JP2010219086A - Wafer processing film and method for manufacturing semiconductor device using wafer processing film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハ加工用フィルムに関し、特に、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの2つの機能を有するダイシング・ダイボンディングフィルムを含むウエハ加工用フィルムに関する。また、前記ウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing film, and more particularly to a wafer processing film including a dicing die bonding film having two functions of a dicing tape and a die bonding film. The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film.
近時、半導体ウエハを個々のチップに切断分離(ダイシング)する際に半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断された半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するため、又は、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するためのダイボンディングフィルム(ダイアタッチフィルムともいう)との2つの機能を併せ持つダイシング・ダイボンディングフィルムが開発されている。 Recently, a dicing tape for fixing a semiconductor wafer when the semiconductor wafer is cut and separated into individual chips (dicing) and a semiconductor chip that has been cut are bonded to a lead frame, a package substrate, or the like, or stacked. As a package, a dicing die bonding film having both functions of a die bonding film (also referred to as a die attach film) for laminating and adhering semiconductor chips has been developed.
このようなダイシング・ダイボンディングフィルムとしては、ウエハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性を考慮して、プリカット加工が施されている。 Such a dicing / die bonding film is pre-cut in consideration of workability such as attachment to a wafer and attachment to a ring frame during dicing.
プリカット加工されたダイシング・ダイボンディングフィルムの例を、図5及び図6に示す。図5、図6(A)、図6(B)は、それぞれダイシング・ダイボンディングフィルム35を備えたウエハ加工用フィルム30の概要図、平面図、断面図である。ウエハ加工用フィルム30は、離型フィルム31と、接着剤層32と、粘着フィルム33とからなる。接着剤層32は、ウエハの形状に対応する円形に加工されたものであり、円形ラベル形状を有する。粘着フィルム33は、ダイシング用のリングフレームの形状に対応する円形部分の周辺領域が除去されたものであり、図示するように、円形ラベル部33aと、その外側を囲むような周辺部33bとを有する。接着剤層32と粘着フィルム33の円形ラベル部33aとは、その中心を揃えて積層され、また、粘着フィルム33の円形ラベル部33aは、接着剤層32を覆い、且つ、その周囲で離型フィルム31に接触している。そして、接着剤層32と粘着フィルム33の円形ラベル部33aとからなる積層構造により、ダイシング・ダイボンディングフィルム35が構成される。
An example of a pre-cut processed dicing die bonding film is shown in FIGS. FIGS. 5, 6 </ b> A, and 6 </ b> B are a schematic view, a plan view, and a cross-sectional view of a
ウエハをダイシングする際には、積層状態の接着剤層32及び粘着フィルム33から離型フィルム31を剥離し、図7に示すように、接着剤層32上に半導体ウエハWの裏面を貼り付け、粘着フィルム33の円形ラベル部33aの外周部にダイシング用リングフレームRを粘着固定する。この状態で半導体ウエハWをダイシングし、その後、粘着フィルム33に紫外線照射等の硬化処理を施して半導体チップをピックアップする。このとき、粘着フィルム33は、硬化処理によって粘着力が低下しているので、接着剤層32から容易に剥離し、半導体チップは裏面に接着剤層32が付着した状態でピックアップされる。半導体チップの裏面に付着した接着剤層32は、その後、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際に、ダイボンディングフィルムとして機能する。
When dicing the wafer, the
ところで、上記のようなウエハ加工用フィルム30は、図5及び図6に示すように、接着剤層32と粘着フィルム33の円形ラベル部33aとが積層された部分が、他の部分よりも厚い。このため、円筒状の巻き芯を用いて、長尺のウエハ加工用フィルム30を製品としてロール状に巻いた際、接着剤層32と粘着フィルム33の円形ラベル部33aとの積層部分に、粘着フィルム33が除去されることにより形成された粘着フィルム33と離型フィルムとの段差が重なりあい、柔軟な接着剤層32表面に段差が転写される現象、すなわち図8に示すような転写痕(ラベル痕、シワ、又は、巻き跡ともいう)が発生する。このような転写痕の発生は、特に、接着剤層32が柔らかい樹脂で形成される場合や厚みがある場合、及びテープ30の巻き数が多い場合などに顕著である。そして、転写痕が発生すると、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、密着せず、その結果、接着不良を引き起こし、ウエハの加工時に不具合が生じるおそれがある。
By the way, as shown in FIGS. 5 and 6, the
上記転写痕の発生を抑制するためには、フィルムの巻き取り圧を弱くすることが考えられるが、この方法では、製品の巻きズレが生じ、例えばテープマウンターへのセットが困難となる等、フィルムの実使用時に支障を来すおそれがある。 In order to suppress the occurrence of the transfer marks, it is conceivable to reduce the film winding pressure. However, in this method, the winding of the product occurs, for example, the film is difficult to set on the tape mounter. There is a risk of hindrance during actual use.
また、特許文献1には、上記のようなラベル痕の発生を抑制するために、剥離基材上の接着剤層及び粘着フィルムの外方に、接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層を設けた接着シートが開示されている。特許文献1の接着シートは、支持層を備えることで、接着シートにかかっていた巻き取りの圧力を分散するか或いは支持層に集め、転写痕の発生を抑制している。
Moreover, in
しかしながら、上記特許文献1の接着シートでは、剥離基材上の、半導体装置を製造する場合等に必要とされる接着剤層及び粘着フィルム以外の部分に、支持層が形成されることから、支持層の幅に制限があり、接着剤層及び粘着フィルムの外径に対して支持層の幅が狭く、ラベル痕の抑制効果が十分ではないという問題が生じていた。また、支持層は一般的に粘着性を有さず、剥離基材(PETフィルム)と十分に貼り付いていないことから、支持層の最も狭い部分において剥離基材から浮き、ウエハにダイシング・ダイボンディングフィルムを貼り合わせる際に、上述した浮いた部分が装置に引っかかり、ウエハが損傷してしまうという問題が生じていた。
However, in the adhesive sheet of
なお、支持層の幅を広くすることも考えられるが、ウエハ加工用フィルム全体の幅も広くなるため、既存設備の使用が困難となる。また、支持層は、最終的に廃棄される部分であることから、支持層の幅を広げることは材料コストの上昇に繋がる。 Although it is conceivable to increase the width of the support layer, the width of the entire wafer processing film is also increased, making it difficult to use existing equipment. In addition, since the support layer is a part that is finally discarded, increasing the width of the support layer leads to an increase in material cost.
そこで、本発明の目的は、接着剤層及び粘着フィルムを有するウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層への転写痕の発生を十分に抑制することができるウエハ加工用フィルムを提供することにある。また、このようなウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is for wafer processing that can sufficiently suppress the generation of transfer marks on the adhesive layer when the wafer processing film having an adhesive layer and an adhesive film is wound up in a roll shape. To provide a film. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using such a wafer processing film.
以上のような目的を達成するため、本発明のウエハ加工用フィルムは、長尺の基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に長尺のフィルム状に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に長尺のフィルム状に設けられた接着剤層とを有し、前記粘着剤層は、放射線重合性化合物と、光開始剤とを含むことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a film for wafer processing of the present invention is a pressure-sensitive adhesive film comprising a long base film and a pressure-sensitive adhesive layer provided in the form of a long film on the base film. And an adhesive layer provided in the form of a long film on the pressure-sensitive adhesive layer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator.
上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、粘着剤層は放射線重合性化合物と光開始剤とを含むことから、光開始剤が反応する波長の光を粘着剤層の所望の位置に照射することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した粘着剤層の部分と硬化していない粘着剤層の部分とを形成できる。従って、リングフレームに対応する位置の粘着剤層を露光することにより、粘着剤層のリングフレームに対応する部分を硬化させ、粘着性を低下させて、その部分に対応する位置の接着剤層を剥離することができる。 According to the wafer processing film of the invention described above, since the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator, light having a wavelength with which the photoinitiator reacts is irradiated to a desired position of the pressure-sensitive adhesive layer. Thus, a part of the pressure-sensitive adhesive layer cured at a desired position, size and shape and a part of the pressure-sensitive adhesive layer which is not cured can be formed. Therefore, by exposing the pressure-sensitive adhesive layer at a position corresponding to the ring frame, the portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer is cured, the adhesiveness is lowered, and the adhesive layer at the position corresponding to the portion is formed. Can be peeled off.
従来、接着剤層が被着体と剥離し難かったため、所望の形状(例えば、円形平面形状)にプリカットされた接着剤層を使用することにより、使用後のウエハ加工用フィルムを剥離する際にリングフレームへの接着剤の残存を防止していたが、上述のようにリングフレームに対応する位置の粘着性を失わせて接着剤層を剥離すればよいため、接着剤層及び粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Conventionally, since the adhesive layer has been difficult to peel off from the adherend, when the wafer processing film after use is peeled off by using the adhesive layer pre-cut into a desired shape (for example, a circular planar shape) Although the adhesive remained on the ring frame was prevented, the adhesive layer and the adhesive film should be predetermined because the adhesive layer may be peeled off by removing the adhesiveness at the position corresponding to the ring frame as described above. There is no need to pre-cut the shape. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.
また、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、長尺の基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に長尺のフィルム状に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に長尺のフィルム状に設けられた接着剤層とを有し、前記粘着剤層は、熱重合性化合物を含むことも好ましい。 Moreover, as a film for wafer processing which concerns on this invention, the adhesive film which consists of an elongate base film and the adhesive layer provided in the elongate film shape on the said base film, and on the said adhesive layer It is also preferable that the pressure-sensitive adhesive layer contains a thermopolymerizable compound.
上述した発明によれば、粘着剤層の所望の位置に熱を照射することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した粘着剤層の部分と硬化していない粘着剤層の部分とを形成できる。従って、リングフレームに対応する位置の粘着剤層に熱を照射することにより、粘着剤層のリングフレームに対応する部分を硬化させ、粘着性を低下させて、その部分に対応する位置の接着剤層を剥離することができる。このため、接着剤層及び粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 According to the above-described invention, by irradiating heat at a desired position of the pressure-sensitive adhesive layer, a portion of the pressure-sensitive adhesive layer cured at a desired position, size, and shape and a portion of the pressure-sensitive adhesive layer that has not been cured. Can be formed. Therefore, by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer at the position corresponding to the ring frame with heat, the portion corresponding to the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer is cured, the adhesiveness is lowered, and the adhesive at the position corresponding to that portion. The layer can be peeled off. For this reason, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film into a predetermined shape. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.
また、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、前記粘着フィルムは、リングフレームに対応する形状にプリカットされておらず、前記接着剤層は、半導体ウエハに対応する形状にプリカットされていないことが好ましい。 Moreover, as the film for wafer processing according to the present invention, it is preferable that the adhesive film is not pre-cut into a shape corresponding to a ring frame, and the adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to a semiconductor wafer. .
上述した発明によれば、接着フィルム及び粘着剤層はプリカットされていないことから、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 According to the above-described invention, since the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer are not pre-cut, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, the step generated in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film Therefore, it is possible to prevent generation of transfer marks on the adhesive layer.
また、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、前記接着剤層は、半導体ウエハの外周より外側であって前記リングフレームの外周より内側に対応する位置に切り込みが設けられていることが好ましい。 Moreover, as the film for wafer processing according to the present invention, it is preferable that the adhesive layer is provided with a cut at a position outside the outer periphery of the semiconductor wafer and corresponding to the inner side from the outer periphery of the ring frame.
上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、リングフレームに対応する位置の粘着剤層部分を硬化させることにより、粘着力を低下させて、当該部分から切り込みを基点として接着剤層を剥離させることができる。 According to the film for wafer processing of the invention described above, the adhesive layer at a position corresponding to the ring frame is cured to reduce the adhesive force, and the adhesive layer is peeled from the cut as a starting point. Can do.
また、接着剤層の表面には、保護フィルムが剥離可能に貼合され、前記保護フィルムは、放射線遮蔽性を有するとともに、半導体ウエハの外周より外側であって前記リングフレームの外周より内側に対応する位置に切り込みが形成されていてもよい。 In addition, a protective film is detachably bonded to the surface of the adhesive layer, and the protective film has radiation shielding properties and corresponds to an outer side of the outer periphery of the semiconductor wafer and an inner side of the outer periphery of the ring frame. An incision may be formed at the position to be.
上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、保護フィルムの切り込みより外側の部分を剥離して、残った部分をマスクとしてリングフレームに対応する位置の粘着剤層を露光することにより、粘着剤層のリングフレームに対応する部分を硬化させ、粘着性を低下させて、その部分に対応する位置の接着剤層を剥離することができる。 According to the film for wafer processing of the invention described above, the adhesive layer is peeled off by exposing the adhesive layer at the position corresponding to the ring frame using the remaining part as a mask by peeling the portion outside the cut of the protective film. The part corresponding to the ring frame can be cured to reduce the adhesiveness, and the adhesive layer at the position corresponding to the part can be peeled off.
また、上述したウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法として、前記粘着剤層のウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させ、硬化させた粘着剤層の部分から前記接着剤層を剥離する工程と、前記接着剤層に前記ウエハを貼合する工程と、前記粘着剤層に前記リングフレームを固定する工程と、前記ウエハをダイシングし、個片化されたチップ及び接着剤層を形成する工程と、前記粘着剤層のウエハに対応する部分を硬化させ、前記個片化されたチップ及び接着剤層をピックアップする工程とを含むことが好ましい。 Further, as a method of manufacturing a semiconductor device using the above-described wafer processing film, at least a portion corresponding to the ring frame other than the portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer is cured, and the cured pressure-sensitive adhesive A step of peeling the adhesive layer from the layer portion, a step of bonding the wafer to the adhesive layer, a step of fixing the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer, dicing the wafer, and Preferably, the method includes a step of forming the separated chip and adhesive layer, and a step of curing the portion of the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the wafer and picking up the separated chip and adhesive layer.
上述した発明の半導体装置を製造する方法によれば、粘着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分と、粘着剤層のウエハに対応する部分とを段階的に硬化させて、粘着剤層の粘着力を低下させ、接着剤層と粘着剤層との間で剥離可能な位置を変えることができる。従って、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができる。 According to the method of manufacturing the semiconductor device of the invention described above, at least a portion corresponding to the ring frame and a portion corresponding to the wafer of the adhesive layer other than the portion corresponding to the semiconductor wafer of the adhesive layer The adhesive layer can be cured to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, and the peelable position can be changed between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, the design of the desired semiconductor device can be changed without a large-scale change of the existing equipment.
なお、上述した発明の半導体装置を製造する方法では、半導体装置を製造する前のウエハ加工用フィルムに関して、接着剤層と粘着剤層とはプリカットする必要がないことから、製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 In the method of manufacturing the semiconductor device of the invention described above, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer do not need to be pre-cut with respect to the wafer processing film before manufacturing the semiconductor device. In this case, since there is no level difference generated in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.
本発明のウエハ加工用フィルムによれば、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着フィルムを所定の形状にプリカットされていない。従って、ウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができ、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、ウエハの加工時の不具合を防止できる。さらに、本発明のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法によれば、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができる。 According to the wafer processing film of the present invention, the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film covering the adhesive layer are not pre-cut into a predetermined shape. Therefore, when the wafer processing film is wound up in a roll shape, the generation of transfer marks in the adhesive layer can be sufficiently suppressed, and air is entrained between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and the semiconductor chip. When adhering to a lead frame, package substrate, or other semiconductor chip, it is possible to prevent adhesion failure and defects during wafer processing. Furthermore, according to the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film of the present invention, it is possible to change the design of a desired semiconductor device without a large-scale change of existing equipment.
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は本実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。図2は本実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。図3及び図4は本実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a wafer processing film according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of a wafer processing film according to a modification of the present embodiment. 3 and 4 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the present embodiment.
<第1実施形態>
以下、第1実施形態に係る加工用フィルムの各構成要素について詳細に説明する。第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、図1に示すように、基材フィルム11及び基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12からなる粘着フィルム14と、粘着剤層14上に設けられた接着剤層13とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム15である。接着剤層13は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着フィルム14は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。本実施形態においては、粘着フィルム14及び接着剤層13は、長尺の基材フィルム11上に、長尺のフィルム状に積層されており、ウエハ加工用フィルム10は、厚さが異なる部分を有していない。
<First Embodiment>
Hereinafter, each component of the processing film according to the first embodiment will be described in detail. As shown in FIG. 1, the wafer processing film according to the first embodiment is formed on a pressure-
ダイシング・ダイボンディングフィルム15は、製品として流通する場合、図示しない保護フィルムである離型フィルムが接着剤層13側ダイシング・ダイボンディングフィルム全面に貼り付けられ、ウエハ加工用フィルムとして市場に流通する。以下、ウエハ加工用フィルムの構成要素である離型フィルムと、接着剤層と、基材フィルム及び粘着剤層からなる粘着フィルムとについて説明する。
When the dicing / die
(離型フィルム)
ウエハ加工用フィルムに用いられる離型フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。離型フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、25〜50μmが好ましい。
(Release film)
As the release film used for the wafer processing film, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment can be used. The thickness of the release film is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 25 to 50 μm.
(接着剤層)
接着剤層は、半導体ウエハ等が貼り合わされてダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着フィルムから剥離してチップに付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層は、チップをピックアップする際に、個片化された半導体に付着したままの状態で、粘着フィルムから剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディングする際において、チップを基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。
(Adhesive layer)
Adhesive layer is used as an adhesive when fixing a chip to a substrate or a lead frame when the chip is picked up after the semiconductor wafer is bonded and then picked up and then peeled off from the adhesive film It is what is done. Therefore, the adhesive layer has a releasability that can be peeled off from the adhesive film while still attached to the separated semiconductor when picking up the chip, and when die bonding, In order to bond and fix the chip to the substrate or the lead frame, it has sufficient bonding reliability.
接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。 The adhesive layer is obtained by forming a film of an adhesive in advance. For example, a known polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyester resin, polyesterimide resin used for the adhesive , Phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ketone resin, chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyurethane resin, epoxy resin, polyacrylamide resin, melamine resin, etc. and their mixtures may be used it can. Moreover, in order to reinforce the adhesive force with respect to a chip | tip or a lead frame, it is desirable to add a silane coupling agent or a titanium coupling agent to the said material and its mixture as an additive.
接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常5〜100μm程度が好ましい。また、本実施形態に係るウエハ加工用フィルムの接着剤層13は、粘着フィルム14の粘着剤層12全面に積層されており、半導体ウエハの形状等に対応させたプリカットが行われておらず、少なくとも半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込み13aが設けられている。切り込み13aは、リングフレームが貼着された際にリングフレームの内周および外周が位置する部分に設けてもよいが、本実施の形態においては、接着剤層の半導体ウエハの外周に対応する位置に切り込み13aが設けられている。
Although the thickness of an adhesive bond layer is not specifically limited, Usually, about 5-100 micrometers is preferable. Further, the
従って、接着剤層の切り込み13aより外側の部分の接着剤層部分の下に形成されている粘着剤層部分を硬化させることにより、粘着力を低下させて、粘着剤層にリングフレームを固定する前に、切り込み13aを基点として粘着剤層の硬化させた部分から接着剤層を剥離させることができる。なお、切り込みをリングフレームの内周および外周に対応する位置に設け、リングフレームに対応する位置の粘着剤層部分を硬化させ、接着剤層のリングフレームに対応する部分を粘着剤層から剥離させてもよい。
Accordingly, the pressure-sensitive adhesive force is reduced by curing the pressure-sensitive adhesive layer portion formed under the adhesive layer portion outside the
この結果、ウエハが貼り合わされる部分には接着剤層があり、ダイシング用のリングフレームが貼り合わされる部分には接着剤層がなく、粘着フィルムのみが存在するウエハ加工用フィルムを形成することができる。 As a result, there is an adhesive layer in the portion where the wafer is bonded, and there is no adhesive layer in the portion where the ring frame for dicing is bonded, forming a wafer processing film in which only the adhesive film exists. it can.
(粘着フィルム)
本実施形態に係る粘着フィルムは、基材フィルムに粘着剤層を設けたものである。そして、粘着フィルムは、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。そのため、粘着フィルムの粘着剤層には、放射線重合性化合物と光開始剤が含まれている。
(Adhesive film)
The pressure-sensitive adhesive film according to this embodiment is a base film provided with a pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive film has a sufficient adhesive strength so that the wafer does not peel when dicing the wafer, and has a low adhesive strength so that it can be easily peeled off from the adhesive layer when picking up the chip after dicing. Is. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator.
粘着フィルムの基材フィルムとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、本実施形態に係る粘着フィルムの粘着剤層は放射線硬化性の放射線重合性化合物を含むため、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。 As the base film of the pressure-sensitive adhesive film, any conventionally known film can be used without any particular limitation, but the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film according to the present embodiment contains a radiation-curable radiation-polymerizable compound. Therefore, it is preferable to use a material having radiation transparency.
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルムはこれらの群から選ばれる2種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、50〜200μmが好ましい。 For example, as the material, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic Α-olefin homopolymer or copolymer such as acid methyl copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, polyamide-polyol Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof. Further, the base film may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer. The thickness of the base film is not particularly limited and may be set as appropriate, but is preferably 50 to 200 μm.
粘着フィルムの粘着剤層に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。 The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film is not particularly limited, and a known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin or the like used for the pressure-sensitive adhesive is used. be able to.
粘着剤層の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましく、本実施形態に係る粘着剤層の樹脂には放射線重合性化合物を含む。従って、放射線重合性化合物を粘着剤層に配合して放射線硬化により接着剤層から剥離しやすくすることができる。粘着剤層の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、5〜30μmが好ましい。 The pressure-sensitive adhesive layer resin is preferably prepared by appropriately mixing an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent, etc., and the pressure-sensitive adhesive layer resin according to this embodiment. Includes a radiation-polymerizable compound. Therefore, a radiation polymerizable compound can be mix | blended with an adhesive layer and it can make it easy to peel from an adhesive bond layer by radiation curing. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 μm.
放射線重合性化合物として、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。 Examples of radiation polymerizable compounds include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6. Hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.
また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。なお、粘着剤層には、上記の樹脂から選ばれる2種以上が混合されたものでもよい。 In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction. The pressure-sensitive adhesive layer may be a mixture of two or more selected from the above resins.
また、本実施形態に係る粘着剤層の樹脂には光開始剤を含む。光開始剤として、例えば、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α´−ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1などのアセトフェノン系化合物;べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物;2−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物;1−フェノン−1,1―プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシムなどの光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3′−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナート等が挙げられる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体100質量部に対して0.01〜5質量部が好ましい。 Further, the resin of the pressure-sensitive adhesive layer according to this embodiment contains a photoinitiator. As photoinitiators, for example, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone, Α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -Acetphenone compounds such as phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalene Sulfonyl black Aromatic sulfonyl chloride compounds such as Lido; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.
粘着剤層は放射線重合性化合物と光重合開始剤とを含むことから、光を照射する範囲を選択することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した粘着剤層の部分と硬化していない粘着剤層の部分とを形成できる。従って、粘着剤層の硬化した部分を段階的にわけて形成することができることから、リングフレームを粘着剤層に貼る際には、粘着剤層のリングフレームより外側の部分に光を照射して、当該部分の粘着力を低下させ、接着剤層を剥離することができる。この結果、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要がなくなることから、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Since the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation-polymerizable compound and a photopolymerization initiator, it is cured with a portion of the pressure-sensitive adhesive layer cured at a desired position, size, and shape by selecting a range in which light is irradiated. And no part of the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, since the cured part of the pressure-sensitive adhesive layer can be formed stepwise, when applying the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer, light is applied to the part outside the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive strength of the part can be reduced and the adhesive layer can be peeled off. As a result, there is no need to pre-cut the adhesive layer and the adhesive film covering the adhesive layer into a predetermined shape. Therefore, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, the adhesive layer and the adhesive film Since there is no step generated in the laminated portion, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.
<第1実施形態の変形例>
第1実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルム50は、図2に示すように、第1実施形態に係るウエハ加工用フィルム10(図1)の接着剤層13側全面に、剥離可能な保護フィルム17が設けられているものである。具体的には、基材フィルム11及び基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12からなる粘着フィルム14と、粘着剤層14上に設けられた接着剤層13’とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム15’に対して、更に、接着剤層13’上に保護フィルム17が設けられたものである。保護フィルム17は放射線遮蔽性を有する。さらに、保護フィルム17は、リングフレームに対応した切り込み17aが形成されている。切り込みは、リングフレームが貼着された際にリングフレームの内周および外周が位置する部分にそれぞれ形成するとよいが、内周が位置する部分にのみ形成してもよい。また、接着剤層13’にも、保護フィルム17の切り込み17aに対応する位置に切り込み13bが形成されている。
<Modification of First Embodiment>
As shown in FIG. 2, the
放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込み17aが形成された保護フィルム17が、接着剤層13の表面に、剥離可能に貼合されていることから、リングフレームに対応した保護フィルム部分を剥離した後、ウエハ加工用フィルムを露光すると、リングフレームに対応する粘着剤層部分のみを感光させ、硬化させることが可能となり、粘着力を弱めることができる。従って、粘着力が弱められた部分の上に位置する接着剤層部分を切り込み13bを基点として剥離することができる。従って、粘着フィルム及び接着剤層を所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。また、全面保護フィルムを剥離した後に、別途用意したフォトマスクを貼着する必要がなく、工数およびコストを削減することができる。
Since the
(保護フィルム)
ウエハ加工用フィルムに用いられる保護フィルムとしては、放射線遮蔽性を有するものであれば、ポリエチレンテレフタレート(PET)系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、25〜50μmが好ましい。
(Protective film)
As the protective film used for the wafer processing film, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment may be used as long as it has radiation shielding properties. it can. The thickness of the protective film is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 25 to 50 μm.
放射線遮蔽性を有するフィルムのうち、紫外線遮蔽性を有するフィルムとしては、例えば、主成分としてアクリル系樹脂、フッ素系樹脂、塩化ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂を用い、これらの熱可塑性樹脂中に紫外線吸収剤を添加し練り込んだ熱可塑性樹脂組成物が成形されたフィルムが挙げられる。上記主成分として用いられる熱可塑性樹脂は、単独で用いられても良いし、2種類以上が併用されても良いが、優れた耐候性を長期間にわたって確保するためには、アクリル系樹脂やフッ素系樹脂を用いることが好ましい。上記アクリル系樹脂及びフッ素系樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。 Among the films having radiation shielding properties, as the film having ultraviolet shielding properties, for example, a thermoplastic resin such as an acrylic resin, a fluorine resin, or a vinyl chloride resin is used as a main component, and in these thermoplastic resins, Examples include a film formed of a thermoplastic resin composition in which an ultraviolet absorber is added and kneaded. The thermoplastic resin used as the main component may be used alone or in combination of two or more. In order to ensure excellent weather resistance over a long period of time, acrylic resin or fluorine It is preferable to use a resin. The acrylic resin and the fluorine resin may be used alone or in combination.
また、上記紫外線吸収剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤等が挙げられ、好適に用いられる。これらの紫外線吸収剤は、単独で用いられても良いし、2種類以上が併用されても良い。 The ultraviolet absorber is not particularly limited, and examples thereof include benzophenone ultraviolet absorbers, benzotriazole ultraviolet absorbers, and cyanoacrylate ultraviolet absorbers, which are preferably used. These ultraviolet absorbers may be used alone or in combination of two or more.
<第2実施形態>
第2実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムと同様、基材フィルム及び基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するものであり、粘着フィルム及び接着剤層は、リングフレームや半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、接着剤層に、リングフレームの内周に対応する位置に切り込みが設けられている(図1参照)。第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムの粘着フィルムの粘着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤に代えて、熱重合性化合物とを含むものである。粘着剤層は熱重合性化合物を含むことから、熱を照射する範囲を選択することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した粘着剤層の部分と硬化していない粘着剤層の部分とを形成できる。
<Second Embodiment>
The wafer processing film according to the second embodiment is similar to the wafer processing film according to the first embodiment. The adhesive film includes a base film and an adhesive layer provided on the base film, and an adhesive layer. The adhesive film and the adhesive layer are not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame or semiconductor wafer, and the adhesive layer corresponds to the inner periphery of the ring frame. An incision is provided at a position to perform (see FIG. 1). The pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film of the wafer processing film according to the first embodiment includes a heat-polymerizable compound instead of the radiation-polymerizable compound and the photoinitiator. Since the pressure-sensitive adhesive layer contains a thermopolymerizable compound, a portion of the pressure-sensitive adhesive layer cured at a desired position, size, and shape and a portion of the pressure-sensitive adhesive layer that has not been cured are selected by selecting a range to be irradiated with heat. And can be formed.
従って、粘着剤層の硬化した部分を段階的にわけて形成することができることから、リングフレームを粘着剤層に貼る際には、粘着剤層のリングフレームより外側の部分に熱を照射して、当該部分の粘着力を低下させ、接着剤層を剥離することができる。この結果、接着剤層及びその接着剤層を覆う粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要がなくなることから、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Therefore, since the cured part of the pressure-sensitive adhesive layer can be formed stepwise, when applying the ring frame to the pressure-sensitive adhesive layer, heat is applied to the part outside the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive strength of the part can be reduced and the adhesive layer can be peeled off. As a result, there is no need to pre-cut the adhesive layer and the adhesive film covering the adhesive layer into a predetermined shape. Therefore, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, the adhesive layer and the adhesive film Since there is no step generated in the laminated portion, it is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.
熱重合性化合物としては、熱により重合するもの、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせても、使用することができる。なお、ウエハ加工用フィルムの耐熱性を考慮した上で、熱によって硬化して、粘着剤層の硬化した部分の粘着力を低下させ、接着剤層と粘着剤層との間で剥離可能なものを使用する。 Examples of the thermopolymerizable compound include compounds that polymerize by heat, for example, compounds having a functional group such as a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group, and an amide group. Can be used alone or in combination of two or more. In consideration of the heat resistance of the wafer processing film, it can be cured by heat to reduce the adhesive strength of the cured part of the adhesive layer, and peelable between the adhesive layer and the adhesive layer Is used.
なお、本実施形態においても、第1実施形態の変形例と同様の変形例を適用することができる。 In the present embodiment, the same modification as the modification of the first embodiment can be applied.
<半導体装置を製造する方法>
第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を、図3及び図4を用いて説明する。図3及び図4は第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図であって、図3(A)は離型フィルム16が接着剤層13上に貼り付けられている状態を、図3(B)はウエハWがウエハ加工用フィルムに貼り付けられた状態を、図3(C)は粘着剤層12の一部を硬化させ、硬化させた粘着剤層部分12a上の接着剤層を剥離させた状態を、図3(D)はウエハをダイシングした状態を、図3(E)はウエハに対応する位置の粘着剤層部分12bを硬化させた状態を、さらに、図4(A)はダイシングされたウエハが貼り合わされたウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置に搭載した状態を、図4(B)はエキスパンド後のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図である。
<Method for Manufacturing Semiconductor Device>
A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment. FIG. 3A shows the
(準備工程)
図3(A)に示すように、まず、基材フィルム11及び基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12からなる粘着フィルム14と、半導体ウエハの外周に対応した形状に形成された切り込み13aが設けられている接着剤層13とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム15に対して、接着剤層13側から離型フィルム16が貼り付けられているウエハ加工用フィルムを準備する。ウエハ加工用フィルムは、接着剤層等がプリカットされていないことから、離型フィルムが貼り合わされた製品としてロール状に巻いた際、接着剤層13と粘着フィルム14との積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層13に転写痕が発生することを防止することができる。
(Preparation process)
As shown in FIG. 3 (A), first, a
(貼合工程)
次に、図3(B)に示すように、ウエハ加工用フィルムから離型フィルム16を剥がし、ダイシング・ダイボンディングフィルム15の接着剤層13側から、接着剤層13に対して半導体ウエハWの裏面を貼り合わせる。なお、以後の工程において、リングフレーム50及び半導体ウエハWを長尺状のダイシング・ダイボンディングフィルム15に貼り合わせた状態で各工程を搬送させるのではなく、リングフレーム20及び半導体ウエハWを1組ずつ個別に搬送させる場合には、リングフレーム20を貼り合わせる前あるいは張り合わせた後に、リングフレーム20の外周に沿って、ダイシング・ダイボンディングフィルム15を切断するとよい。
(Bonding process)
Next, as shown in FIG. 3B, the
(第1段階紫外線照射工程)
次に、粘着剤層12に含まれる光開始剤が反応する波長の紫外線を、粘着剤層12のうち、半導体ウエハWに対応する以外の粘着剤層部分12aに照射して硬化させる。このとき、ダイシング・ダイボンディングフィルム15の上方、すなわち半導体ウエハWを貼り合わせた側から紫外線を照射すれば、半導体ウエハWがマスクとなって、半導体ウエハWに対応する以外の粘着剤層部分12aに紫外線が照射される。半導体ウエハWに対応する以外の粘着剤層部分12aの粘着力を低下させた結果、図3(C)に示すように、接着剤層13に切り込み13aを基点として、硬化した粘着剤層部分12a上の接着剤層のみを剥離することができる。
(First stage UV irradiation process)
Next, the
(ダイシング工程)
ウエハ加工フィルムの外周部、すなわち、粘着力が低下した粘着剤層部分12aにリングフレーム20を、残った粘着力を利用して圧力をかけて貼り合わせ、図示しないダイシングブレードを用いて、半導体ウエハWを機械的に切断し、複数の半導体チップCに分割するとともに、接着剤層13も分割する(図3(D))。
(Dicing process)
The
(第2段階紫外線照射工程)
そして、図3(E)に示すように、ダイシング・ダイボンディングフィルム15の下方から紫外線を、複数の半導体チップCに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分12bに照射して硬化させる。当該部分12bの粘着力を低下させた結果、当該部分12b上の接着剤層13を剥離させることが可能となる。
(Second stage UV irradiation process)
Then, as shown in FIG. 3E, the
(載置工程)
半導体チップCに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分12bに照射して硬化させた後、図4(A)に示すように、分割された複数の半導体チップCを保持するウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置のステージ21上に載置する。図中、符号22は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。
(Installation process)
After the
(エキスパンド工程)
そして、図4(B)に示すように、ダイシングされたチップC及び接着剤層13を保持した基材フィルム11及び粘着剤層12からなる粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数のチップC及び接着フィルム13を保持した状態の粘着フィルムに対して、中空円柱形状の突き上げ部材22を、粘着フィルムの下面側から上昇させ、上記粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、チップ同士の間隔を広げ、CCDカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップ同士の再接着を防止することができる。
(Expanding process)
Then, as shown in FIG. 4B, an expanding step is performed in which the adhesive film composed of the
(ピックアップ工程)
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルムをエキスパンドした状態のままで、チップCをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルムの下側からチップをピンによって突き上げるとともに、粘着フィルムの上面側から吸着冶具でチップを吸着することで、個片化されたチップCを接着フィルム13とともにピックアップする。
(Pickup process)
After carrying out the expanding step, a picking up step for picking up the chip C is carried out with the adhesive film expanded. Specifically, the chip is pushed up by a pin from the lower side of the adhesive film, and the chip C is picked up together with the
(ダイボンディング工程)
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程でチップCとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。
(Die bonding process)
Then, after performing the pickup process, the die bonding process is performed. Specifically, a semiconductor device is manufactured by bonding a semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or the like by an adhesive layer picked up together with the chip C in a pickup process.
なお、第1実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、当該ウエハ加工用フィルム(図2)は、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込み17aが形成された保護フィルム17が、接着剤層13の表面に、剥離可能に貼合されていることから、保護フィルムのリングフレームに対応した部分を剥離することにより、接着剤層13上に剥離されずに存在する保護フィルムをマスクとして用いることができる。従って、保護フィルムをマスクとして、粘着剤層のリングフレームに対応した部分に紫外線を照射して粘着力を低下させ、その上に位置する接着剤層を剥離して除去した後は、従来のプリカット加工がされたダイシング・ダイボンディングフィルムと同様の工程で半導体装置を製造することができる。
When a semiconductor device is manufactured using the wafer processing film according to the modification of the first embodiment, the wafer processing film (FIG. 2) has radiation shielding properties and has a
なお、第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法では、粘着剤層12に反応する光開始剤を含むウエハ加工用フィルムを用いていることから、紫外線を2段階にわけて照射し、硬化させる粘着剤層の位置、大きさ、形状を変化させている。しかしながら、第2実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いた場合、粘着剤層12に熱重合性化合物を含むことから、粘着剤層12aと12bの硬化を、熱硬化を2段階にわけて行い、硬化させる粘着剤層12の位置、大きさ、形状を変化させる。
In the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment, since the wafer processing film containing a photoinitiator that reacts with the pressure-
以上より、本実施形態に係るウエハ加工用フィルムによれば、ウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができ、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、ウエハの加工時の不具合を防止できた。さらに、本発明のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法によれば、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができた。 As mentioned above, according to the film for wafer processing concerning this embodiment, when the film for wafer processing is wound up in roll shape, generation | occurrence | production of the transfer trace in an adhesive bond layer can fully be suppressed, and adhesive agent When air was engulfed between the layer and the semiconductor wafer to adhere the semiconductor chip to the lead frame, the package substrate, or another semiconductor chip, it was possible to prevent adhesion failure and problems during processing of the wafer. Furthermore, according to the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film of the present invention, the desired semiconductor device can be changed in design without a large-scale change of existing facilities.
10,30,50:ウエハ加工用フィルム
11:基材フィルム
12:粘着剤層
13:接着剤層
13a,13b:切り込み
14:粘着フィルム
15:ダイシング・ダイボンディングフィルム
16:離型フィルム
17:保護フィルム
20:リングフレーム
10, 30, 50: Wafer processing film 11: Base film 12: Adhesive layer 13:
Claims (6)
前記粘着剤層上に長尺のフィルム状に設けられた接着剤層とを有し、
前記粘着剤層は、放射線重合性化合物と、光開始剤とを含む
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 A long base film, and a pressure-sensitive adhesive film comprising a pressure-sensitive adhesive layer provided in the form of a long film on the base film;
An adhesive layer provided in the form of a long film on the pressure-sensitive adhesive layer,
The film for wafer processing, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator.
前記粘着剤層上に長尺のフィルム状に設けられた接着剤層とを有し、
前記粘着剤層は、熱重合性化合物を含む
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 A long base film, and a pressure-sensitive adhesive film comprising a pressure-sensitive adhesive layer provided in the form of a long film on the base film;
An adhesive layer provided in the form of a long film on the pressure-sensitive adhesive layer,
The film for wafer processing, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a thermally polymerizable compound.
前記接着剤層は、半導体ウエハに対応する形状にプリカットされていない
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウエハ加工用フィルム。 The adhesive film is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame,
The film for wafer processing according to claim 1, wherein the adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to a semiconductor wafer.
前記保護フィルムは、放射線遮蔽性を有するとともに、半導体ウエハの外周より外側であって前記リングフレームの外周より内側に対応する位置に切り込みが形成されていることを特徴とする請求項1、請求項3または請求項4のいずれか1項に記載のウエハ加工用フィルム。 A protective film is peelably bonded to the surface of the adhesive layer,
2. The protective film according to claim 1, wherein the protective film has radiation shielding properties, and a cut is formed at a position outside the outer periphery of the semiconductor wafer and corresponding to the inner side from the outer periphery of the ring frame. The film for wafer processing according to any one of claims 3 and 4.
前記粘着剤層のウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させ、硬化させた粘着剤層の部分から前記接着剤層を剥離する工程と、
前記接着剤層に前記ウエハを貼合する工程と、
前記粘着剤層に前記リングフレームを固定する工程と、
前記ウエハをダイシングし、個片化されたチップ及び接着剤層を形成する工程と、
前記粘着剤層のウエハに対応する部分を硬化させ、前記個片化されたチップ及び接着剤層をピックアップする工程とを含む
ことを特徴とする方法。 A method for manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to any one of claims 1 to 5,
Steps other than the portion corresponding to the wafer of the pressure-sensitive adhesive layer, at least the portion corresponding to the ring frame is cured, and the adhesive layer is peeled from the portion of the cured pressure-sensitive adhesive layer;
Bonding the wafer to the adhesive layer;
Fixing the ring frame to the adhesive layer;
Dicing the wafer to form singulated chips and an adhesive layer;
Curing the portion of the pressure-sensitive adhesive layer corresponding to the wafer and picking up the singulated chips and the adhesive layer.
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