示される接着シートが好ましい。さらに、半導体ウェハと積層体１０とを貼り合わせる際に、不要な部分である支持層２０の剥離を防ぐためには、支持層２０の端部すべてで剥離基材１と支持粘着フィルム２３とが接している、図４に示される接着シートが特に好ましい。これら２点と上記支持層２０の形成位置から、支持層２０は端部すべてで剥離基材１と支持粘着フィルム２３とが接しており、両方の面積ができる限り大きく、剥離基材１における積層体１０が形成されている部分と短手方向中央部とを除く部分をできる限り多く覆うように形成されていることが最も好ましい。
In the
本発明の接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との積層状態は、それぞれが同じ大きさでちょうど重なり合うように積層されている構造も考えられるが、ウェハリングと半導体素子の大きさの関係上、粘着フィルム３はその外周の５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは９０％以上が、接着剤層の外周の外側にあることが好ましい。その部分は剥離基材１と粘着フィルム層３とがこの順に備えた形状であることが好ましい。更に、本発明の接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との積層状態は、粘着フィルム３が接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように形成されていることが好ましい。すなわち、接着剤層２の平面形状の面積よりも粘着フィルム３の平面形状の面積が大きく、接着剤層２が包み込まれており、接着剤層２の周囲において剥離基材１と粘着フィルム層３とが直接接している状態となっていることが好ましい。なお、接着剤層２は、剥離起点として外周の一部に突出部を有していてもよく、この突出部は粘着フィルム３で覆われていなくてもよい。
In the adhesive sheet of the present invention, the laminated state of the
接着剤層２の形状としては、半導体ウェハの貼り付けが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、ウェハ形状（円の外周の一部が直線である形状）、四角形、五角形、六角形、八角形などが挙げられる。なお、接着剤層２において、半導体ウェハを貼り付ける部分以外の部分は無駄になるため、円形の平面形状を有する一般的な半導体ウェハと貼り合わせる場合には、接着剤層２は、円形の平面形状又は半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状（半導体ウェハ形状）であることが好ましい。また、接着剤層２の外周の一部が粘着フィルム３の外周の一部の近傍にあるようにするために、外周の一部に凸部を有していてもよい。
The shape of the
粘着フィルム３の形状としては、ウェハリングと密着させることが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、四角形、五角形、六角形、八角形、菱形形状、星型などが挙げられる。なお、現在のウェハリングの形状及び半導体素子の形状を考慮すると、粘着フィルム３の平面形状は、円形もしくは円形に順ずる形状であることが好ましい。更に、半導体素子との貼付けを考慮すると、接着剤層２の平面形状と似た平面形状であることが好ましい。
The shape of the
接着剤層２は、特に制限されないが、例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び、酸素反応性接着剤等により構成される。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着剤として半導体素子の固定に使用されることを考慮すると、接着剤層２は熱硬化性接着剤により構成されていることが好ましい。
The
熱硬化性接着剤としては、熱により硬化するものであれば特に制限はなく、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソジアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ熱重合性成分を含むものが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着シートとしての耐熱性及び熱硬化による接着力を考慮すると、上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。 The thermosetting adhesive is not particularly limited as long as it is cured by heat, and heat having a functional group such as a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group or an amide group. The thing containing a polymeric component is mentioned. These can be used singly or in combination of two or more types, and in consideration of heat resistance as an adhesive sheet and adhesive force due to thermosetting, the above-mentioned thermopolymerizable component and thermoplastic resin are contained. It is preferable to use a thermosetting adhesive.
ここで、熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、または少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限されないが、（Ａ）Ｔｇ（ガラス転移温度）が１０〜１００℃であり、且つ、重量平均分子量が５０００〜２０００００であるもの、又は（Ｂ）Ｔｇが−５０℃〜１０℃であり、且つ、重量平均分子量が１０００００以上であるもの、が好ましい。 Here, the thermoplastic resin is not particularly limited as long as it is a thermoplastic resin, or at least a resin that has thermoplasticity in an uncured state and forms a crosslinked structure after heating. However, (A) Tg (glass transition (Temperature) is 10 to 100 ° C. and the weight average molecular weight is 5000 to 200000, or (B) Tg is −50 ° C. to 10 ° C. and the weight average molecular weight is 100,000 or more, Is preferred.
前者の熱可塑性樹脂（Ａ）としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などが挙げられる。これらの中でもポリイミド樹脂を用いることが好ましい。 As the former thermoplastic resin (A), for example, polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, Examples include polyether ketone resins. Among these, it is preferable to use a polyimide resin.
後者の熱可塑性樹脂（Ｂ）としては、官能性モノマーを含む重合体を使用することが好ましく、この重合体の官能性モノマーの官能基としてはグリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基などが挙げられ、中でもグリシジル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの官能基モノマーを含むグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と非相溶であることがより好ましい。 As the latter thermoplastic resin (B), it is preferable to use a polymer containing a functional monomer. The functional group of the functional monomer of this polymer is glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group. , An isocyanurate group, an amino group, an amide group, etc. Among them, a glycidyl group is preferable. More specifically, a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer containing a functional group monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is preferable, and is more preferably incompatible with a thermosetting resin such as an epoxy resin. .
上記官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、それらの中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス（株）製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）等が挙げられる。 Examples of the high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more including the functional monomer include a glycidyl group containing a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate and having a weight average molecular weight of 100,000 or more. Examples include (meth) acrylic copolymers, and among them, those that are incompatible with the epoxy resin are preferable. Specific examples of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer include HTR-860P-3 (trade name) manufactured by Nagase ChemteX Corporation.
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。 As the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer, for example, (meth) acrylic ester copolymer, acrylic rubber and the like can be used, and acrylic rubber is more preferable. The acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like.
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体における、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ樹脂含有モノマー単位の量は、モノマー全量を基準として０．５〜６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％が特に好ましい。グリシジル基含有モノマー単位の量がこの範囲にあると、十分な接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。 The amount of the epoxy resin-containing monomer unit such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate in the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer is preferably 0.5 to 6.0% by mass based on the total amount of the monomers, 0.5 -5.0 mass% is more preferable, and 0.8-5.0 mass% is especially preferable. When the amount of the glycidyl group-containing monomer unit is within this range, sufficient adhesive force can be ensured and gelation can be prevented.
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層２のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。
Examples of the functional monomer other than glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate include ethyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and these can be used alone or in combination of two or more. In the present invention, ethyl (meth) acrylate refers to both ethyl acrylate and ethyl methacrylate. In the case of using a combination of functional monomers, the mixing ratio is determined in consideration of Tg of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer, and it is preferable that Tg is −10 ° C. or higher. When Tg is −10 ° C. or higher, the tackiness of the
上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。 When the above monomer is polymerized to produce a high molecular weight component having a functional monomer-containing weight average molecular weight of 100,000 or more, the polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include methods such as pearl polymerization and solution polymerization. Can be used.
官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。 The weight average molecular weight of the high molecular weight component containing the functional monomer is 100,000 or more, preferably 300,000 to 3,000,000, and more preferably 500,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is within this range, the strength, flexibility, and tackiness of a sheet or film are appropriate, and the flowability is appropriate, so the circuit fillability of wiring is ensured. It tends to be possible. In the present invention, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.
また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。 Moreover, the usage-amount of the high molecular weight component whose weight average molecular weight containing a functional monomer is 100,000 or more has preferable 10-400 mass parts with respect to 100 mass parts of thermopolymerizable components. When it is in this range, storage elastic modulus and flowability during molding can be ensured, and handling properties at high temperatures tend to be good. Moreover, 15-350 mass parts is more preferable, and 20-300 mass parts is especially preferable with respect to 100 mass parts of thermopolymerizable components.
また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができるが、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れるダイボンドダイシングシートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。 The thermopolymerizable component is not particularly limited as long as it is polymerized by heat. For example, functional groups such as glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group, isocyanurate group, amino group, amide group, etc. These compounds can be used alone or in combination of two or more, but considering the heat resistance as an adhesive sheet, they are cured by heat and have an adhesive action. It is preferable to use a resin. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a phenol resin, a thermosetting polyimide resin, a polyurethane resin, a melamine resin, and a urea resin, and in particular, heat resistance, workability, and reliability. It is most preferable to use an epoxy resin in that a die-bonded dicing sheet excellent in the above can be obtained. When using an epoxy resin as the thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent together.
上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを使用することができる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. For example, a bifunctional epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin, a novolak such as a phenol novolac type epoxy resin or a cresol novolac type epoxy resin. A type epoxy resin or the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be used. These can be used alone or in combination of two or more.
上記エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製のエピコートシリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び、東都化成（株）製のＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬（株）製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。更に、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、東都化成（株）製のＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。 As the epoxy resin, for example, as bisphenol A type epoxy resin, Epicoat series (Epicoat 807, Epicoat 815, Epicoat 825, Epicoat 827, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. Epicoat 1007, Epicoat 1009), DER-330, DER-301, DER-361 manufactured by Dow Chemical Company, YD8125, YDF8170 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., and the like. Examples of the phenol novolac type epoxy resin include Epicoat 152 and Epicoat 154 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., EPPN-201 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DEN-438 manufactured by Dow Chemical Company, and the like. Furthermore, as the o-cresol novolak type epoxy resin, EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. YDCN701, YDCN702, YDCN703, YDCN704 and the like.
多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製のＥｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス（株）製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。 As the polyfunctional epoxy resin, Epon 1031S manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Araldite 0163 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Denacor EX-611, EX-614, EX-614B, EX manufactured by Nagase ChemteX Corporation -622, EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321 and the like.
アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製のエピコート６０４、東都化成（株）製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 As the amine type epoxy resin, Epicoat 604 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YH-434 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., TETRAD-X and TETRAD-C manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Sumitomo Chemical Co., Ltd. ELM-120 manufactured by the company and the like can be mentioned. Examples of the heterocyclic ring-containing epoxy resin include Araldite PT810 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, ERL4234, ERL4299, ERL4221, and ERL4206 manufactured by UCC. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 When using an epoxy resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent. As the epoxy resin curing agent, known curing agents that are usually used can be used, for example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, dicyandiamide, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol. Examples thereof include bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule such as S, phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin or cresol novolac resin. Among these, phenol resins such as phenol novolak resin, bisphenol A novolak resin, and cresol novolak resin are preferable in terms of excellent electric corrosion resistance at the time of moisture absorption. These epoxy resin curing agents can be used alone or in combination of two or more.
上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５、及び、三井化学（株）製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。 Preferred examples of the phenol resin curing agent include, for example, trade names: Phenolite LF2882, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149, Phenolite, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. VH-4150, Phenolite VH4170, Meiwa Kasei Co., Ltd., trade name: H-1, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: EpiCure MP402FPY, EpiCure YL6065, EpiCure YLH129B65, and Mitsui Chemicals, Inc. Product names: Mirex XL, Mirex XLC, Mirex RN, Mirex RS, Mirex VR, and the like.
接着剤層２は、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａであることが好ましい。ここで、接着剤層２の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やす方法、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げる方法、フィラーを添加する方法等が挙げられる。
The
上記接着剤層２が熱重合性成分を含む場合、接着剤層２には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
When the
この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。 5 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of a thermopolymerizable component, and, as for the addition amount of this hardening accelerator, 3 mass parts or less are more preferable. When this addition amount exceeds 5 parts by mass, the storage stability tends to decrease.
接着剤層２には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分などが挙げられる。これらは、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することもできる。
For the purpose of improving the flexibility and reflow crack resistance, a high molecular weight resin compatible with the thermopolymerizable component can be added to the
熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、接着剤層が熱重合性成分を含む場合、熱重合性成分の総量１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤層２のＴｇを確保することができる。
The amount of the high molecular weight resin that is compatible with the thermopolymerizable component may be 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total amount of the thermopolymerizable component when the adhesive layer includes the thermopolymerizable component. preferable. Within this range, the Tg of the
また、接着剤層２には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。また、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。
In addition, an inorganic filler can be added to the
無機フィラーの添加量は、接着剤層２の総量を基準として１〜２０質量％が好ましい。添加量が１質量％未満であると添加効果が十分に得られない傾向があり、２０質量％を超えると、接着剤層２の粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
The addition amount of the inorganic filler is preferably 1 to 20% by mass based on the total amount of the
また、接着剤層２には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
Various adhesives can also be added to the
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層２全量を基準として０．０１〜１０質量％とするのが好ましい。
It is preferable that the usage-amount of the said coupling agent shall be 0.01-10 mass% on the basis of the
更に、接着剤層２には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
Furthermore, an ion scavenger can be added to the
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層２全量を基準として０．１〜１０質量％が好ましい。
The amount of the ion scavenger used is preferably 0.1 to 10% by mass on the basis of the total amount of the
接着剤層２の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、１〜５０μｍであることがより好ましく、５〜４０μｍであることが特に好ましい。厚さが０．１μｍ未満であると、接着剤として十分な接着力が確保できなくなる傾向があり、１００μｍを超えると、半導体装置が肉厚になり、半導体装置の使用用途が制限される傾向がある。
The thickness of the
粘着フィルム３は、基材フィルムに粘着剤層を設けたものが好ましい。この場合、粘着フィルム３における接着剤層２と接する側の層が上記接着剤層となっている。
The
粘着フィルムに使用する基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。 Examples of the base film used for the adhesive film include polyester films such as polyethylene terephthalate films, polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, polypropylene films, polymethylpentene films, polyolefin films such as polyvinyl acetate films, poly Examples thereof include plastic films such as vinyl chloride films and polyimide films.
また、上記基材フィルムは異なる２種類以上のフィルムを積層したものであっても良い。この場合、粘着剤層が形成される側のフィルムは、半導体素子のピックアップ作業性が向上する点で、２５℃での引張弾性率が２０００ＭＰａ以上であることが好ましく、２２００ＭＰａ以上であることがより好ましく、２４００ＭＰａ以上であることが特に好ましい。 The base film may be a laminate of two or more different films. In this case, the film on the side on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed preferably has a tensile elastic modulus at 25 ° C. of 2000 MPa or more, more preferably 2200 MPa or more in terms of improving the pick-up workability of the semiconductor element. Preferably, it is particularly preferably 2400 MPa or more.
また、粘着剤層が形成される側と反対側のフィルムは、フィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、２５℃での引張弾性率が１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、８００ＭＰａ以下であることがより好ましく、６００ＭＰａ以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７１１３号に準じて測定されるものである。 Further, the film on the side opposite to the side on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed preferably has a tensile modulus of elasticity of 1000 MPa or less at 25 ° C. in terms of large film elongation and good workability in the expanding step. More preferably, it is 800 MPa or less, and particularly preferably 600 MPa or less. This tensile elastic modulus is measured according to JIS K7113.
基材フィルムが２種以上のフィルムを積層したものである場合、その積層方法としては特に制限はなく、別々に作製したフィルムをラミネートする方法、一方のフィルム上に他方のフィルムを押出しラミネートする方法、２種類以上のフィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、一方のフィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、他方のフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法、及び、接着剤を用いて２種以上のフィルムを貼り合わせる方法等、公知の方法を使用することができる。
When the base film is a laminate of two or more types of films, the lamination method is not particularly limited, a method of laminating separately produced films, a method of extruding and laminating the other film on one film A method in which two or more kinds of films are bonded together by extrusion coating, a method in which a polymer as a raw material of one film is dissolved or dispersed in a solvent to form a varnish, and is applied onto the other film and heated to remove the solvent, And well-known methods, such as the method of
粘着フィルム３を構成する上記粘着剤層としては、高エネルギー線又は熱によって硬化する（すなわち、粘着力を制御できる）ものが好ましく、高エネルギー線によって硬化するものがより好ましく、紫外線によって硬化するものが特に好ましい。
The pressure-sensitive adhesive layer constituting the pressure-
かかる粘着剤層を構成する粘着剤としては、従来から種々のタイプが知られている。それらの中から、高エネルギー線の照射によって、接着剤層１４に対する粘着力が低下するものを適宜選んで用いることが好ましい。 Various types of pressure-sensitive adhesives constituting such a pressure-sensitive adhesive layer are conventionally known. Among them, it is preferable to appropriately select and use one whose adhesive strength to the adhesive layer 14 is reduced by irradiation with high energy rays.
上記粘着剤としては、特に制限されないが、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。 Although it does not restrict | limit especially as said adhesive, For example, the high energy ray polymerization which has an ethylenically unsaturated group in the side chain, the compound which has a diol group, an isocyanate compound, a urethane (meth) acrylate compound, a diamine compound, a urea methacrylate compound, etc. For example, a functional copolymer. These can be used alone or in combination of two or more.
また、粘着剤層が熱により硬化する熱重合性成分を含む場合、粘着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。 When the pressure-sensitive adhesive layer contains a heat-polymerizable component that is cured by heat, a curing accelerator may be further added to the pressure-sensitive adhesive layer. There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator, For example, imidazole etc. are mentioned. Specific examples include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. Or in combination of two or more.
硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。 5 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of a thermopolymerizable component, and, as for the addition amount of a hardening accelerator, 3 mass parts or less are more preferable. When this addition amount exceeds 5 parts by mass, the storage stability tends to decrease.
また、粘着剤層が高エネルギー線の照射により硬化する高エネルギー線重合性成分を含む場合、粘着剤層には、活性光線の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体などが挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。 When the pressure-sensitive adhesive layer contains a high-energy ray polymerizable component that is cured by irradiation with high-energy rays, a photopolymerization initiator that generates free radicals upon irradiation with actinic rays can be added to the pressure-sensitive adhesive layer. . Examples of such a photopolymerization initiator include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4- Methoxy-4′-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1- Aromatic ketones such as hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropanone-1, 2,4-diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone , Benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin Benzoin ether such as nyl ether, benzoin such as methyl benzoin and ethyl benzoin, benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4 , 5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-phenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer 2-mer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer, 2- (2,4-dimethoxy) 2,4,5-triarylimidazole dimer such as phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer , 9-phenyl acridine, 1,7-bis (9,9'-acridinyl) including acridine derivatives heptane, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はないが、高エネルギー線重合性成分の総量１００質量部に対して通常０．０１〜３０質量部である。 Although there is no restriction | limiting in particular as the usage-amount of the said photoinitiator, Usually, it is 0.01-30 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of a high energy ray polymeric component.
粘着フィルム３において、粘着剤層の厚さは、０．１〜２０μｍであることが好ましい。この厚さが０．１μｍ未満であると、十分な粘着力を確保することが困難となる傾向があり、ダイシング時に半導体チップが飛散する可能性があり、２０μｍを超えると、経済的でなくなる上に、特性上特に有利な点はない。
In the pressure-
剥離基材１は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
The peeling
また、剥離基材１の接着剤層２と接する側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。
Further, the surface of the
剥離基材１の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜１００μｍであることがより好ましく、３０〜５０μｍであることが特に好ましい。
Although the thickness of the
以上説明した本発明の接着シートは、上記各層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、剥離基材１上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。
The adhesive sheet of the present invention described above can be obtained by dissolving or dispersing the composition forming each layer in a solvent to form a varnish, applying the varnish on the
ここで、上記のワニス化するための溶剤としては特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。 Here, the solvent for varnishing is not particularly limited, but considering the volatility during film production, for example, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, It is preferable to use a solvent having a relatively low boiling point such as methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, and xylene.
また、塗膜性を向上させるなどの目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 For the purpose of improving the coating properties, for example, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone and cyclohexanone can be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用することが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。 For the production of the varnish when the inorganic filler is added, it is preferable to use a raking machine, a three-roll, a ball mill, a bead mill or the like in consideration of the dispersibility of the inorganic filler, or a combination thereof. You can also. Moreover, after mixing an inorganic filler and a low molecular weight raw material beforehand, the mixing time can also be shortened by mix | blending a high molecular weight raw material. Further, after the varnish is formed, the bubbles in the varnish can be removed by vacuum degassing or the like.
以上説明したような構成の接着シートに放射線等の高エネルギー線を照射すると、照射後には接着剤層２と粘着フィルム３との界面の粘着力が大きく低下し、半導体素子に接着剤層２を保持したまま粘着フィルム３から容易にピックアップすることが可能となる。
When the adhesive sheet having the structure as described above is irradiated with high energy rays such as radiation, the adhesive strength at the interface between the
本発明の接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との界面の粘着力を低下させる方法としては、放射線等の高エネルギー線の照射のみで粘着力を低下させる方法以外に、高エネルギー線の照射と同時に又は照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用する方法が挙げられる。加熱を併用することにより、より低温短時間での粘着力の低下が可能となる。加熱温度は、接着剤層の分解点以下であれば特に制限は受けないが、５０〜１７０℃の温度が好ましい。
In the adhesive sheet of the present invention, the method for reducing the adhesive strength at the interface between the
（接着シートの製造方法）
次に本発明の接着シートを製造する方法について説明する。
(Adhesive sheet manufacturing method)
Next, a method for producing the adhesive sheet of the present invention will be described.
本発明の接着シートは、例えば、接着剤層２を剥離基材１に塗布する際にあらかじめ部分的に接着剤層２を形成するためのワニス等の原材料を分布させておく方法や、剥離基材１にマスクをし、このマスク部以外の部分に上記のワニス等の原材料を塗布する方法等を用いて形成することができるが、作業の簡便さを考慮すると、あらかじめ剥離基材１の全面に接着剤層２を塗布法により形成し、打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。また、粘着フィルム３を部分的に形成する方法としても、上記と同様に打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。
The adhesive sheet of the present invention includes, for example, a method in which raw materials such as varnish for partially forming the
ここで、図７（ａ）〜（ｆ）は本発明の接着シートの製造方法の第１実施形態を示す一連の工程図である。第１実施形態にかかる本発明の接着シートの製造方法においては、まず、図７（ａ）に示すように、剥離基材１上の全面に接着剤層２を積層する（第１の積層工程）。次に、図７（ｂ）に示すように、金型５又はそれに相当する部材を用いて、接着剤層２の剥離基材１に接する側と反対側の面Ｆ１から剥離基材１に達するまで切り込みを入れ、所定の形状に打ち抜き加工を施す（第１の切断工程）。その後、図７（ｃ）に示すように、打ち抜き加工を施した接着剤層２の不要部分６を除去し、図７（ｄ）に示すように、所定の平面形状を有する接着剤層２と、その外方に配置される支持接着剤層２２とを形成する。次に、図７（ｅ）及び（ｆ）に示すように、接着剤層２の平面形状よりも一回り大きい平面形状に予め切断された粘着フィルム３を、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１と接するように積層するとともに、支持接着剤層２２と略同一形状に予め切断された支持粘着フィルム２３を、支持接着剤層２２上に積層する（第２の積層工程）。このとき、粘着フィルム３と支持粘着フィルム２３とは同一の組成を有するものであってもよく、異なる組成を有するものであってもよい。以上により、接着シート１６０を作製することができる。
Here, Fig.7 (a)-(f) is a series of process drawings which show 1st Embodiment of the manufacturing method of the adhesive sheet of this invention. In the manufacturing method of the adhesive sheet of the present invention according to the first embodiment, first, as shown in FIG. 7A, the
また、図８（ａ）〜（ｇ）は本発明の接着シートの製造方法の第２実施形態を示す一連の工程図である。第２実施形態にかかる本発明の接着シートの製造方法においては、まず、図８（ａ）に示すように、剥離基材１上の全面に接着剤層２を積層する（第１の積層工程）。次に、図８（ｂ）に示すように、金型５又はそれに相当する部材を用いて、接着剤層２の剥離基材１に接する側と反対側の面Ｆ１から剥離基材１に達するまで切り込みを入れ、所定の形状に打ち抜き加工を施す（第１の切断工程）。その後、図８（ｃ）に示すように、打ち抜き加工を施した接着剤層２の不要部分６を除去し、図８（ｄ）に示すように、所定の平面形状を有する接着剤層２と、その外方に配置される支持接着剤層２２とを形成する。次に、図８（ｅ）に示すように、接着剤層２、支持接着剤層２２及び露出している剥離基材１の全体を覆うように粘着フィルム３を積層する（第３の積層工程）。次に、図８（ｆ）及び（ｇ）に示すように、粘着フィルム３に対して金型等を用いて打ち抜き加工を施すことにより、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１と接するように積層された粘着フィルム３と、支持接着剤層２２を覆い、且つ、一端が剥離基材１と接するように積層された支持粘着フィルム２３とを形成する（第２の切断工程）。以上により、接着シート１７０を作製することができる。
Moreover, FIG. 8 (a)-(g) is a series of process drawings which shows 2nd Embodiment of the manufacturing method of the adhesive sheet of this invention. In the method for producing an adhesive sheet of the present invention according to the second embodiment, first, as shown in FIG. 8A, the
これらの接着シートの製造方法において、第１の積層工程による接着剤層２の積層は、例えば、接着剤層２を構成する材料を溶剤に溶解又は分散してなる接着剤層形成用ワニスを剥離基材１２上に塗布し、加熱により溶剤を除去することで行うことができる。
In these adhesive sheet manufacturing methods, the
また、第３の積層工程における粘着フィルム３の積層は、例えば、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布した後、加熱により溶剤を除去して、基材フィルム及び粘着剤層からなる粘着フィルム３を形成する。そして、得られた粘着フィルム３を、接着剤層２、支持接着剤層２２及び露出している剥離基材１の全体を覆うように積層することによって行うことができる。
Moreover, lamination | stacking of the
ここで、剥離基材１及び基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。
Here, as a method for applying the varnish to the peeling
また、粘着フィルム３の積層は、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。
Moreover, lamination | stacking of the
（半導体装置の製造方法）
次に、本発明の接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について、図９を用いて説明する。なお、以下の説明においては、接着シートとして図１に示した接着シート１００を用いる場合について説明する。また、接着シート１００において、粘着フィルム３は、粘着剤層と基材フィルムとが積層された構成を有していることとする。
(Method for manufacturing semiconductor device)
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet of the present invention will be described with reference to FIG. In the following description, the case where the
図９（ａ）〜（ｃ）は、接着シート１００における積層体１０を半導体ウェハ３２に貼り付ける作業を行う一連の工程図である。図９（ａ）に示すように、接着シート１００は、剥離基材１がキャリアフィルムの役割を果たしており、２つのロール６２及び６６と、楔状の部材６４とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯４４に接続された状態で巻回され第１のロール４２を形成し、他端が円柱状の巻芯５４に接続された状態で巻回され第２のロール５２を形成している。そして、第２のロール５２の巻芯５４には、当該巻芯５４を回転させるための巻芯駆動用モータ（図示せず）が接続されており、積層体１０が剥離された後の剥離基材１が所定の速度で巻回されるようになっている。
FIGS. 9A to 9C are a series of process diagrams for performing an operation of attaching the
まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第２のロール５２の巻芯５４が回転し、第１のロール４２の巻芯４４に巻回されている接着シート２が第１のロール４２の外部に引き出される。そして、引き出された接着シート１００は、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ３２及びそれを囲むように配置されたウェハリング３４上に導かれる。
First, when the winding core driving motor rotates, the winding
次に、剥離基材１から、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる積層体１０が剥離される。このとき、接着シート１００の剥離基材１側から楔状の部材６４が当てられており、剥離基材１は部材６４側へ鋭角に曲げられ、剥離基材１と積層体１０との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材１と積層体１０との境界面にエアーが吹き付けられている。
Next, the laminate 10 composed of the
このようにして剥離基材１と積層体１０との間に剥離起点が作り出された後、図９（ｂ）に示すように、粘着フィルム３がウェハリング３４と密着し、接着剤層２が半導体ウェハ３２と密着するように積層体１０の貼り付けが行われる。このとき、ロール６８によって積層体１０は半導体ウェハ３２に圧着されることとなる。そして、図９（ｃ）に示すように、半導体ウェハ３２上への積層体１０の貼り付けが完了し、積層体付き半導体ウェハが得られる。
After the peeling starting point is created between the peeling
以上のような手順により、半導体ウェハ３２への積層体１０の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハ３２への積層体１０の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック（株）製のＲＡＤ−２５００（商品名）等が挙げられる。
By the procedure as described above, the laminate 10 can be attached to the
このような工程により積層体１０を半導体ウェハ３２に貼り付ける場合、接着シート１００はロール状に巻き取られた状態（第１のロール４２）で用いられるが、このとき、接着シート１００が支持層２０を有していることにより、接着剤層２に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。これにより、半導体ウェハ３２に積層体１０を貼り付ける際に空気の巻き込み等を低減することができ、半導体ウェハ３２と接着剤層２との界面におけるボイドの発生を十分に抑制することができる。
When the
次に、上記の工程により得られた積層体付き半導体ウェハをダイシングし、必要な大きさの積層体付き半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層２及び粘着フィルム３により半導体ウェハ３２は積層体１０に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハが脱落することが抑制される。
Next, the semiconductor wafer with a laminated body obtained by the above process is diced to obtain a semiconductor element with a laminated body having a required size. Here, steps such as washing and drying may be further performed. At this time, since the
次に、放射線等の高エネルギー線を積層体１０の粘着フィルム３に照射し、粘着フィルム３における粘着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。
Next, a high energy ray such as radiation is irradiated to the
粘着フィルム３への高エネルギー線の照射は、基材フィルムの粘着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルムは光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。
Irradiation of the high energy ray to the
高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材フィルムの下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子と接着剤層２との間の粘着力は、接着剤層２と粘着剤層との間の粘着力よりも大きくなるため、半導体素子のピックアップを行うと、接着剤層２と粘着剤層との界面で剥離が生じ、接着剤層２が半導体素子の下面に付着した状態の接着剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。
After the high energy beam irradiation, the semiconductor element to be picked up is picked up by, for example, a suction collet. At this time, the semiconductor element to be picked up can be pushed up from the lower surface of the base film by, for example, a needle rod. By curing the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive force between the semiconductor element and the
この接着剤層付き半導体素子を、接着剤層２を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層２は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。
This semiconductor element with an adhesive layer is placed on a support member for mounting a semiconductor element via the
その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。 Then, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.
（半導体装置）
図１０は、上述した半導体装置の製造方法により製造される本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
(Semiconductor device)
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the semiconductor device of the present invention manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device described above.
図１０に示すように、半導体装置３００は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板７０上に、接着剤層２及び半導体素子７２からなる接着剤層付き半導体素子が２つ積層されている。また、有機基板７０には、回路パターン７４及び端子７６が形成されており、この回路パターン７４と２つの半導体素子７２とが、ワイヤボンド７８によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材８０により封止され、半導体装置３００が形成されている。この半導体装置３００は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート１００を用いて製造されるものである。
As shown in FIG. 10, in the
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example.
（接着剤層形成用ワニスの作製）
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ−７０３、東都化成（株）製、エポキシ当量：２２０）６０質量部、及び、硬化剤として低吸水性フェノール樹脂（商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、三井化学（株）製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量部に、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合し、第１のワニスを調製した。次に、この第１のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＮＵＣ Ａ−１８９、日本ユニカー（株）製）１．５質量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＣＵ Ａ−１１６０、日本ユニカー（株）製）３質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー（商品名：Ｒ９７２Ｖ、日本アエロジル（株）製）３２質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第２のワニスを調製した。次に、この第２のワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、帝国化学産業（株）製）２００質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ、四国化成（株）製）０．５質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。
(Preparation of adhesive layer forming varnish)
First, 60 parts by mass of a cresol novolak type epoxy resin (trade name: YDCN-703, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., epoxy equivalent: 220) as an epoxy resin, and a low water absorption phenol resin (trade name: XLC-) as a curing agent LL, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., phenol xylene glycol dimethyl ether condensate) was added to 1500 parts by mass of cyclohexanone and stirred and mixed to prepare a first varnish. Next, 1.5 parts by mass of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (trade name: NUC A-189, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) as a coupling agent, and γ-ureido as a
（実施例１）
上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名：テイジンピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム（株）製）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。
Example 1
The adhesive layer-forming varnish is applied onto a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film (trade name: Teijin Purex A31, manufactured by Teijin DuPont Films, Ltd.), which is a release substrate, and heat-dried at 140 ° C. for 5 minutes. And an adhesive layer in a B-stage state having a film thickness of 10 μm was formed.
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節してφ２１０ｍｍの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に接着剤層（支持接着剤層）が残る形状になるよう加工を行った（第１の切断工程）。 The obtained adhesive layer is adjusted so that the depth of cut into the release substrate is 10 μm or less, and is subjected to circular precut processing of φ210 mm, and adhesive is applied to both ends of the release substrate in the short direction. Processing was performed so that the layer (support adhesive layer) remained (first cutting step).
その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状にφ２９０ｍｍの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に残った支持接着剤層上に粘着フィルム（支持粘着フィルム）が積層され、該支持粘着フィルムが支持接着剤層を覆い、且つ、支持粘着フィルムの剥離基材中央部側の端部が剥離基材と接した状態となるよう加工を行った（第２の切断工程）。これにより、図３に示す構造を有する接着シートを得た。 Thereafter, unnecessary portions of the adhesive layer were removed, and the pressure-sensitive adhesive film was pasted at room temperature, linear pressure of 1 kg / cm, and speed of 0.5 m / min so that the pressure-sensitive adhesive layer was in contact with the adhesive layer. Then, the adhesive film is adjusted so that the depth of cut into the release substrate is 10 μm or less, and is subjected to a circular precut process of φ290 mm concentrically with the adhesive layer, and in the short direction of the release substrate. An adhesive film (supporting adhesive film) is laminated on the supporting adhesive layer remaining at both ends, the supporting adhesive film covers the supporting adhesive layer, and an end of the supporting adhesive film on the central side of the peeling substrate is Processing was performed so as to be in contact with the release substrate (second cutting step). Thereby, an adhesive sheet having the structure shown in FIG. 3 was obtained.
（実施例２）
接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。
(Example 2)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 25 μm.
（実施例３）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。
(Example 3)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 40 μm.
（実施例４）
上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名：テイジンピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム（株）製）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。
Example 4
The adhesive layer forming varnish is applied on a polyethylene terephthalate film (trade name: Teijin Purex A31, manufactured by Teijin DuPont Films Co., Ltd.) having a film thickness of 50 μm, and heated and dried at 140 ° C. for 5 minutes. A 10 μm B-stage adhesive layer was formed.
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節してφ２１０ｍｍの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に接着剤層（支持接着剤層）が残る形状になるよう加工を行った（第１の切断工程）。 The obtained adhesive layer is adjusted so that the depth of cut into the release substrate is 10 μm or less, and is subjected to circular precut processing of φ210 mm, and adhesive is applied to both ends of the release substrate in the short direction. Processing was performed so that the layer (support adhesive layer) remained (first cutting step).
その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状にφ２９０ｍｍの円形プリカット加工を行うとともに、支持接着剤層への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して、剥離基材の短手方向の両端部に残った支持接着剤層上に粘着フィルム（支持粘着フィルム）が支持接着剤層の短手方向中央部に積層された状態となるよう加工を行った（第２の切断工程）。これにより、図６に示す構造を有する接着シートを得た。 Thereafter, unnecessary portions of the adhesive layer were removed, and the pressure-sensitive adhesive film was pasted at room temperature, linear pressure of 1 kg / cm, and speed of 0.5 m / min so that the pressure-sensitive adhesive layer was in contact with the adhesive layer. Then, the adhesive film is adjusted so that the depth of cut into the release substrate is 10 μm or less, and is subjected to a circular pre-cut process of φ290 mm concentrically with the adhesive layer, and the depth of cut into the support adhesive layer Is adjusted to be 10 μm or less, and the adhesive film (supporting adhesive film) is placed on the center part in the short direction of the supporting adhesive layer on the supporting adhesive layer remaining at both ends in the short direction of the peeling substrate. It processed so that it might be in the laminated | stacked state (2nd cutting process). Thereby, an adhesive sheet having the structure shown in FIG. 6 was obtained.
（実施例５）
接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例４と同様にして接着シートを得た。
(Example 5)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 4 except that the thickness of the adhesive layer was 25 μm.
（実施例６）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例５と同様にして接着シートを得た。
(Example 6)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 5 except that the thickness of the adhesive layer was 40 μm.
（比較例１）
上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名：テイジンピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム（株）製）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。
(Comparative Example 1)
The adhesive layer forming varnish is applied on a polyethylene terephthalate film (trade name: Teijin Purex A31, manufactured by Teijin DuPont Films Co., Ltd.) having a film thickness of 50 μm, and heated and dried at 140 ° C. for 5 minutes. A 10 μm B-stage adhesive layer was formed.
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節してφ２１０ｍｍの円形プリカット加工を行った。 The obtained adhesive layer was subjected to circular precut processing with a diameter of 210 mm by adjusting the depth of cut into the release substrate to 10 μm or less.
その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状にφ２９０ｍｍの円形プリカット加工を行った。これにより、図１１に示す構造を有する接着シートを得た。 Thereafter, unnecessary portions of the adhesive layer were removed, and the pressure-sensitive adhesive film was pasted at room temperature, linear pressure of 1 kg / cm, and speed of 0.5 m / min so that the pressure-sensitive adhesive layer was in contact with the adhesive layer. Then, the adhesive film was adjusted so that the depth of cut into the release substrate was 10 μm or less, and a circular precut process of φ290 mm was performed concentrically with the adhesive layer. As a result, an adhesive sheet having the structure shown in FIG. 11 was obtained.
（比較例２）
接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は比較例１と同様にして接着シートを得た。
(Comparative Example 2)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 25 μm.
（比較例３）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は比較例１と同様にして接着シートを得た。
(Comparative Example 3)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 40 μm.
［巻き跡の転写抑制性評価試験］
実施例１〜６及び比較例１〜３の接着シートを、円形形状の粘着フィルムの数が３００枚になるように、巻き取り張力を１ｋｇ又は３ｋｇとしてロール状に巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを２週間冷蔵庫内（５℃）で放置した。その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、１５０枚目のフィルムについて目視にて巻き跡の転写の有無を観察し、以下の評価基準に従って、○、△、×の３段階で接着シートの巻き跡の転写抑制性を評価した。その結果を表１に示す。
○：あらゆる角度から観察しても凹み（巻き跡の転写）を確認できない、
△：フィルム上面からは凹み（巻き跡の転写）が確認できないが、フィルムの角度を変え観察することで凹みが確認できる、
×：フィルム上面から観察し、フィルム上に凹み（巻き跡の転写）が確認できる。
[Evaluation test of transcriptional inhibition of winding marks]
The adhesive sheets of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 were wound into a roll with a winding tension of 1 kg or 3 kg so that the number of circular adhesive films was 300, and an adhesive sheet roll was produced. did. The obtained adhesive sheet roll was left in a refrigerator (5 ° C.) for 2 weeks. Then, after returning the adhesive sheet roll to room temperature, the roll is unwound, and the presence or absence of the transfer of the trace is visually observed for the 150th film, and bonded in three stages according to the following evaluation criteria: ○, Δ, × The transfer inhibition of the sheet trace was evaluated. The results are shown in Table 1.
○: Even if observed from any angle, dents (transfer of traces) cannot be confirmed.
Δ: No dent (transfer of traces) can be confirmed from the upper surface of the film, but the dent can be confirmed by changing the angle of the film and observing.
X: Observed from the upper surface of the film, and dents (transfer of traces) can be confirmed on the film.
また、巻き跡の転写抑制性を評価した後の接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムを剥離基材から剥離し、これを接着剤層側から半導体ウェハに貼り付けたときのボイドの発生の有無を目視にて評価した。その結果、上記巻き跡の転写抑制性の評価結果が○であったものは、ボイドの発生も十分に抑制されており、△であったものは、ボイドがやや発生しており、×であったものは、ボイドが多く発生していることが確認された。 In addition, in the adhesive sheet after evaluating the transfer inhibition of the trace, the occurrence of voids when the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film are peeled off from the release substrate and this is attached to the semiconductor wafer from the adhesive layer side. The presence or absence was evaluated visually. As a result, when the evaluation result of the transfer inhibition property of the above-mentioned trace was ◯, the generation of voids was sufficiently suppressed, and when the evaluation was △, the voids were slightly generated, and ×. It was confirmed that many voids were generated.
以上の結果から明らかなように、本発明の接着シート（実施例１〜６）によれば、比較例の接着シート（比較例１〜３）と比較して、ロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができ、それによって、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際にボイドの発生を十分に抑制することができることが確認された。 As is clear from the above results, according to the adhesive sheets of the present invention (Examples 1 to 6), in comparison with the comparative example of the adhesive sheets (Comparative Examples 1 to 3), It was confirmed that it was possible to sufficiently suppress the transfer of the winding marks to the adhesive layer, thereby sufficiently suppressing the generation of voids when the adhesive layer was attached to the semiconductor wafer. .
１…剥離基材、２…接着剤層、３…粘着フィルム、５…金型、６…接着剤層不要部、１０…積層体、２０…支持層、２２…支持接着剤層、２３…支持粘着フィルム、１００，１１０，１２０，１３０，１４０，１５０…接着シート。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層の外方に配置される支持接着剤層とを形成する第１の切断工程と、
前記所定の平面形状の接着剤層上に、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように粘着フィルムを積層するとともに、前記支持接着剤層上に、前記粘着フィルムと同一組成であり、且つ、前記粘着フィルムの膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持粘着フィルムを積層する第２の積層工程と、
を含むことを特徴とする接着シートの製造方法。 A first laminating step of laminating an adhesive layer on the release substrate;
A notch is made from the surface of the adhesive layer opposite to the side in contact with the release substrate until it reaches the release substrate, and the adhesive layer having a predetermined planar shape is disposed outside the adhesive layer. A first cutting step to form a supporting adhesive layer;
A pressure-sensitive adhesive film is laminated on the adhesive layer having a predetermined planar shape so as to cover the adhesive layer and be in contact with the release substrate around the adhesive layer, and on the supporting adhesive layer. A second laminating step of laminating a support adhesive film having the same composition as the adhesive film and having a film thickness equal to or greater than the film thickness of the adhesive film;
The manufacturing method of the adhesive sheet characterized by including.
前記接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層の外方に配置される支持接着剤層とを形成する第１の切断工程と、
前記所定の平面形状の接着剤層、前記支持接着剤層及び前記剥離基材を覆うように、粘着フィルムを積層する第３の積層工程と、
前記粘着フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、前記所定の平面形状の接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接する前記粘着フィルムと、前記支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する第２の切断工程と、
を含むことを特徴とする接着シートの製造方法。 A first laminating step of laminating an adhesive layer on the release substrate;
A notch is made from the surface of the adhesive layer opposite to the side in contact with the release substrate until it reaches the release substrate, and the adhesive layer having a predetermined planar shape is disposed outside the adhesive layer. A first cutting step to form a supporting adhesive layer;
A third laminating step of laminating an adhesive film so as to cover the predetermined planar shape adhesive layer, the supporting adhesive layer and the release substrate;
A notch is made from the surface opposite to the release substrate side of the pressure-sensitive adhesive film to reach the release substrate, covering the adhesive layer having the predetermined planar shape, and the release group around the adhesive layer. A second cutting step for forming the pressure-sensitive adhesive film in contact with the material, and a support pressure-sensitive adhesive film disposed on the support adhesive layer;
The manufacturing method of the adhesive sheet characterized by including.
The said adhesive film is what the adhesive force with respect to the said adhesive bond layer falls by irradiation of a high energy ray, The manufacturing method of the adhesive sheet as described in any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011126576A JP5370414B2 (en) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | Manufacturing method of adhesive sheet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011126576A JP5370414B2 (en) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | Manufacturing method of adhesive sheet |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005186560A Division JP4876451B2 (en) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | Adhesive sheet |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011208151A JP2011208151A (en) | 2011-10-20 |
| JP5370414B2 true JP5370414B2 (en) | 2013-12-18 |
Family
ID=44939517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011126576A Active JP5370414B2 (en) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | Manufacturing method of adhesive sheet |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5370414B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5598865B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-10-01 | 古河電気工業株式会社 | Wafer processing tape |
| JP6710457B2 (en) * | 2016-06-01 | 2020-06-17 | 株式会社ディスコ | Expanded sheet, method for manufacturing expanded sheet, and method for expanding expanded sheet |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0618383Y2 (en) * | 1988-11-22 | 1994-05-11 | リンテック株式会社 | Adhesive label sheet for semiconductor manufacturing process |
| JP2004217757A (en) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive sheet with cushionable cover film and semiconductor device and method for producing the semiconductor device |
| JP5058428B2 (en) * | 2003-01-15 | 2012-10-24 | 日立化成工業株式会社 | Adhesive sheet, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP4505798B2 (en) * | 2003-11-10 | 2010-07-21 | 日立化成工業株式会社 | Adhesive sheet |
| JP2005162818A (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | Dicing die bond sheet |
| JP2006202927A (en) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Laminated sheet support for die attachment |
-
2011
- 2011-06-06 JP JP2011126576A patent/JP5370414B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011208151A (en) | 2011-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4876451B2 (en) | Adhesive sheet | |
| JP5733049B2 (en) | Adhesive sheet, adhesive sheet manufacturing method, adhesive sheet roll, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device | |
| JP4677758B2 (en) | Die-bonded dicing sheet, method for manufacturing the same, and method for manufacturing a semiconductor device | |
| JP6230730B2 (en) | Semiconductor processing tape | |
| JP2008303386A (en) | Adhesive sheet, method for producing the same, method for producing semiconductor device using the adhesive sheet, and the semiconductor device | |
| JPWO2005112091A1 (en) | Adhesive sheet, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof | |
| JP2009256458A (en) | Pressure-sensitive adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2011199307A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP7067073B2 (en) | Adhesive sheet roll and its manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2012082285A (en) | Adhesive sheet | |
| JP5370416B2 (en) | Adhesive sheet | |
| JP2009124127A (en) | Adhesive sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing semiconductor deice, and semiconductor device | |
| JP5957795B2 (en) | Adhesive sheet roll and semiconductor device | |
| JP5370414B2 (en) | Manufacturing method of adhesive sheet | |
| JP5453894B2 (en) | Adhesive sheet | |
| JP5370415B2 (en) | Adhesive sheet | |
| JP5767478B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor wafer processing tape and semiconductor wafer processing tape | |
| JP2013001862A (en) | Adhesive sheet, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
| JP2011126934A (en) | Adhesive sheet, method for producing semiconductor device and semiconductor device | |
| JP2013159733A (en) | Adhesion sheet and semiconductor device | |
| JP2013001774A (en) | Adhesive sheet and semiconductor device | |
| JP5578016B2 (en) | Adhesive sheet, method for manufacturing adhesive sheet, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
| JP2005255909A (en) | Adhesive sheet, manufacturing method of semiconductor device using the same, and semiconductor device | |
| JP7031141B2 (en) | Semiconductor processing tape | |
| JP2019176158A (en) | Semiconductor processing tape |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130820 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130902 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5370414 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |