JP5303326B2 - Adhesive film, dicing die-bonding tape, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Adhesive film, dicing die-bonding tape, and semiconductor device manufacturing method Download PDF

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Description

本発明は、厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップの接着に用いられる接着フィルムに関し、より詳細には、接着後に半導体チップの反りを抑制できる接着フィルム、並びに該接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an adhesive film used for bonding a semiconductor chip having a small thickness and a large plane area. More specifically, the adhesive film can suppress warpage of a semiconductor chip after bonding, and dicing using the adhesive film. The present invention relates to a die bonding tape and a method for manufacturing a semiconductor device.

接着フィルムを介して、基板又は半導体チップ上に半導体チップが接着された半導体装置が広く用いられている。この半導体装置では、小型化及び大容量化が進行している。このため、厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップが用いられてきている。   A semiconductor device in which a semiconductor chip is bonded onto a substrate or a semiconductor chip through an adhesive film is widely used. In this semiconductor device, miniaturization and large capacity are progressing. For this reason, a semiconductor chip having a small thickness and a large plane area has been used.

上記のような用途に用いられる接着フィルムでは、接着の際に、基板等の表面の凹凸に対する追従性が高く、かつ接着後に、接着界面に隙間が生じないことが強く求められている。   The adhesive film used for the above uses is strongly required to have high followability to the surface irregularities of the substrate or the like during bonding, and that no gap occurs at the bonding interface after bonding.

上記のような接着フィルムの一例として、下記の特許文献１には、加熱接着温度における最低溶融粘度が１００〜２０００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムが開示されている。この接着フィルムは、アクリロニトリルと、グリシジル（メタ）アクリレートと、エポキシ基含有アクリルゴムと、硬化剤と、無機フィラーとを含む。ここでは、上記最低溶融粘度が上記範囲内にあるため、基板等の表面の微細な凹凸に対する接着フィルムの追従性を高くすることができることが記載されている。   As an example of the adhesive film as described above, Patent Document 1 below discloses an adhesive film having a minimum melt viscosity within a range of 100 to 2000 Pa · s at a heat bonding temperature. This adhesive film contains acrylonitrile, glycidyl (meth) acrylate, an epoxy group-containing acrylic rubber, a curing agent, and an inorganic filler. Here, it is described that since the minimum melt viscosity is within the above range, the followability of the adhesive film with respect to fine irregularities on the surface of a substrate or the like can be increased.

また、下記の特許文献２には、最低溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ最低溶融粘度が５０〜１７０℃の温度範囲内にある接着フィルムが開示されている。この接着フィルムは、可撓性樹脂と、硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含む。ここでは、接着フィルムは上記粘度特性を有するので、低温での接着性、及び基板等の表面の微細な凹凸に対する接着フィルムの追従性を高くすることができることが記載されている。   Patent Document 2 below discloses an adhesive film having a minimum melt viscosity of 2000 Pa · s or less and a minimum melt viscosity in the temperature range of 50 to 170 ° C. The adhesive film includes a flexible resin, a curable resin, a curing agent, and an inorganic filler. Here, it is described that since the adhesive film has the above-mentioned viscosity characteristics, the adhesiveness at low temperature and the followability of the adhesive film with respect to fine irregularities on the surface of the substrate or the like can be improved.

特許第３４９８５３７号公報Japanese Patent No. 3498537 特開２００７−１０３９５４号公報JP 2007-103954 A

近年、上記半導体装置を得る際に、厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップが用いられている。例えば、厚みが５０μｍ以下であり、かつ平面積が５０ｍｍ２以上である半導体チップが用いられてきている。 In recent years, when obtaining the semiconductor device, a semiconductor chip having a small thickness and a large plane area is used. For example, a semiconductor chip having a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more has been used.

このような厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップは、反りやすい。特に、半導体ウェーハをダイシングすることにより得られた半導体チップは、大きく反っていることがある。   Such a semiconductor chip having a small thickness and a large plane area is likely to warp. In particular, a semiconductor chip obtained by dicing a semiconductor wafer may be greatly warped.

上記特許文献１，２に記載の接着フィルムを介して、半導体チップを基板又は半導体チップ上に積層し、圧着するときに、上層の半導体チップの上面に加えられる圧着機からの圧力により、該半導体チップの上記反りが軽減される。しかしながら、圧着後に、接着フィルムを加熱し、硬化させる際には、圧着機は半導体チップの上面から外される。半導体チップの上面には、上記圧着機からの圧力が及ばない。このとき、接着フィルムの粘度は低下する。このため、半導体チップが再び反るという問題があった。   When the semiconductor chip is laminated on the substrate or the semiconductor chip through the adhesive film described in Patent Documents 1 and 2 and is subjected to pressure bonding, the pressure applied from the pressure bonding machine applied to the upper surface of the upper semiconductor chip is reduced. The warping of the chip is reduced. However, when the adhesive film is heated and cured after crimping, the crimping machine is removed from the upper surface of the semiconductor chip. The pressure from the crimping machine does not reach the upper surface of the semiconductor chip. At this time, the viscosity of the adhesive film decreases. For this reason, there was a problem that the semiconductor chip warps again.

また、半導体装置の小型化に伴って、接着フィルムの厚みも薄くされている。厚みが薄い接着フィルムが用いられた場合には、該接着フィルムを加熱し、硬化させる際に、半導体チップが大きく反ることがあった。   In addition, with the miniaturization of semiconductor devices, the thickness of the adhesive film is also reduced. When an adhesive film having a small thickness is used, the semiconductor chip may be greatly warped when the adhesive film is heated and cured.

ところで、従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出し、基板等に実装するために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。ダイシング−ダイボンディングテープは、半導体チップを実装するための接着フィルムとして、ダイボンディングフィルムを備える。また、ダイシング−ダイボンディングテープは、ダイボンディングフィルムの一方の面に貼り付けられたダイシングフィルムを備える。   Conventionally, a dicing die bonding tape has been used to cut a semiconductor chip from a semiconductor wafer and mount it on a substrate or the like. The dicing die bonding tape includes a die bonding film as an adhesive film for mounting a semiconductor chip. The dicing die bonding tape includes a dicing film attached to one surface of the die bonding film.

ダイシングの際には、ダイボンディングフィルムのダイシングフィルムが貼り付けられた面とは反対側の面に、半導体ウェーハが貼り付けられる。半導体ウェーハは、ダイボンディングフィルムごとダイシングされる。ダイシング後に、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムがダイシングフィルムから剥離されて、ダイボンディングフィルムごと半導体チップが取り出される。その後、ダイボンディングフィルム側から半導体チップが、基板上に実装される。   In dicing, the semiconductor wafer is attached to the surface of the die bonding film opposite to the surface on which the dicing film is attached. The semiconductor wafer is diced together with the die bonding film. After dicing, the die bonding film to which the semiconductor chip is bonded is peeled from the dicing film, and the semiconductor chip is taken out together with the die bonding film. Thereafter, the semiconductor chip is mounted on the substrate from the die bonding film side.

上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いて、半導体ウェーハをダイシングする際に、ダイボンディングフィルムの切削性が悪いことがあった。このため、図３（ａ）に、ダイシング後の半導体チップ１０１、ダイボンディングフィルム１０２及びダイシングフィルム１０３の積層体を示すように、ダイボンディングフィルム１０２の切断部分に切削屑１０２ａが生じることがあった。この場合には、図３（ｂ）に示すように、ピックアップ後のダイボンディングフィルム１０２付き半導体チップ１０１に、切削屑１０２ａが付着することがある。このため、図３（ｃ）に示すように、切削屑１０２ａにより、基板１０４上にピックアップされた半導体チップ１０１を正しい向きにかつ高精度に実装できないことがあった。   When the semiconductor wafer is diced using the dicing die-bonding tape, the die bonding film may have poor machinability. For this reason, as shown in FIG. 3 (a), a chip 102a may be generated at the cut portion of the die bonding film 102, as shown in the laminated body of the semiconductor chip 101, the die bonding film 102, and the dicing film 103 after dicing. . In this case, as shown in FIG. 3B, cutting waste 102a may adhere to the semiconductor chip 101 with the die bonding film 102 after pickup. For this reason, as shown in FIG. 3C, the semiconductor chip 101 picked up on the substrate 104 may not be mounted in the correct orientation and with high accuracy by the cutting waste 102a.

また、図４（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング後に、切削屑１０２ａがダイシングフィルム１０３の切断面に付着し、ダイボンディングフィルム１０２付き半導体チップ１０１を確実にピックアップできないことがあった。   Further, as shown in FIGS. 4A and 4B, after dicing, the chip 102 a may adhere to the cut surface of the dicing film 103, and the semiconductor chip 101 with the die bonding film 102 may not be reliably picked up. .

本発明の目的は、厚みが薄く、かつ平面積が大きい半導体チップを接着するのに用いられた場合に、接着された半導体チップの反りを抑制できる接着フィルム、並びに該接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an adhesive film capable of suppressing warpage of a bonded semiconductor chip when used to bond a semiconductor chip having a small thickness and a large plane area, and dicing using the adhesive film. An object of the present invention is to provide a die bonding tape and a method for manufacturing a semiconductor device.

また、本発明の限定的な目的は、半導体ウェーハのダイシングの際に、接着フィルムの切削屑が生じ難い接着フィルム、並びに該接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法を提供することである。   Further, a limited object of the present invention is to provide an adhesive film in which cutting scraps of the adhesive film hardly occur during dicing of a semiconductor wafer, a dicing die bonding tape using the adhesive film, and a method for manufacturing a semiconductor device. It is to be.

本発明によれば、厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ２以上の半導体チップを、電子部品上に接着するのに用いられる接着フィルムであって、エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含み、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある、接着フィルムが提供される。 According to the present invention, there is provided an adhesive film used for bonding a semiconductor chip having a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more on an electronic component, comprising 100 parts by weight of an epoxy resin and a curing agent 20 to There is provided an adhesive film comprising 70 parts by weight and 5 to 30 parts by weight of fumed silica particles, and having a minimum melt viscosity within a temperature range of 70 to 120 ° C. within a range of 2500 to 10,000 Pa · s.

本発明に係る接着フィルムのある特定の局面では、前記７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度は、３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある。   On the specific situation with the adhesive film which concerns on this invention, the minimum melt viscosity in the said 70-120 degreeC temperature range exists in the range of 3000-9000 Pa.s.

本発明では、前記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有することが好ましい。   In the present invention, the epoxy resin preferably has a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain.

また、本発明に係る接着フィルムは、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基を有する高分子ポリマー１０〜４０重量部をさらに含むことが好ましい。   Moreover, it is preferable that the adhesive film which concerns on this invention further contains 10-40 weight part of high molecular polymers which have an epoxy group with respect to 100 weight part of said epoxy resins.

本発明では、前記ヒュームドシリカ粒子の一次平均粒子径は、０．１μｍ以下であることが好ましい。また、前記ヒュームドシリカ粒子のＭ値は、３０〜５５の範囲内にあることが好ましい。   In this invention, it is preferable that the primary average particle diameter of the said fumed silica particle is 0.1 micrometer or less. Moreover, it is preferable that the M value of the said fumed silica particle exists in the range of 30-55.

本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、本発明に従って構成された接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備える。   The dicing die bonding tape concerning the present invention is provided with the adhesive film constituted according to the present invention, and the dicing film laminated directly or indirectly on one side of the adhesive film.

また、本発明によれば、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムを介して、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上である半導体チップを電子部品上に積層し、圧着することにより、半導体チップ積層体を得る工程と、得られた前記半導体チップ積層体を７０〜１２０℃の温度範囲内で加熱して、前記接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得る工程とを備える、半導体装置の製造方法が提供される。 Moreover, according to this invention, thickness is 50 micrometers or less and a plain area is 50 mm < 2 > or more through the adhesive film in which the minimum melt viscosity in the temperature range of 70-120 degreeC exists in the range of 2500-10000 Pa.s. A step of obtaining a semiconductor chip laminate by laminating a semiconductor chip on an electronic component and pressure bonding, and heating the obtained semiconductor chip laminate within a temperature range of 70 to 120 ° C. There is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of obtaining a semiconductor device by curing.

本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、前記接着フィルムとして、エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含む接着フィルムが用いられる。   In a specific aspect of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the adhesive film includes 100 parts by weight of an epoxy resin, 20 to 70 parts by weight of a curing agent, and 5 to 30 parts by weight of fumed silica particles. A film is used.

本発明に係る半導体装置の製造方法の他の特定の局面では、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備えるダイシング−ダイボンディングテープの前記接着フィルムに半導体ウェーハを貼り付ける工程と、前記接着フィルムに貼り付けられた半導体ウェーハを前記接着フィルムごとダイシングし、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上である個々の半導体チップに前記半導体ウェーハを分割する工程と、ダイシング後に、前記接着フィルム付き前記半導体チップを取り出す工程とをさらに備え、前記半導体チップ積層体を得る工程において、得られた前記接着フィルム付き前記半導体チップが電子部品上に積層され、圧着される。 In another specific aspect of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, an adhesive film having a minimum melt viscosity within a range of 2500 to 10,000 Pa · s within a temperature range of 70 to 120 ° C., and one of the adhesive films Dicing comprising a dicing film directly or indirectly laminated on the surface-a step of attaching a semiconductor wafer to the adhesive film of a die bonding tape, and dicing the semiconductor wafer attached to the adhesive film together with the adhesive film, A step of dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips having a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more, and a step of taking out the semiconductor chip with the adhesive film after dicing, With the adhesive film obtained in the process of obtaining Serial semiconductor chip is stacked on the electronic component, are crimped.

本発明に係る半導体装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記接着フィルムとして、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムが用いられる。   In still another specific aspect of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, an adhesive film having a minimum melt viscosity within a temperature range of 70 to 120 ° C. within a range of 3000 to 9000 Pa · s is used as the adhesive film. It is done.

本発明に係る接着フィルムは、エポキシ樹脂、硬化剤及びヒュームドシリカ粒子を上記特定の割合で含み、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあるので、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上である半導体チップを電子部品上に接着するのに用いられた場合に、接着された該半導体チップの反りを抑制できる。 The adhesive film according to the present invention contains an epoxy resin, a curing agent, and fumed silica particles in the above-mentioned specific proportions, and has a minimum melt viscosity within a temperature range of 70 to 120 ° C. within a range of 2500 to 10,000 Pa · s. Therefore, when a semiconductor chip having a thickness of 50 μm or less and a plane area of 50 mm 2 or more is used for bonding onto an electronic component, warpage of the bonded semiconductor chip can be suppressed.

７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある場合には、半導体ウェーハをダイシングする際の接着フィルムの切削性を顕著に高めることができ、切削屑を生じ難くすることができる。このため、接着フィルム付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。また、切削屑が、接着フィルム又は半導体チップに付着し難いため、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できる。   When the minimum melt viscosity in the temperature range of 70 to 120 ° C. is in the range of 3000 to 9000 Pa · s, it is possible to remarkably improve the machinability of the adhesive film when dicing the semiconductor wafer, It can be made difficult to occur. For this reason, the pick-up property of the semiconductor chip with an adhesive film can be improved. In addition, since the cutting waste does not easily adhere to the adhesive film or the semiconductor chip, the picked-up semiconductor chip can be mounted in the correct orientation and with high accuracy.

また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、接着された半導体チップの反りが抑制された半導体装置を提供できる。   Moreover, according to the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this invention, the semiconductor device with which the curvature of the adhere | attached semiconductor chip was suppressed can be provided.

図１は、本発明の一実施形態に係る接着フィルムを介して、基板上に半導体チップが接着された半導体装置を略図的に示す正面断面図である。FIG. 1 is a front sectional view schematically showing a semiconductor device in which a semiconductor chip is bonded on a substrate via an adhesive film according to an embodiment of the present invention. 図２（ａ），（ｂ）は、本発明の他の実施形態に係る接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。FIGS. 2A and 2B are a partially cutaway front sectional view and a partially cutaway plan view showing a dicing die bonding tape using an adhesive film according to another embodiment of the present invention. 図３（ａ）〜（ｃ）は、従来のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体ウェーハをダイシングし、ピックアップし、基板上に積層するときの状態をそれぞれ示す正面断面図である。FIGS. 3A to 3C are front sectional views showing states when a semiconductor wafer is diced, picked up and stacked on a substrate using a conventional dicing-die bonding tape. 図４（ａ），（ｂ）は、従来のダイシング−ダイボンディングテープを用いて半導体ウェーハをダイシングし、ピックアップするときの状態をそれぞれ示す正面断面図である。4 (a) and 4 (b) are front cross-sectional views showing states when a semiconductor wafer is diced and picked up using a conventional dicing-die bonding tape.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

本発明に係る接着フィルムは、エポキシ樹脂と、硬化剤と、ヒュームドシリカ粒子とを含む。本発明に係る接着フィルムは、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度（以下、最低溶融粘度ηと略記することがある）が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある。   The adhesive film according to the present invention includes an epoxy resin, a curing agent, and fumed silica particles. The adhesive film according to the present invention has a minimum melt viscosity (hereinafter sometimes abbreviated as the minimum melt viscosity η) within a temperature range of 70 to 120 ° C. within a range of 2500 to 10,000 Pa · s.

（エポキシ樹脂）
本発明に係る接着フィルムに含まれているエポキシ樹脂は、エポキシ基を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Epoxy resin)
The epoxy resin contained in the adhesive film according to the present invention is not particularly limited as long as it has an epoxy group. As for an epoxy resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

「エポキシ樹脂」とは、一般的には、１分子中にエポキシ基を２個以上もつ分子量３００〜８０００程度の比較的低分子のポリマーもしくはプレポリマー、又は該ポリマーもしくはプレポリマーのエポキシ基の開環反応によって生じた熱硬化性樹脂を意味する。   “Epoxy resin” generally means a relatively low molecular weight polymer or prepolymer having a molecular weight of about 300 to 8000 having two or more epoxy groups in one molecule, or the opening of epoxy groups of the polymer or prepolymer. It means a thermosetting resin produced by a ring reaction.

上記エポキシ樹脂は、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有することが好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂の使用により、硬化物は剛直となり、分子の運動が阻害される。従って、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができ、さらに耐湿性も高めることができる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂は疎水性が高い。このため、該エポキシ樹脂とヒュームドシリカ粒子との併用により、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度を、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内に容易に調整できる。   The epoxy resin preferably has a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain. By using an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain, the cured product becomes rigid and the movement of molecules is inhibited. Therefore, the mechanical strength and heat resistance of the cured product can be increased, and the moisture resistance can also be increased. An epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is highly hydrophobic. For this reason, the minimum melt viscosity within the temperature range of 70 to 120 ° C. can be easily adjusted within the range of 2500 to 10,000 Pa · s by the combined use of the epoxy resin and the fumed silica particles.

上記多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂は特に限定されない。上記多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、又は３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂の内の少なくとも一方の樹脂が好適に用いられる。多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   The epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon skeleton in a principal chain is not specifically limited. Specific examples of the epoxy resin having the polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain include, for example, dicyclopentadiene dioxide, dicyclopentadiene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, tetrahydroxyphenylethane type epoxy resin, tetrakis (Glycidyloxyphenyl) ethane, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexane carbonate and the like can be mentioned. Of these, at least one of a dicyclopentadiene type epoxy resin and a naphthalene type epoxy resin is preferably used. As for the epoxy resin which has a polycyclic hydrocarbon skeleton in a principal chain, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の具体例としては、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂の具体例としては、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリシジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。   Specific examples of the dicyclopentadiene type epoxy resin include phenol novolac epoxy resins having a dicyclopentadiene skeleton. Specific examples of the naphthalene type epoxy resin include 1-glycidylnaphthalene, 2-glycidylnaphthalene, 1,2-diglycidylnaphthalene, 1,5-diglycidylnaphthalene, 1,6-diglycidylnaphthalene, 1,7-di. Examples include glycidylnaphthalene, 2,7-diglycidylnaphthalene, triglycidylnaphthalene, 1,2,5,6-tetraglycidylnaphthalene, and the like.

上記多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量は、５００以上であることが好ましい。重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性又は耐湿性等が十分に高くならないことがある。上記多環式炭化水素骨格を主鎖中に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量は、１０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。   The weight average molecular weight of the epoxy resin having the polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is preferably 500 or more. If the weight average molecular weight is less than 500, the mechanical strength, heat resistance or moisture resistance of the cured product may not be sufficiently high. The weight average molecular weight of the epoxy resin having the polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is preferably 1000 or less. If the weight average molecular weight exceeds 1000, the cured product may become too rigid and brittle.

（硬化剤）
本発明に係る接着フィルムに含まれている硬化剤は、上記エポキシ樹脂を硬化させるものであれば特に限定されない。 (Curing agent)
The hardening | curing agent contained in the adhesive film which concerns on this invention will not be specifically limited if the said epoxy resin is hardened.

上記硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、又はカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Examples of the curing agent include heat curing type acid anhydride type curing agents such as trialkyltetrahydrophthalic anhydride, phenol type curing agents, amine type curing agents, latent curing agents such as dicyandiamide, or cationic catalyst type curing. Agents and the like. As for a hardening | curing agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

なかでも、常温で液状の加熱硬化型硬化剤、又は多官能であり、かつ当量的に添加量が少なくてもよいジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が好適に用いられる。これらの好ましい硬化剤の使用により、接着フィルムの常温での柔軟性を高めることができ、かつ接着フィルムのハンドリング性を高めることができる。   Among them, a thermosetting curing agent that is liquid at normal temperature, or a latent curing agent such as dicyandiamide that is multifunctional and may be added in an equivalent amount is preferably used. By using these preferable curing agents, the flexibility of the adhesive film at room temperature can be enhanced, and the handling properties of the adhesive film can be enhanced.

上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の具体例としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤等が挙げられる。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物又はトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。酸無水物系硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Specific examples of the thermosetting curing agent that is liquid at normal temperature include, for example, acid anhydrides such as methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, or trialkyltetrahydrophthalic anhydride. Examples thereof include a curing agent. Especially, since it is hydrophobized, methyl nadic anhydride or trialkyltetrahydrophthalic anhydride is preferably used. As for an acid anhydride type hardening | curing agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記硬化剤は２０〜７０重量部の範囲内で含有される。硬化剤の量が少なすぎると、上記エポキシ樹脂を充分に硬化させることができないことがある。硬化剤の量が多すぎると、硬化剤の添加効果が飽和することがある。上記エポキシ樹脂１００重量部に対する上記硬化剤の含有量の好ましい下限は３０重量部であり、好ましい上限は５０重量部である。   The curing agent is contained within a range of 20 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin. If the amount of the curing agent is too small, the epoxy resin may not be sufficiently cured. When there is too much quantity of a hardening | curing agent, the addition effect of a hardening | curing agent may be saturated. The minimum with preferable content of the said hardening | curing agent with respect to 100 weight part of said epoxy resins is 30 weight part, and a preferable upper limit is 50 weight part.

上記硬化剤に加えて、硬化促進剤を用いてもよい。硬化剤と硬化促進剤との併用により、硬化速度又は硬化物の物性等を調整できる。   In addition to the curing agent, a curing accelerator may be used. By using the curing agent and the curing accelerator in combination, the curing speed or the physical properties of the cured product can be adjusted.

上記硬化促進剤は特に限定されない。硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール系硬化促進剤又は３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。イミダゾール系硬化促進剤の使用により、硬化速度又は硬化物の物性等を容易に調整できる。硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   The said hardening accelerator is not specifically limited. Specific examples of the curing accelerator include imidazole-based curing accelerators and tertiary amine-based curing accelerators. Of these, imidazole curing accelerators are preferable. By using an imidazole curing accelerator, the curing speed or the physical properties of the cured product can be easily adjusted. As for a hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、又はイソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。イミダゾール系硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Examples of the imidazole-based curing accelerator include 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole in which the 1-position of imidazole is protected with a cyanoethyl group, or a trade name “2MAOK-PW” (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) whose basicity is protected with isocyanuric acid. Etc.). As for an imidazole series hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

酸無水物系硬化剤とイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とが併用される場合には、酸無水物系硬化剤の添加量を、エポキシ基の当量に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出することがある。   When an acid anhydride curing agent and a curing accelerator such as an imidazole curing accelerator are used in combination, the addition amount of the acid anhydride curing agent is equivalent to the theoretically required equivalent to the equivalent of the epoxy group. The following is preferable. If the addition amount of the acid anhydride curing agent is excessive more than necessary, chlorine ions may be easily eluted by moisture from the cured product of the curable resin composition. For example, when elution components are extracted from a cured product after curing using hot water, the pH of the extracted water is lowered to about 4 to 5, and a large amount of chloride ions extracted from the epoxy resin may be eluted. is there.

また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とが併用される場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。   In addition, when an amine curing agent and a curing accelerator such as an imidazole curing accelerator are used in combination, the addition amount of the amine curing agent should be less than or equal to the theoretically required equivalent to the epoxy group. Is preferred.

（ヒュームドシリカ粒子）
本発明に係る接着フィルムがヒュームドシリカ粒子を含むことにより、７０〜１２０℃の温度範囲内における接着フィルムの最低溶融粘度を比較的高くすることができる。 (Fumed silica particles)
When the adhesive film according to the present invention contains fumed silica particles, the minimum melt viscosity of the adhesive film within a temperature range of 70 to 120 ° C. can be made relatively high.

上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記ヒュームドシリカ粒子は５〜３０重量部の範囲内で含有される。上記ヒュームドシリカ粒子の量が少なすぎると、接着フィルムの上記最低溶融粘度ηを高くすることができないことがある。上記ヒュームドシリカ粒子の量が多すぎると、塗工時にむらが生じ、得られた接着フィルムの膜厚の均一性が悪くなることがある。   The fumed silica particles are contained within a range of 5 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin. If the amount of the fumed silica particles is too small, the minimum melt viscosity η of the adhesive film may not be increased. If the amount of the fumed silica particles is too large, unevenness may occur at the time of coating, and the film thickness uniformity of the obtained adhesive film may be deteriorated.

上記エポキシ樹脂１００重量部に対する上記ヒュームドシリカ粒子の含有量の好ましい下限は９重量部、より好ましい下限は１０重量部、さらに好ましい下限は１５重量部である。上記エポキシ樹脂１００重量部に対するヒュームドシリカ粒子の含有量の好ましい上限は２５重量部、より好ましい上限は２０重量部である。   The minimum with preferable content of the said fumed silica particle with respect to 100 weight part of said epoxy resins is 9 weight part, A more preferable minimum is 10 weight part, Furthermore, a preferable minimum is 15 weight part. The upper limit with preferable content of the fumed silica particle with respect to 100 weight part of said epoxy resins is 25 weight part, and a more preferable upper limit is 20 weight part.

上記ヒュームドシリカ粒子の一次平均粒子径は、０．１μｍ以下であることが好ましい。上記一次平均粒子径が大きすぎると、表面積が小さすぎて、十分な増粘効果が得られず、上記最低溶融粘度ηを好適な範囲内に調整することが困難となる。上記ヒュームドシリカ粒子の一次平均粒子径の好ましい下限は、０．０１μｍである。   The primary average particle diameter of the fumed silica particles is preferably 0.1 μm or less. If the primary average particle diameter is too large, the surface area is too small to obtain a sufficient thickening effect, and it becomes difficult to adjust the minimum melt viscosity η within a suitable range. The minimum with a preferable primary average particle diameter of the said fumed silica particle is 0.01 micrometer.

なお、本明細書において、「平均粒子径」とは、動的レーザー散乱法によって測定される体積平均径を示す。   In the present specification, “average particle diameter” refers to a volume average diameter measured by a dynamic laser scattering method.

また、上記ヒュームドシリカ粒子の最大粒子径は、１μｍ以下であることが好ましい。最大粒子径が大きすぎると、半導体チップの接着時にボイドが生じる原因となることがある。   The maximum particle size of the fumed silica particles is preferably 1 μm or less. If the maximum particle size is too large, it may cause voids when the semiconductor chip is bonded.

上記ヒュームドシリカ粒子のＭ値は、３０〜５５の範囲内にあることが好ましい。上記Ｍ値が小さすぎると、ヒュームドシリカ粒子の表面の疎水性が低すぎて、塗工時に膜厚むらが生じることがある。上記Ｍ値が大きすぎると、疎水性が高すぎて、塗工時に膜厚むらが生じることがある。   The M value of the fumed silica particles is preferably in the range of 30 to 55. If the M value is too small, the surface of the fumed silica particles is too hydrophobic, and film thickness unevenness may occur during coating. If the M value is too large, the hydrophobicity is too high and film thickness unevenness may occur during coating.

なお、本明細書において、「Ｍ値」とは疎水化度を意味する。「Ｍ値」とは、具体的には、ヒュームドシリカ粒子１重量部に水１００重量部を加えた溶液に、メタノールをさらに滴下したときに、ヒュームドシリカ粒子が完全に膨潤したときのメタノール濃度（％）を意味する。   In the present specification, “M value” means the degree of hydrophobicity. Specifically, the “M value” refers to methanol when fumed silica particles are completely swollen when methanol is further added dropwise to a solution obtained by adding 100 parts by weight of water to 1 part by weight of fumed silica particles. It means concentration (%).

上記ヒュームドシリカ粒子の上記Ｍ値を調整する方法は特に限定されない。上記ヒュームドシリカ粒子の上記Ｍ値を調整する方法としては、例えば、ヒュームドシリカ粒子を表面処理することにより、ヒュームドシリカ粒子の表面に存在する親水性基又は疎水性基の数を変化させる方法等が挙げられる。   The method for adjusting the M value of the fumed silica particles is not particularly limited. As a method for adjusting the M value of the fumed silica particles, for example, the number of hydrophilic groups or hydrophobic groups present on the surface of the fumed silica particles is changed by surface-treating the fumed silica particles. Methods and the like.

上記疎水性基としては、メチル基又はフェニル基等が挙げられる。上記親水性基としては、水酸基又はエポキシ基等が挙げられる。   Examples of the hydrophobic group include a methyl group and a phenyl group. Examples of the hydrophilic group include a hydroxyl group and an epoxy group.

上記ヒュームドシリカ粒子の市販品としては、例えば、ＤＭ−１０（上記Ｍ値が４８）、ＭＴ−１０（上記Ｍ値が４７）、及びＫＳ−２０Ｓ（上記Ｍ値が５６）（以上、いずれもトクヤマ社製）、並びにＲ−９７２（上記Ｍ値が４８）（Ｄｅｇｕｓｓａ社製）等が挙げられる。   Examples of commercially available fumed silica particles include DM-10 (M value is 48), MT-10 (M value is 47), and KS-20S (M value is 56). And R-972 (M value is 48) (Degussa) and the like.

（エポキシ基を有する高分子ポリマー）
本発明に係る接着フィルムは、エポキシ基を有する高分子ポリマーを含むことが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーの含有により、耐熱性、耐リフロー性、耐温度サイクル性、耐低温衝撃性を高めることができる。 (Polymer polymer having epoxy group)
The adhesive film according to the present invention preferably contains a high molecular polymer having an epoxy group. By containing a polymer having an epoxy group, heat resistance, reflow resistance, temperature cycle resistance, and low temperature impact resistance can be improved.

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは特に限定されない。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）の内の少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。   The high molecular polymer having the epoxy group is not particularly limited. The polymer having an epoxy group preferably has an epoxy group on at least one of a terminal and a side chain (pendant position).

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの具体例としては、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂又はエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。エポキシ基を有する高分子ポリマーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Specific examples of the polymer having an epoxy group include an epoxy group-containing butadiene rubber, a bisphenol type epoxy resin, an epoxy group-containing phenoxy resin, an epoxy group-containing acrylic resin, an epoxy group-containing urethane resin, and an epoxy group-containing polyester resin. Can be mentioned. As for the high molecular polymer which has an epoxy group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

なかでも、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。エポキシ基含有アクリル樹脂の使用により、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができる。   Among these, an epoxy group-containing acrylic resin is preferably used. Use of the epoxy group-containing acrylic resin can increase the mechanical strength and heat resistance of the cured product.

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの重量平均分子量は、１万以上であることが好ましい。上記重量平均分子量が１万未満であると、接着フィルムの膜形成性が低くなり、接着フィルムの硬化物の可撓性が充分に高くならないことがある。上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの重量平均分子量は、２００万以下であることが好ましい。   The weight average molecular weight of the polymer having an epoxy group is preferably 10,000 or more. When the weight average molecular weight is less than 10,000, the film-forming property of the adhesive film is lowered, and the flexibility of the cured product of the adhesive film may not be sufficiently increased. The weight average molecular weight of the polymer having an epoxy group is preferably 2 million or less.

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーのエポキシ当量の好ましい下限は２００であり、好ましい上限は１０００である。上記エポキシ当量が２００未満であると、接着フィルムの硬化物の可撓性が充分に高くならないことがある。上記エポキシ当量が１０００を超えると、接着フィルムの硬化物の機械的強度又は耐熱性が低下することがある。   The minimum with a preferable epoxy equivalent of the high molecular polymer which has the said epoxy group is 200, and a preferable upper limit is 1000. When the epoxy equivalent is less than 200, the flexibility of the cured product of the adhesive film may not be sufficiently increased. When the said epoxy equivalent exceeds 1000, the mechanical strength or heat resistance of the cured | curing material of an adhesive film may fall.

上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは１０〜４０重量部の範囲内で含有されることが好ましい。上記高分子ポリマーの量が少なすぎると、高温時の破断強度が低下し、耐熱性等が低下することがある。上記高分子ポリマーの量が多すぎると、塗液の粘度が高くなりすぎ、接着フィルムの膜厚精度が低下することがある。上記エポキシ樹脂１００重量部に対して、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは１０〜４０重量部の範囲内で含有されることがより好ましく、２０〜３０重量部の範囲内で含有されることがさらに好ましい。   The polymer polymer having the epoxy group is preferably contained within a range of 10 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin. If the amount of the polymer is too small, the breaking strength at high temperatures may be reduced, and heat resistance and the like may be reduced. When there is too much quantity of the said high molecular polymer, the viscosity of a coating liquid will become high too much and the film thickness precision of an adhesive film may fall. The polymer polymer having the epoxy group is more preferably contained in the range of 10 to 40 parts by weight and more preferably in the range of 20 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin. Further preferred.

（その他の添加剤）
本発明に係る接着フィルムには、必要に応じて、無機イオン交換体、ブリードアウト防止剤、接着付与剤又は増粘剤等の添加剤を添加してもよい。 (Other additives)
You may add additives, such as an inorganic ion exchanger, a bleed-out prevention agent, an adhesion | attachment imparting agent, or a thickener, to the adhesive film which concerns on this invention as needed.

（接着フィルム）
本発明に係る接着フィルムの製造方法は特に限定されない。接着フィルムの製造方法としては、例えば押出機を用いた押出成形法又は溶液キャスト法が挙げられる。なかでも、高温での処理を要しないため、溶液キャスト法が好適に用いられる。 (Adhesive film)
The manufacturing method of the adhesive film which concerns on this invention is not specifically limited. Examples of the method for producing the adhesive film include an extrusion method using an extruder or a solution casting method. Especially, since the process at high temperature is not required, the solution cast method is used suitably.

上記溶液キャスト法では、先ず接着フィルムを構成する硬化性樹脂組成物を溶剤で希釈して、硬化性樹脂組成物溶液を調製する。次に、調製された硬化性樹脂組成物溶液をセパレータ上にキャスティングする。その後、硬化性樹脂組成物溶液を乾燥し、溶剤を除去することにより、セパレータ上に接着フィルムを得ることができる。   In the solution casting method, first, the curable resin composition constituting the adhesive film is diluted with a solvent to prepare a curable resin composition solution. Next, the prepared curable resin composition solution is cast on a separator. Thereafter, the adhesive film can be obtained on the separator by drying the curable resin composition solution and removing the solvent.

本発明に係る接着フィルムは、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度（最低溶融粘度η）、すなわち７０〜１２０℃の温度範囲内における溶融粘度の最低値は、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある。接着フィルムの上記最低溶融粘度ηが２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあることにより、半導体チップを電子部品上に接着するのに接着フィルムが用いられた場合に、電子部品上に接着された半導体チップの反りを抑制できる。   The adhesive film according to the present invention has a minimum melt viscosity (minimum melt viscosity η) within a temperature range of 70 to 120 ° C., that is, a minimum melt viscosity within a temperature range of 70 to 120 ° C. is 2500 to 10,000 Pa · s. Is in range. When the adhesive film is used to adhere the semiconductor chip onto the electronic component, the semiconductor adhered onto the electronic component because the minimum melt viscosity η of the adhesive film is in the range of 2500 to 10,000 Pa · s. Chip warpage can be suppressed.

特に、厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ２以上である半導体チップの接着に接着フィルムが用いられた場合に、該半導体チップの反りを顕著に抑制できる。 In particular, when an adhesive film is used for bonding a semiconductor chip having a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more, warpage of the semiconductor chip can be remarkably suppressed.

本発明に係る接着フィルムは、７０〜１２０℃の温度範囲内における最高溶融粘度、すなわち７０〜１２０℃の温度範囲内における溶融粘度の最高値は、５０００〜３００００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましい。   The adhesive film according to the present invention may have a maximum melt viscosity within a temperature range of 70 to 120 ° C., that is, a maximum melt viscosity within a temperature range of 70 to 120 ° C. within a range of 5000 to 30000 Pa · s. preferable.

本発明に係る接着フィルムの厚みは特に限定されない。接着フィルムの厚みは、１０μｍ以下であることが好ましい。接着フィルムの厚みが１０μｍ以下であると、該接着フィルムを用いた半導体装置を小型化できる。接着フィルムの厚みの好ましい下限は、１μｍである。接着フィルムの厚みが１μｍ未満であると、接着フィルムの膜厚精度が低下することがある。   The thickness of the adhesive film according to the present invention is not particularly limited. The thickness of the adhesive film is preferably 10 μm or less. The semiconductor device using this adhesive film can be reduced in size as the thickness of an adhesive film is 10 micrometers or less. A preferable lower limit of the thickness of the adhesive film is 1 μm. When the thickness of the adhesive film is less than 1 μm, the film thickness accuracy of the adhesive film may be lowered.

本発明に係る接着フィルムの上記最低溶融粘度ηは２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にあるため、接着フィルムの厚みが１０μｍ以下であっても、半導体チップの反りを効果的に抑制できる。   Since the minimum melt viscosity η of the adhesive film according to the present invention is in the range of 2500 to 10,000 Pa · s, even when the thickness of the adhesive film is 10 μm or less, the warp of the semiconductor chip can be effectively suppressed.

７０〜１２０℃の温度範囲内における上記最低溶融粘度ηは、３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にあることが好ましい。本発明に係る接着フィルムは、ヒュームドシリカ粒子を含有する。ヒュームドシリカ粒子は、接着フィルムの粘性を高め、かつチキソトロピー性を高める。このため、ヒュームドシリカ粒子を含む接着フィルムの上記最低溶融粘度ηが３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にあれば、接着フィルムの切削性が顕著に高めることができる。従って、例えば接着フィルムと、ダイシングフィルムとを備えるダイシング−ダイボンディングテープを用いて、半導体ウェーハをダイシングする際の切削性を顕著に高めることができ、切削屑を生じ難くすることができる。このため、接着フィルム付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。また、切削屑が、接着フィルム又は半導体チップに付着し難いため、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できる。   The minimum melt viscosity η in the temperature range of 70 to 120 ° C. is preferably in the range of 3000 to 9000 Pa · s. The adhesive film according to the present invention contains fumed silica particles. The fumed silica particles increase the viscosity of the adhesive film and increase the thixotropy. For this reason, if the said minimum melt viscosity (eta) of the adhesive film containing a fumed silica particle exists in the range of 3000-9000 Pa.s, the machinability of an adhesive film can be improved notably. Therefore, for example, by using a dicing die bonding tape including an adhesive film and a dicing film, the cutting performance when dicing a semiconductor wafer can be remarkably improved, and cutting waste can be hardly generated. For this reason, the pick-up property of the semiconductor chip with an adhesive film can be improved. In addition, since the cutting waste does not easily adhere to the adhesive film or the semiconductor chip, the picked-up semiconductor chip can be mounted in the correct orientation and with high accuracy.

（半導体装置）
本発明に係る接着フィルムは、厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ２以上である半導体チップを、電子部品上に接着するのに用いられる。電子部品としては、基板又は半導体チップ等が挙げられる。 (Semiconductor device)
The adhesive film according to the present invention is used for bonding a semiconductor chip having a thickness of 50 μm or less and a plane area of 50 mm 2 or more on an electronic component. Examples of the electronic component include a substrate or a semiconductor chip.

図１に、本発明の一実施形態に係る接着フィルムを介して、基板上に半導体チップが接着された半導体装置を示す。   FIG. 1 shows a semiconductor device in which a semiconductor chip is bonded onto a substrate via an adhesive film according to an embodiment of the present invention.

図１に示す半導体装置１では、基板２上に、硬化物層３を介して、半導体チップ４が積層され、かつ接着されている。硬化物層３は、本発明の一実施形態に係る接着フィルムを加熱し、硬化させることにより形成されている。基板２の表面には、図示しない凹凸が形成されている。基板２にかえて、半導体チップを用いてもよい。半導体チップ４は、厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ２以上である。 In the semiconductor device 1 shown in FIG. 1, a semiconductor chip 4 is laminated and bonded on a substrate 2 via a cured product layer 3. The cured product layer 3 is formed by heating and curing the adhesive film according to one embodiment of the present invention. Unevenness not shown is formed on the surface of the substrate 2. A semiconductor chip may be used instead of the substrate 2. The semiconductor chip 4 has a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more.

半導体装置１を得る際には、先ず接着フィルムを介して、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上である半導体チップ４を基板２上に積層し、圧着することにより、半導体チップ積層体を得る。圧着に際しては、半導体チップの上面に、０．１Ｎ／ｃｍ２〜２０Ｎ／ｃｍ２の圧力を加えることが好ましく、１０Ｎ／ｃｍ２〜２０Ｎ／ｃｍ２の圧力を加えることがより好ましい。 When the semiconductor device 1 is obtained, first, a semiconductor chip 4 having a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more is laminated on the substrate 2 through an adhesive film, and the semiconductor chip laminate is bonded by pressure bonding. obtain. In crimping, the upper surface of the semiconductor chip, it is preferable to apply a pressure of 0.1N / cm 2 ~20N / cm 2 , and more preferred to add the pressure of 10N / cm 2 ~20N / cm 2 .

半導体チップ積層体を得る際には、接着フィルムを基板２上に積層した後に、該接着フィルム上に半導体チップ４を積層してもよい。また、半導体チップ４の下面に接着フィルムを貼り付けておき、接着フィルムが下面に貼り付けられた半導体チップ４を接着フィルム側から、基板２上に積層してもよい。また、半導体ウェーハの下面に接着フィルムを貼り付けた後、半導体ウェーハを接着フィルムごとダイシングすることにより、接着フィルムが下面に貼り付けられた半導体チップ４を得ることができる。   When obtaining a semiconductor chip laminated body, after laminating | stacking an adhesive film on the board | substrate 2, you may laminate | stack the semiconductor chip 4 on this adhesive film. Alternatively, an adhesive film may be attached to the lower surface of the semiconductor chip 4 and the semiconductor chip 4 with the adhesive film attached to the lower surface may be laminated on the substrate 2 from the adhesive film side. Moreover, after affixing an adhesive film on the lower surface of a semiconductor wafer, the semiconductor chip 4 by which the adhesive film was affixed on the lower surface can be obtained by dicing the semiconductor wafer with the adhesive film.

次に、得られた半導体チップ積層体を７０〜１２０℃の温度範囲内で加熱して、接着フィルムを硬化させる。これによって、接着フィルムからなる硬化物層３を介して、半導体チップ４が基板２上に接着された半導体装置１を得ることができる。   Next, the obtained semiconductor chip laminated body is heated within a temperature range of 70 to 120 ° C. to cure the adhesive film. Thereby, the semiconductor device 1 in which the semiconductor chip 4 is bonded onto the substrate 2 can be obtained via the cured product layer 3 made of an adhesive film.

半導体装置１では、本発明の一実施形態に係る接着フィルム３を介して、基板２上に半導体チップ４が接着されているので、半導体チップ４の反りを顕著に抑制できる。また、特に、接着フィルム３の厚みが薄くても、例えば接着フィルムの厚みが１０μｍ以下であっても、半導体チップ４の反りを抑制できる。   In the semiconductor device 1, since the semiconductor chip 4 is bonded onto the substrate 2 via the adhesive film 3 according to an embodiment of the present invention, warping of the semiconductor chip 4 can be remarkably suppressed. In particular, even when the thickness of the adhesive film 3 is thin, for example, even when the thickness of the adhesive film is 10 μm or less, the warp of the semiconductor chip 4 can be suppressed.

（ダイシング−ダイボンディングテープ）
本発明に係る接着フィルムの一方の面に、基材フィルムを介して、ダイシングフィルムを直接又は間接に貼り付けることにより、ダイシング−ダイボンディングテープを得ることができる。半導体装置１を製造する際には、上記ダイシング−ダイボンディングテープを用いてもよい。上記ダイシング−ダイボンディングテープの使用により、半導体装置の製造効率を高めることができる。 (Dicing die bonding tape)
A dicing die bonding tape can be obtained by directly or indirectly attaching a dicing film to one surface of the adhesive film according to the present invention via a base film. When manufacturing the semiconductor device 1, the dicing die bonding tape may be used. By using the dicing die bonding tape, the manufacturing efficiency of the semiconductor device can be increased.

図２（ａ），（ｂ）に、本発明の他の実施形態に係る接着フィルムを用いたダイシング−ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。   2A and 2B show a dicing die bonding tape using an adhesive film according to another embodiment of the present invention in a partially cutaway front sectional view and a partially cutaway plan view.

図２（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１１は、長尺状の離型フィルム１２を備える。また、ダイシング−ダイボンディングテープ１１は、接着フィルム１３と、接着フィルム１３の一方の面１３ａに貼り付けられた基材フィルム１４と、基材フィルム１４の接着フィルム１３が貼り付けられた一方の面１４ａとは反対側の他方の面１４ｂに貼り付けられたダイシングフィルム１５とを備える。接着フィルム１３の一方の面１３ａに、基材フィルム１４を介して、ダイシングフィルム１５が間接に貼り付けられている。また、離型フィルム１２の上面１２ａに、接着フィルム１３が一方の面１３ａとは反対側の他方の面１３ｂ側から貼り付けられている。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the dicing die bonding tape 11 includes a long release film 12. The dicing die bonding tape 11 includes an adhesive film 13, a base film 14 attached to one surface 13 a of the adhesive film 13, and one surface on which the adhesive film 13 of the base film 14 is attached. And a dicing film 15 attached to the other surface 14b opposite to 14a. A dicing film 15 is indirectly attached to one surface 13 a of the adhesive film 13 via a base film 14. Moreover, the adhesive film 13 is affixed on the upper surface 12a of the release film 12 from the other surface 13b side opposite to the one surface 13a.

接着フィルム１３は、半導体チップのダイボンディングに用いられるダイボンディングフィルムである。接着フィルム１３の離型フィルム１２が貼り付けられた他方の面１３ｂは、半導体ウェーハが貼り付けられる面である。なお、ダイシング−ダイボンディングテープは、離型フィルム１２を備えていなくてもよい。   The adhesive film 13 is a die bonding film used for semiconductor chip die bonding. The other surface 13b of the adhesive film 13 to which the release film 12 is attached is a surface to which the semiconductor wafer is attached. The dicing-die bonding tape may not include the release film 12.

なお、基材フィルム１４を介さずに、接着フィルム１３の一方の面１３ａに、ダイシングフィルム１５が直接に積層されていてもよい。すなわち、ダイシング−ダイボンディングテープは、接着フィルム１３と、該接着フィルム１３の一方の面に貼り付けられたダイシングフィルム１５とを備えていてもよい。   In addition, the dicing film 15 may be laminated | stacked directly on the one surface 13a of the adhesive film 13 not through the base film 14. That is, the dicing-die bonding tape may include an adhesive film 13 and a dicing film 15 attached to one surface of the adhesive film 13.

もっとも、基材フィルム１４が備えられていることが好ましい。この場合には、ダイシング後に個片化された半導体チップを接着フィルムごと取り出す際に、ピックアップ性を高めることができる。   But it is preferable that the base film 14 is provided. In this case, the pick-up property can be enhanced when taking out the semiconductor chip separated after dicing together with the adhesive film.

接着フィルム１３、基材フィルム１４及びダイシングフィルム１５の平面形状は、円形である。接着フィルム１３の径は、基材フィルム１４の径と等しい。なお、接着フィルム１３の径は、基材フィルム１４の径と異なっていてもよい。ダイシングフィルム１５の径は、接着フィルム１３及び基材フィルム１４の径よりも大きい。基材フィルム１４の側面は、接着フィルム１３により覆われていないことが好ましい。   The planar shape of the adhesive film 13, the base film 14, and the dicing film 15 is a circle. The diameter of the adhesive film 13 is equal to the diameter of the base film 14. Note that the diameter of the adhesive film 13 may be different from the diameter of the base film 14. The diameter of the dicing film 15 is larger than the diameters of the adhesive film 13 and the base film 14. It is preferable that the side surface of the base film 14 is not covered with the adhesive film 13.

図２（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム１５は延長部１５ａを有する。ダイシングフィルム１５の側面は、接着フィルム１３の側面及び基材フィルム１４の側面よりも外側に張り出している。該張り出している部分である延長部１５ａが、離型フィルム１２の上面１２ａに貼り付けられている。   As shown in FIG. 2B, the dicing film 15 has an extension 15a. The side surface of the dicing film 15 projects outward from the side surface of the adhesive film 13 and the side surface of the base film 14. An extension portion 15 a that is the protruding portion is attached to the upper surface 12 a of the release film 12.

上記延長部１５ａが設けられているのは、接着フィルム１３の他方の面１３ｂに半導体ウェーハを貼り付ける際に、ダイシングフィルム１５の延長部１５ａにダイシングリングを貼り付けるためである。   The extension portion 15 a is provided in order to attach a dicing ring to the extension portion 15 a of the dicing film 15 when the semiconductor wafer is attached to the other surface 13 b of the adhesive film 13.

離型フィルム１２は特に限定されない。離型フィルム１２の具体例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、又はポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムの片面は、シリコーン離型剤、又は長鎖アルキル基等を有する離型剤等を用いて離型処理されていてもよい。   The release film 12 is not particularly limited. Specific examples of the release film 12 include polyester films such as polyethylene terephthalate films, polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, polypropylene films, polymethylpentene films, polyolefin films such as polyvinyl acetate films, polyvinyl chloride films, Alternatively, a plastic film such as a polyimide film may be used. One side of these films may be subjected to a release treatment using a silicone release agent or a release agent having a long-chain alkyl group or the like.

基材フィルム１４は特に限定されない。基材フィルム１４は、（メタ）アクリル樹脂架橋体を含むことが好ましい。基材フィルム１４は、（メタ）アクリル樹脂架橋体を主成分として含むことがより好ましい。上記（メタ）アクリル樹脂架橋体を含む基材フィルムは、ポリオレフィン系フィルムに比べて柔らかく、例えば低い貯蔵弾性率を有する。比較的柔らかい基材フィルム１４の使用により、基材フィルム１４の硬さを接着フィルム１３の硬さよりも相対的に柔らかくすることができる。このため、ダイシング後に個片化された半導体チップを接着フィルムごと取り出す際に、基材フィルム１４を介して接着フィルム１３付き半導体チップを突き上げると、接着フィルム１３付き半導体チップが基材フィルム１４から容易に剥離する。従って、ピックアップ性を高めることができる。   The base film 14 is not particularly limited. It is preferable that the base film 14 contains a (meth) acrylic resin crosslinked body. The base film 14 more preferably contains a (meth) acrylic resin crosslinked body as a main component. The base film containing the (meth) acrylic resin crosslinked body is softer than the polyolefin film, and has, for example, a low storage elastic modulus. By using the relatively soft base film 14, the base film 14 can be made relatively harder than the adhesive film 13. For this reason, when the semiconductor chip separated into individual pieces after dicing is taken out together with the adhesive film, if the semiconductor chip with the adhesive film 13 is pushed up through the base film 14, the semiconductor chip with the adhesive film 13 is easily removed from the base film 14. Peel off. Accordingly, the pickup property can be improved.

上記（メタ）アクリル樹脂架橋体は、（メタ）アクリル酸エステルポリマーの架橋体であることが好ましい。   The crosslinked (meth) acrylic resin is preferably a crosslinked (meth) acrylic acid ester polymer.

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーの使用により、基材フィルム１４の極性を充分に低くすることができ、かつ基材フィルム１４の表面エネルギーを低くすることができる。さらに、接着フィルム１３を基材フィルム１４からより一層剥離しやすくすることができる。上記アルキル基の炭素数が１８を超えると、基材フィルム１３を製造する際に、溶液重合が困難になる。このため、基材フィルム１４の製造が困難になることがある。（メタ）アクリル酸エステルポリマーのアルキル基の炭素数は６以上であることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が６以上の場合には、基材フィルム１４の極性をより一層低くすることができる。   The (meth) acrylic acid ester polymer is preferably a (meth) acrylic acid ester polymer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms. By using the (meth) acrylic acid ester polymer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, the polarity of the base film 14 can be made sufficiently low, and the surface energy of the base film 14 can be made low. . Furthermore, the adhesive film 13 can be more easily peeled from the base film 14. When carbon number of the said alkyl group exceeds 18, when manufacturing the base film 13, solution polymerization will become difficult. For this reason, manufacture of the base film 14 may be difficult. It is preferable that the alkyl group of the (meth) acrylic acid ester polymer has 6 or more carbon atoms. When the carbon number of the alkyl group is 6 or more, the polarity of the base film 14 can be further reduced.

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとして用いて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、上記主モノマーと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は、２以上であることが好ましく、６以上であることが特に好ましい。   The (meth) acrylic acid ester polymer is preferably a (meth) acrylic acid ester polymer obtained using a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms as a main monomer. The (meth) acrylic acid ester polymer was obtained by copolymerizing the main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable with these by a conventional method. A (meth) acrylic acid ester polymer is preferred. The number of carbon atoms in the alkyl group of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer is preferably 2 or more, and particularly preferably 6 or more.

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は、２０万〜２００万の範囲内にあることが好ましい。重量平均分子量が２０万未満であると、塗工成形時に多くの外観欠点が生じることがある。重量平均分子量が２００万を超えると、製造時に増粘しすぎてポリマー溶液を取り出すことができないことがある。   The weight average molecular weight of the (meth) acrylic acid ester polymer is preferably in the range of 200,000 to 2,000,000. If the weight average molecular weight is less than 200,000, many appearance defects may occur during coating molding. When the weight average molecular weight exceeds 2 million, the polymer solution may not be taken out due to excessive thickening during production.

ダイシングフィルム１５は特に限定されない。ダイシングフィルム１５としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、又はポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。ポリオレフィン系フィルムが用いられた場合には、エキスパンド性を高めることができ、かつ環境負荷を小さくすることができる。   The dicing film 15 is not particularly limited. Examples of the dicing film 15 include polyester films such as polyethylene terephthalate films, polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, polypropylene films, polymethylpentene films, polyolefin films such as polyvinyl acetate films, polyvinyl chloride films, and polyimide films. The plastic film etc. are mentioned. Of these, polyolefin-based films are preferably used. When a polyolefin film is used, the expandability can be enhanced and the environmental load can be reduced.

ダイシングフィルム１５は、基材フィルム１４が積層される面側に粘着剤を有することが好ましい。該粘着剤によりダイシングフィルム１５が基材フィルム１４に貼り付けられていることが好ましい。   The dicing film 15 preferably has an adhesive on the surface side on which the base film 14 is laminated. It is preferable that the dicing film 15 is attached to the base film 14 with the adhesive.

上記粘着剤の具体例としては、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤又はゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、アクリル系粘着剤又はゴム系粘着剤が好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましく、感圧タイプのアクリル系粘着剤がさらに好ましい。アクリル系粘着剤の使用により、粘着剤の基材フィルム１４への貼着力、及び粘着剤のダイシングリングからの剥離性を高めることができる。   Specific examples of the adhesive include acrylic adhesives, special synthetic rubber adhesives, synthetic resin adhesives, rubber adhesives, and the like. Especially, an acrylic adhesive or a rubber-type adhesive is preferable, an acrylic adhesive is more preferable, and a pressure-sensitive type acrylic adhesive is further more preferable. By using the acrylic pressure-sensitive adhesive, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive to the base film 14 and the peelability of the pressure-sensitive adhesive from the dicing ring can be enhanced.

ダイシング−ダイボンディングテープ１１を用いて、接着フィルム１３が下面に貼り付けられた半導体チップを得るには、先ず離型フィルム１２を接着フィルム１３から剥離した後、又は剥離しながら、露出した接着フィルム１３の他方の面１３ｂを、半導体ウェーハの裏面に貼り付ける。また、離型フィルム１２を剥離した後、又は剥離しながら、露出したダイシングフィルム１５の延長部１５ａを、ダイシングリング上に貼り付ける。   In order to obtain a semiconductor chip having the adhesive film 13 attached to the lower surface using the dicing die bonding tape 11, first, the release film 12 is peeled off from the adhesive film 13 or exposed while peeling. The other surface 13b of 13 is affixed to the back surface of the semiconductor wafer. In addition, after the release film 12 is peeled or peeled, the exposed extension portion 15a of the dicing film 15 is pasted on the dicing ring.

次に、半導体ウェーハを接着フィルム１３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。このとき、半導体チップの厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上となるように、半導体ウェーハが分割される。その後、基材フィルム１４及びダイシングフィルム１５を引き延ばして、分割された半導体チップの間隔を拡張する。次に、半導体チップが貼り付けられた状態で、接着フィルム１３付き半導体チップを基材フィルム１４から剥離して取り出す。このようにして、接着フィルム１３が下面に貼り付けられた半導体チップを得ることができる。 Next, the semiconductor wafer is diced together with the adhesive film 13 and divided into individual semiconductor chips. At this time, the semiconductor wafer is divided so that the thickness of the semiconductor chip is 50 μm or less and the plane area is 50 mm 2 or more. Thereafter, the base film 14 and the dicing film 15 are stretched to extend the interval between the divided semiconductor chips. Next, the semiconductor chip with the adhesive film 13 is peeled off from the base film 14 in a state where the semiconductor chip is attached. In this manner, a semiconductor chip having the adhesive film 13 attached to the lower surface can be obtained.

接着フィルム１３の上記最低溶融粘度ηが３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある場合には、半導体ウェーハをダイシングする際に、切削屑を生じ難くすることができる。このため、接着フィルム１３付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。また、切削屑が、ダイシングフィルム１５又は半導体チップに付着し難いため、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できる。   When the minimum melt viscosity η of the adhesive film 13 is in the range of 3000 to 9000 Pa · s, it is possible to make it difficult to generate cutting waste when dicing the semiconductor wafer. For this reason, the pick-up property of the semiconductor chip with the adhesive film 13 can be enhanced. In addition, since the cutting waste hardly adheres to the dicing film 15 or the semiconductor chip, the picked-up semiconductor chip can be mounted in the correct orientation and with high accuracy.

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明する。本発明はこれら実施例のみに限定されない。   The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. The present invention is not limited to these examples.

接着フィルムを得るのに、以下の材料を用いた。   The following materials were used to obtain the adhesive film.

（エポキシ樹脂）
Ａ：ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂（商品名「ＥＸＡ−７２００ＨＨ」、大日本インキ化学工業社製）
Ｂ：ＣＴＢＭ変性エポキシ樹脂（商品名「ＥＰＲ―４０２３」、ＡＤＥＫＡ社製）
（硬化剤）
Ｃ：ジアルキルテトラヒドロ無水フタル酸（商品名「ＹＨ−３０９」、ジャパンエポキシレジン社製）
（硬化促進剤）
Ｄ：イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール（商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」、四国化成社製）
（ヒュームドシリカ粒子）
Ｆ：表面疎水化ヒュームドシリカ（商品名「レオロシールＭＴ−１０」、Ｍ値＝４７、
一次平均粒子径：１μｍ以下、トクヤマ社製）
（エポキシ基を有する高分子ポリマー）
Ｅ：エポキシ含有アクリル樹脂（商品名「マープルーフＧ−２０５０Ｍ」、日本油脂社製） (Epoxy resin)
A: Dicyclopentadiene type solid epoxy resin (trade name “EXA-7200HH”, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
B: CTBM-modified epoxy resin (trade name “EPR-4023”, manufactured by ADEKA)
(Curing agent)
C: Dialkyltetrahydrophthalic anhydride (trade name “YH-309”, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)
(Curing accelerator)
D: Isocyanur-modified solid dispersion type imidazole (trade name “2MAOK-PW”, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.)
(Fumed silica particles)
F: Surface hydrophobized fumed silica (trade name “Leosil MT-10”, M value = 47,
(Primary average particle size: 1 μm or less, manufactured by Tokuyama)
(Polymer polymer having epoxy group)
E: Epoxy-containing acrylic resin (trade name “Malproof G-2050M”, manufactured by NOF Corporation)

（その他の材料）
シランカップリング剤（２級アミノシラン、（商品名「ＫＢＭ５７３」、信越化学工業社製）
溶剤（ＭＥＫ、メチルエチルケトン）
アクリルゴム粒子（商品名「スタフィロイドＡＣ−４０３０」、ガンツ化成社製） (Other materials)
Silane coupling agent (secondary aminosilane, (trade name “KBM573”, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
Solvent (MEK, methyl ethyl ketone)
Acrylic rubber particles (trade name “STAPHYLOID AC-4030”, manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.)

（実施例１，２及び比較例１〜３）
下記の表１に示す各成分を下記の表１に示す割合でＭＥＫに溶解させ、ホモディスパー型攪拌機を用いて、攪拌速度３０００ｒｐｍの条件で均一に攪拌混合して、固形分が６０重量％の硬化性樹脂組成物のＭＥＫ溶液を調製した。 (Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3)
Each component shown in Table 1 below is dissolved in MEK at the ratio shown in Table 1 below, and uniformly mixed with a homodisper type stirrer at a stirring speed of 3000 rpm. The solid content is 60% by weight. A MEK solution of the curable resin composition was prepared.

次に、表面が離型処理された厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを用意した。このＰＥＴシートの離型処理された表面上に、得られた硬化性樹脂組成物のＭＥＫ溶液を、乾燥後の厚みが５０μｍとなるようにバーコーターを用いて塗工した後、１１０℃で３分間乾燥して、接着フィルムを作製した。   Next, a polyethylene terephthalate (PET) sheet having a thickness of 50 μm whose surface was release-treated was prepared. After applying the MEK solution of the obtained curable resin composition on the surface of the PET sheet subjected to the mold release treatment using a bar coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, the MEK solution was applied at 110 ° C. 3 It was dried for a minute to produce an adhesive film.

（実施例１，２及び比較例１〜３の評価）
（１）接着フィルムの厚み精度
得られた接着フィルムの厚みを、レーザー変位計を用いて１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさの領域内にて２５点測定した。２５点の測定値の標準偏差の３倍（３σ）を厚み精度とした。 (Evaluation of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3)
(1) Thickness accuracy of adhesive film The thickness of the obtained adhesive film was measured at 25 points in a region of 10 cm × 10 cm using a laser displacement meter. The thickness accuracy was 3 times the standard deviation (3σ) of the 25 measured values.

（２）接着フィルムの溶融粘度
硬化前の接着フィルムを、昇温速度５℃／分で３５℃から２００℃まで昇温しながら、周波数１ｒａｄ秒でコーンプレート剪断時における溶融粘度を測定した。７０〜１２０℃の温度範囲内における接着フィルムの最低溶融粘度を下記の表１に示した。 (2) Melt Viscosity of Adhesive Film The melt viscosity at the time of cone plate shearing was measured at a frequency of 1 rad second while heating the adhesive film before curing from 35 ° C. to 200 ° C. at a heating rate of 5 ° C./min. The minimum melt viscosity of the adhesive film in the temperature range of 70 to 120 ° C. is shown in Table 1 below.

（３）半導体チップの反り量の評価
下記の表１に示す厚み及び平面積を有する半導体チップの下面に接着フィルムを貼り付けて、接着フィルム付き半導体チップを得た。ダイボンダーを用いて、接着フィルム付き半導体チップを接着フィルム側から基板上に積層し、半導体チップの上面に１００℃で１０Ｎ／ｃｍ２の圧力をかけて圧着し、半導体チップ積層体を得た。 (3) Evaluation of warpage amount of semiconductor chip An adhesive film was attached to the lower surface of the semiconductor chip having the thickness and the flat area shown in Table 1 below to obtain a semiconductor chip with an adhesive film. Using a die bonder, a semiconductor chip with an adhesive film was laminated on the substrate from the adhesive film side, and pressure-bonded to the upper surface of the semiconductor chip by applying a pressure of 10 N / cm 2 at 100 ° C. to obtain a semiconductor chip laminated body.

得られた半導体チップ積層体を１７０℃で３０分加熱し、接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得た。   The obtained semiconductor chip laminate was heated at 170 ° C. for 30 minutes to cure the adhesive film, thereby obtaining a semiconductor device.

得られた半導体装置において、半導体チップの上面の対角線上の高さを、レーザー変位計を用いて測定した。半導体チップの端部と中央部との高さの差を反り量として、下記の表１に示した。   In the obtained semiconductor device, the height on the diagonal line of the upper surface of the semiconductor chip was measured using a laser displacement meter. The difference in height between the end and the center of the semiconductor chip is shown in Table 1 below as the amount of warpage.

Figure 0005303326
Figure 0005303326

（実施例３）
エポキシ樹脂Ａ７０重量部、エポキシ樹脂Ｂ１５重量部、硬化剤Ｃ３５重量部、硬化促進剤Ｄ５重量部、高分子ポリマーＥ２５重量、ヒュームドシリカ粒子Ｆ９重量部、シランカップリング剤１重量部及びアクリルゴム粒子５重量部をＭＥＫに溶解させ、ホモディスパー型攪拌機を用いて、攪拌速度３０００ｒｐｍの条件で均一に攪拌混合して、固形分が６０重量％の硬化性樹脂組成物のＭＥＫ溶液を調製した。次に、表面が離型処理された厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートを用意した。このＰＥＴシートの離型処理された表面上に、得られた硬化性樹脂組成物のＭＥＫ溶液を、乾燥後の厚みが５０μｍとなるようにバーコーターを用いて塗工した後、１１０℃で３分間乾燥させることにより接着フィルムを得た。 (Example 3)
70 parts by weight of epoxy resin A, 15 parts by weight of epoxy resin B, 35 parts by weight of curing agent C, 5 parts by weight of curing accelerator D, 25 parts by weight of polymer E, 9 parts by weight of fumed silica particles F, 1 part by weight of silane coupling agent and acrylic rubber particles 5 parts by weight was dissolved in MEK and uniformly stirred and mixed using a homodisper type stirrer at a stirring speed of 3000 rpm to prepare a MEK solution of a curable resin composition having a solid content of 60% by weight. Next, a polyethylene terephthalate (PET) sheet having a thickness of 50 μm whose surface was release-treated was prepared. After applying the MEK solution of the obtained curable resin composition on the surface of the PET sheet subjected to the mold release treatment using a bar coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, the MEK solution was applied at 110 ° C. 3 The adhesive film was obtained by drying for minutes.

また、離型処理された２枚のＰＥＴシートと、該２枚のＰＥＴシートで挟まれたアクリル系粘着材とを有する離型フィルムを用意した。この離型フィルムの一方のＰＥＴシートを剥離した後、露出した剥離面に得られた接着フィルムを貼り付けた。次に、離型フィルムのもう一方のＰＥＴシートを剥がした後、露出した剥離面にダイシングフィルムを貼り付けた。このようにして、接着フィルム、剥離フィルム（アクリル系粘着材）、ダイシングフィルムの積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを得た。   In addition, a release film having two release-treated PET sheets and an acrylic adhesive material sandwiched between the two PET sheets was prepared. After peeling one PET sheet of the release film, the obtained adhesive film was attached to the exposed peeled surface. Next, after peeling off the other PET sheet of the release film, a dicing film was attached to the exposed release surface. Thus, the dicing die bonding tape which has a laminated structure of an adhesive film, a peeling film (acrylic adhesive material), and a dicing film was obtained.

（実施例４）
ヒュームドシリカ粒子Ｆの配合量を１０重量部に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。 Example 4
A dicing die bonding tape was obtained in the same manner as in Example 3 except that the amount of the fumed silica particles F was changed to 10 parts by weight.

（実施例５）
ヒュームドシリカ粒子Ｆの配合量を１４重量部に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。 (Example 5)
A dicing-die bonding tape was obtained in the same manner as in Example 3 except that the amount of the fumed silica particles F was changed to 14 parts by weight.

（実施例６）
ヒュームドシリカ粒子Ｆの配合量を１５重量部に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。 (Example 6)
A dicing die bonding tape was obtained in the same manner as in Example 3 except that the amount of the fumed silica particles F was changed to 15 parts by weight.

（比較例４）
ヒュームドシリカ粒子Ｆの配合量を４重量部に変更したこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。 (Comparative Example 4)
A dicing die bonding tape was obtained in the same manner as in Example 3 except that the amount of the fumed silica particles F was changed to 4 parts by weight.

（実施例３〜６及び比較例４の評価）
得られた接着フィルムについて、上記（１）接着フィルムの厚み精度、及び上記（２）接着フィルムの溶融粘度の評価を実施した。 (Evaluation of Examples 3 to 6 and Comparative Example 4)
About the obtained adhesive film, the thickness accuracy of said (1) adhesive film and evaluation of the melt viscosity of said (2) adhesive film were implemented.

さらに、下記の（４）半導体ウェーハの切削性及びピックアップ性、及び（５）半導体チップの反り量の評価を実施した。   Furthermore, the following (4) cutting performance and pick-up performance of the semiconductor wafer and (5) warpage amount of the semiconductor chip were evaluated.

（４）半導体ウェーハの切削性及びピックアップ性
ダイシング−ダイボンディングテープの接着フィルムをシリコンウェーハ（直径８ｉｎｃｈ、厚み２０μｍ）の一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。 (4) Cutting property and pick-up property of semiconductor wafer An adhesive film of a dicing die bonding tape was laminated on one surface of a silicon wafer (diameter: 8 inch, thickness: 20 μm) at a temperature of 60 ° C. to prepare an evaluation sample.

ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。ダイシング時の切削性を評価した。結果を下記の表２に示す。   The evaluation sample was diced into a chip size of 10 mm × 10 mm at a feed rate of 50 mm / sec using a dicing apparatus DFD651 (manufactured by Disco). The machinability during dicing was evaluated. The results are shown in Table 2 below.

ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否を評価した。   After dicing, using a die bonder best D-02 (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.), the divided semiconductor chips are continuously picked up under the conditions of a collet size of 8 mm square, a push-up speed of 5 mm / second, and a pick-up temperature of 23 ° C. Appropriateness was evaluated.

〔切削性の評価基準〕
◎：接着フィルムの切削屑が生じなかった
○：接着フィルムの切削屑がほとんど生じず、生じても切断部分には付着しない
△：接着フィルムの切削屑が生じるが、切断部分には付着しない
×：接着フィルムの切削屑が生じ、切断部分に付着する [Evaluation criteria for machinability]
◎: Cutting scraps of the adhesive film were not generated. ○: Cutting scraps of the adhesive film were hardly generated, and even if they were generated, they did not adhere to the cut portion. Δ: Cutting scraps of the adhesive film were generated but did not adhere to the cut portion. : Cutting scraps of adhesive film are generated and adhere to the cut part

〔ピックアップ性の評価基準〕
○：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１％未満
△：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１％を超え、１５％未満
×：ピックアップできなかった半導体チップの個数の割合が１５％を超える [Evaluation criteria for pickup properties]
○: The ratio of the number of semiconductor chips that could not be picked up was less than 1%. Δ: The ratio of the number of semiconductor chips that could not be picked up was more than 1% and less than 15%. Over 15%

（５）半導体チップの反り量
上記（４）の評価で得られた接着フィルム付き半導体チップを用意した。ダイボンダーを用いて、接着フィルム付き半導体チップを接着フィルム側から基板上に積層し、半導体チップの上面に１００℃で１０Ｎ／ｃｍ２の圧力をかけて圧着し、半導体チップ積層体を得た。 (5) Warpage amount of semiconductor chip A semiconductor chip with an adhesive film obtained by the evaluation of (4) above was prepared. Using a die bonder, a semiconductor chip with an adhesive film was laminated on the substrate from the adhesive film side, and pressure-bonded to the upper surface of the semiconductor chip by applying a pressure of 10 N / cm 2 at 100 ° C. to obtain a semiconductor chip laminated body.

得られた半導体チップ積層体を１７０℃で３０分加熱し、接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得た。   The obtained semiconductor chip laminate was heated at 170 ° C. for 30 minutes to cure the adhesive film, thereby obtaining a semiconductor device.

得られた半導体装置において、半導体チップの上面の対角線上の高さを、レーザー変位計を用いて測定した。半導体チップの端部と中央部との高さの差を反り量として、下記の表２に示した。   In the obtained semiconductor device, the height on the diagonal line of the upper surface of the semiconductor chip was measured using a laser displacement meter. The difference in height between the end and the center of the semiconductor chip is shown in Table 2 below as the amount of warpage.

結果を下記の表２に示す。   The results are shown in Table 2 below.

Figure 0005303326
Figure 0005303326

１…半導体装置
２…基板
３…硬化物層
４…半導体チップ
１１…ダイシング−ダイボンディングテープ
１２…離型フィルム
１２ａ…上面
１３…接着フィルム
１３ａ…一方の面
１３ｂ…他方の面
１４…基材フィルム
１４ａ…一方の面
１４ｂ…他方の面
１５…ダイシングフィルム
１５ａ…延長部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device 2 ... Board | substrate 3 ... Hardened | cured material layer 4 ... Semiconductor chip 11 ... Dicing die-bonding tape 12 ... Release film 12a ... Upper surface 13 ... Adhesive film 13a ... One side 13b ... Other side 14 ... Base film 14a ... One surface 14b ... The other surface 15 ... Dicing film 15a ... Extension

Claims (9)

厚みが５０μｍ以下、かつ平面積が５０ｍｍ２以上の半導体チップを、電子部品上に接着するのに用いられる接着フィルムであって、
エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含み、
７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある、接着フィルム。 An adhesive film used for bonding a semiconductor chip having a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more on an electronic component,
Including 100 parts by weight of epoxy resin, 20 to 70 parts by weight of curing agent, and 5 to 30 parts by weight of fumed silica particles,
The adhesive film whose minimum melt viscosity in the temperature range of 70-120 degreeC exists in the range of 2500-10000 Pa.s. 前記７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が、３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある、請求項１に記載の接着フィルム。   The adhesive film according to claim 1, wherein the minimum melt viscosity in the temperature range of 70 to 120 ° C. is in the range of 3000 to 9000 Pa · s. 前記エポキシ樹脂が、多環式炭化水素骨格を主鎖中に有する、請求項１又は２に記載の接着フィルム。   The adhesive film according to claim 1 or 2, wherein the epoxy resin has a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain. 前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基を有する高分子ポリマー１０〜４０重量部をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接着フィルム。   The adhesive film according to any one of claims 1 to 3, further comprising 10 to 40 parts by weight of a polymer having an epoxy group with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備える、ダイシング−ダイボンディングテープ。   A dicing die-bonding tape comprising: the adhesive film according to claim 1; and a dicing film laminated directly or indirectly on one surface of the adhesive film. ７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムを介して、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上である半導体チップを電子部品上に積層し、圧着することにより、半導体チップ積層体を得る工程と、
得られた前記半導体チップ積層体を７０〜１２０℃の温度範囲内で加熱して、前記接着フィルムを硬化させることにより、半導体装置を得る工程とを備える、半導体装置の製造方法。 A semiconductor chip having a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more is laminated on an electronic component through an adhesive film having a minimum melt viscosity of 2500 to 10,000 Pa · s within a temperature range of 70 to 120 ° C. And, by crimping, obtaining a semiconductor chip laminate,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: heating the obtained semiconductor chip laminate in a temperature range of 70 to 120 ° C. to cure the adhesive film to obtain a semiconductor device. 前記接着フィルムとして、エポキシ樹脂１００重量部と、硬化剤２０〜７０重量部と、ヒュームドシリカ粒子５〜３０重量部とを含む接着フィルムを用いる、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。   The manufacturing method of the semiconductor device of Claim 6 using the adhesive film containing 100 weight part of epoxy resins, 20-70 weight part of hardening | curing agents, and 5-30 weight part of fumed silica particles as the said adhesive film. ７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が２５００〜１００００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムと、該接着フィルムの一方の面に直接又は間接に積層されたダイシングフィルムとを備えるダイシング−ダイボンディングテープの前記接着フィルムに半導体ウェーハを貼り付ける工程と、
前記接着フィルムに貼り付けられた半導体ウェーハを前記接着フィルムごとダイシングし、厚みが５０μｍ以下かつ平面積が５０ｍｍ２以上である個々の半導体チップに前記半導体ウェーハを分割する工程と、
ダイシング後に、前記接着フィルム付き前記半導体チップを取り出す工程とをさらに備え、
前記半導体チップ積層体を得る工程において、得られた前記接着フィルム付き前記半導体チップを電子部品上に積層し、圧着する、請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。 A dicing die comprising an adhesive film having a minimum melt viscosity in the range of 2500 to 10000 Pa · s within a temperature range of 70 to 120 ° C., and a dicing film laminated directly or indirectly on one surface of the adhesive film. A step of attaching a semiconductor wafer to the adhesive film of the bonding tape;
Dicing the semiconductor wafer attached to the adhesive film together with the adhesive film, dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips having a thickness of 50 μm or less and a flat area of 50 mm 2 or more;
A step of taking out the semiconductor chip with the adhesive film after dicing,
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6 or 7, wherein, in the step of obtaining the semiconductor chip laminate, the obtained semiconductor chip with the adhesive film is laminated on an electronic component and pressure-bonded. 前記接着フィルムとして、７０〜１２０℃の温度範囲内における最低溶融粘度が３０００〜９０００Ｐａ・ｓの範囲内にある接着フィルムを用いる、請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。   The manufacturing of a semiconductor device according to any one of claims 6 to 8, wherein an adhesive film having a minimum melt viscosity in a range of 3000 to 9000 Pa · s in a temperature range of 70 to 120 ° C is used as the adhesive film. Method.
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