JP2008303386A - Adhesive sheet, method for producing the same, method for producing semiconductor device using the adhesive sheet, and the semiconductor device - Google Patents

Adhesive sheet, method for producing the same, method for producing semiconductor device using the adhesive sheet, and the semiconductor device Download PDF

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大地 竹森
Takayuki Matsuzaki
隆行 松崎
Suzushi Furuya
涼士 古谷
Shinya Kato
慎也 加藤
Michio Masuno
道夫 増野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet, which is sufficiently suppressing transfer of a rolling trace to an adhesive layer when rolling up the adhesive sheet having an adhesive layer formed in a predetermined plane form and is also sufficiently suppressing void generation due to air inclusion when sticking the adhesive layer to an adherend, a method for producing the same, a method for producing a semiconductor device using the adhesive sheet, and the semiconductor device. <P>SOLUTION: The adhesive sheet comprises a releasable substrate, a plurality of laminated bodies distributedly disposed on the releasable substrate, and a support layer formed on the releasable substrate between the plurality of laminated bodies. The laminated body is formed of an adhesive layer and an adhesive film which is adhesive on the adhesive layer side, and formed so as to cover the adhesive layer while coming into contact with the releasable substrate at least at a part of the outer circumference of the adhesive layer. The support layer has a film thickness equal to or more than the total film thickness of the adhesive layer and the adhesive film. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、接着シート及びその製造方法並びに接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet, a method for manufacturing the same, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet, and a semiconductor device.

従来、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との接合には銀ペーストが主に使用されている。   Conventionally, silver paste is mainly used for joining a semiconductor element and a support member for mounting the semiconductor element.

しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。   However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor elements, the support members used are required to be small and fine.

こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、銀ペーストからなる接着剤層の膜厚の制御困難性及び接着剤層のボイド発生などにより上記要求に対処しきれなくなってきている。   In response to these demands, silver paste has problems such as occurrence of defects during wire bonding due to protrusion and inclination of semiconductor elements, difficulty in controlling the thickness of the adhesive layer made of silver paste, and generation of voids in the adhesive layer. It has become impossible to meet the above requirements.

そのため、上記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。このフィルム状接着剤は、個片貼付け方式又はウェハ裏面貼付け方式において使用されている。   For this reason, film adhesives have been used in recent years to meet the above requirements. This film-like adhesive is used in an individual piece attaching method or a wafer back surface attaching method.

フィルム状接着剤を用いて個片貼付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、ロール状（リール状）に巻き取られたフィルム状接着剤をカッティング又はパンチングによって任意のサイズに切り出し、フィルム状接着剤の個片を得る。   When a semiconductor device is manufactured by using a film-like adhesive and a single-piece pasting method, first, the film-like adhesive wound up in a roll shape (reel shape) is cut out to an arbitrary size by cutting or punching. A piece of adhesive is obtained.

この個片を、半導体素子搭載用の支持部材に貼り付け、フィルム状接着剤付き支持部材を得る。   This piece is attached to a support member for mounting a semiconductor element to obtain a support member with a film adhesive.

その後、ダイシング工程によって個片化した半導体素子をフィルム状接着剤付き支持部材に接合（ダイボンド）して半導体素子付き支持部材を作製する。   Then, the semiconductor element separated by the dicing process is joined (die-bonded) to the support member with a film adhesive to produce a support member with a semiconductor element.

更に、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程等を経ることにより半導体装置を作製する。   Furthermore, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.

しかし、個片貼付け方式においてフィルム状接着剤を用いる場合には、フィルム状接着剤を切り出して支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であるため、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。   However, in the case of using a film adhesive in the piece pasting method, a dedicated assembly device for cutting out the film adhesive and bonding it to the support member is necessary, so compared with the method using silver paste There was a problem that the manufacturing cost was high.

一方、フィルム状接着剤を用いてウェハ裏面貼付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、半導体ウェハの回路面とは反対側の面（裏面）にフィルム状接着剤を貼付け、更にフィルム状接着剤の半導体ウェハ側と反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる。   On the other hand, when a semiconductor device is manufactured by using a film-like adhesive by a wafer backside attachment method, first, a film-like adhesive is attached to the surface (backside) opposite to the circuit surface of the semiconductor wafer. A dicing tape is bonded to the surface of the adhesive opposite to the semiconductor wafer.

次に、ダイシングによって半導体ウェハ及びフィルム状接着剤を個片化し、フィルム状接着剤付き半導体素子を得る。得られたフィルム状接着剤付き半導体素子をダイシングテープからピックアップし、それを半導体素子搭載用の支持部材に接合（ダイボンド）する。   Next, the semiconductor wafer and the film adhesive are separated into pieces by dicing to obtain a semiconductor element with a film adhesive. The obtained semiconductor element with a film adhesive is picked up from a dicing tape, and is bonded (die-bonded) to a support member for mounting the semiconductor element.

その後、加熱、硬化、ワイヤボンド等の工程を経ることにより半導体装置を作製する。   Thereafter, a semiconductor device is manufactured through processes such as heating, curing, and wire bonding.

このフィルム状接着剤を用いたウェハ裏面貼付け方式は、フィルム状接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、フィルム状接着剤を個片化するための専用の装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま又は熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、フィルム状接着剤を用いた半導体装置の組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。   The wafer back surface pasting method using the film adhesive does not require a dedicated device for separating the film adhesive into individual pieces because the semiconductor element with the film adhesive is bonded to the support member. The assembly apparatus for silver paste can be used as it is or by modifying a part of the apparatus such as adding a hot platen. For this reason, the semiconductor device is attracting attention as a method that can be manufactured at a relatively low cost among the methods for assembling a semiconductor device using a film adhesive.

しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウェハ裏面貼付け方式においては、半導体ウェハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウェハに貼付する工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼付する工程との２つの貼付工程が必要である。   However, in the wafer back surface pasting method using the film adhesive, the process of applying the film adhesive to the semiconductor wafer and the process of applying the dicing tape to the film adhesive before dicing the semiconductor wafer. And two pasting steps are required.

そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つ接着シート（ダイボンドダイシングシート）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このような接着シートは、例えば、剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有している。   Therefore, in order to simplify this process, an adhesive sheet (die-bonded dicing sheet) having both functions is developed by laminating a film adhesive and a dicing tape (see, for example, Patent Document 1). ). Such an adhesive sheet has, for example, a three-layer structure of release substrate / adhesive layer / adhesive film.

また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば、特許文献２及び３参照）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層（接着剤層及び粘着フィルム）を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。   In addition, a method (so-called precut processing) in which such an adhesive sheet is processed in advance into the shape of a wafer constituting a semiconductor element is known (see, for example, Patent Documents 2 and 3). Such pre-cut processing is a method in which a resin layer (an adhesive layer and an adhesive film) is punched in accordance with the shape of a wafer to be used, and a resin layer other than a portion to which the wafer is attached is peeled off.

プリカット加工が施された接着シートは、例えば、図５に示すような構造を有している。図５の（ａ）は接着シート２００の平面図であり、（ｂ）は、図５の（ａ）の接着シート２００のＸ−Ｘ線断面図であり、剥離基材１上に接着剤層２が積層され、その上にさらに粘着フィルム３が、剥離基材１側が粘着性を有する面となるようにして積層されている。   The adhesive sheet that has been subjected to pre-cut processing has a structure as shown in FIG. 5, for example. 5A is a plan view of the adhesive sheet 200, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line XX of the adhesive sheet 200 in FIG. 2 is laminated | stacked, and the adhesion film 3 is further laminated | stacked so that the peeling base material 1 side may become the surface which has adhesiveness.

なお、粘着フィルム３は接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように積層されており、これにより、半導体ウェハのダイシングを行う際に、半導体ウェハの外周部のウェハリングに粘着フィルム３を貼り付けて接着剤層２および粘着フィルム３を固定することができるようになっている。   The pressure-sensitive adhesive film 3 covers the adhesive layer 2 and is laminated so as to be in contact with the peeling substrate 1 around the adhesive layer 2, so that when the semiconductor wafer is diced, The adhesive layer 3 and the adhesive film 3 can be fixed by affixing the adhesive film 3 to the wafer ring on the outer periphery.

かかるプリカット加工を施す場合、上記の接着シートは一般的に、剥離基材１表面に積層したフィルム状接着剤をウェハ形状に合わせてプリカット加工した接着剤層２と、ダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施して粘着フィルム３として作製される。又はあらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。
特開平７−４５５５７号公報 実公平６−１８３８３号公報 特開２００７−２１７３号公報 When performing such pre-cut processing, the above-mentioned adhesive sheet is generally obtained by laminating a dicing tape with an adhesive layer 2 obtained by pre-cut processing a film-like adhesive laminated on the surface of the release substrate 1 in accordance with the wafer shape. Thereafter, the dicing tape is subjected to pre-cut processing in accordance with the wafer ring shape to produce the adhesive film 3. Alternatively, it is produced by pasting a dicing tape that has been pre-cut into a wafer ring shape with a pre-cut film adhesive.
JP 7-45557 A Japanese Utility Model Publication No. 6-18383 JP 2007-2173 A

上記プリカット加工が施された接着シート２００は、通常、長尺の剥離基材１を用いて円筒状の巻き芯に巻きつけて、ロール状の接着シートロールとして供給される。このとき、上記接着シート２００などの従来のプリカット加工が施された接着シートでは、以下のような不具合が生じることを本発明者らは見出した。   The adhesive sheet 200 subjected to the pre-cut processing is usually wound around a cylindrical winding core using a long release substrate 1 and supplied as a roll-shaped adhesive sheet roll. At this time, the present inventors have found that the following problems occur in the adhesive sheet subjected to the conventional precut processing such as the adhesive sheet 200 described above.

すなわち、上記プリカット加工が施された接着シート２００においては、図５（ｂ）に示すように、部分的に接着剤層２と粘着フィルム３とを積層するため、接着剤層２と粘着フィルム３との積層体部分が他の部分よりも厚くなる。そのため、接着シートロールの直径が大きくなったり、巻き取り時の張力が高くなったりした場合、積層部分に外圧が集中することになる。   That is, in the adhesive sheet 200 that has been subjected to the pre-cut processing, as shown in FIG. 5B, the adhesive layer 2 and the adhesive film 3 are partially laminated with the adhesive layer 2 and the adhesive film 3. The laminate portion becomes thicker than other portions. Therefore, when the diameter of the adhesive sheet roll is increased or the tension at the time of winding is increased, the external pressure is concentrated on the laminated portion.

その結果、接着剤層２の部分に他の接着剤層２の巻き跡が転写され、フィルムの平滑性が損なわれることがある。   As a result, the trace of the other adhesive layer 2 may be transferred to the adhesive layer 2 and the smoothness of the film may be impaired.

また、接着剤層２の厚みが厚くなった場合、巻き跡が更に転写されやすくなる。   Further, when the thickness of the adhesive layer 2 is increased, the trace is further easily transferred.

これら巻き跡の転写により接着シート２００に平滑性の欠陥があると、接着シート２００を半導体ウェハへ貼り付けた時に半導体ウェハと接着剤層２との間に空気を巻き込み、半導体ウェハとの密着が十分にとれないため半導体装置組み立て方法上、不具合が生じることがある。   If there is a smooth defect in the adhesive sheet 200 due to the transfer of these traces, when the adhesive sheet 200 is attached to the semiconductor wafer, air is entrained between the semiconductor wafer and the adhesive layer 2, and the adhesion to the semiconductor wafer is prevented. Insufficient removal may cause problems in the semiconductor device assembly method.

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プリカット加工などにより所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合に、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に低減することが可能な接着シート及びその製造方法並びに接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and in the case where an adhesive sheet having an adhesive layer formed into a predetermined planar shape by precut processing or the like is wound into a roll shape, the adhesive Adhesive sheet capable of sufficiently suppressing the transfer of winding marks to the layer, and sufficiently reducing the generation of voids due to the entrainment of air when the adhesive layer is attached to the adherend, and its manufacturing method, and An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device using an adhesive sheet.

本発明は、（１）剥離基材と、
該剥離基材上に分散配置された複数の積層体と、
複数の前記積層体の間の剥離基材上に形成された支持層とを有する接着シートであって、
前記積層体は接着剤層及び該接着剤層側に粘着性を有し、接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムからなり、
前記支持層は前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する接着シートに関する。 The present invention comprises (1) a release substrate,
A plurality of laminates distributed on the release substrate;
An adhesive sheet having a support layer formed on a release substrate between the plurality of laminates,
The laminate has pressure-sensitive adhesive properties on the adhesive layer and the adhesive layer side, covers the adhesive layer, and is formed so as to be in contact with the release substrate at at least a part of the outer periphery of the adhesive layer Consists of
The support layer relates to an adhesive sheet having a film thickness equal to or greater than the total film thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film.

また、本発明は、（２）前記支持層が、前記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び前記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されたものである上記（１）の接着シートに関する。   In the present invention, (2) the adhesion according to (1), wherein the support layer is a laminate of a support adhesive layer having the same composition as the adhesive layer and a support adhesive film having the same composition as the adhesive film. Regarding the sheet.

また、本発明は、（３）前記支持粘着フィルムは前記支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように前記支持接着剤層上に積層されている上記（２）の接着シートに関する。   Moreover, this invention is (3) The said support adhesive film covers the said support adhesive layer, and is laminated | stacked on the said support adhesive layer so that one part may contact | connect the said peeling base material. This relates to the adhesive sheet.

また、本発明は、（４）前記剥離基材が、長尺のものであり、前記積層体が、少なくとも剥離基材の長さ方向に複数分散配置された上記（１）〜（３）のいずれかの接着シートに関する。   Moreover, this invention is (4) The said peeling base material is a long thing, The said laminated body is distributed at least by the length direction of a peeling base material at least by said (1)-(3) It relates to any adhesive sheet.

また、本発明は、（５）前記接着剤層及び前記粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状又は前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層若しくは前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有したものである上記（１）〜（４）のいずれかの接着シートに関する。   In the present invention, (5) at least one of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film has a circular shape or a flat surface of an adherend to which the adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive film is to be attached after peeling the release substrate. The present invention relates to the adhesive sheet according to any one of the above (1) to (4), which has a planar shape that matches the shape.

また、本発明は、（６）前記接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有したものである上記（１）〜（５）のいずれかの接着シートに関する。   The present invention also relates to (6) the adhesive sheet according to any one of the above (1) to (5), wherein the adhesive layer contains a thermoplastic resin and a thermopolymerizable component.

また、本発明は、（７）前記熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上の高分子量成分である上記（６）の接着シートに関する。   The present invention also relates to (7) the adhesive sheet according to (6), wherein the thermoplastic resin is a high molecular weight component having a functional monomer and a weight average molecular weight of 100,000 or more.

また、本発明は、（８）前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体である上記（７）の接着シートに関する。   The present invention also relates to (8) the adhesive sheet of (7), wherein the high molecular weight component is a glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer.

また、本発明は、（９）前記熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する上記（６）〜（８）のいずれかの接着シートに関する。   Moreover, this invention relates to the adhesive sheet in any one of said (6)-(8) in which the said thermopolymerizable component contains an epoxy resin and an epoxy resin hardening | curing agent.

また、本発明は、（１０）前記接着剤層が、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａである上記（１）〜（９）のいずれかの接着シートに関する。   In the present invention, (10) the adhesive layer has a storage elastic modulus before curing at 25 ° C. of 10 to 10,000 MPa, and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C. of 0.5 to 30 MPa. It is related with the adhesive sheet in any one of said (1)-(9) which is.

また、本発明は、（１１）高エネルギー線の照射により、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの間の粘着力が低下する上記（１）〜（１０）のいずれかの接着シートに関する。   Moreover, this invention relates to the adhesive sheet in any one of said (1)-(10) from which the adhesive force between the said adhesive bond layer and the said adhesive film falls by irradiation of (11) high energy rays.

また、本発明は、（１２）剥離基材上に基礎接着剤層を積層する第１の積層工程、
前記基礎接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎接着剤層を剥離して複数の接着剤層と、該接着剤層同士の間に配置される支持接着剤層とを形成する第１の切断工程、前記接着剤層、支持接着剤層及び剥離基材を覆うように、粘着面を接着剤層側に向けて基礎粘着フィルムを積層する第２の積層工程及び
前記基礎粘着フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から基礎粘着フィルムの次の層に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎粘着フィルムを剥離して、前記接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接する上記粘着フィルムと前記支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する第２の切断工程
を含むことを特徴とする接着シートの製造方法に関する。 Moreover, this invention is the (12) 1st lamination process which laminates | stacks a base adhesive layer on a peeling base material,
Cut from the surface of the base adhesive layer opposite to the side in contact with the release substrate until it reaches the release substrate, and peels off the unnecessary portion of the base adhesive layer to form a plurality of adhesive layers A first cutting step for forming a supporting adhesive layer disposed between the adhesive layers, the adhesive surface facing the adhesive layer side so as to cover the adhesive layer, the supporting adhesive layer and the release substrate The second lamination step of laminating the basic adhesive film and cutting from the surface opposite to the peeling substrate side of the basic adhesive film until reaching the next layer of the basic adhesive film, Peeling to form the pressure-sensitive adhesive film that covers the adhesive layer and is in contact with the release substrate at at least a part of the outer periphery of the adhesive layer, and the support pressure-sensitive adhesive film that is disposed on the support adhesive layer Including two cutting steps The production method of the adhesive sheet on.

また、本発明は、（１３）上記（１）〜（１１）のいずれかの接着シート又は上記（１２）の方法で製造された接着シートを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記接着剤層及び前記粘着フィルムからなる積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、
前記積層体付き半導体ウェハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させる照射工程、
前記照射後、粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程及び
前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。 The present invention is also (13) a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet of any one of (1) to (11) or the adhesive sheet manufactured by the method of (12),
A bonding step of peeling the laminated body composed of the adhesive layer and the adhesive film from the release substrate, and bonding the laminated body to the semiconductor wafer from the surface on the adhesive layer side to obtain a semiconductor wafer with a laminated body ,
A dicing step of dicing the semiconductor wafer with the laminate to the interface between the adhesive layer and the adhesive film, and cutting the semiconductor wafer into semiconductor elements of a predetermined size;
An irradiation step of irradiating the laminate with high energy rays to reduce the adhesive force of the adhesive film to the adhesive layer;
After the irradiation, the semiconductor element is picked up from the adhesive film together with the adhesive layer to obtain a semiconductor element with an adhesive layer, and the semiconductor element in the semiconductor element with the adhesive layer is covered through the adhesive layer. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, comprising a bonding step for bonding to a body.

また、本発明は、（１４）前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である上記（１３）の製造方法に関する。   The present invention also relates to (14) the production method according to (13), wherein the adherend is a support member for mounting a semiconductor element or another semiconductor element.

さらに、本発明は、（１５）上記（１３）または（１４）の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置に関する。   Furthermore, the present invention relates to (15) a semiconductor device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to (13) or (14).

本発明によれば、所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合に、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に低減することが可能な接着シート及びその製造方法並びに接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, when an adhesive sheet having an adhesive layer formed in a predetermined planar shape is wound up in a roll shape, it is sufficiently suppressed that the winding marks are transferred to the adhesive layer. To provide an adhesive sheet capable of sufficiently reducing the generation of voids due to air entrainment when an adhesive layer is applied to a body, a method for manufacturing the same, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet, and a semiconductor device Can do.

以下、図面を引用して本発明を詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。   Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified.

更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。   Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.

（接着シート）
図１〜４は、それぞれ本発明になる接着シートの第１〜第４の例を示す模式図である。このうち、図１の（ａ）は、本発明の一実施形態になる接着シートの平面図で、図１の（ｂ）は、図１（ａ）に示す接着シート１００のＡ−Ａ線断面図である。図２の（ａ）は、本発明の他の一実施形態になる接着シート平面図で、図２の（ｂ）は、図２の（ａ）に示す接着シート１１０の、図１と同様の個所の断面図である。 (Adhesive sheet)
1 to 4 are schematic views showing first to fourth examples of the adhesive sheet according to the present invention, respectively. 1A is a plan view of an adhesive sheet according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of the adhesive sheet 100 shown in FIG. FIG. 2A is a plan view of an adhesive sheet according to another embodiment of the present invention, and FIG. 2B is the same as FIG. 1 of the adhesive sheet 110 shown in FIG. It is sectional drawing of a location.

また、図３の（ａ）は、本発明の他の一実施形態になる接着シートの平面図で、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）に示す接着シート１２０の、図１と同様の個所の断面図である。図４の（ａ）は、本発明の他の一実施形態になる接着シートの平面図で、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）に示す接着シート１３０の、図１と同様の個所の断面図である。   3A is a plan view of an adhesive sheet according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a plan view of the adhesive sheet 120 shown in FIG. It is sectional drawing of the same location. 4A is a plan view of an adhesive sheet according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4B is the same as FIG. 1 of the adhesive sheet 130 shown in FIG. It is sectional drawing of this part.

図１〜４に示すように、接着シートは、長尺の剥離基材１上に、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる複数の積層体４が形成された構成を有している。   1-4, the adhesive sheet has the structure by which the some laminated body 4 which consists of the adhesive bond layer 2 and the adhesion film 3 was formed on the elongate peeling base material 1. As shown in FIG.

また、接着剤層２は所定の平面形状を有して剥離基材１上の一部に積層されており、粘着フィルム３は、接着剤層２側に粘着性を有し、接着剤層を覆い、且つ、接着剤層２の外周の少なくとも一部で剥離基材１に接するように積層されている。複数の積層体４は剥離基材１上に分散配置され、粘着フィルム３同士も互いに間隔をあけて配置されている。   In addition, the adhesive layer 2 has a predetermined planar shape and is laminated on a part of the release substrate 1, and the adhesive film 3 has adhesiveness on the adhesive layer 2 side, It is laminated so as to be in contact with the peeling substrate 1 at at least a part of the outer periphery of the adhesive layer 2. The plurality of laminated bodies 4 are dispersedly arranged on the peeling substrate 1, and the adhesive films 3 are also arranged at intervals.

そして、各積層体４間の剥離基材１上には、支持接着剤層５及び支持粘着フィルム６からなる支持層７が形成されている。この支持層７の最大膜厚である、支持接着剤層５と支持粘着フィルム６とが積層されている部分の膜厚（支持接着剤層５及び支持粘着フィルム６の合計の膜厚）を、以下、「支持層の膜厚」ともいう。前記支持層の膜厚は、積層体４の最大膜厚である、接着剤層２と粘着フィルム３とが積層されている部分の膜厚（接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚）と同等又はそれ以上を有するように形成されている。   And on the peeling base material 1 between each laminated body 4, the support layer 7 which consists of the support adhesive layer 5 and the support adhesive film 6 is formed. The film thickness (total film thickness of the support adhesive layer 5 and the support adhesive film 6) of the portion where the support adhesive layer 5 and the support adhesive film 6 are laminated, which is the maximum film thickness of the support layer 7, Hereinafter, it is also referred to as “the thickness of the support layer”. The film thickness of the support layer is the maximum film thickness of the laminate 4, and the film thickness of the part where the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 are laminated (total film thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film) It is formed to have the same or more.

本発明において前記支持層の膜厚が前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と「同等」であるとは、支持層の膜厚が接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚と実質的に同一であることを意味する。   In the present invention, the film thickness of the support layer is “equivalent” to the total film thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, and the film thickness of the support layer is the total film thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film. Means substantially the same.

前記支持層の膜厚は、接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚の１．０〜１．５倍であることが好ましく、１．０〜１．２倍であることがより好ましい。   The thickness of the support layer is preferably 1.0 to 1.5 times the total thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, and more preferably 1.0 to 1.2 times.

図１に示す接着シート１００において、支持層７は、接着シート１００の短手方向中央部分で各積層体４に挟まれる形で、積層体４の周囲を囲むようにかつ各積層体４により分断されて形成されている。   In the adhesive sheet 100 shown in FIG. 1, the support layer 7 is sandwiched between the laminates 4 at the center portion in the short direction of the adhesive sheet 100 so as to surround the laminate 4 and to be divided by the laminates 4. Has been formed.

また、接着シート１００における支持層７は、支持粘着フィルム６が支持接着剤層５側に粘着性を有し、支持接着剤層を覆い、且つ、支持粘着フィルム６と支持接着剤層５とが同一形状となるように構成されている。   Further, the support layer 7 in the adhesive sheet 100 has the support adhesive film 6 having adhesiveness on the support adhesive layer 5 side, covers the support adhesive layer, and the support adhesive film 6 and the support adhesive layer 5 are It is comprised so that it may become the same shape.

図２に示す接着シート１１０において、支持層７は、支持粘着フィルム６の外周全ての端部が剥離基材１と接するように構成されている。他は図１と同様である。   In the adhesive sheet 110 shown in FIG. 2, the support layer 7 is configured such that the ends of the entire outer periphery of the support adhesive film 6 are in contact with the release substrate 1. The rest is the same as in FIG.

図３に示す接着シート１２０において、支持層７は、支持粘着フィルム６が支持接着剤層５と積層されており、且つ、支持粘着フィルム６が支持接着剤層５よりも面積が小さく、支持接着剤層５の外周全てが露出するように構成されている。   In the adhesive sheet 120 shown in FIG. 3, the support layer 7 has a support adhesive film 6 laminated with the support adhesive layer 5, and the support adhesive film 6 has a smaller area than the support adhesive layer 5, and supports adhesion. The outer periphery of the agent layer 5 is configured to be exposed.

図４に示す接着シート１３０において、支持層７は、積層体４の全周囲を囲んで形成されている。他は図１と同様に、支持粘着フィルム６と支持接着剤層５とが同一形状となるように構成されている。   In the adhesive sheet 130 shown in FIG. 4, the support layer 7 is formed so as to surround the entire periphery of the laminate 4. Others are the same as FIG. 1, and it is comprised so that the support adhesive film 6 and the support adhesive layer 5 may become the same shape.

本発明になる接着シートは、所定の平面形状に形成された接着剤層２を有する接着シートであるが、剥離基材１上の、半導体装置を製造する場合などに必要とされる接着剤層２及び粘着フィルム３以外の部分に、これらの積層体４部分と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層７が形成されていることにより、接着シートをロール状に巻き取った際に、接着剤層２に他の接着剤層の巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。   The adhesive sheet according to the present invention is an adhesive sheet having an adhesive layer 2 formed in a predetermined planar shape, but is necessary for manufacturing a semiconductor device on the release substrate 1. When a support layer 7 having a film thickness equal to or greater than that of these laminates 4 is formed on a portion other than 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3, the adhesive sheet is bonded when the adhesive sheet is wound into a roll. Transfer of the traces of the other adhesive layers to the agent layer 2 can be sufficiently suppressed.

従来の接着シートでは、接着剤層２と粘着フィルム３との積層体４部分のみが他の部分に比べて厚くなるため、ロール状に巻き取ると、この積層体４部分に巻き取りの圧力が集中していた。そのため、この積層体４部分と粘着フィルム３のみの部分との段差、またはこの積層体４部分と剥離基材１のみの部分との段差が巻き取りの圧力により他の接着剤層に転写されることとなる。   In the conventional adhesive sheet, only the laminated body 4 portion of the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 is thicker than the other portions. Therefore, when wound in a roll shape, the winding pressure is applied to the laminated body 4 portion. I was concentrated. Therefore, the step between the laminate 4 and the adhesive film 3 only, or the step between the laminate 4 and the release substrate 1 alone is transferred to another adhesive layer by the winding pressure. It will be.

これに対して本発明になる接着シートは、支持層７を積層体４の直近に備えることで、プリカット加工が施された接着シートにかかっていた巻き取りの圧力を分散すると同時に、前記段差の影響を最小限に抑えることが可能となる。その結果、前記段差が他の接着剤層に転写されるのを抑制することが可能となる。   On the other hand, the adhesive sheet according to the present invention is provided with the support layer 7 in the immediate vicinity of the laminated body 4 to disperse the winding pressure applied to the pre-cut adhesive sheet, and at the same time, It is possible to minimize the influence. As a result, it is possible to suppress the step from being transferred to another adhesive layer.

そして、接着剤層への巻き跡の転写が抑制されることにより、半導体ウェハなどの被着体に接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイドなどの発生を十分に抑制することができる。   In addition, by suppressing the transfer of the winding marks to the adhesive layer, it is possible to sufficiently suppress the generation of voids due to air entrainment when the adhesive layer is attached to an adherend such as a semiconductor wafer. it can.

また、本発明になる接着シートにおいて、前記支持層は、前記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び前記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されたものであることが好ましい。これにより、支持層を設けるために新たに粘着フィルムなどを用意する必要がなく、プリカットの形状の変更のみで、容易に、かつ積層体４と同じ厚みで支持層７を設けることができる。   In the adhesive sheet according to the present invention, the support layer is preferably a laminate of a support adhesive layer having the same composition as the adhesive layer and a support adhesive film having the same composition as the adhesive film. Thereby, it is not necessary to newly prepare an adhesive film or the like in order to provide the support layer, and the support layer 7 can be easily provided with the same thickness as the laminate 4 only by changing the shape of the precut.

また、上記支持層の支持粘着フィルムは、図３に示すような、支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように前記支持接着剤層上に積層されていることが好ましい。支持粘着フィルムの一部が剥離基材に接していることにより、支持層が剥離基材に貼り付けられた状態を十分に維持することができる。   Moreover, the support adhesive film of the said support layer shall be laminated | stacked on the said support adhesive layer so that a support adhesive layer as shown in FIG. 3 may be covered and a part may contact | connect the said peeling base material. Is preferred. When a part of the support adhesive film is in contact with the release substrate, the state in which the support layer is attached to the release substrate can be sufficiently maintained.

そのため、本発明になる接着シートにおける接着剤層及び粘着フィルムを半導体ウェハに貼り付ける際に、半導体ウェハに貼り付けるべき接着剤層及び粘着フィルムを剥離基材１から剥離する前に、不要な部分である支持層が剥離して工程の不具合が発生することを十分に抑制することができる。   Therefore, when the adhesive layer and the adhesive film in the adhesive sheet according to the present invention are attached to the semiconductor wafer, before the adhesive layer and the adhesive film to be attached to the semiconductor wafer are separated from the release substrate 1, unnecessary portions are removed. It can fully suppress that the support layer which is is peeled off, and the trouble of a process generate | occur | produces.

また、本発明になる接着シートにおいて、前記剥離基材はその上に複数の積層体を分散配置できれば必ずしも長尺のものに限定されないが、積層体が少なくとも剥離基材の長さ方向に分散配置されているのが好ましい。さらに、支持層はその各積層体の長手方向の間に形成されていることが好ましい。   Further, in the adhesive sheet according to the present invention, the release substrate is not necessarily limited to a long one as long as a plurality of laminates can be dispersed and disposed thereon, but the laminate is dispersed and disposed at least in the length direction of the release substrate. It is preferable. Further, the support layer is preferably formed between the longitudinal directions of the respective laminates.

これにより、接着シートを長手方向でロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることをより十分に抑制することができる。   Thereby, when the adhesive sheet is wound up in a roll shape in the longitudinal direction, it is possible to more sufficiently suppress the trace of the other adhesive layer from being transferred to the adhesive layer.

更に、本発明になる接着シートは、高エネルギー線の照射をすることが好ましい。高エネルギー線の照射をすることにより、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの間の粘着力が低下し、接着剤層と粘着フィルムの剥離が容易に可能となる。   Further, the adhesive sheet according to the present invention is preferably irradiated with high energy rays. By irradiating with a high energy ray, the adhesive force between the adhesive layer and the adhesive film decreases, and the adhesive layer and the adhesive film can be easily peeled off.

本発明になる接着シートは、前記に示す方法で製造することにより、ロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることを十分に抑制することが可能となり、接着シートを効率的に製造することができる。   The adhesive sheet according to the present invention is manufactured by the above-described method, and sufficiently suppresses the transfer of the traces of the other adhesive layer to the adhesive layer when wound into a roll. Thus, the adhesive sheet can be manufactured efficiently.

また、本発明になる半導体装置は、前記に示す方法で製造することにより、半導体ウェハに接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイドなどの発生を十分に抑制することができ、半導体装置を効率的に製造することができる。なお、半導体装置を製造する際に用いられる被着体は、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子であることが好ましい。   In addition, the semiconductor device according to the present invention is manufactured by the method described above, so that it is possible to sufficiently suppress generation of voids due to air entrainment when the adhesive layer is attached to the semiconductor wafer. The device can be manufactured efficiently. In addition, it is preferable that the adherend used when manufacturing a semiconductor device is a support member for mounting a semiconductor element or another semiconductor element.

以下、これら本発明になる接着シートの各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component of the adhesive sheet according to the present invention will be described in detail.

支持接着剤層５は、その形状、大きさ、位置について特に制限されるものではない。支持接着剤層５の形状は、図１〜３のように断続的でも図４のように連続的でもよいが、作製工程の観点から断続的に配置されているほうが好ましい。   The support adhesive layer 5 is not particularly limited in shape, size, and position. The shape of the support adhesive layer 5 may be intermittent as shown in FIGS. 1 to 3 or continuous as shown in FIG. 4, but is preferably intermittently arranged from the viewpoint of the manufacturing process.

支持接着剤層５は、圧力を分散させ巻き跡の転写をより低減する観点から、剥離基材１の短手方向についてもより幅広く形成されていることが好ましい。例えば図１〜４のように積層体４を囲んで形成することが挙げられる。   The support adhesive layer 5 is preferably formed more widely in the short direction of the release substrate 1 from the viewpoint of dispersing the pressure and further reducing the transfer of the trace. For example, forming the laminated body 4 as shown in FIGS.

また、支持接着剤層５の組成は特に制限はないが、例えば、後述する接着剤層２と同様の組成とされるのが好ましい。   Further, the composition of the supporting adhesive layer 5 is not particularly limited, but for example, the same composition as that of the adhesive layer 2 described later is preferable.

支持粘着フィルム６は、その形状、大きさ、位置について特に制限されるものではない。粘着フィルム６の形状は、断続的でも連続的でもよいが、作製工程の観点から断続的に配置されているほうが好ましい。   The support adhesive film 6 is not particularly limited with respect to its shape, size, and position. The shape of the pressure-sensitive adhesive film 6 may be intermittent or continuous, but is preferably disposed intermittently from the viewpoint of the production process.

支持粘着フィルム６は、圧力を分散させ巻き跡の転写をより低減する観点から、剥離基材１の短手方向についてもより幅広く形成されていることが好ましい。   The support adhesive film 6 is preferably formed more widely in the lateral direction of the release substrate 1 from the viewpoint of dispersing pressure and further reducing the transfer of traces.

また、支持粘着フィルム６の組成および構造は特に制限はないが、例えば、後述する粘着フィルム３と同様の組成および構造とされるのが好ましい。   Further, the composition and structure of the support adhesive film 6 are not particularly limited. For example, it is preferable that the composition and structure are the same as those of the adhesive film 3 described later.

本発明になる接着シートにおいては、これら支持接着剤層５及び支持粘着フィルム６が積層されて支持層７が形成されている。支持層７は、積層体４端部の段差の影響を小さくするという観点から積層体４と支持積層体７の間隔は狭くなるように配置されていることが好ましい。同時に積層体４と接する（接触する）ことのないように、存在することがより好ましい。   In the adhesive sheet according to the present invention, the support adhesive layer 5 and the support adhesive film 6 are laminated to form the support layer 7. The support layer 7 is preferably arranged so that the interval between the laminate 4 and the support laminate 7 is narrowed from the viewpoint of reducing the effect of the step at the end of the laminate 4. It is more preferable that it exists so as not to contact (contact) the laminate 4 at the same time.

また、支持層７は、上述したように、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる積層体４の膜厚（接着剤層２と粘着フィルム３とが積層されている部分の膜厚）と同等又はそれ以上の膜厚を有し、支持層７の膜厚は、積層体４の膜厚の１．０〜１．２倍であることが好ましい。   Moreover, as above-mentioned, the support layer 7 is equivalent to the film thickness of the laminated body 4 which consists of the adhesive bond layer 2 and the adhesion film 3 (film thickness of the part where the adhesive bond layer 2 and the adhesion film 3 are laminated | stacked). Alternatively, the support layer 7 preferably has a film thickness of 1.0 to 1.2 times the film thickness of the laminate 4.

支持層７において、支持接着剤層５と支持粘着フィルム６との大きさの関係については特に制限はないが、巻き取り時の圧力を支持層７に分散させ、巻き跡の転写をより十分に低減する観点からは、両方とも面積が大きい方が好ましく、さらに、支持接着剤層５と支持粘着フィルム６とが積層されている部分が大きい方が好ましい。例えば図１〜４に示される接着シートのうち、図１及び図４に示される接着シートがより好ましい。   In the support layer 7, the size relationship between the support adhesive layer 5 and the support pressure-sensitive adhesive film 6 is not particularly limited, but the winding pressure is dispersed in the support layer 7, and the transfer of the trace is more sufficiently performed. From the viewpoint of reduction, it is preferable that both have a larger area, and it is more preferable that the portion where the supporting adhesive layer 5 and the supporting adhesive film 6 are laminated is larger. For example, among the adhesive sheets shown in FIGS. 1 to 4, the adhesive sheets shown in FIGS. 1 and 4 are more preferable.

本発明になる接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との積層状態は、それぞれが同じ大きさでちょうど重なり合うように積層されている構造も考えられるが、ウェハリングと半導体素子の大きさの関係上、粘着フィルム３はその外周部が、接着剤層の外周の少なくとも一部、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上の外側にあり、その部分は剥離基材１と粘着フィルム層３とがこの順に備えた形状であることが望ましい。   In the adhesive sheet according to the present invention, the laminated state of the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 may be a structure in which the adhesive layers 2 and the adhesive film 3 are laminated so as to overlap each other with the same size. Therefore, the outer peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive film 3 is at least a part of the outer periphery of the adhesive layer, preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and still more preferably 90% or more. It is desirable that the release substrate 1 and the adhesive film layer 3 have a shape provided in this order.

更に、本発明の接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との積層状態は、粘着フィルム３が接着剤層２を全て覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように形成されていることが好ましい。   Furthermore, in the adhesive sheet of the present invention, the laminated state of the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 is such that the pressure-sensitive adhesive film 3 covers the whole adhesive layer 2 and is in contact with the release substrate 1 around the adhesive layer 2. It is preferable to be formed as described above.

すなわち、接着剤層２の平面形状の面積よりも粘着フィルム３の平面形状の面積が大きく、接着剤層２が全て覆われており、接着剤層２の周囲において剥離基材１と粘着フィルム層３とが直接接している状態となっていることが好ましい。なお、接着剤層２は、剥離起点として外周の一部に突出部を有していてもよく、この突出部は粘着フィルム３で覆われていなくてもよい。   That is, the area of the planar shape of the pressure-sensitive adhesive film 3 is larger than the area of the planar shape of the adhesive layer 2, and the adhesive layer 2 is entirely covered, and the release substrate 1 and the pressure-sensitive adhesive film layer are surrounded by the adhesive layer 2. 3 is preferably in direct contact. Note that the adhesive layer 2 may have a protruding portion at a part of the outer periphery as a peeling start point, and the protruding portion may not be covered with the adhesive film 3.

また、本発明になる接着シートの積層体は、前記剥離基材から剥離した後に被着体へ貼り付けられる。接着剤層及び粘着フィルムの少なくとも一方は、円形形状又は被着体の平面形状に合致する平面形状を有していることが好ましい。   In addition, the laminate of the adhesive sheet according to the present invention is attached to the adherend after being peeled from the release substrate. At least one of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film preferably has a circular shape or a planar shape that matches the planar shape of the adherend.

前記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形に合致する平面形状を接着剤層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。   Examples of the adherend include a semiconductor wafer, and the adhesive layer has a planar shape that matches the planar shape of the semiconductor wafer, which tends to facilitate the process of dicing the semiconductor wafer. is there.

なお、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状よりもやや大きい平面形状であってもよい。また一般的に半導体ウェハは円の外周の一部が直線である平面形状を有しているため、接着シートの平面形状が完全円形形状である場合でも、位置、方向合わせが容易となる理由により、一般的な半導体ウェハへの接着剤層の貼り付け及び半導体ウェハのダイシングを容易に行うことが可能となる傾向がある。   Note that the planar shape of the adhesive layer does not need to completely match the planar shape of the semiconductor wafer, and may be a slightly larger planar shape than the planar shape of the semiconductor wafer, for example. In general, since a semiconductor wafer has a planar shape in which a part of the outer periphery of the circle is a straight line, even if the planar shape of the adhesive sheet is a complete circular shape, the position and orientation can be easily aligned. There is a tendency that it is possible to easily attach an adhesive layer to a general semiconductor wafer and dice the semiconductor wafer.

接着剤層２の形状としては、被着体である半導体ウェハの貼り付けが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、ウェハ形状（円の外周の一部が直線である形状）、四角形、五角形、六角形、八角形等が挙げられる。   The shape of the adhesive layer 2 is not particularly limited as long as the semiconductor wafer as an adherend can be attached. For example, the shape of the adhesive layer 2 is a circular shape, a wafer shape (a part of the outer periphery of the circle is a straight line) ), Quadrangle, pentagon, hexagon, octagon and the like.

なお、接着剤層２において、半導体ウェハを貼り付ける部分以外の部分は無駄になるため、作製工程の観点から一般的な半導体ウェハと貼り合わせる場合には、接着剤層２は、円形の平面形状又は半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状（半導体ウェハ形状）であることが好ましい。   In addition, in the adhesive layer 2, since parts other than the part to which the semiconductor wafer is attached are wasted, the adhesive layer 2 has a circular planar shape when being attached to a general semiconductor wafer from the viewpoint of the manufacturing process. Alternatively, a planar shape (semiconductor wafer shape) that matches the planar shape of the semiconductor wafer is preferable.

また、接着剤層２の外周の一部が粘着フィルム３の外周の一部の近傍にあるようにするために、外周の一部に凸部を有していてもよい。   Further, in order to make a part of the outer periphery of the adhesive layer 2 be in the vicinity of a part of the outer periphery of the pressure-sensitive adhesive film 3, a part of the outer periphery may have a convex portion.

粘着フィルム３の形状としては、ウェハリングと密着させることが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、四角形、五角形、六角形、八角形、菱形形状、星型等が挙げられる。   The shape of the adhesive film 3 is not particularly limited as long as it can be brought into close contact with the wafer ring. For example, the planar shape may be a circle, a rectangle, a pentagon, a hexagon, an octagon, a rhombus, a star, or the like. Is mentioned.

なお、現在のウェハリングの形状及び半導体素子の形状を考慮すると、粘着フィルム３の平面形状は、円形又は円形に順ずる形状であることが好ましい。   In consideration of the current shape of the wafer ring and the shape of the semiconductor element, the planar shape of the adhesive film 3 is preferably a circular shape or a shape that follows a circular shape.

更に、半導体素子との貼付けを考慮すると、接着剤層２の平面形状と同様に平面形状であることが好ましい。   Furthermore, in consideration of the bonding with the semiconductor element, it is preferable that the adhesive layer 2 has a planar shape like the planar shape.

また、本発明になる接着シートにおいて、前記接着剤層は、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有したものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができる。   In the adhesive sheet according to the present invention, the adhesive layer preferably contains a thermoplastic resin and a thermopolymerizable component. Thereby, the semiconductor element can be sufficiently fixed to the supporting member for mounting the semiconductor element or another semiconductor element via the adhesive layer.

接着剤層２は、特に制限はないが、例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び、酸素反応性接着剤等により構成される。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着剤として半導体素子の固定に使用されることを考慮すると、接着剤層２は熱硬化性接着剤により構成されていることが好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular in the adhesive bond layer 2, For example, it is comprised with a thermosetting adhesive agent, a photocurable adhesive agent, a thermoplastic adhesive agent, an oxygen reactive adhesive agent, etc. These can be used alone or in combination of two or more, but considering that they are used for fixing semiconductor elements as an adhesive, the adhesive layer 2 should be composed of a thermosetting adhesive Is preferred.

熱硬化性接着剤としては、熱により硬化するものであれば特に制限はなく、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソジアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ熱重合性成分を含むものが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着シートとしての耐熱性及び熱硬化による接着力を考慮すると、上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。   The thermosetting adhesive is not particularly limited as long as it is cured by heat, and heat having a functional group such as a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group or an amide group. The thing containing a polymeric component is mentioned. These can be used singly or in combination of two or more types, and in consideration of heat resistance as an adhesive sheet and adhesive force due to thermosetting, the above-mentioned thermopolymerizable component and thermoplastic resin are contained. It is preferable to use a thermosetting adhesive.

ここで、熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限はないが、（Ａ）Ｔｇ（ガラス転移温度）が１０〜１００℃であり、且つ、重量平均分子量が５,０００〜２００,０００であるもの又は（Ｂ）Ｔｇが−５０℃〜１０℃であり、且つ、重量平均分子量が１００,０００以上であるものが好ましい。   Here, the thermoplastic resin is not particularly limited as long as it is a thermoplastic resin or a resin having a thermoplastic structure at least in an uncured state and forming a crosslinked structure after heating. However, (A) Tg (glass transition Temperature) is 10 to 100 ° C. and the weight average molecular weight is 5,000 to 200,000, or (B) Tg is −50 ° C. to 10 ° C. and the weight average molecular weight is 100,000. The above is preferable.

前者の熱可塑性樹脂（Ａ）としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられる。これらの中でもポリイミド樹脂を用いることが好ましい。   As the former thermoplastic resin (A), for example, polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, Examples include polyether ketone resins. Among these, it is preferable to use a polyimide resin.

後者の熱可塑性樹脂（Ｂ）としては、官能性モノマーを含む重合体を使用することが好ましく、この重合体の官能性モノマーの官能基としてはグリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリシジル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの官能基モノマーを含むグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましく、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と非相溶であることがより好ましい。   As the latter thermoplastic resin (B), it is preferable to use a polymer containing a functional monomer. The functional group of the functional monomer of this polymer is glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group. , An isocyanurate group, an amino group, an amide group, and the like. Among them, a glycidyl group is preferable. More specifically, a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer containing a functional group monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is preferable, and is more preferably incompatible with a thermosetting resin such as an epoxy resin. .

ここで、官能性モノマーを含む重合体の重量平均分子量が１０万以上であることが好ましい。これにより、半導体装置作製における作業環境下でフィルム形状を維持し、取り扱い易い接着シートにすることができる。   Here, the polymer containing the functional monomer preferably has a weight average molecular weight of 100,000 or more. Thereby, it can be set as the adhesive sheet which maintains a film shape in the working environment in semiconductor device manufacture, and is easy to handle.

また、重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を用いることにより、接着剤層の室温での硬さを高めることができ、接着シートを巻き取った際の圧力により接着剤層に巻き跡が転写されることを抑制することができる。   Moreover, by using a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more, the hardness of the adhesive layer at room temperature can be increased, and the adhesive layer is traced by the pressure when the adhesive sheet is wound up. Can be prevented from being transferred.

更に、何らかの原因で接着剤層に巻き跡の転写が生じた場合でも、上記の熱可塑性樹脂を用いていることで、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際の熱により容易に変形し、ボイドを低減することができる。   Furthermore, even when the transfer of the winding mark occurs in the adhesive layer for some reason, the use of the above thermoplastic resin makes it easy to deform due to heat when the adhesive layer is attached to the semiconductor wafer. Can be reduced.

上記官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、それらの中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス（株）製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３などが挙げられる。   Examples of the high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more including the functional monomer include a glycidyl group containing a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate and having a weight average molecular weight of 100,000 or more. Examples include (meth) acrylic copolymers, and among them, those that are incompatible with the epoxy resin are preferable. Specific examples of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer include, for example, trade name: HTR-860P-3 manufactured by Nagase ChemteX Corporation.

上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。   As said glycidyl group containing (meth) acrylic copolymer, a (meth) acrylic acid ester copolymer, an acrylic rubber, etc. can be used, for example, and an acrylic rubber is more preferable. The acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like.

また、上記高分子量成分は、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体であることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製の作業の中で、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子に十分に固定することができ、作製上の不具合を低減することができる。   Moreover, it is preferable that the said high molecular weight component is a glycidyl group containing (meth) acrylic acid ester copolymer. As a result, the semiconductor element can be sufficiently fixed to the support member for mounting the semiconductor element or another semiconductor element through the adhesive layer in the process of manufacturing the semiconductor device, thereby reducing manufacturing problems. can do.

上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体における、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ樹脂含有モノマー単位の量は、モノマー全量を基準として０．５〜６．０質量％が好ましく、０．５〜５．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％がさらに好ましい。グリシジル基含有モノマー単位の量がこの範囲にあると、十分な接着力が確保できると共に、ゲル化を防止することができる。   The amount of the epoxy resin-containing monomer unit such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate in the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer is preferably 0.5 to 6.0% by mass based on the total amount of the monomers, 0.5 -5.0 mass% is more preferable, and 0.8-5.0 mass% is further more preferable. When the amount of the glycidyl group-containing monomer unit is within this range, sufficient adhesive force can be secured and gelation can be prevented.

グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。   Examples of the functional monomer other than glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate include ethyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate, and these can be used alone or in combination of two or more. In the present invention, ethyl (meth) acrylate refers to both ethyl acrylate and ethyl methacrylate.

官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層２のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向がある。   In the case of using a combination of functional monomers, the mixing ratio is determined in consideration of Tg of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer, and it is preferable that Tg is −10 ° C. or higher. When Tg is −10 ° C. or higher, the tackiness of the adhesive layer 2 in the B stage state is appropriate, and the handleability tends to be good.

上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。   When the above monomer is polymerized to produce a high molecular weight component having a functional monomer-containing weight average molecular weight of 100,000 or more, the polymerization method is not particularly limited, and examples thereof include methods such as pearl polymerization and solution polymerization. Can be used.

官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であることが好ましく、３０万〜３００万であることがより好ましく、５０万〜２００万であることがさらに好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を意味する。   The weight average molecular weight of the high molecular weight component containing the functional monomer is preferably 100,000 or more, more preferably 300,000 to 3,000,000, and further preferably 500,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is in this range, the strength, flexibility, and tackiness of sheet-like or film-like are appropriate, and the flowability is appropriate, so the circuit fillability of wiring is ensured. It tends to be possible. In the present invention, the weight average molecular weight means a value measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.

また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。   Moreover, the usage-amount of the high molecular weight component whose weight average molecular weight containing a functional monomer is 100,000 or more has preferable 10-400 mass parts with respect to 100 mass parts of thermopolymerizable components. When it is in this range, storage elastic modulus and flowability during molding can be ensured, and handling properties at high temperatures tend to be good.

前記高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。   The amount of the high molecular weight component used is more preferably 15 to 350 parts by mass and particularly preferably 20 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermally polymerizable component.

また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができるが、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。   The thermopolymerizable component is not particularly limited as long as it is polymerized by heat. For example, functional groups such as glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group, isocyanurate group, amino group, amide group, etc. These compounds can be used alone or in combination of two or more, but considering the heat resistance as an adhesive sheet, they are cured by heat and have an adhesive action. It is preferable to use a resin.

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる接着剤層が得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。   Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a phenol resin, a thermosetting polyimide resin, a polyurethane resin, a melamine resin, and a urea resin, and in particular, heat resistance, workability, and reliability. It is most preferable to use an epoxy resin in terms of obtaining an adhesive layer having excellent resistance.

特に、前記熱重合性成分は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有するものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製後、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子に十分に固定することができ、半導体装置が使用される環境下で半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。   In particular, the thermopolymerizable component preferably contains an epoxy resin and an epoxy resin curing agent. As a result, the semiconductor element can be sufficiently fixed to the supporting member for mounting the semiconductor element or another semiconductor element after the semiconductor device is manufactured through the adhesive layer, and the semiconductor device is used in an environment where the semiconductor device is used. Damage or failure of the device can be prevented.

上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを使用することができる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. For example, a bifunctional epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin, a novolak such as a phenol novolac type epoxy resin or a cresol novolac type epoxy resin. A type epoxy resin or the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be used. These can be used alone or in combination of two or more.

上記エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製のエピコートシリーズ（商品名：エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１及び東都化成（株）製、商品名：ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。   As the above-mentioned epoxy resin, for example, as a bisphenol A type epoxy resin, an epicoat series (trade name: Epicoat 807, Epicoat 815, Epicoat 825, Epicoat 827, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004, Epicoat 1007, Epicoat 1009), manufactured by Dow Chemical Co., Ltd., trade names: DER-330, DER-301, DER-361, and Toto Kasei Co., Ltd., trade names: YD8125, YDF8170, and the like.

フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬（株）製、商品名：ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製、商品名：ＤＥＮ−４３８等が挙げられる。   As a phenol novolak type epoxy resin, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: Epicoat 152, Epicoat 154, Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: EPPN-201, Dow Chemical Co., Ltd., trade name: DEN- 438 or the like.

更に、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製、商品名：ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。   Furthermore, as an o-cresol novolak type epoxy resin, Nippon Kayaku Co., Ltd. product name: EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, Toto Kasei ( Product name: YDCN701, YDCN702, YDCN703, YDCN704, etc. are mentioned.

多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイト０１６３、ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。   As the polyfunctional epoxy resin, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: Epon 1031S, Ciba Specialty Chemicals, trade name: Araldite 0163, Nagase ChemteX Corporation, trade name: Denacol EX-611, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321 and the like.

アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピコート６０４、東都化成（株）製、商品名：ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製、商品名：ＥＬＭ−１２０等が挙げられる。   As the amine type epoxy resin, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: Epicoat 604, Toto Kasei Co., Ltd., trade name: YH-434, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., trade name: TETRAD-X and TETRAD-C, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name: ELM-120 and the like can be mentioned.

複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：アラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製、商品名：ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   Examples of the heterocyclic-containing epoxy resin include Ciba Specialty Chemicals, trade names: Araldite PT810, UCC, trade names: ERL4234, ERL4299, ERL4221, ERL4206, and the like. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を併用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙られる。   When using an epoxy resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent in combination. As the epoxy resin curing agent, known curing agents that are usually used can be used, for example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, dicyandiamide, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol. Examples thereof include bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule such as S, phenol novolac resins, phenol resins such as bisphenol A novolac resins or cresol novolac resins.

これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   Among these, phenol resins such as phenol novolak resin, bisphenol A novolak resin, and cresol novolak resin are preferable in terms of excellent electric corrosion resistance at the time of moisture absorption. These epoxy resin curing agents can be used alone or in combination of two or more.

上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学（株）製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。   Preferred examples of the phenol resin curing agent include, for example, trade names: Phenolite LF2882, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149, Phenolite, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. VH-4150, Phenolite VH4170, Meiwa Kasei Co., Ltd., trade name: H-1, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: Epicure MP402FPY, Epicure YL6065, Epicure YLH129B65 and Mitsui Chemicals, Inc. Name: Milex XL, Milex XLC, Milex RN, Milex RS, Milex VR and the like.

また、本発明になる接着シートにおいて、前記接着剤層は、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａであることが好ましい。なお、前記の貯蔵弾性率は、強制振動非共振法による引張り試験により求めることができる。   Moreover, in the adhesive sheet according to the present invention, the adhesive layer has a storage elastic modulus before curing at 25 ° C. of 10 to 10,000 MPa, and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C. of 0.5 to 30 MPa is preferable. The storage elastic modulus can be obtained by a tensile test using a forced vibration non-resonance method.

本発明になる接着シートにおいて、接着剤層が上記範囲の貯蔵弾性率を有することにより、被着体である半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との間の応力を緩和し、幅広い温度域で十分な接着力を確保することが可能となる。これにより、半導体装置作製の作業中又は半導体装置が使用される環境下で、半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。   In the adhesive sheet according to the present invention, the adhesive layer has a storage elastic modulus in the above range, so that the stress between the semiconductor element as the adherend and the supporting member for mounting the semiconductor element is relaxed, and a wide temperature range is achieved. With this, it becomes possible to secure a sufficient adhesive force. Thereby, damage or failure of the semiconductor device can be prevented during the work of manufacturing the semiconductor device or in an environment where the semiconductor device is used.

ここで、接着剤層２の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やす方法、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用するなどしてポリマー全体の架橋密度を上げる方法、フィラーを添加する方法等が挙げられる。   Here, as a method of increasing the storage elastic modulus of the adhesive layer 2, for example, a method of increasing the amount of epoxy resin used, an epoxy resin having a high glycidyl group concentration, or a phenol resin having a high hydroxyl group concentration is used. The method of raising the crosslinking density of this, the method of adding a filler, etc. are mentioned.

上記接着剤層２が熱重合性成分を含む場合、接着剤層２には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   When the adhesive layer 2 contains a thermopolymerizable component, a curing accelerator may be further added to the adhesive layer 2. There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator, For example, imidazole etc. are mentioned. Specific examples include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. Or two or more types can be used in combination.

この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。   5 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of a thermopolymerizable component, and, as for the addition amount of this hardening accelerator, 3 mass parts or less are more preferable. When this addition amount exceeds 5 parts by mass, the storage stability tends to decrease.

接着剤層２には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。   For the purpose of improving the flexibility and reflow crack resistance, a high molecular weight resin compatible with the thermopolymerizable component can be added to the adhesive layer 2. Such a high molecular weight resin is not particularly limited, and examples thereof include a phenoxy resin, a high molecular weight thermopolymerizable component, and an ultrahigh molecular weight thermopolymerizable component. These can be used alone or in combination of two or more.

熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、接着剤層が熱重合性成分を含む場合、熱重合性成分の総量１００質量部に対して、４０質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤層のＴｇを確保することができる。   The amount of the high molecular weight resin that is compatible with the thermopolymerizable component may be 40 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total amount of the thermopolymerizable component when the adhesive layer includes the thermopolymerizable component. preferable. Within this range, the Tg of the adhesive layer can be secured.

また、接着剤層２には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。   In addition, an inorganic filler can be added to the adhesive layer 2 for the purpose of improving its handleability, improving thermal conductivity, adjusting the melt viscosity, and imparting thixotropic properties. The inorganic filler is not particularly limited. For example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, Examples thereof include boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica.

また、フィラーの形状は特に制限はない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。   Further, the shape of the filler is not particularly limited. These fillers can be used alone or in combination of two or more. Among these, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica are preferable from the viewpoint of improving thermal conductivity.

また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。   From the viewpoint of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, crystallinity Silica and amorphous silica are preferred.

無機フィラーの添加量は、接着剤層２の総量を基準として１〜５０質量％が好ましい。添加量が１質量％未満であると添加効果が十分に得られない傾向があり、５０質量％を超えると、接着剤層２の粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。   The added amount of the inorganic filler is preferably 1 to 50% by mass based on the total amount of the adhesive layer 2. If the addition amount is less than 1% by mass, the effect of addition tends to be insufficient, and if it exceeds 50% by mass, the adhesive layer 2 has poor adhesive properties, electrical characteristics are reduced due to residual voids, etc. There is a tendency to cause problems.

また、接着剤層２には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。   Various adhesives can also be added to the adhesive layer 2 in order to improve interfacial bonding between different materials. Examples of the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based, and among them, a silane-based coupling agent is preferable because it is highly effective.

上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層２全量を基準として０．０１〜１０質量％とするのが好ましい。   It is preferable that the usage-amount of the said coupling agent shall be 0.01-10 mass% on the basis of the adhesive layer 2 whole quantity from the surface of the effect, heat resistance, and cost.

更に、接着剤層２には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層２全量を基準として０．１〜１０質量％が好ましい。   Furthermore, an ion scavenger can be added to the adhesive layer 2 in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption. Such an ion scavenger is not particularly limited. For example, a triazine thiol compound, a bisphenol-based reducing agent, etc., a compound known as a copper damage inhibitor to prevent copper from being ionized and dissolved, a zirconium-based compound, Examples include inorganic ion adsorbents such as antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds. The amount of the ion scavenger used is preferably 0.1 to 10% by mass on the basis of the total amount of the adhesive layer 2 from the viewpoint of the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.

接着剤層２の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、１〜５０μｍであることがより好ましく、５〜４０μｍであることが特に好ましい。厚さが０．１μｍ未満であると、接着剤として十分な接着力が確保できなくなる傾向があり、１００μｍを超えると、半導体装置が肉厚になり、半導体装置の使用用途が制限される傾向がある。   The thickness of the adhesive layer 2 is preferably 0.1 to 100 μm, more preferably 1 to 50 μm, and particularly preferably 5 to 40 μm. If the thickness is less than 0.1 μm, there is a tendency that sufficient adhesive force as an adhesive cannot be secured. If the thickness exceeds 100 μm, the semiconductor device becomes thick, and the use of the semiconductor device tends to be limited. is there.

粘着フィルム３は、基材フィルムの一方の面に粘着剤層を設けたものが好ましい。この場合、粘着フィルム３における接着剤層２及び剥離基材１と接する側の層が上記粘着剤層となっている。   The pressure-sensitive adhesive film 3 is preferably one in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on one surface of the base film. In this case, the adhesive layer 2 and the layer in contact with the release substrate 1 in the pressure-sensitive adhesive film 3 are the pressure-sensitive adhesive layer.

粘着フィルムに使用する基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。   Examples of the base film used for the adhesive film include polyester films such as polyethylene terephthalate films, polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, polypropylene films, polymethylpentene films, polyolefin films such as polyvinyl acetate films, poly Examples thereof include plastic films such as vinyl chloride films and polyimide films.

また、上記基材フィルムは異なる２種類以上のフィルムを積層したものであっても良いこの場合、粘着剤層が形成される側のフィルムは、半導体素子のピックアップ作業性が向する点で、２５℃での引張弾性率が２０００ＭＰａ以上であることが好ましく、２２００Ｐａ以上であることがより好ましく、２４００ＭＰａ以上であることがさら好ましい。   The base film may be a laminate of two or more different types of films. In this case, the film on the side on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed has a 25 The tensile elastic modulus at ° C is preferably 2000 MPa or more, more preferably 2200 Pa or more, and further preferably 2400 MPa or more.

また、粘着剤層が形成される側と反対側のフィルムは、フィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、２５℃での引張弾性率が１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、８００ＭＰａ以下であることがより好ましく、６００ＭＰａ以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７１１３号に準じて測定されるものである。   Further, the film on the side opposite to the side on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed preferably has a tensile modulus of elasticity of 1000 MPa or less at 25 ° C. in terms of large film elongation and good workability in the expanding step. More preferably, it is 800 MPa or less, and particularly preferably 600 MPa or less. This tensile elastic modulus is measured according to JIS K7113.

基材フィルムが２種以上のフィルムを積層したものである場合、その積層方法としては方のフィルムを押出しラミネートする方法、２種類以上のフィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、一方のフィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解又は分散してワニスとし、他方のフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法及び接着剤を用いて２種以上のフィルムを貼り合わせる方法等、公知の方法を使用することができる。   When the substrate film is a laminate of two or more types of films, the lamination method is a method of extruding and laminating one of the films, a method of laminating two or more types of films while extrusion coating, A known method such as a method in which a polymer as a raw material is dissolved or dispersed in a solvent to form a varnish, applied to the other film, heated to remove the solvent, and a method of bonding two or more films using an adhesive. Can be used.

粘着フィルム３の上記粘着剤層としては、高エネルギー線又は熱によって硬化する（すなわち、粘着力を制御できる）ものが好ましく、紫外線、ガンマ線、電子線等の高エネルギー線によって粘着力が低下するものがより好ましく、紫外線によって粘着力が低下するものがさらに好ましい。   The pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film 3 is preferably one that is cured by high energy rays or heat (that is, the pressure-sensitive adhesive force can be controlled), and the pressure-sensitive adhesive strength is reduced by high-energy rays such as ultraviolet rays, gamma rays, and electron beams. Are more preferable, and those whose adhesive strength is reduced by ultraviolet rays are more preferable.

かかる粘着剤層を構成する粘着剤としては、従来から種々のタイプが知られている。それらの中から、高エネルギー線の照射によって、接着剤層に対する粘着力が低下するものを適宜選んで用いることが好ましい。   Various types of pressure-sensitive adhesives constituting such a pressure-sensitive adhesive layer are conventionally known. Among them, it is preferable to appropriately select and use those whose adhesive strength to the adhesive layer is reduced by irradiation with high energy rays.

上記粘着剤としては、特に制限はないが、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタン（メタ）アクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。   The pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, and examples thereof include a compound having a diol group, an isocyanate compound, a urethane (meth) acrylate compound, a diamine compound, a urea methacrylate compound, and a high energy ray having an ethylenically unsaturated group in the side chain. Examples thereof include a polymerizable copolymer. These can be used alone or in combination of two or more.

このような粘着フィルムを有する構成の接着シートに放射線等の高エネルギー線を照射すると、照射後には接着剤層２と粘着フィルム３との界面の粘着力が低下し、半導体素子に接着剤層２を保持したまま粘着フィルム３から容易にピックアップすることが可能となる。   When an adhesive sheet having such a pressure-sensitive adhesive film is irradiated with high energy rays such as radiation, the adhesive strength at the interface between the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 decreases after irradiation, and the adhesive layer 2 is applied to the semiconductor element. It becomes possible to easily pick up from the adhesive film 3 while holding

本発明になる接着シートにおいて、接着剤層２と粘着フィルム３との界面の粘着力を低下させる方法としては、放射線等の高エネルギー線の照射のみで粘着力を低下させる方法以外に、高エネルギー線の照射と同時に又は照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用する方法が挙げられる。加熱を併用することにより、より低温短時間での粘着力の低下が可能となる。加熱温度は、接着剤層の分解点以下であれば特に制限はないが、５０〜１７０℃の温度が好ましい。   In the adhesive sheet according to the present invention, the method for reducing the adhesive strength at the interface between the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive film 3 is not limited to the method for reducing the adhesive strength only by irradiation with high energy rays such as radiation. A method of using heating together with the purpose of accelerating the curing reaction at the same time as or after irradiation of the line is mentioned. By using heating together, it becomes possible to lower the adhesive strength at a lower temperature and in a shorter time. The heating temperature is not particularly limited as long as it is below the decomposition point of the adhesive layer, but a temperature of 50 to 170 ° C. is preferable.

また、粘着剤層が熱により硬化する熱重合性成分を含む場合、粘着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。   When the pressure-sensitive adhesive layer contains a heat-polymerizable component that is cured by heat, a curing accelerator may be further added to the pressure-sensitive adhesive layer. There is no restriction | limiting in particular as a hardening accelerator, For example, imidazole etc. are mentioned. Specific examples include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, and the like. Or in combination of two or more.

硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量１００質量部に対して５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。   5 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of a thermopolymerizable component, and, as for the addition amount of a hardening accelerator, 3 mass parts or less are more preferable. When this addition amount exceeds 5 parts by mass, the storage stability tends to decrease.

また、粘着剤層が高エネルギー線の照射により硬化する高エネルギー線重合性成分を含む場合、粘着剤層には、活性光線の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ´−テトラメチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ´−テトラエチル−４，４´−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４´−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９´−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体などが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   When the pressure-sensitive adhesive layer contains a high-energy ray polymerizable component that is cured by irradiation with high-energy rays, a photopolymerization initiator that generates free radicals upon irradiation with actinic rays can be added to the pressure-sensitive adhesive layer. . Examples of such a photopolymerization initiator include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4- Methoxy-4′-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1- Aromatic ketones such as hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropanone-1, 2,4-diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone , Benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin pheny Benzoin ether such as ether, benzoin such as methylbenzoin and ethylbenzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4 , 5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-phenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer 2-mer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer, 2- (2,4-dimethoxy) 2,4,5-triarylimidazole dimer such as phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, - phenyl acridine, 1,7-bis (9,9'-acridinyl) including acridine derivatives heptane, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はないが、高エネルギー線重合性成分の総量１００質量部に対して通常０．０１〜３０質量部である。   Although there is no restriction | limiting in particular as the usage-amount of the said photoinitiator, Usually, it is 0.01-30 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of a high energy ray polymeric component.

粘着フィルム３において、粘着剤層の厚さは、０．１〜２０μｍであることが好ましい。この厚さが０．１μｍ未満であると、十分な粘着力を確保することが困難となる傾向があり、ダイシング時に半導体チップが飛散する可能性があり、２０μｍを超えると、経済的でなくなる上に、特性上特に有利な点はない。   In the pressure-sensitive adhesive film 3, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 0.1 to 20 μm. If this thickness is less than 0.1 μm, it tends to be difficult to ensure sufficient adhesive force, and the semiconductor chip may be scattered during dicing, and if it exceeds 20 μm, it is not economical. There is no particular advantage in terms of characteristics.

剥離基材１は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等を使用することができる。また紙、不織布、金属箔等も使用することができる。   The peeling substrate 1 plays a role as a carrier film when using the adhesive sheet. Examples of the peeling substrate 1 include polyester films such as polyethylene terephthalate films, polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, Polyolefin films such as polypropylene film, polymethylpentene film and polyvinyl acetate film, plastic films such as polyvinyl chloride film and polyimide film can be used. Paper, non-woven fabric, metal foil and the like can also be used.

また、剥離基材１の接着剤層２と接する側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。   Further, the surface of the release substrate 1 on the side in contact with the adhesive layer 2 may be surface-treated with a release agent such as a silicone release agent, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent.

剥離基材１の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜１００μｍであることがより好ましく、３０〜５０μｍであることがさらに好ましい。   Although the thickness of the peeling base material 1 can be suitably selected in the range which does not impair the workability | operativity at the time of use, it is preferable that it is 10-500 micrometers, It is more preferable that it is 25-100 micrometers, It is 30-50 micrometers. More preferably it is.

（接着シートの製造方法）
次に、本発明の接着シートを製造する方法について説明する。 (Adhesive sheet manufacturing method)
Next, a method for producing the adhesive sheet of the present invention will be described.

本発明になる接着シートは、例えば、接着剤層２を剥離基材１に塗布する際にあらかじめ部分的に接着剤層２を形成するためのワニスなどの原材料を分布させておく方法や、剥離基材１にマスクをし、このマスク部以外の部分に上記のワニス等の原材料を塗布する方法等を用いて形成することができるが、作業の簡便さを考慮すると、あらかじめ剥離基材１の全面に接着剤層２を塗布法により形成し、打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。また粘着フィルム３を部分的に形成する方法としても、上記と同様に打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。   The adhesive sheet according to the present invention is, for example, a method in which raw materials such as varnish for partially forming the adhesive layer 2 are distributed in advance when the adhesive layer 2 is applied to the peeling substrate 1, The substrate 1 can be masked and formed using a method such as applying the raw materials such as the varnish to portions other than the mask portion. A method in which the adhesive layer 2 is formed on the entire surface by a coating method and punched to remove unnecessary portions is preferable. Further, as a method for partially forming the adhesive film 3, a method in which unnecessary portions are removed by punching in the same manner as described above is preferable.

ここで、図６の（ａ）〜（ｃ）に、本発明になる接着シートの打ち抜き加工による製造過程の一例を縦断面工程図で示す。本発明になる接着シートの製造方法においては、まず、図６の５（ａ）に示すように、基材１上全面にフィルム状の基礎接着剤層２ａを積層する（第１の積層工程）。   Here, an example of the manufacturing process by punching the adhesive sheet according to the present invention is shown in FIG. In the method for producing an adhesive sheet according to the present invention, first, as shown in FIG. 6A, a film-like basic adhesive layer 2a is laminated on the entire surface of the substrate 1 (first laminating step). .

次に、前記基礎接着剤層２ａの前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎接着剤層を剥離して、複数の接着剤層と該接着剤層同士の間に配置される支持接着剤層とを形成する（第１の切断工程）。   Next, a cut is made from the surface of the base adhesive layer 2a opposite to the side in contact with the release substrate until it reaches the release substrate, and an unnecessary portion of the base adhesive layer is peeled off to form a plurality of adhesives Forming a layer and a supporting adhesive layer disposed between the adhesive layers (first cutting step).

例えば、円環状等の所定の形状の切断刃８で基礎接着剤層２ａから接着剤層２を完全に打ち抜く。次いで、図３の（ｂ）に示すように切断刃８でくりぬかれた接着剤層２部分を残して、残りを剥離・除去する。   For example, the adhesive layer 2 is completely punched out from the basic adhesive layer 2a with a cutting blade 8 having a predetermined shape such as an annular shape. Next, as shown in FIG. 3B, the adhesive layer 2 portion that has been hollowed out by the cutting blade 8 is left, and the rest is peeled off and removed.

なお、接着剤層２および支持接着剤層４を同一の基礎接着剤層２ａから形成する場合は、打ち抜きにより接着剤層２と支持接着剤層５とそれらの間隙とに分断する。次いで、前記間隙部分を剥離・除去する。   In addition, when forming the adhesive bond layer 2 and the support adhesive bond layer 4 from the same basic adhesive bond layer 2a, it divides | segments into the adhesive bond layer 2, the support adhesive bond layer 5, and those clearance gaps by punching. Next, the gap portion is peeled and removed.

さらに図３の（ｃ）に示すように前記接着剤層、支持接着剤層及び剥離基材を覆うように、粘着面を接着剤層側に向けて基礎粘着フィルム３ａを積層する（第２の積層工程）。   Further, as shown in FIG. 3 (c), the basic adhesive film 3a is laminated so that the adhesive layer faces the adhesive layer side so as to cover the adhesive layer, the supporting adhesive layer and the release substrate (second Lamination process).

次に、基礎粘着フィルムの剥離基材側と反対側の面から基礎粘着フィルムの次の層、すなわち剥離基材または接着剤層に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎粘着フィルムを剥離して、接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で剥離基材に接する粘着フィルムと、支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する（第２の切断工程）。   Next, cut from the surface opposite to the release substrate side of the basic adhesive film until it reaches the next layer of the basic adhesive film, that is, the release substrate or adhesive layer, and peel off the unnecessary portion of the basic adhesive film. And forming a pressure-sensitive adhesive film that covers the adhesive layer and is in contact with the release substrate at at least a part of the outer periphery of the adhesive layer, and a support pressure-sensitive adhesive film disposed on the support adhesive layer (second cutting step) .

例えば接着剤層用の切断刃８よりも大きい径をもつ円環状の切断刃９を使用して基礎粘着フィルム３ａから粘着フィルム３を完全に打ち抜き、さらに接着剤層と同様に円外部を除去して所定の粘着フィルム３構造を形成することが出来る。   For example, the pressure-sensitive adhesive film 3 is completely punched out from the basic pressure-sensitive adhesive film 3a using an annular cutting blade 9 having a diameter larger than that of the cutting blade 8 for the adhesive layer, and the outer portion of the circle is removed in the same manner as the adhesive layer. Thus, a predetermined adhesive film 3 structure can be formed.

基礎接着剤層２ａは、接着剤組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、剥離基材１上に塗布し、加熱により溶剤を除去してＢステージ状態にする。   For the basic adhesive layer 2a, the adhesive composition is dissolved or dispersed in a solvent to form a varnish, which is applied onto the release substrate 1, and the solvent is removed by heating to a B stage state.

ここで、上記のワニス化するための溶剤としては特に制限はないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。   Here, although there is no restriction | limiting in particular as said solvent for varnishing, In consideration of the volatility at the time of film preparation, for example, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol It is preferable to use a solvent having a relatively low boiling point such as methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, and xylene.

また、塗膜性を向上させるなどの目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。   For the purpose of improving the coating properties, for example, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone and cyclohexanone can be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

接着剤組成物に無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ビーズミル等を使用することが好ましく、またこれらを組み合わせて使用することもできる。   For the production of the varnish when an inorganic filler is added to the adhesive composition, it is preferable to use a raking machine, three rolls, ball mill, bead mill, etc. in consideration of the dispersibility of the inorganic filler. It can also be used in combination.

また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。   Moreover, after mixing an inorganic filler and a low molecular weight raw material beforehand, the mixing time can also be shortened by mix | blending a high molecular weight raw material.

更に、ワニスとした後、真空脱気などによってワニス中の気泡を除去することもできる。   Further, after the varnish is formed, the bubbles in the varnish can be removed by vacuum degassing or the like.

また、第３の積層工程における粘着フィルム３は、例えば、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布した後、加熱により溶剤を除去して、基材フィルム及び粘着剤層からなる粘着フィルム３を形成する。そして、得られた粘着フィルム３を、接着剤層２、支持接着剤層５及び露出している剥離基材１の全体を覆うように積層することによって行うことができる。   The pressure-sensitive adhesive film 3 in the third laminating step is, for example, prepared by dissolving or dispersing the material constituting the pressure-sensitive adhesive layer in a solvent to form a pressure-sensitive adhesive layer-forming varnish, applying this onto the base film, and then heating. The solvent is removed by, thereby forming an adhesive film 3 composed of a base film and an adhesive layer. And the obtained adhesive film 3 can be performed by laminating | stacking so that the whole adhesive layer 2, the support adhesive layer 5, and the peeling base material 1 which has exposed may be covered.

ここで、剥離基材１及び基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。   Here, as a method for applying the varnish to the peeling substrate 1 and the substrate film, a known method can be used, for example, knife coating method, roll coating method, spray coating method, gravure coating method, bar coating method. A curtain coating method or the like can be used.

また、粘着フィルム３の積層は、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。   Moreover, lamination | stacking of the adhesion film 3 can be performed by a conventionally well-known method, for example, can be performed using a laminator etc.

（半導体装置の製造方法）
次に、本発明の接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について、説明する。 (Method for manufacturing semiconductor device)
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet of the present invention will be described.

本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の接着シートまたは本発明の製造方法で製造された接着シートを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記接着剤層及び前記粘着フィルムからなる積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、
前記積層体付き半導体ウェハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させる照射工程、
前記照射後、粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程及び
前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程
を含む。 A method of manufacturing a semiconductor device of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet of the present invention or the adhesive sheet manufactured by the manufacturing method of the present invention,
A bonding step of peeling the laminated body composed of the adhesive layer and the adhesive film from the release substrate, and bonding the laminated body to the semiconductor wafer from the surface on the adhesive layer side to obtain a semiconductor wafer with a laminated body ,
A dicing step of dicing the semiconductor wafer with the laminate to the interface between the adhesive layer and the adhesive film, and cutting the semiconductor wafer into semiconductor elements of a predetermined size;
An irradiation step of irradiating the laminate with high energy rays to reduce the adhesive force of the adhesive film to the adhesive layer;
After the irradiation, the semiconductor element is picked up from the adhesive film together with the adhesive layer to obtain a semiconductor element with an adhesive layer, and the semiconductor element in the semiconductor element with the adhesive layer is covered through the adhesive layer. It includes an adhesion process for adhering to the body.

図７の（ａ）〜（ｃ）を用いて、接着シートとして図１に示した接着シート１００における積層体を半導体ウェハ１０に貼り付ける作業を行う一連の工程を説明する。また、接着シート１００において、粘着フィルム３は、図示しないが粘着剤層と基材フィルムとが積層された構成を有していることとする。   7A to 7C, a series of steps for performing an operation of attaching the laminate in the adhesive sheet 100 shown in FIG. 1 as the adhesive sheet to the semiconductor wafer 10 will be described. Moreover, in the adhesive sheet 100, although the adhesive film 3 is not shown in figure, it shall have the structure by which the adhesive layer and the base film were laminated | stacked.

図７の（ａ）に示すように加熱可能であるステージ１１上にウェハリング１２及び半導体ウェハ１０を設置する。   As shown in FIG. 7A, a wafer ring 12 and a semiconductor wafer 10 are placed on a stage 11 that can be heated.

次に、図７の（ｂ）に示すように、接着シート１００から剥離した積層体４を貼付する。すなわち、接着剤層２を半導体ウェハ１０へ、粘着フィルム３の外周部をウェハリング１２への貼付を行う。   Next, as shown in FIG. 7B, the laminate 4 peeled from the adhesive sheet 100 is pasted. That is, the adhesive layer 2 is attached to the semiconductor wafer 10 and the outer peripheral portion of the adhesive film 3 is attached to the wafer ring 12.

本貼付は、加熱ステージを使用することなく可能であるが、ウェハとの密着性を上げるという観点から、３０〜１５０度にステージを加熱した上で貼り付けを行うことが好ましい。   Although this sticking is possible without using a heating stage, it is preferable to stick the wafer after heating the stage at 30 to 150 degrees from the viewpoint of improving the adhesion to the wafer.

以上半導体ウェハ１０への積層体４の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハ１０への積層体４の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック（株）製、商品名：ＲＡＤ−２５００などが挙げられる。   As described above, the laminate 4 can be attached to the semiconductor wafer 10 continuously in an automated process. Examples of an apparatus for performing the operation of attaching the laminate 4 to the semiconductor wafer 10 include a product name: RAD-2500 manufactured by Lintec Corporation.

このような工程により積層体４を半導体ウェハ１０に貼り付ける場合、接着シート１００はロール状に巻き取られた状態で用いられるが、このとき、接着シート１００が支持層７を有していることにより、接着剤層２に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。   When the laminate 4 is attached to the semiconductor wafer 10 by such a process, the adhesive sheet 100 is used in a state of being wound in a roll shape. At this time, the adhesive sheet 100 has the support layer 7. Thus, it is possible to sufficiently suppress the transfer of the trace to the adhesive layer 2.

これにより、半導体ウェハ１０に積層体４を貼り付ける際に空気の巻き込み等を低減することができ、半導体ウェハ１０と接着剤層２との界面におけるボイドの発生を十分に抑制することができる。   As a result, air entrainment or the like can be reduced when the laminate 4 is attached to the semiconductor wafer 10, and generation of voids at the interface between the semiconductor wafer 10 and the adhesive layer 2 can be sufficiently suppressed.

次に、上記の工程により得られた積層体付き半導体ウェハをダイシングし（図示せず）、必要な大きさの積層体付き半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層２及び粘着フィルム３により半導体ウェハ１０は積層体４に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハが脱落することが抑制される。   Next, the semiconductor wafer with a laminated body obtained by the above process is diced (not shown) to obtain a semiconductor element with a laminated body having a required size. Here, steps such as washing and drying may be further performed. At this time, since the semiconductor wafer 10 is sufficiently adhered and held on the laminate 4 by the adhesive layer 2 and the adhesive film 3, the semiconductor wafer is suppressed from falling off during each of the above steps.

次に、放射線などの高エネルギー線を積層体４の粘着フィルム３に照射し、粘着フィルム３における粘着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。これにより粘着フィルムの接着剤層に対する粘着力を低下させる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。   Next, a high energy ray such as radiation is irradiated to the adhesive film 3 of the laminate 4, and a part or most of the adhesive layer in the adhesive film 3 is polymerized and cured. Thereby, the adhesive force with respect to the adhesive bond layer of an adhesive film is reduced. At this time, heating may be further performed for the purpose of accelerating the curing reaction simultaneously with or after irradiation with the high energy beam.

粘着フィルム３への高エネルギー線の照射は、基材フィルムの粘着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルムは光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。   Irradiation of the high energy ray to the adhesive film 3 is performed from the surface of the base film on which the adhesive layer is not provided. Therefore, when ultraviolet rays are used as the high energy rays, the substrate film needs to be light transmissive. In addition, when using an electron beam as a high energy ray, the base film does not necessarily need to be light transmissive.

高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、図７の（ｃ）に示すように、例えば吸引コレット２０によりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材フィルムの下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。   After irradiation with the high energy beam, the semiconductor element to be picked up is picked up by, for example, a suction collet 20 as shown in FIG. At this time, the semiconductor element to be picked up can be pushed up from the lower surface of the base film by, for example, a needle rod.

粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子と接着剤層２との間の粘着力は、接着剤層２と粘着剤層との間の粘着力よりも大きくなるため、半導体素子のピックアップを行うと、接着剤層２と粘着剤層との界面で剥離が生じ、接着剤層２が半導体素子の下面に付着した状態の接着剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。   By curing the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive force between the semiconductor element and the adhesive layer 2 becomes larger than the pressure-sensitive adhesive force between the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer. Then, peeling occurs at the interface between the adhesive layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer, and the semiconductor element with the adhesive layer in a state where the adhesive layer 2 adheres to the lower surface of the semiconductor element is picked up.

この接着剤層付き半導体素子を、接着剤層２を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層２は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。   This semiconductor element with an adhesive layer is placed on a support member for mounting a semiconductor element via the adhesive layer 2 and heated. The adhesive layer 2 develops an adhesive force by heating, and the bonding between the semiconductor element and the semiconductor element mounting support member is completed.

その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。   Then, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.

（半導体装置）
図８は、上述した半導体装置の製造方法により製造される本発明になる半導体装置の模式断面図である。 (Semiconductor device)
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device according to the present invention manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device described above.

図８に示すように、半導体装置３００は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板１３上に、接着剤層２及び半導体素子１４からなる接着剤層付き半導体素子が２つ積層されている。   As shown in FIG. 8, in the semiconductor device 300, two semiconductor elements with an adhesive layer composed of an adhesive layer 2 and a semiconductor element 14 are stacked on an organic substrate 13 that is a support member for mounting a semiconductor element. .

また、有機基板１３には、回路パターン１６及び端子１７、１８が形成されており、この回路パターン１６と２つの半導体素子１４とが、ワイヤボンド１５によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材１９により封止され、半導体装置３００が形成されている。この半導体装置３００は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート１００を用いて製造されるものである。   A circuit pattern 16 and terminals 17 and 18 are formed on the organic substrate 13, and the circuit pattern 16 and the two semiconductor elements 14 are connected to each other by wire bonds 15. These are sealed with a sealing material 19 to form a semiconductor device 300. This semiconductor device 300 is manufactured using the adhesive sheet 100 of the present invention by the above-described method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.

以下、実施例及び比較例をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限するものではない。   EXAMPLES Hereinafter, examples and comparative examples will be described more specifically, but the present invention is not limited to the following examples.

（接着剤層形成用ワニスの作製）
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３、エポキシ当量：２２０）６０質量部及び硬化剤として低吸水性フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量部に、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合し、第１のワニスを調製した。 (Preparation of adhesive layer forming varnish)
First, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., trade name: YDCN-703, epoxy equivalent: 220) as an epoxy resin and a low water-absorbing phenol resin (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) as a curing agent, (Product name: XLC-LL, phenol xylene glycol dimethyl ether condensate) To 40 parts by mass, 1500 parts by mass of cyclohexanone was added and stirred to prepare a first varnish.

次に、この第１のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー（株）製、商品名：ＮＵＣ Ａ−１８９）１．５質量部及びγ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（日本ユニカー（株）製、商品名：ＮＣＵ Ａ−１１６０）３質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー（日本アエロジル（株）製、商品名：Ｒ９７２Ｖ）３２質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第２のワニスを調製した。   Next, 1.5 parts by mass of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., trade name: NUC A-189) as a coupling agent and γ-ureidopropyltri Add 3 parts by mass of ethoxysilane (Nihon Unicar Co., Ltd., trade name: NCU A-1160), and further add 32 parts by mass of silica filler (Nihon Aerosil Co., Ltd., trade name: R972V) as an inorganic filler. After mixing, a second varnish was prepared by performing a dispersion treatment with a bead mill.

次いで、この第２のワニスに、グリシジル基含有アクリル系共重合体（帝国化学産業（株）製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３）２００質量部及び硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成（株）製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．５質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。   Subsequently, 200 mass parts of glycidyl group-containing acrylic copolymer (product name: HTR-860P-3) manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd. and 1-cyanoethyl-2-phenyl as a curing accelerator were added to the second varnish. 0.5 parts by mass of imidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., trade name: Curesol 2PZ-CN) was added and mixed by stirring to prepare an adhesive layer forming varnish.

（実施例１）
上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テイジンピューレックスＡ３１、短手方向４００ｍｍ）の片面に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の基礎接着剤層を形成した。 Example 1
The adhesive layer forming varnish is applied to one side of a polyethylene terephthalate film (made by Teijin DuPont Films, Inc., trade name: Teijin Purex A31, 400 mm in the short direction), which is a peeling substrate, and 140 Heat drying was carried out at 5 ° C. for 5 minutes to form a B-stage basic adhesive layer having a thickness of 10 μm.

得られた基礎接着剤層に対して、剥離基材と接していない面から、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して直径２１０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行うと共に、剥離基材の短手方向の両端部に基礎接着剤層（支持接着剤層）が残る形状になるようにかつ接着剤層２と同心円状に、直径２７７ｍｍ（φ）で同様に円形プリカット加工を行った。また、不要部分である同心円の間の環状の基礎接着剤層を剥離して接着剤層２と支持接着剤層５とを形成した（第１の切断工程）。なお、複数の接着剤層同士の間隔は長手方向に２５ｍｍ空けた。   For the obtained basic adhesive layer, a circular precut process with a diameter of 210 mm (φ) is performed by adjusting the depth of cut into the release substrate to 10 μm or less from the surface not in contact with the release substrate. At the same time, a circular pre-cut is similarly formed with a diameter of 277 mm (φ) so that the basic adhesive layer (supporting adhesive layer) remains at both ends in the short direction of the peeling substrate and is concentric with the adhesive layer 2. Processing was performed. Moreover, the cyclic | annular base adhesive layer between the concentric circles which are an unnecessary part was peeled, and the adhesive bond layer 2 and the support adhesive bond layer 5 were formed (1st cutting process). In addition, the space | interval of several adhesive bond layers left | separated 25 mm in the longitudinal direction.

別に、基礎粘着フィルムとして、DC tape(古河電工製)を用意した。   Separately, DC tape (manufactured by Furukawa Electric) was prepared as a basic adhesive film.

基礎粘着フィルムをその粘着剤層が上記接着剤層および支持接着剤層と接するように、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた。そして、基礎粘着フィルムに対して、剥離基材と接していない面から、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状に直径２９０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行うと共に、支持接着剤層上に基礎粘着フィルム（支持粘着フィルム）が同形状に積層されるよう加工を行った。ついで、不要部分である同心円の間の環状の基礎粘着フィルムを剥離して粘着フィルム３と支持粘着フィルム６とを形成した（第２の切断工程）。これにより、図１に示す構造を有する接着シートを得た。なお、複数の粘着フィルム同士の間隔は長手方向に３ｍｍ空けた。   The basic pressure-sensitive adhesive film was pasted at room temperature, linear pressure of 1 kg / cm, and speed of 0.5 m / min so that the pressure-sensitive adhesive layer was in contact with the adhesive layer and the supporting adhesive layer. And it adjusts so that the cutting depth to a peeling base material may be 10 micrometers or less from the surface which is not in contact with a peeling base material with respect to a basic adhesive film, and a diameter of 290 mm (phi) concentrically with an adhesive layer. While performing circular precut processing, it processed so that a base adhesive film (support adhesive film) might be laminated | stacked on the support adhesive layer in the same shape. Subsequently, the cyclic | annular basic adhesive film between the concentric circles which are an unnecessary part was peeled, and the adhesive film 3 and the support adhesive film 6 were formed (2nd cutting process). As a result, an adhesive sheet having the structure shown in FIG. 1 was obtained. In addition, the space | interval of several adhesive films left | separated 3 mm in the longitudinal direction.

（実施例２）
接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。 (Example 2)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 25 μm.

（実施例３）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例１と同様にして接着シートを得た。 (Example 3)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 40 μm.

（実施例４）
上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テイジンピューレックスＡ３１）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の基礎接着剤層を形成した。 Example 4
The adhesive layer forming varnish is applied onto a polyethylene terephthalate film (trade name: Teijin Purex A31, manufactured by Teijin DuPont Films Co., Ltd.) having a film thickness of 50 μm, followed by heat drying at 140 ° C. for 5 minutes. A 10 μm B-stage basic adhesive layer was formed.

得られた基礎接着剤層に対して実施例１と同様にして、図４に示す構造を有する接着シートを得た。   The adhesive sheet having the structure shown in FIG. 4 was obtained in the same manner as in Example 1 for the obtained basic adhesive layer.

（実施例５）
基礎接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は実施例４と同様にして接着シートを得た。 (Example 5)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 4 except that the thickness of the basic adhesive layer was 25 μm.

（実施例６）
基礎接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は実施例５と同様にして接着シートを得た。 (Example 6)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 5 except that the thickness of the base adhesive layer was 40 μm.

（比較例１）
上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テイジンピューレックスＡ３１）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚１０μｍのＢステージ状態の基礎接着剤層を形成した。 (Comparative Example 1)
The adhesive layer forming varnish is applied onto a polyethylene terephthalate film (trade name: Teijin Purex A31, manufactured by Teijin DuPont Films Co., Ltd.) having a film thickness of 50 μm, followed by heat drying at 140 ° C. for 5 minutes. A 10 μm B-stage basic adhesive layer was formed.

得られた基礎接着剤層に対して、剥離基材と接していない面から、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して直径２１０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行った。   For the obtained basic adhesive layer, circular pre-cut processing with a diameter of 210 mm (φ) is performed by adjusting the depth of cut into the release substrate to be 10 μm or less from the surface not in contact with the release substrate. It was.

その後、円形以外の基礎接着剤層の不要部分を除去し、基礎粘着フィルムを実施例１と同じ条件で貼付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材と接していない面から、剥離基材への切り込み深さが１０μｍ以下となるように調節して接着剤層と同心円状に直径２９０ｍｍ（φ）の円形プリカット加工を行った。円形以外の基礎粘着フィルムの不要部分を除去し、これにより、図５に示す構造を有する接着シートを得た。   Thereafter, unnecessary portions of the basic adhesive layer other than the circular shape were removed, and the basic adhesive film was attached under the same conditions as in Example 1. Then, the adhesive film is adjusted so that the depth of cut into the release substrate is 10 μm or less from the surface not in contact with the release substrate, and is 290 mm (φ) in diameter concentrically with the adhesive layer. Pre-cut processing was performed. Unnecessary portions of the basic adhesive film other than the circular shape were removed, whereby an adhesive sheet having the structure shown in FIG. 5 was obtained.

（比較例２）
接着剤層の膜厚を２５μｍとした以外は比較例１と同様にして接着シートを得た。 (Comparative Example 2)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 25 μm.

（比較例３）
接着剤層の膜厚を４０μｍとした以外は比較例１と同様にして接着シートを得た。 (Comparative Example 3)
An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the adhesive layer was 40 μm.

［巻き跡の転写抑制性評価試験］
上記の実施例１〜６及び比較例１〜３で得た接着シートを、円形形状の粘着フィルムの数が３００枚になるように、巻き取り張力を１ｋｇ及び３ｋｇとしてロール状に巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを２週間冷蔵庫内（５℃）で放置した。 [Evaluation test of transcriptional inhibition of winding marks]
The adhesive sheets obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 were wound into a roll with a winding tension of 1 kg and 3 kg so that the number of circular adhesive films was 300, and bonded. A sheet roll was produced. The obtained adhesive sheet roll was left in a refrigerator (5 ° C.) for 2 weeks.

その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、１５０枚目の粘着フィルムについて目視で巻き跡の転写の有無を観察し、以下の評価基準に従って、○、△及び×の３段階で接着シートの巻き跡の転写抑制性を評価した。その結果を表１に示す。

Figure 2008303386
Thereafter, the adhesive sheet roll is returned to room temperature, and then the roll is unwound. The 150th adhesive film is visually observed for the presence or absence of the transfer of the trace, and bonded in three stages according to the following evaluation criteria: ○, Δ, and ×. The transfer inhibition of the sheet trace was evaluated. The results are shown in Table 1.
Figure 2008303386

○：あらゆる角度から観察しても凹み（巻き跡の転写）を確認できない。   ○: A dent (transfer of traces) cannot be confirmed even when observed from any angle.

△：粘着フィルム上面からは凹み（巻き跡の転写）が確認できないが、粘着フィルムの角度を変え観察することで凹みが確認できる。   (Triangle | delta): Although a dent (transfer of a trace) cannot be confirmed from the adhesive film upper surface, a dent can be confirmed by changing the angle of an adhesive film and observing.

×：粘着フィルム上面から観察し、粘着フィルム上に凹み（巻き跡の転写）が確認できる。   X: Observed from the upper surface of the adhesive film, and dents (transfer of traces) can be confirmed on the adhesive film.

また、巻き跡の転写抑制性を評価した後の接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムを剥離基材から剥離し、これを接着剤層側から半導体ウェハに貼り付けたときのボイドの発生の有無を目視にて評価した。   In addition, in the adhesive sheet after evaluating the transfer inhibition of the trace, the occurrence of voids when the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film are peeled off from the release substrate and this is attached to the semiconductor wafer from the adhesive layer side. The presence or absence was evaluated visually.

その結果、上記巻き跡の転写抑制性の評価結果が○であったものは、ボイドの発生も十分に抑制されており、△であったものは、ボイドがやや発生しており、×であったものは、ボイドが多く発生していることが確認された。   As a result, when the evaluation result of the transfer inhibition property of the above-mentioned trace was ◯, the generation of voids was sufficiently suppressed, and when the evaluation was △, the voids were slightly generated, and ×. It was confirmed that many voids were generated.

表１に示されるように、本発明になる接着シート（実施例１〜６）は、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際にボイドの発生を十分に抑制することができることが確認された。すなわち、本発明になる接着シート（実施例１〜６）によれば、比較例の接着シート（比較例１〜３）と比較して、ロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができることが明らかである。   As shown in Table 1, it was confirmed that the adhesive sheets according to the present invention (Examples 1 to 6) can sufficiently suppress the generation of voids when the adhesive layer is attached to a semiconductor wafer. That is, according to the adhesive sheets (Examples 1 to 6) according to the present invention, when wound into a roll, compared to the adhesive sheets of Comparative Examples (Comparative Examples 1 to 3), the adhesive sheets are wound on the adhesive layer. It is clear that the transfer of the trace can be sufficiently suppressed.

（ａ）は、本発明の一実施例になる接着シートの平面図で、（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートのＡ−Ａ線断面図である。(A) is a top view of the adhesive sheet which becomes one Example of this invention, (b) is the sectional view on the AA line of the adhesive sheet shown to (a). （ａ）は、本発明の他の一実施例になる接着シートの平面図で、（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートの、図１と同様の個所の断面図である。(A) is a top view of the adhesive sheet which becomes another one Example of this invention, (b) is sectional drawing of the location similar to FIG. 1 of the adhesive sheet shown to (a). （ａ）は、本発明の他の一実施例になる接着シートの平面図で、（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートの、図１と同様の個所の断面図である。(A) is a top view of the adhesive sheet which becomes another one Example of this invention, (b) is sectional drawing of the location similar to FIG. 1 of the adhesive sheet shown to (a). （ａ）は、本発明の他の一実施例になる接着シートの平面図で（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートの、図１と同様の個所の断面図である。(A) is a top view of the adhesive sheet which becomes another one Example of this invention, (b) is sectional drawing of the same location as FIG. 1 of the adhesive sheet shown to (a). （ａ）は、従来の接着シートの平面図で、（ｂ）は、（ａ）に示す接着シートのＸ−Ｘ線断面図である。(A) is a top view of the conventional adhesive sheet, (b) is XX sectional drawing of the adhesive sheet shown to (a). 本発明になる接着シートの製造過程を示す工程図であり、このうち（ａ）は接着シートの第一の切断工程を示し、（ｂ）は第一の切断工程後のフィルムを示し、（ｃ）は接着シートの第二の切断工程を示す。It is process drawing which shows the manufacture process of the adhesive sheet which becomes this invention, among these, (a) shows the 1st cutting process of an adhesive sheet, (b) shows the film after a 1st cutting process, (c ) Shows a second cutting step of the adhesive sheet. 積層体を半導体ウェハに貼り付ける過程を示す工程図であり、このうち（ａ）は接着シートを貼り付ける半導体ウェハ及びウェハリングを示し、（ｂ）は接着シートを貼り付けた状態を示し、（ｃ）は貼り付け後にさらにダイシングした後の状態を示す。It is process drawing which shows the process of affixing a laminated body to a semiconductor wafer, (a) shows the semiconductor wafer and wafer ring which affix an adhesive sheet, (b) shows the state which affixed the adhesive sheet, c) shows a state after dicing after pasting. 本発明になる半導体装置の模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device according to the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 剥離基材
２ 接着剤層
３ 粘着フィルム
４ 積層体
５ 支持接着剤層
６ 支持粘着フィルム
７ 支持層
８ 切断刃
９ 切断刃
１０ 半導体ウェハ
１１ ステージ
１２ ウェハリング
１３ 有機基板
１４ 半導体素子
１５ ワイヤボンド
１６ 回路パターン
１７ 端子
１８ 端子
１９ 封止材
２０ 吸引コレット
１００ 接着シート
１１０ 接着シート
１２０ 接着シート
１３０ 接着シート
２００ 接着シート
３００ 半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Peeling base material 2 Adhesive layer 3 Adhesive film 4 Laminate 5 Support adhesive layer 6 Support adhesive film 7 Support layer 8 Cutting blade 9 Cutting blade 10 Semiconductor wafer 11 Stage 12 Wafer ring 13 Organic substrate 14 Semiconductor element 15 Wire bond 16 Circuit pattern 17 Terminal 18 Terminal 19 Sealing material 20 Suction collet 100 Adhesive sheet 110 Adhesive sheet 120 Adhesive sheet 130 Adhesive sheet 200 Adhesive sheet 300 Semiconductor device

Claims (15)

剥離基材と、
該剥離基材上に分散配置された複数の積層体と、
複数の前記積層体の間の剥離基材上に形成された支持層とを有する接着シートであって、
前記積層体は接着剤層及び該接着剤層側に粘着性を有し、接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムからなり、
前記支持層は前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する接着シート。 A release substrate;
A plurality of laminates distributed on the release substrate;
An adhesive sheet having a support layer formed on a release substrate between the plurality of laminates,
The laminate has pressure-sensitive adhesive properties on the adhesive layer and the adhesive layer side, covers the adhesive layer, and is formed so as to be in contact with the release substrate at at least a part of the outer periphery of the adhesive layer Consists of
The support layer is an adhesive sheet having a film thickness equal to or greater than a total film thickness of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film. 前記支持層が、前記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び前記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されたものである請求項１記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1, wherein the support layer is a laminate of a support adhesive layer having the same composition as the adhesive layer and a support adhesive film having the same composition as the adhesive film. 前記支持粘着フィルムは前記支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように前記支持接着剤層上に積層されている請求項２記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 2, wherein the support adhesive film covers the support adhesive layer and is laminated on the support adhesive layer so that a part thereof is in contact with the release substrate. 前記剥離基材が、長尺のものであり、前記積層体が、少なくとも剥離基材の長さ方向に複数分散配置された請求項１〜３のいずれかに記載の接着シート。   The adhesive sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein the release substrate is long, and a plurality of the laminates are dispersedly arranged in at least the length direction of the release substrate. 前記接着剤層及び前記粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状又は前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層若しくは前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有したものである請求項１〜４のいずれかに記載の接着シート。   At least one of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film has a circular shape or a planar shape that matches the planar shape of the adherend to which the adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive film is to be attached after peeling the release substrate. It is a thing, The adhesive sheet in any one of Claims 1-4. 前記接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有したものである請求項１〜５のいずれかに記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1, wherein the adhesive layer contains a thermoplastic resin and a thermopolymerizable component. 前記熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上の高分子量成分である請求項６記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 6, wherein the thermoplastic resin is a high molecular weight component containing a functional monomer and having a weight average molecular weight of 100,000 or more. 前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体である請求項７記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 7, wherein the high molecular weight component is a glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer. 前記熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する請求項６〜８のいずれかに記載の接着シート。   The adhesive sheet according to any one of claims 6 to 8, wherein the thermally polymerizable component contains an epoxy resin and an epoxy resin curing agent. 前記接着剤層が、２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜３０ＭＰａである請求項１〜９のいずれかに記載の接着シート。   10. The adhesive layer according to claim 1, wherein the adhesive elastic layer has a storage elastic modulus before curing at 25 ° C. of 10 to 10,000 MPa, and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C. of 0.5 to 30 MPa. The adhesive sheet of crab. 高エネルギー線の照射により、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの間の粘着力が低下する請求項１〜１０のいずれかに記載の接着シート。   The adhesive sheet in any one of Claims 1-10 with which the adhesive force between the said adhesive bond layer and the said adhesive film falls by irradiation of a high energy ray. 剥離基材上に基礎接着剤層を積層する第１の積層工程、
前記基礎接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎接着剤層を剥離して複数の接着剤層と、該接着剤層同士の間に配置される支持接着剤層とを形成する第１の切断工程、前記接着剤層、支持接着剤層及び剥離基材を覆うように、粘着面を接着剤層側に向けて基礎粘着フィルムを積層する第２の積層工程及び
前記基礎粘着フィルムの前記剥離基材側と反対側の面から基礎粘着フィルムの次の層に達するまで切り込みを入れ、不要部分の基礎粘着フィルムを剥離して、前記接着剤層を覆い且つ該接着剤層の外周の少なくとも一部で前記剥離基材に接する上記粘着フィルムと前記支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する第２の切断工程
を含むことを特徴とする接着シートの製造方法。 A first laminating step of laminating a base adhesive layer on the release substrate;
Cut from the surface of the base adhesive layer opposite to the side in contact with the release substrate until it reaches the release substrate, and peels off the unnecessary portion of the base adhesive layer to form a plurality of adhesive layers A first cutting step for forming a supporting adhesive layer disposed between the adhesive layers, the adhesive surface facing the adhesive layer side so as to cover the adhesive layer, the supporting adhesive layer and the release substrate The second lamination step of laminating the basic adhesive film and cutting from the surface opposite to the peeling substrate side of the basic adhesive film until reaching the next layer of the basic adhesive film, Peeling to form the pressure-sensitive adhesive film that covers the adhesive layer and is in contact with the release substrate at at least a part of the outer periphery of the adhesive layer, and the support pressure-sensitive adhesive film that is disposed on the support adhesive layer Including two cutting steps The production method of the adhesive sheet. 請求項１〜１１のいずれかに記載の接着シート又は請求項１２記載の方法で製造された接着シートを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記接着剤層及び前記粘着フィルムからなる積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、
前記積層体付き半導体ウェハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、
前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させる照射工程、
前記照射後、粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程及び
前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method for producing a semiconductor device using the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 11 or the adhesive sheet produced by the method according to claim 12,
A bonding step of peeling the laminated body composed of the adhesive layer and the adhesive film from the release substrate, and bonding the laminated body to the semiconductor wafer from the surface on the adhesive layer side to obtain a semiconductor wafer with a laminated body ,
A dicing step of dicing the semiconductor wafer with the laminate to the interface between the adhesive layer and the adhesive film, and cutting the semiconductor wafer into semiconductor elements of a predetermined size;
An irradiation step of irradiating the laminate with high energy rays to reduce the adhesive force of the adhesive film to the adhesive layer;
After the irradiation, the semiconductor element is picked up from the adhesive film together with the adhesive layer to obtain a semiconductor element with an adhesive layer, and the semiconductor element in the semiconductor element with the adhesive layer is covered through the adhesive layer. The manufacturing method of the semiconductor device characterized by including the adhesion | attachment process of adhere | attaching to a to-be-attached body. 前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である請求項１３記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 13, wherein the adherend is a support member for mounting a semiconductor element or another semiconductor element. 請求項１３又は１４記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。   The semiconductor device manufactured by the manufacturing method of the semiconductor device of Claim 13 or 14.
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