JP2007270125A - Adhesive sheet, integrated sheet, semiconductor device, and method for producing the semiconductor device - Google Patents

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Keiichi Hatakeyama
恵一 畠山
Tetsuo Iwakura
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet capable of filling unevennesses of board wires, wires fitted on semiconductor chips, etc. producing no voids when stuck, good in workability and stability with low tackiness at about room temperature, and satisfying heat resistance and moisture resistance, to provide an integrated sheet using the adhesive sheet, to provide a semiconductor device, and to provide a method for producng the semiconductor device. <P>SOLUTION: The adhesive sheet has a melt viscosity of 100-25,000 Pa.s at 100°C before hardened, a tackiness of 8-30 gf at 25°C, a tackiness of 40-80 gf at 40°C, and a thickness of 5-250 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、接着シート、一体型シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet, an integrated sheet, a semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device.

近年、半導体パッケージの小型化に伴い、半導体チップと同等サイズであるＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、さらに、半導体チップを多段に積層したスタックドＣＳＰが普及している（例えば、特許文献１〜５参照。）。これらの例としては、図１に示すような配線４などに起因する凹凸を有する基板３上に半導体チップＡ１を積層したパッケージ、又は、図２に示すような同サイズの半導体チップＡ１を２つ以上使用し、ワイヤ２などに起因する凹凸を有する半導体チップ上にさらに別の半導体チップを積層したパッケージなどがある。このようなパッケージには、凹凸を埋込み、かつ上部の半導体チップとの絶縁性を確保することが可能な接着シートが求められている。なお、図１及び図２中、ｂ１は接着剤である。   In recent years, along with the miniaturization of semiconductor packages, CSP (Chip Size Package) that is the same size as a semiconductor chip, and stacked CSP in which semiconductor chips are stacked in multiple stages have become widespread (see, for example, Patent Documents 1 to 5). ). Examples of these include a package in which a semiconductor chip A1 is stacked on a substrate 3 having unevenness caused by the wiring 4 as shown in FIG. 1, or two semiconductor chips A1 of the same size as shown in FIG. There is a package in which another semiconductor chip is stacked on a semiconductor chip having the unevenness caused by the wire 2 or the like. For such a package, there is a demand for an adhesive sheet that can be embedded with unevenness and can ensure insulation from the upper semiconductor chip. In FIG. 1 and FIG. 2, b1 is an adhesive.

配線、ワイヤ等に起因する凹凸の充てんには、通常、凹凸の高さより接着シート厚さを厚くすること、接着シートの溶融粘度を低減し、充てん性を改善することが求められる。これまでは、貼付温度での接着シートの流動性が貼付性に影響するものと考えられており、接着シートの流動性が適度に高いものは凹凸やワイヤの充てん性に優れると考えられていた。しかし、流動性が高い接着剤付き半導体チップをワイヤボンィング済みのチップに貼り付ける工程を種々調査したところ、確かに流動性が高い接着シートはワイヤ充てんは良好であったが、貼り付け時に接着シートと下チップ間に気泡（ボイド）を形成し易いということがわかった。ボイドが形成されると、はんだリフロー時にボイド中に溜まった空気や水分が膨張することにより、接着シートが剥離するため、ボイドを低減することは凹凸やワイヤを充てんすることと同様に重要な課題である。しかしながら、貼付温度での物性（溶融粘度、硬化速度、溶融粘度の温度や時間依存性等）、あるいは接着シートの厚さを変更するだけでは、ボイドを完全に消滅することは難しかった。また、厚さが厚く、溶融粘度が低い接着シートは、ウエハ及び接着シートのダイシングによって、得られる半導体チップ端部の破損が大きくなるとともに、糸状のくず（樹脂ばり）が大きくなるという問題があった。   In order to fill unevenness caused by wiring, wires, etc., it is usually required to increase the thickness of the adhesive sheet from the height of the unevenness, reduce the melt viscosity of the adhesive sheet, and improve the filling property. Until now, it was thought that the fluidity of the adhesive sheet at the pasting temperature affected the pastability, and those with moderately high fluidity of the adhesive sheet were thought to be excellent in unevenness and wire filling. . However, as a result of various investigations on the process of attaching a semiconductor chip with adhesive with high fluidity to a chip that has been wire bonded, it was confirmed that the adhesive sheet with high fluidity had good wire filling, but it did not adhere to the adhesive. It was found that air bubbles (voids) are easily formed between the sheet and the lower chip. When voids are formed, the adhesive sheet peels off due to the expansion of air and moisture accumulated in the voids during solder reflow, so reducing voids is as important as filling irregularities and wires It is. However, it has been difficult to completely eliminate voids only by changing the physical properties at the sticking temperature (melt viscosity, curing speed, temperature and time dependency of melt viscosity, etc.) or the thickness of the adhesive sheet. In addition, the adhesive sheet having a large thickness and a low melt viscosity has a problem in that the end of the obtained semiconductor chip is greatly damaged by dicing of the wafer and the adhesive sheet, and thread-like waste (resin flash) is increased. It was.

すなわち、通常、ダイシング工程は、ウエハ、接着シート、及びダイシングテープを０℃〜８０℃で貼り合わせた後、これらを回転刃で同時に切断し、洗浄後、接着シート付き半導体チップを得る工程が採られている。この切断後にできたダイシングテープの溝に、接着シートやウエハの切断くずが付着し、それが切断後の洗浄時や半導体チップピックアップ時にダイシングテープから剥離し、糸状のくず（樹脂ばり）が生じ、半導体チップに付着し、電極などを汚染することがあった。また、充てん性を向上させるためには、低粘度の樹脂を加えればよいが、タック強度が上昇し、すなわち、べたつきが増すため、作業性、安定性が低下するという課題があった。   That is, usually, the dicing process is a process in which a wafer, an adhesive sheet, and a dicing tape are bonded together at 0 ° C. to 80 ° C., then these are simultaneously cut with a rotary blade, and after washing, a semiconductor chip with an adhesive sheet is obtained. It has been. Adhesive sheet or wafer cutting debris adheres to the groove of the dicing tape formed after this cutting, and it peels off from the dicing tape at the time of cleaning or semiconductor chip pick-up after cutting, resulting in thread-like debris (resin flash), There was a case where it adhered to the semiconductor chip and contaminated the electrodes. Further, in order to improve the filling property, a low-viscosity resin may be added. However, the tack strength is increased, that is, stickiness is increased, so that there is a problem that workability and stability are lowered.

以上の点から、ダイシング性が優れ、かつ配線やワイヤ等に起因する凹凸の充てん性が優れ、貼り付け時にボイドを生じない、作業性、安定性に優れ、さらには耐熱性や耐湿性を満足する接着シートを得ることが望まれている。
特開２００１−２７９１９７号公報 特開２００２−２２２９１３号公報 特開２００２−３５９３４６号公報 特開２００１−３０８２６２号公報 特開２００４−０７２００９号公報 From the above points, it has excellent dicing properties, excellent filling of unevenness due to wiring, wires, etc., does not cause voids when attached, has excellent workability and stability, and also satisfies heat resistance and moisture resistance It is desired to obtain an adhesive sheet that can be used.
JP 2001-279197 A JP 2002-222913 A JP 2002-359346 A JP 2001-308262 A Japanese Patent Laid-Open No. 2004-072009

本発明の目的は、基板の配線や、半導体チップに付設されたワイヤ等の凹凸を充てんでき、貼り付け時にボイドを生じない、室温付近でのタック強度が低く作業性、安定性に優れる、耐熱性や耐湿性を満足する接着シートを提供することである。また、接着シートを用いた一体型シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供することである。   The object of the present invention is to fill the substrate wiring and irregularities such as wires attached to the semiconductor chip, do not generate voids when pasting, have low tack strength near room temperature, excellent workability and stability, heat resistance It is to provide an adhesive sheet satisfying properties and moisture resistance. Another object of the present invention is to provide an integrated sheet using the adhesive sheet, a semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device.

本発明の発明者らは、室温（２５℃）、４０℃で、特定のタック強度有する接着シートを使用することにより、貼付時のボイドを形成しないことを見出した。また、基板の配線や、半導体チップのワイヤ等の凹凸を充てん（接着シート中に凸部を埋め込む、又は接着シートで凹部を充填すること）でき、室温付近でのタック強度が低く作業性、安定性に優れることも見出し、本発明を完成させるに至った。さらに、本発明者らは、被着体である基板やチップのそりが一定範囲である場合、ボイドを低減し易いことも見出した。   The inventors of the present invention have found that a void at the time of application is not formed by using an adhesive sheet having a specific tack strength at room temperature (25 ° C.) and 40 ° C. Also, it can be filled with irregularities such as wiring on the substrate and wires of the semiconductor chip (embedded in the adhesive sheet, or filled with the adhesive sheet), and has low tack strength near room temperature, workability and stability It has also been found that it has excellent properties, and the present invention has been completed. Furthermore, the present inventors have also found that voids can be easily reduced when the warpage of the substrate or chip as the adherend is within a certain range.

本発明は、以下に関するものである。   The present invention relates to the following.

１．硬化前の１００℃の溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上２５０００Ｐａ・ｓ以下であり、２５℃におけるタック強度が８ｇｆ以上３０ｇｆ以下、４０℃におけるタック強度が４０ｇｆ以上８０ｇｆ以下であり、厚さが５〜２５０μｍであることを特徴とする接着シート。 1. The melt viscosity at 100 ° C. before curing is 100 Pa · s to 25000 Pa · s, the tack strength at 25 ° C. is 8 gf to 30 gf, the tack strength at 40 ° C. is 40 gf to 80 gf, and the thickness is 5 to 250 μm. An adhesive sheet, characterized in that

２．接着シートが樹脂１００重量部に対し、フィラー４０〜１８０重量部を含有しており、かつ樹脂が、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上４０万以下であって、Ｔｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％と、エポキシ樹脂を含む熱硬化性成分６０〜８５重量％とを含むことを特徴とする項１記載の接着シート。 2. The adhesive sheet contains 40 to 180 parts by weight of filler with respect to 100 parts by weight of resin, and the resin has a weight average molecular weight including a crosslinkable functional group of 100,000 to 400,000, and Tg is −50. Item 5. The adhesive sheet according to Item 1, comprising 15 to 40% by weight of a high molecular weight component having a temperature of -50 ° C and 60 to 85% by weight of a thermosetting component containing an epoxy resin.

３．硬化後の１７０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２０〜６００ＭＰａである項１または２に記載の接着シート。 3. Item 3. The adhesive sheet according to Item 1 or 2, wherein the storage elastic modulus measured by dynamic viscoelasticity at 170 ° C after curing is 20 to 600 MPa.

４．予めウエハ形状に形成した項１〜３のいずれかに記載の接着シートとダイシングテープとを貼り合わせた一体型シート。 4). Item 4. An integrated sheet obtained by bonding the adhesive sheet according to any one of Items 1 to 3 and a dicing tape, which are previously formed into a wafer shape.

５．ウエハ、項１〜３のいずれかに記載の接着シート、及びダイシングテープの順に０℃〜１２０℃で貼り合わせる工程、ウエハ、接着シート及びダイシングテープを同時に切断し、接着シート付き半導体チップを得る工程、当該接着シート付き半導体チップをダイシングテープから垂直方向に引き上げて剥離させる工程、当該接着シート付き半導体チップを凹凸または中空ワイヤ配線を有する基板又は半導体チップに荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着シートの接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造方法。 5. The step of bonding the wafer, the adhesive sheet according to any one of Items 1 to 3 and the dicing tape in this order at 0 ° C. to 120 ° C., the step of simultaneously cutting the wafer, the adhesive sheet and the dicing tape to obtain a semiconductor chip with an adhesive sheet , A step of peeling the semiconductor chip with the adhesive sheet vertically from the dicing tape and peeling it, and bonding the semiconductor chip with the adhesive sheet to a substrate or semiconductor chip having unevenness or a hollow wire wiring with a load of 0.001 to 1 MPa and bonding A manufacturing method of a semiconductor device including a step of filling irregularities with an adhesive of a sheet.

６．ウエハと項４に記載の一体型シートの接着シートとを０℃〜１２０℃で貼り合わせる工程、ウエハ、接着シート及びダイシングテープを同時に切断し、接着シート付き半導体チップを得る工程、当該接着シート付き半導体チップをダイシングテープから垂直方向に引き上げて剥離させる工程、当該接着シート付き半導体チップを凹凸または中空ワイヤ配線を有する基板又は半導体チップに荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着シートの接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造方法。 6). The step of bonding the wafer and the adhesive sheet of the integrated sheet described in Item 4 at 0 ° C. to 120 ° C., the step of simultaneously cutting the wafer, the adhesive sheet, and the dicing tape to obtain a semiconductor chip with the adhesive sheet, with the adhesive sheet The step of pulling the semiconductor chip up from the dicing tape in the vertical direction and peeling it off, the semiconductor chip with the adhesive sheet is bonded to a substrate or semiconductor chip having irregularities or hollow wire wiring with a load of 0.001 to 1 MPa, and the adhesive of the adhesive sheet A method of manufacturing a semiconductor device including a step of filling irregularities.

７．項５また６に記載の半導体装置の製造方法により製造した半導体装置。 7). Item 7. A semiconductor device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to Item 5 or 6.

８．基板に項１〜４のいずれかに記載の接着シートを用いて接着、硬化した半導体チップが、１２０℃において１０〜２００μｍ凸に変形していることを特徴とする項７に記載の半導体装置。 8). Item 8. The semiconductor device according to Item 7, wherein the semiconductor chip bonded and cured to the substrate using the adhesive sheet according to any one of Items 1 to 4 is deformed to a convex of 10 to 200 μm at 120 ° C.

本発明の接着シートは、配線回路及びワイヤの充てん性が良好であり、また、ボイドを発生しないことから、半導体装置の歩留の向上をはかることが可能となる。さらに、本発明の接着シートは、半導体装置の製造における半導体チップと基板や下層のチップなどの支持部材との接着工程において、接着信頼性に優れる接着シートとして使用することができる。即ち、本発明の接着シートは、半導体搭載用支持部材に半導体チップを実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性、絶縁性を有し、かつ作業性に優れるものである。   The adhesive sheet of the present invention has good filling properties of wiring circuits and wires, and does not generate voids. Therefore, the yield of semiconductor devices can be improved. Furthermore, the adhesive sheet of the present invention can be used as an adhesive sheet having excellent adhesion reliability in an adhesion process between a semiconductor chip and a support member such as a substrate or a lower layer chip in the manufacture of a semiconductor device. That is, the adhesive sheet of the present invention has heat resistance, moisture resistance, insulation necessary for mounting a semiconductor chip on a semiconductor mounting support member, and is excellent in workability.

接着シートは、室温でのタック強度が大きい場合、接着剤付き半導体チップのピックアップ時に接着シートが伸びながら剥離するため、その表面、特にチップ端部の接着剤が伸ばされる。その結果、貼り付け時には外縁部から貼り付きやすく、ボイドが発生し易い。一方、タック強度が小さい場合は、貼付時にチップが容易に剥離するため、好ましくない。本発明の接着シートは、適度なタック強度を有するため、接着剤が若干、伸ばされながら剥離し、そのまま、貼付されるため、表面に適度に凹凸が生じ、大きなボイドが発生しない。なお、ピックアップ時の剥離のしやすさはダイシングテープの粘着性にも左右されるが、本発明ではＵＶ硬化型のダイシングテープであり、ピックアップ時にはＵＶ照射が終了し、ダイシングテープの粘着剤層のタックがほとんど消滅しているものである。   When the adhesive sheet has a high tack strength at room temperature, the adhesive sheet is peeled off while being stretched when a semiconductor chip with an adhesive is picked up, so that the adhesive on the surface, particularly at the end of the chip, is extended. As a result, it is easy to stick from the outer edge during sticking, and voids are likely to occur. On the other hand, when the tack strength is small, the chip is easily peeled off when being stuck, which is not preferable. Since the adhesive sheet of the present invention has an appropriate tack strength, the adhesive peels off while being stretched slightly and is applied as it is, so that the surface is moderately uneven and no large voids are generated. The ease of peeling at the time of pick-up depends on the adhesiveness of the dicing tape, but in the present invention, it is a UV curable dicing tape. At the time of pick-up, the UV irradiation is completed and the adhesive layer of the dicing tape is removed. The tack is almost gone.

タック強度はＢステージ状態（硬化前）の接着シートの塗工した上面のタック強度を、レスカ株式会社製プローブタッキング試験機を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７−１９９１に記載の方法（プローブ直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重１００ｇｆ／ｃｍ２、接触時間１ｓ）により、２５℃、４０℃で測定した。２５℃におけるタック強度が８ｇｆ以上、３０ｇｆ以下、４０℃におけるタック強度が４０ｇｆ以上８０ｇｆ以下であることが必要である。２５℃におけるタック強度が８ｇｆ未満であるとチップと接着シート間で剥離が生じやすく、３０ｇｆ超では、ピックアップ時にチップがダイシングテープから剥がれにくく、チップが割れることがあるため好ましくない。また４０℃におけるタック強度が４０ｇｆ未満であると、チップをピックアップ後に基板にダイボンドした後、剥離し易い点で好ましくない。また、８０ｇｆ超であるとダイシングテープと密着した状態で１か月以上の長期保管した場合に、剥離し難くなる点で好ましくない。 The tack strength of the top surface coated with the adhesive sheet in the B-stage state (before curing) is measured using the method described in JIS Z0237-1991 (probe diameter 5.1 mm, Measurement was performed at 25 ° C. and 40 ° C. with a peeling speed of 10 mm / s, a contact load of 100 gf / cm 2 , and a contact time of 1 s. It is necessary that the tack strength at 25 ° C. is 8 gf or more and 30 gf or less, and the tack strength at 40 ° C. is 40 gf or more and 80 gf or less. If the tack strength at 25 ° C. is less than 8 gf, peeling between the chip and the adhesive sheet is likely to occur, and if it exceeds 30 gf, the chip is difficult to peel off from the dicing tape during pick-up, and the chip may be broken, which is not preferable. Further, if the tack strength at 40 ° C. is less than 40 gf, it is not preferable in that it is easy to peel off after die-bonding to the substrate after picking up the chip. Moreover, when it is over 80 gf, it is not preferable in that it is difficult to peel off when stored for a long period of one month or longer in a state of being in close contact with the dicing tape.

本発明の接着シートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上４０万以下で、かつＴｇ（ガラス転移温度）が−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％及びエポキシ樹脂を含む熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０〜１８０重量部とを含み、厚さが５〜２５０μｍであることが好ましい。   The adhesive sheet of the present invention has a weight average molecular weight containing a crosslinkable functional group of 100,000 to 400,000 and a Tg (glass transition temperature) of −50 to 50 ° C. of 15 to 40% by weight and an epoxy. It is preferable that the resin contains 100 parts by weight of a resin containing 60 to 85% by weight of a thermosetting component containing resin and 40 to 180 parts by weight of filler, and has a thickness of 5 to 250 μm.

本発明の接着シートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上４０万以下で、Ｔｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％およびエポキシ樹脂を含む熱硬化性成分６０〜８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０〜１８０重量部とを含む接着シートであれば、その構成成分に特に制限はないが、適当なタック強度を有しシート状での取扱い性が良好であることから、高分子量成分、熱硬化性成分、及びフィラーの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。   The adhesive sheet of the present invention has a weight average molecular weight containing a crosslinkable functional group of 100,000 or more and 400,000 or less, a Tg of −50 to 50 ° C., a high molecular weight component of 15 to 40% by weight, and an epoxy resin. If the adhesive sheet contains 100 parts by weight of the resin containing 60 to 85% by weight of the component and 40 to 180 parts by weight of the filler, there are no particular restrictions on the components, but it has an appropriate tack strength and is in the form of a sheet. Since the handleability is good, in addition to the high molecular weight component, the thermosetting component, and the filler, a curing accelerator, a catalyst, an additive, a coupling agent, and the like may be included.

本発明の接着シートは主として樹脂とフィラーとから構成され、樹脂は特定の高分子量成分と特定の熱硬化性成分とを組み合わせて構成される。   The adhesive sheet of the present invention is mainly composed of a resin and a filler, and the resin is composed of a combination of a specific high molecular weight component and a specific thermosetting component.

本発明で用いる高分子量成分としてはエポキシ基、アルコール性またはフェノール性水酸基、カルボキシル基などの架橋性官能基を有するポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   As high molecular weight components used in the present invention, polyimide resins having crosslinkable functional groups such as epoxy groups, alcoholic or phenolic hydroxyl groups, carboxyl groups, (meth) acrylic resins, urethane resins, polyphenylene ether resins, polyetherimide resins, Examples include, but are not limited to, phenoxy resins and modified polyphenylene ether resins.

高分子量成分として好ましいものとしては、例えば、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマを含有するモノマを重合して得た、重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などがあげられる。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、たとえば、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。   Preferred examples of the high molecular weight component include an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more obtained by polymerizing a monomer containing a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate. For example, coalescence. As the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer, for example, (meth) acrylic acid ester copolymer, acrylic rubber and the like can be used, and acrylic rubber is more preferable.

アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。   Acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like.

本発明における高分子量成分は、Ｔｇが−５０℃〜５０℃で架橋性官能基を有する重量平均分子量が１０万以上４０万以下である高分子量成分であることが好ましい。   The high molecular weight component in the present invention is preferably a high molecular weight component having a Tg of −50 ° C. to 50 ° C. and a weight average molecular weight having a crosslinkable functional group of 100,000 or more and 400,000 or less.

高分子量成分のＴｇが５０℃を超えると、シートの柔軟性が低くなる場合があり、Ｔｇが−５０℃未満であると、シートの柔軟性が高すぎるため、ウエハダイシング時にシートが切断し難く、ばりが発生しやすくなる場合がある。   When the Tg of the high molecular weight component exceeds 50 ° C., the flexibility of the sheet may be lowered. When the Tg is less than −50 ° C., the flexibility of the sheet is too high and the sheet is difficult to cut during wafer dicing. , Burrs are likely to occur.

また、高分子量成分の重量平均分子量は、好ましくは１０万以上４０万以下であり、分子量が１０万未満であるとシートの耐熱性が低下する場合があり、分子量が４０万を超えるとシートのフローが低下する場合がある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。   Further, the weight average molecular weight of the high molecular weight component is preferably 100,000 or more and 400,000 or less, and if the molecular weight is less than 100,000, the heat resistance of the sheet may be reduced. If the molecular weight exceeds 400,000, the sheet The flow may decrease. In addition, a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value using the calibration curve by a standard polystyrene by the gel permeation chromatography method (GPC).

ウエハダイシング時に接着シートが切断しやすく樹脂くずが発生し難い点、また耐熱性が高い点で、Ｔｇが−２０℃〜４０℃で重量平均分子量が１０万〜４０万の高分子量成分が好ましく、Ｔｇが−１０℃〜４０℃で分子量が２０万〜３０万の高分子量成分がより好ましい。   A high molecular weight component having a Tg of −20 ° C. to 40 ° C. and a weight average molecular weight of 100,000 to 400,000 is preferable in that the adhesive sheet is easily cut during wafer dicing, and resin waste is not easily generated. High molecular weight components having a Tg of −10 ° C. to 40 ° C. and a molecular weight of 200,000 to 300,000 are more preferred.

本発明の接着シートを構成する樹脂とフィラーにおける、樹脂中に占める高分子量成分の割合としては、高分子量成分が樹脂の１５〜４０重量％含まれる場合に充てん性が良好となり、さらに好ましくは２０〜３７重量％であり、より好ましくは２５〜３５重量％である。   The proportion of the high molecular weight component in the resin and filler constituting the adhesive sheet of the present invention is good when the high molecular weight component is contained in an amount of 15 to 40% by weight of the resin, and more preferably 20 It is -37 weight%, More preferably, it is 25-35 weight%.

本発明において用いられる熱硬化性成分としては、半導体チップを実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有するエポキシ樹脂が好ましい。なお、本発明において、「エポキシ樹脂を含む熱硬化性成分」には、エポキシ樹脂硬化剤も含まれるものとする。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。   The thermosetting component used in the present invention is preferably an epoxy resin having heat resistance and moisture resistance required for mounting a semiconductor chip. In the present invention, the “thermosetting component including an epoxy resin” includes an epoxy resin curing agent. The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin, novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin, and the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be applied.

特にＢステージ状態でのフィルムの可撓性が高い点でエポキシ樹脂の分子量が１０００以下であることが好ましく、さらに好ましくは５００以下である。また、可撓性に優れる分子量５００以下のビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂５０〜９０重量部と、硬化物の耐熱性に優れる分子量が８００〜３０００の多官能エポキシ樹脂１０〜５０重量％とを併用することも好ましい。   In particular, the molecular weight of the epoxy resin is preferably 1000 or less, and more preferably 500 or less, in view of the high flexibility of the film in the B stage state. Further, 50 to 90 parts by weight of a bisphenol A type or bisphenol F type epoxy resin having a molecular weight of 500 or less excellent in flexibility, and 10 to 50% by weight of a polyfunctional epoxy resin having a molecular weight of 800 to 3000 excellent in heat resistance of the cured product It is also preferable to use together.

エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。なお、エポキシ樹脂硬化剤としては、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのフェノール樹脂が耐熱性が高い点で好ましく、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤とは、両者がほぼ当量となるように配合することが好ましい。   As the epoxy resin curing agent, known curing agents that are usually used can be used. For example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S can be used. Examples thereof include bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, phenol novolac resins, xylylene-modified phenol resins, phenol resins such as bisphenol A novolac resins and cresol novolac resins. As the epoxy resin curing agent, a phenol resin such as bisphenol A novolak resin is preferable in terms of high heat resistance, and the epoxy resin and the epoxy resin curing agent are preferably blended so that both are substantially equivalent.

さらに、本発明の接着シートには、Ｂステージ状態における接着シートのダイシング性の向上、接着シートの取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などを目的として、好ましくはフィラー、より好ましくは無機フィラーを配合する。   Furthermore, the adhesive sheet of the present invention is intended to improve the dicing property of the adhesive sheet in the B-stage state, improve the handleability of the adhesive sheet, improve the thermal conductivity, adjust the melt viscosity, impart thixotropic properties, etc. , Preferably a filler, more preferably an inorganic filler is blended.

無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、ダイシング性を向上させるためにはアルミナ、シリカが好ましい。   Inorganic fillers include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, non Examples thereof include crystalline silica and antimony oxide. In order to improve thermal conductivity, alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable. For the purpose of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica, non-crystalline silica Crystalline silica and the like are preferred. In order to improve dicing properties, alumina and silica are preferable.

本発明において、上記フィラーを樹脂１００重量部に対して、４０〜１８０重量部含むことが、ダイシング性が向上する点、および接着シート硬化後の貯蔵弾性率が１７０℃で２０〜６００ＭＰａになり、ワイヤボンディング性が良好となる点で好ましく、６０〜１６０重量部であることがより好ましく、６０〜１２０重量部であることがさらに好ましい。   In the present invention, containing 40 to 180 parts by weight of the filler with respect to 100 parts by weight of the resin, the dicing property is improved, and the storage elastic modulus after curing of the adhesive sheet is 20 to 600 MPa at 170 ° C., It is preferable at the point from which wire bondability becomes favorable, It is more preferable that it is 60-160 weight part, It is further more preferable that it is 60-120 weight part.

フィラーの配合量が多くなると、接着シートの貯蔵弾性率の過剰な上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので１８０重量部以下とするのが好ましい。フィラーの配合量が少ないと、ダイシング時の樹脂ばりが発生し易くなる傾向がある。   When the blending amount of the filler is increased, problems such as an excessive increase in the storage elastic modulus of the adhesive sheet, a decrease in adhesiveness, and a decrease in electrical characteristics due to remaining voids are likely to occur. If the blending amount of the filler is small, resin flash during dicing tends to occur.

本発明の発明者らはフィラー添加により、下記のダイシング工程における樹脂ばりを大幅に低減できることを見出した。すなわち、ダイシングには、通常、回転刃でウエハ、接着シート、ダイシングテープを同時に切断し、洗浄後、接着シート付き半導体チップを得る工程が採られている。この切断後にできたダイシングテープの溝に、接着シートやウエハの切断くずが付着し、それが切断時や切断後などの洗浄時やチップピックアップ時にダイシングテープから糸状に剥離し、樹脂ばりを発生することがある。   The inventors of the present invention have found that the addition of filler can significantly reduce resin flash in the following dicing process. That is, in the dicing process, a process is generally employed in which a wafer, an adhesive sheet, and a dicing tape are simultaneously cut with a rotary blade, and a semiconductor chip with an adhesive sheet is obtained after cleaning. Adhesive sheets and wafer cutting debris adhere to the groove of the dicing tape formed after this cutting, and it is peeled off from the dicing tape during cleaning such as during and after cutting and during chip pick-up, generating a resin flash. Sometimes.

本発明の接着シートを使用した場合、特にシリカ、アルミナフィラー等を樹脂１００重量部に対して、４０〜１８０重量部含むため、ダイシング時に発生する樹脂やシリコンの切断くずがフィラーを中心にした細かい粉体状になり、洗浄水と共に除去されやすい。したがって、本発明の接着シートを使用すると、ダイシングテープ上に溜まる切断くずの量が少ない。また、この少ない切断くずがダイシングテープ上に密着しているため、ダイシングテープから糸状に剥離し難い。   When the adhesive sheet of the present invention is used, silica or alumina filler is contained in an amount of 40 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin, so that resin and silicon cutting waste generated during dicing is fine with the filler at the center. It becomes powdery and is easily removed together with cleaning water. Therefore, when the adhesive sheet of the present invention is used, the amount of cutting waste collected on the dicing tape is small. Further, since this small amount of cutting waste is in close contact with the dicing tape, it is difficult to peel it off from the dicing tape.

これに対し、フィラーを含有しない場合には、切断くずが粘土状であり、洗浄水と共に除去されないため、ダイシングテープ上に多量の切断くずが付着する。これらの切断くずは、洗浄時や、半導体チップをピックアップする時にダイシングテープから剥離しやすいため、樹脂ばりが多く発生する。   On the other hand, when no filler is contained, the cutting waste is in the form of clay and is not removed together with the washing water, so that a large amount of cutting waste adheres on the dicing tape. Since these cutting scraps are easily peeled off from the dicing tape when cleaning or picking up a semiconductor chip, a large amount of resin flash is generated.

さらに、本発明においては、接着シートがフィラーを含有することにより、シート切断時に回転刃に樹脂を残すことなく、回転刃を研磨しながら、短時間で接着シートを良好に切削できる。したがって、回転刃の研磨効果及び接着シート切断性の点から、接着シートは硬いフィラーを含有することが好ましく、モース硬度（１０段階）３〜８の範囲の硬さのフィラーを含有することがより好ましく、モース硬度６〜７のフィラーを含有することがさらに好ましい。このときフィラーのモース硬度（１０段階）が３未満では回転刃の研磨効果が少なく、モース硬度が８を超えるとダイシング用の回転刃の寿命が短くなる傾向がある。なお、モース硬度３〜８のフィラーとしては、方解石、大理石、金（１８Ｋ）、鉄など（モース硬度３）、蛍石、パールなど（モース硬度４）、燐灰石、ガラスなど（モース硬度５）、正長石、オパールなど（モース硬度６）、シリカ、水晶、トルマリンなど（モース硬度７）があるが、中でも安価であり入手が容易でありことからモース硬度７のシリカが好ましい。   Furthermore, in the present invention, since the adhesive sheet contains a filler, the adhesive sheet can be satisfactorily cut in a short time while polishing the rotary blade without leaving resin on the rotary blade when cutting the sheet. Therefore, from the viewpoint of the polishing effect of the rotary blade and the cutting ability of the adhesive sheet, the adhesive sheet preferably contains a hard filler, and more preferably contains a filler having a hardness in the range of Mohs hardness (10 stages) 3-8. Preferably, a filler having a Mohs hardness of 6 to 7 is further contained. At this time, if the Mohs hardness (10 steps) of the filler is less than 3, the polishing effect of the rotary blade is small, and if the Mohs hardness exceeds 8, the life of the rotary blade for dicing tends to be shortened. In addition, as fillers with Mohs hardness of 3 to 8, calcite, marble, gold (18K), iron and the like (Mohs hardness 3), fluorite, pearl and the like (Mohs hardness 4), apatite, glass and the like (Mohs hardness 5), There are plagioclase, opal, etc. (Mohs hardness 6), silica, quartz, tourmaline, etc. (Mohs hardness 7). Among them, silica with Mohs hardness 7 is preferable because it is inexpensive and easily available.

フィラーの平均粒径は、０．０５μｍ未満であるとフィラーに回転刃の研磨効果を持たせつつ、接着シートに流動性を持たせることが困難となる傾向があり、また平均粒径が５μｍを超えると接着シートの薄膜化が困難となり、接着シート表面の平滑性を保つことが難しくなる傾向がある。したがって、接着シートの流動性と表面平滑性の点から、フィラーの平均粒径は、０．０５〜５μｍが好ましい。さらに、流動性が優れる点で平均粒径の下限としては、０．１μｍがより好ましく、０．３μｍが特に好ましい。また平滑性の点で、平均粒径の上限としては３μｍがより好ましく、１μｍが特に好ましい。   If the average particle size of the filler is less than 0.05 μm, it tends to be difficult to impart fluidity to the adhesive sheet while giving the filler the polishing effect of the rotary blade, and the average particle size is 5 μm. If it exceeds, it will be difficult to make the adhesive sheet thinner, and it will be difficult to maintain the smoothness of the adhesive sheet surface. Therefore, the average particle diameter of the filler is preferably 0.05 to 5 μm from the viewpoint of fluidity and surface smoothness of the adhesive sheet. Furthermore, the lower limit of the average particle diameter is more preferably 0.1 μm and particularly preferably 0.3 μm in terms of excellent fluidity. In terms of smoothness, the upper limit of the average particle diameter is more preferably 3 μm, and particularly preferably 1 μm.

なお、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置（日機装製マイクロトラック）を用いてフィラーの平均粒径を測定した。具体的には、フィラー０．１〜１．０ｇを秤取り、超音波により分散した後、粒度分布を測定し、その分布での累積重量が５０％となる粒子径を平均粒径とした。   In the present invention, the average particle size of the filler was measured using a laser diffraction type particle size distribution measuring device (Nikkiso Microtrack). Specifically, 0.1 to 1.0 g of filler was weighed and dispersed by ultrasonic waves, then the particle size distribution was measured, and the particle diameter at which the cumulative weight in the distribution was 50% was taken as the average particle diameter.

フィラーの比表面積に関しても、フィラーの平均粒径と同様に、流動性と表面平滑性の点から２〜２００ｍ２／ｇが好ましく、さらに流動性の点から比表面積の上限は５０ｍ２／ｇがより好ましく、１０ｍ２／ｇが特に好ましい。 Regarding the specific surface area of the filler, similarly to the average particle diameter of the filler, 2 to 200 m 2 / g is preferable from the viewpoint of fluidity and surface smoothness, and the upper limit of the specific surface area is 50 m 2 / g from the viewpoint of fluidity. More preferred is 10 m 2 / g.

なお、本発明において、比表面積（ＢＥＴ比表面積）は、ブルナウアー・エメット・テーラー（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）式により、無機フィラーに窒素を吸着させてその表面積を測定した値であり、市販されているＢＥＴ装置により測定できる。   In addition, in this invention, a specific surface area (BET specific surface area) is the value which made the inorganic filler adsorb | suck nitrogen with the Brunauer-Emmett-Teller (Brunauer-Emmett-Teller) formula and measured the surface area, and is marketed. It can be measured with the existing BET device.

本発明の接着シートは、前記高分子量成分、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分、フィラー、及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材を除去して得ることができる。上記の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。   The adhesive sheet of the present invention is prepared by mixing and kneading the high molecular weight component, a thermosetting component mainly composed of an epoxy resin, a filler, and other components in an organic solvent, and then preparing a varnish. After the above varnish layer is formed and dried by heating, the substrate can be removed. The above mixing and kneading can be carried out by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a triple roll, and a ball mill. The heating and drying conditions are not particularly limited as long as the used solvent is sufficiently volatilized, but the heating is usually performed at 60 to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes.

上記接着シートの製造における上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。   The organic solvent used for the preparation of the varnish in the production of the adhesive sheet is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse the material, and a conventionally known one can be used. Examples of such a solvent include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, toluene, xylene, and the like. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. in terms of fast drying speed and low price.

ワニスの調製に用いる際の有機溶媒の使用量には特に制限はなく、有機溶媒は加熱乾燥などにより接着シートから除去されるものであるが、接着シート調製後の有機溶媒量（残存揮発分）は全重量基準で０．０１〜３重量％が好ましく、耐熱信頼性の観点からは全重量基準で０．０１〜２重量％がより好ましく、全重量基準で０．０１〜１．５重量％がさらに好ましい。   There is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of the organic solvent at the time of using for preparation of a varnish, Although an organic solvent is removed from an adhesive sheet by heat drying etc., the amount of organic solvents (residual volatile matter) after adhesive sheet preparation Is preferably 0.01 to 3% by weight based on the total weight, more preferably 0.01 to 2% by weight based on the total weight from the viewpoint of heat resistance reliability, and 0.01 to 1.5% by weight based on the total weight. Is more preferable.

接着シートの膜厚は、基板の配線回路や下層の半導体チップに付設された金ワイヤ等の凹凸を充てん可能とするため、５〜２５０μｍとすることが好ましい。５μｍより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で２０〜１００μｍがより好ましく、さらに好ましくは４０〜８０μｍである。   The film thickness of the adhesive sheet is preferably 5 to 250 μm in order to be able to fill irregularities such as gold wires attached to the wiring circuit of the substrate and the lower semiconductor chip. If the thickness is less than 5 μm, the stress relaxation effect and adhesiveness tend to be poor. If the thickness is more than 250 μm, it is not economical and the demand for miniaturization of the semiconductor device cannot be met. In addition, 20-100 micrometers is more preferable at the point which has high adhesiveness and can make a semiconductor device thin, More preferably, it is 40-80 micrometers.

本発明の接着シートは、加熱圧着により基板などとチップとを接着し、接着シートの接着剤で基板表面の凹凸や中空ワイヤを充てんできるような溶融粘度を有することが必要であり、硬化前（Ｂステージ状態）の接着シートの１００℃における溶融粘度は１００Ｐａ・ｓ以上２５００Ｐａ・ｓ以下であることが、基板表面の凹凸や中空ワイヤの充てん性が優れる点から好ましく、さらに２００〜１５００Ｐａ・ｓであることが好ましく、３００〜１３００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。   The adhesive sheet of the present invention needs to have a melt viscosity that allows the substrate and the chip to be bonded to each other by thermocompression bonding and fills the unevenness of the substrate surface and the hollow wire with the adhesive of the adhesive sheet. The melt viscosity at 100 ° C. of the adhesive sheet in the B-stage state) is preferably 100 Pa · s or more and 2500 Pa · s or less, from the viewpoint of excellent surface irregularities and good filling properties of the hollow wire, and further 200 to 1500 Pa · s. It is preferable that it is 300 to 1300 Pa · s.

本発明において、溶融粘度は、後述する平行平板プラストメータ法により硬化前の接着シートについて測定、算出して得ることができる。   In this invention, melt viscosity can be obtained by measuring and calculating about the adhesive sheet before hardening with the parallel plate plastometer method mentioned later.

本発明の接着シートは、前述のように、硬化前（Ｂステージ状態）のタック強度は、２５℃において８〜３０ｇｆ、４０℃において４０〜８０ｇｆであることが好ましいが、さらに、６０℃においては、６０〜３００ｇｆ、８０℃においても、６０〜３００ｇｆであることが室温でべたつきが少なく加工性に優れるとともに、６０℃以上でべたつきがありラミネート加工性に優れるという点で好ましいものである。   As described above, the adhesive sheet of the present invention preferably has a tack strength before curing (B stage state) of 8 to 30 gf at 25 ° C. and 40 to 80 gf at 40 ° C. Furthermore, at 60 ° C. 60 to 300 gf, even at 80 ° C., 60 to 300 gf is preferable in that it has little stickiness at room temperature and excellent workability, and is sticky at 60 ° C. or more and has excellent laminate processability.

本発明の接着シートは加工性向上のため、特定の貯蔵弾性率を有することが必要であり、本発明においては、硬化前（Ｂステージ状態）の接着シートの２５℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜３０００ＭＰａであると、ダイシング性が優れる点で好ましい。ダイシング性に優れ、かつウエハとの密着性が優れる点で５００〜２０００ＭＰａがより好ましい。また、硬化前（Ｂステージ状態）の接着シートの８０℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が０．１〜１０ＭＰａであると、８０℃でウエハにラミネート可能である。特にウエハへの密着性が高い点で、０．５〜５ＭＰａであるとことがより好ましい。   The adhesive sheet of the present invention needs to have a specific storage elastic modulus in order to improve processability. In the present invention, the adhesive sheet before curing (B stage state) is measured by dynamic viscoelasticity at 25 ° C. A storage elastic modulus of 200 to 3000 MPa is preferable in terms of excellent dicing properties. 500 to 2000 MPa is more preferable in terms of excellent dicing properties and excellent adhesion to the wafer. Further, when the storage elastic modulus of the adhesive sheet before curing (B stage state) measured by dynamic viscoelasticity at 80 ° C. is 0.1 to 10 MPa, it can be laminated on the wafer at 80 ° C. In particular, 0.5 to 5 MPa is more preferable in terms of high adhesion to the wafer.

さらに、本発明の接着シートにおいて、硬化後（Ｃステージ状態）の接着シートの１７０℃における動的粘弾性測定による貯蔵弾性率は、良好なワイヤボンディング性を得るために２０〜６００ＭＰａであることが好ましい。貯蔵弾性率は、より好ましくは４０〜６００ＭＰａ、さらに好ましくは４０〜４００ＭＰａである。   Furthermore, in the adhesive sheet of the present invention, the storage elastic modulus of the adhesive sheet after curing (C stage state) by dynamic viscoelasticity measurement at 170 ° C. is 20 to 600 MPa in order to obtain good wire bonding properties. preferable. The storage elastic modulus is more preferably 40 to 600 MPa, and further preferably 40 to 400 MPa.

弾性率は、動的粘弾性測定装置（レオロジー社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定することができる（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、温度範囲−３０〜２００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）。   The elastic modulus can be measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVE-V4, manufactured by Rheology) (sample size: length 20 mm, width 4 mm, temperature range -30 to 200 ° C., heating rate 5). ° C / min, tensile mode, 10 Hz, automatic static load).

本発明の接着シートは単層の接着シートとして用いるばかりでなく、多層構造を有する多層接着シートとして用いても良く、例えば、上述した接着シートを２枚以上ラミネートしたもの、あるいは、本発明の接着シートとそれ以外の接着シートを複数ラミネートしたものとして用いても良い。本発明の接着シートとそれ以外の接着シートをラミネートする場合には、本発明の接着シートはダイシングテープ側にすることが好ましい。   The adhesive sheet of the present invention may be used not only as a single-layer adhesive sheet but also as a multilayer adhesive sheet having a multilayer structure, for example, a laminate of two or more of the above-mentioned adhesive sheets, or the adhesive of the present invention. A sheet and a plurality of other adhesive sheets may be laminated. When laminating the adhesive sheet of the present invention and other adhesive sheets, the adhesive sheet of the present invention is preferably on the dicing tape side.

単層あるいは複数ラミネートした接着シートは、加熱圧着により基板などとチップとを接着し、接着シートの接着剤で凹凸を充てんできるような流動性、すなわちフローを有していることが必要であり、本発明においては、フロー量は、硬化前の接着シートとＰＥＴフィルムを１×２ｃｍの短冊状に打ち抜いたサンプルについて、熱圧着試験装置（テスター産業株式会社製）を用いて熱板温度１００℃、圧力１ＭＰａで１８秒間プレスした後、サンプルの端部からはみだした樹脂の長さを光学顕微鏡で測定して得ることができる。このようにして求められるフロー量としては、膜厚７５μｍの場合、５００〜９０００μｍ程度であることが好ましく、１０００〜４０００μｍであることが特に好ましい。   Single-layer or laminated adhesive sheets need to have fluidity, that is, a flow that can bond the substrate and the chip by thermocompression bonding and fill the irregularities with the adhesive of the adhesive sheet, In the present invention, the flow amount is set to a hot plate temperature of 100 ° C. using a thermocompression test apparatus (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.) for a sample obtained by punching an adhesive sheet and a PET film before curing into a 1 × 2 cm strip shape. After pressing for 18 seconds at a pressure of 1 MPa, the length of the resin protruding from the end of the sample can be obtained by measuring with an optical microscope. The flow amount thus obtained is preferably about 500 to 9000 μm, particularly preferably 1000 to 4000 μm, when the film thickness is 75 μm.

半導体チップと基板、又は半導体チップと半導体チップとを接着してなる半導体装置において、接着シートと相対する被着体（すなわち半導体チップ）の表面が凸に変形して、被着体が接着シートの内部から外縁部に接することが好ましい。凸変形の程度は１２０℃で、１０μｍから最大２００μｍが好ましく、より好ましくは１０〜５０μｍである。凸にする方法としては、接着シートの硬化収縮に起因するそりを利用することが好ましい。また、貼付温度から、室温に戻る過程で基板の熱膨張係数がチップの熱膨張係数より大きいことを利用して、そりを発生させることも可能であり、その効果を併用することが好ましい。   In a semiconductor device in which a semiconductor chip and a substrate, or a semiconductor chip and a semiconductor chip are bonded, the surface of an adherend (that is, a semiconductor chip) facing the adhesive sheet is deformed to be convex, and the adherend is an adhesive sheet. It is preferable to contact the outer edge from the inside. The degree of convex deformation is 120 ° C., preferably 10 μm to 200 μm, and more preferably 10 to 50 μm. As a method for forming the protrusion, it is preferable to use a warp caused by curing shrinkage of the adhesive sheet. Further, it is possible to generate warpage by utilizing that the thermal expansion coefficient of the substrate is larger than the thermal expansion coefficient of the chip in the process of returning from the sticking temperature to room temperature, and it is preferable to use the effect together.

図３に、凸に変形している基板および半導体チップの状態と、この半導体チップの上に積層する接着シート付き半導体チップとの略図を示した。なお、凸に変形した量は、Ｈとして示してある。   FIG. 3 shows a schematic view of the state of the substrate and the semiconductor chip that are deformed in a convex manner, and the semiconductor chip with an adhesive sheet that is laminated on the semiconductor chip. Note that the amount of convex deformation is indicated as H.

図３のようにして、凸に変形した半導体チップに接着シートを介して半導体チップを接着する場合、本願記載の接着シートを使用することにより、凸なる湾曲に応じて樹脂が流動、充てん可能な点で好ましい。接着シートの溶融粘度が大きすぎると、樹脂のはみ出しが大きく、小さすぎると充てん性や接着性が低下するため好ましくない。   As shown in FIG. 3, when a semiconductor chip is bonded to a convexly deformed semiconductor chip via an adhesive sheet, the resin can flow and fill according to the convex curve by using the adhesive sheet described in the present application. This is preferable. If the melt viscosity of the adhesive sheet is too large, the protrusion of the resin is large, and if it is too small, the filling property and the adhesiveness are lowered, which is not preferable.

本発明の接着シートは、それ自体で用いても構わないが、一実施態様として、本発明の接着シートを従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングテープ／接着シート一体型シートとして用いることもできる。この場合、ウエハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。   The adhesive sheet of the present invention may be used by itself, but as an embodiment, it can also be used as a dicing tape / adhesive sheet integrated sheet in which the adhesive sheet of the present invention is laminated on a conventionally known dicing tape. . In this case, it is possible to increase the efficiency of the operation in that the laminating process on the wafer is performed only once.

本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが好ましく、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いても良いし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、樹脂組成物において特に液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。   Examples of the dicing tape used in the present invention include plastic films such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, and a polyimide film. Further, surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment and etching treatment may be performed as necessary. The dicing tape preferably has adhesiveness, and the above-mentioned plastic film provided with adhesiveness may be used, or an adhesive layer may be provided on one side of the above-mentioned plastic film. This can be formed by applying and drying a resin composition having an appropriate tack strength obtained by adjusting the ratio of the liquid component and the Tg of the high molecular weight component in the resin composition.

また、接着シートを半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体チップが飛散しない粘着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから剥離することが望まれる。たとえば、接着シートの粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着シートのタック強度を調節することが好ましく、その方法としては、接着シートの室温におけるフローを上昇させることにより、粘着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、フローを低下させれば粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、フローを上昇させる場合には、可塑剤の含有量の増加、粘着付与剤含有量の増加等の方法がある。逆にフローを低下させる場合には、前記化合物の含有量を減らせばよい。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。また、粘着付与剤としては、例えば、上記可塑剤の他、テルペンフェノール樹脂、テルペン樹脂類、ロジンエステル類などが挙げられる。   In addition, when the adhesive sheet is used when manufacturing a semiconductor device, it is desired that the semiconductor chip has an adhesive force that does not scatter during dicing, and then peels off from the dicing tape during pickup. For example, if the adhesive sheet is too sticky, picking up may be difficult. For this reason, it is preferable to appropriately adjust the tack strength of the adhesive sheet. As a method for this, the adhesive strength and tack strength tend to increase by increasing the flow of the adhesive sheet at room temperature, and the flow can be reduced. For example, it may be used that the adhesive strength and tack strength tend to decrease. For example, when increasing the flow, there are methods such as increasing the plasticizer content and increasing the tackifier content. Conversely, when the flow is lowered, the content of the compound may be reduced. Examples of the plasticizer include monofunctional acrylic monomers, monofunctional epoxy resins, liquid epoxy resins, acrylic resins, and epoxy-based so-called diluents. Examples of the tackifier include terpene phenol resins, terpene resins, and rosin esters in addition to the plasticizer.

ダイシングテープ上に接着シートを積層する方法としては、印刷、グラビア塗工のほか、予め作製した接着シートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネートする方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネートする方法が好ましい。   The method of laminating the adhesive sheet on the dicing tape includes printing and gravure coating, as well as the method of pressing and hot roll laminating the adhesive sheet prepared in advance on the dicing tape. However, a hot roll laminating method is preferable because of its good point.

なお、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で、好ましくは６０〜１５０μｍ、より好ましくは７０〜１３０μｍである。   The film thickness of the dicing tape is not particularly limited, and is appropriately determined based on the knowledge of those skilled in the art depending on the thickness of the adhesive sheet and the application of the dicing tape-integrated adhesive sheet. The film is preferably 60 to 150 [mu] m, more preferably 70 to 130 [mu] m from the viewpoint of good handleability of the film.

本発明の接着シートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられ、ウエハ、接着シート及びダイシングテープを０℃〜１２０℃で貼り合わせた後、回転刃でウエハ、接着シート及びダイシングテープを同時に切断し、接着シート付き半導体チップを得た後、当該接着シート付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。またダイシングテープは、一部が切断され（溝が形成）、切り離されない場合もある。   The adhesive sheet of the present invention is preferably used in the manufacture of a semiconductor device. After bonding a wafer, an adhesive sheet and a dicing tape at 0 ° C. to 120 ° C., the wafer, the adhesive sheet and the dicing tape are simultaneously cut with a rotary blade. Then, after obtaining the semiconductor chip with an adhesive sheet, the semiconductor chip with the adhesive sheet is bonded to a substrate or semiconductor chip having irregularities with a load of 0.001 to 1 MPa, and the irregularities are filled with an adhesive. Used for. Further, the dicing tape may be partially cut (a groove is formed) and may not be cut off.

本発明において、ウエハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体などが使用される。   In the present invention, as the wafer, in addition to single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, compound semiconductors such as gallium arsenide, and the like are used.

また、層構造を多層化し、特に、フローの低い層と高い層を積層した接着シート、または、溶融粘度の高い層と低い層を積層した接着シートは、配線回路及びワイヤの充てん性と上下の半導体チップとの絶縁性に優れる。接着シートを単層で用いる場合には、ウエハに接着シートを貼り合わせた後、次いで接着シート面にダイシングテープを貼り合わせればよい。また、接着シートを多層で用いる場合には、ウエハに第１の接着シート、第２の接着シートを順に貼り合わせてもよいし、予め第１の接着シート及び第２の接着シートを含む多層接着シートを作製しておき、当該多層接着シートをウエハに貼り合わせてもよい。また、本発明の接着シート又は多層接着シートと、ダイシングテープとを備えるダイシングテープ一体型接着シートを用いることにより、半導体装置を製造することもできる。   In addition, the layer structure is multilayered, and in particular, an adhesive sheet in which a low flow layer and a high layer are laminated, or an adhesive sheet in which a high melt viscosity layer and a low layer are laminated, Excellent insulation from semiconductor chip. When the adhesive sheet is used as a single layer, after adhering the adhesive sheet to the wafer, a dicing tape may be attached to the adhesive sheet surface. Further, when the adhesive sheet is used in multiple layers, the first adhesive sheet and the second adhesive sheet may be bonded to the wafer in order, or the multilayer adhesive including the first adhesive sheet and the second adhesive sheet in advance. A sheet may be prepared and the multilayer adhesive sheet may be bonded to the wafer. Moreover, a semiconductor device can also be manufactured by using the dicing tape integrated adhesive sheet provided with the adhesive sheet or multilayer adhesive sheet of this invention, and a dicing tape.

接着シートをウエハに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、０〜１２０℃であり、好ましくは１５〜８０℃であり、さらに好ましくは２０〜７０℃である。１２０℃を超えると接着シート貼り付け後のウエハの反りが大きくなる傾向がある。   The temperature at which the adhesive sheet is attached to the wafer, that is, the laminating temperature is 0 to 120 ° C, preferably 15 to 80 ° C, and more preferably 20 to 70 ° C. If the temperature exceeds 120 ° C., the warpage of the wafer after adhering the adhesive sheet tends to increase.

ダイシングテープ又はダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける際にも、上記温度で行うことが好ましい。   It is preferable that the dicing tape or the dicing tape-integrated adhesive sheet is also applied at the above temperature.

図４に、本発明の一実施態様である接着シートｂ、半導体ウエハＡ、及びダイシングテープ１の断面図を示す。   In FIG. 4, sectional drawing of the adhesive sheet b which is one embodiment of this invention, the semiconductor wafer A, and the dicing tape 1 is shown.

次いで、接着シート、ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウエハを、ダイシングカッターを用いてダイシング、さらに洗浄、乾燥することにより、接着シート付き半導体チップを得ることができる。接着シート付き半導体チップをピックアップするには、ダイシングの後、ダイシングテープにＵＶ光を照射し、ダイシングテープの粘着性を低下せしめた後、吸着コレットなどにより、垂直方向にピックアップする。   Subsequently, the semiconductor wafer with the adhesive sheet can be obtained by dicing, further washing and drying the semiconductor wafer to which the adhesive sheet and the dicing tape are attached using a dicing cutter. In order to pick up the semiconductor chip with the adhesive sheet, after dicing, the dicing tape is irradiated with UV light to reduce the adhesiveness of the dicing tape, and then picked up in the vertical direction by an adsorption collet or the like.

また、他の実施態様として、本発明の接着シートは、図５に示すように基材フィルム５の上に接着シートｂを設けた基材フィルム付き接着シートとして用いてもよい。このようにすれば、接着シート単体では扱いにくい場合でも便利であり、例えば、図５に示す構造の基材フィルム付き接着シートと上述のダイシングテープを貼り合わせた後、基材フィルム５を剥離し、その後に半導体ウエハＡを貼り合わせることで、容易に図４のような構造とすることができる。また、ダイシングテープや半導体ウエハなどに貼り付けた後、基材フィルム５を剥離しないでそのままカバーフィルムとして使用することも可能である。   As another embodiment, the adhesive sheet of the present invention may be used as an adhesive sheet with a base film in which an adhesive sheet b is provided on the base film 5 as shown in FIG. In this way, it is convenient even when the adhesive sheet alone is difficult to handle. For example, after bonding the adhesive sheet with a base film having the structure shown in FIG. 5 and the above-mentioned dicing tape, the base film 5 is peeled off. Then, the structure as shown in FIG. 4 can be easily obtained by pasting the semiconductor wafer A together. Moreover, after pasting on a dicing tape, a semiconductor wafer, etc., it is also possible to use the base film 5 as it is as a cover film without peeling off.

上記基材フィルム５としては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等があり、通常、１０〜１００μｍ程度の膜厚のものが使用できる。   The base film 5 is not particularly limited, and examples thereof include a polyester film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyether naphthalate film, and a methylpentene film. A film having a thickness of about 100 μm can be used.

また、本発明の接着シートは、図６に示すように多層接着シートが第２の接着シートｂ’、第１の接着シートａの順に基材フィルム上に設けられた基材フィルム付き接着シートとして用いてもよい。また、第１の接着シートａ、第２の接着シートｂ’の順に基材フィルム上に積層されていてもよい。これらの層の構成は接着シートの使用態様などにより適宜さだめられる。   Moreover, the adhesive sheet of the present invention is an adhesive sheet with a base film provided on the base film in the order of the second adhesive sheet b ′ and the first adhesive sheet a as shown in FIG. It may be used. Moreover, you may laminate | stack on the base film in order of the 1st adhesive sheet a and the 2nd adhesive sheet b '. The structure of these layers is appropriately determined depending on the usage mode of the adhesive sheet.

さらに、他の実施態様として、本発明の接着シートは、図５及び図６に示す構造で、かつ接着シート自体がダイシングテープとしての役割を果たしても良い。このような接着シートは、ダイシングダイボンド一体型接着シートなどと呼ばれ、一つのシートでダイシングテープとしての役割と、接着シートとしての役割を果たすので、図７のように、ダイシングしてピックアップするだけで接着シート付き半導体チップを得ることができる。   Furthermore, as another embodiment, the adhesive sheet of the present invention may have the structure shown in FIGS. 5 and 6 and the adhesive sheet itself may serve as a dicing tape. Such an adhesive sheet is called a dicing die bond integrated adhesive sheet or the like, and since it functions as a dicing tape and an adhesive sheet with one sheet, it is simply diced and picked up as shown in FIG. Thus, a semiconductor chip with an adhesive sheet can be obtained.

接着シートにこのような機能を持たせるには、例えば、接着シートが、光硬化性高分子量成分、光硬化性モノマー、光開始剤等の光硬化性成分を含んでいれば良い。このようなダイシングダイボンド一体型の接着シートは、半導体チップを基板又は半導体チップに接着する段階では光照射が行われており、本発明でいう硬化前の２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率、硬化前の８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率などのそれぞれの値は、光照射を行った後であり、熱硬化が行われる前の段階における値を指す。   In order to give such a function to the adhesive sheet, for example, the adhesive sheet may contain a photocurable component such as a photocurable high molecular weight component, a photocurable monomer, or a photoinitiator. Such a dicing die-bonding integrated adhesive sheet is irradiated with light at the stage of bonding the semiconductor chip to the substrate or the semiconductor chip, and stored by dynamic viscoelasticity measurement at 25 ° C. before curing in the present invention. Each value such as the elastic modulus and the storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 80 ° C. before curing refers to a value in a stage after light irradiation and before thermal curing.

基材フィルム付きのダイシングダイボンド一体型の接着シートは、ウエハと当該一体型の接着シートとを０℃〜１２０℃で貼り合わせた後、回転刃でウエハと一体型の接着シートとを同時に切断し、接着シート（接着剤）付き半導体チップを得た後、当該接着シート（接着剤）付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。また、ダイシングテープ１は、図７に示すように、一部が切断され（溝が形成）、切り離されない場合がある。   The dicing die bond integrated adhesive sheet with a base film is obtained by bonding the wafer and the integrated adhesive sheet at 0 ° C. to 120 ° C. and then simultaneously cutting the wafer and the integrated adhesive sheet with a rotary blade. After obtaining the semiconductor chip with the adhesive sheet (adhesive), the semiconductor chip with the adhesive sheet (adhesive) is adhered to the substrate or semiconductor chip having irregularities with a load of 0.001 to 1 MPa, and the irregularities are filled with the adhesive. Used in the manufacture of a semiconductor device including the step of: Moreover, as shown in FIG. 7, the dicing tape 1 may be partially cut (a groove is formed) and may not be cut off.

得られた接着シート（接着剤）付き半導体チップＡ１は、配線４に起因する凹凸を有する基板３又はワイヤ２に起因する凹凸を有する半導体チップに、接着剤ｂ１を介して荷重０．００１〜１ＭＰａで接着され、接着剤により凹凸が充てんされる。荷重は０．０１〜０．５ＭＰａであることが好ましく、０．０１〜０．３ＭＰａであることがより好ましい。荷重が０．００１ＭＰａ未満であるとボイドが発生し耐熱性が低下する傾向があり、１ＭＰａを超えると半導体チップが破損する傾向がある。   The obtained semiconductor chip A1 with an adhesive sheet (adhesive) has a load of 0.001 to 1 MPa via the adhesive b1 on the substrate 3 having unevenness caused by the wiring 4 or the semiconductor chip having unevenness caused by the wire 2. And the unevenness is filled with the adhesive. The load is preferably 0.01 to 0.5 MPa, and more preferably 0.01 to 0.3 MPa. When the load is less than 0.001 MPa, voids are generated and the heat resistance tends to be lowered, and when it exceeds 1 MPa, the semiconductor chip tends to be damaged.

図８は、接着シート付き半導体チップをワイヤボンディングされた半導体チップに接着する際の工程の一例を示す概略図である。   FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an example of a process for bonding a semiconductor chip with an adhesive sheet to a wire-bonded semiconductor chip.

本発明においては、接着シート（接着剤）付き半導体チップを基板又は半導体チップに接着する際に、基板の配線、半導体チップのワイヤ等の凹凸を加熱することが好ましい。接着時の温度は、６０〜２４０℃であることが好ましく、１００〜１８０℃であることがより好ましい。接着時の温度が６０℃未満であると、濡れ性が低下するため接着性が不足し、２４０℃を超えると基板が変形し、反りが大きくなる傾向がある。加熱方法としては、基板又は半導体チップを予め加熱した熱板に接触させる、基板又は半導体チップに赤外線又はマイクロ波を照射する、熱風を吹きかける等の方法が挙げられる。   In the present invention, when the semiconductor chip with an adhesive sheet (adhesive) is bonded to the substrate or the semiconductor chip, it is preferable to heat irregularities such as wiring on the substrate and wires of the semiconductor chip. The temperature during bonding is preferably 60 to 240 ° C, and more preferably 100 to 180 ° C. If the temperature at the time of bonding is less than 60 ° C., the wettability is lowered and the adhesion is insufficient, and if it exceeds 240 ° C., the substrate tends to be deformed and warpage tends to increase. Examples of the heating method include contacting the substrate or semiconductor chip with a preheated hot plate, irradiating the substrate or semiconductor chip with infrared rays or microwaves, and blowing hot air.

なお、この凸の変形量は、上記のようにして接着シート（接着剤）付き半導体チップを基板又は半導体チップに貼り付けた後の半導体チップを、１２０℃で、表面粗さ計を用いて、半導体チップ表面を凹凸を測定し、半導体チップ周辺部に対する中央部分の高さを、求めたものである。   In addition, the amount of deformation of the convex is determined by using a surface roughness meter at 120 ° C. after attaching the semiconductor chip with the adhesive sheet (adhesive) to the substrate or the semiconductor chip as described above. The unevenness of the surface of the semiconductor chip was measured, and the height of the central portion relative to the peripheral portion of the semiconductor chip was obtained.

［接着シートの組成と製造方法］
（実施例１）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製商品名ＹＤ−８１７０Ｃを使用）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＣＮ−７０３を使用）１０重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンＬＦ２８８２を使用）２７重量部、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（ゲル パーミエーション クロマトグラフィーによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３重量％、Ｔｇは−７℃、ナガセケムテックス株式会社製商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲを使用）４４．１重量部、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．１重量部、シリカフィラー（アドマファイン株式会社製Ｓ０−Ｃ２（比重：２．２ｇ／ｃｍ３、モース硬度７、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ）を使用）４７．２重量部、シランカップリング剤として（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１８９および日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１１６０を使用）をそれぞれ０．２５重量部および０．５重量部を混合混練して得た組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して固形分４０重量％の接着剤ワニスを得た。 [Composition and production method of adhesive sheet]
Example 1
30 parts by weight of bisphenol F type epoxy resin (epoxy equivalent 160, product name YD-8170C manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) as an epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 210, product name YDCN-703 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) 10 parts by weight, phenol novolac resin (using Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., trade name PRIOFEN LF2882) as an epoxy resin curing agent, epoxy group-containing acrylic as an epoxy group-containing acrylic copolymer Rubber (weight average molecular weight by gel permeation chromatography: 800,000, glycidyl methacrylate: 3% by weight, Tg: -7 ° C., trade name HTR-860P-3DR manufactured by Nagase ChemteX Corporation) 44.1 parts by weight, curing acceleration Imi as an agent Tetrazole-based curing accelerator (using Shikoku Corp. Curezol 2PZ-CN) 0.1 parts by weight of silica filler (ADMAFINE Ltd. S0-C2 (specific gravity: 2.2 g / cm 3, Mohs hardness 7, 47.2 parts by weight, used as a silane coupling agent (trade name A-189 manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd. and trade name A manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd.), using an average particle size of 0.5 μm and a specific surface area of 6.0 m 2 / g). -1160) was mixed and kneaded with 0.25 parts by weight and 0.5 parts by weight, respectively, and cyclohexanone was added to the mixture, mixed by stirring, vacuum degassed, and an adhesive having a solid content of 40% by weight. A varnish was obtained.

この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃１０分間、１２０℃で５分間加熱乾燥して膜厚が７５μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態の基材フィルム付き接着シートを作製した。この接着フィルムのフローを後述するフローの測定法によって測定した。   This adhesive varnish is applied onto a 50 μm thick polyethylene terephthalate film that has been subjected to a release treatment, and is heated and dried at 90 ° C. for 10 minutes and 120 ° C. for 5 minutes to form a coating film having a film thickness of 75 μm. An adhesive sheet with a material film was produced. The flow of this adhesive film was measured by the flow measurement method described later.

加工すべき半導体ウエハＡ（厚さ８０μｍ）に得られた接着シートｂを６０℃でラミネートし、端部を切断した。これにダイシングテープ１をホットロールラミネータ（Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製Ｒｉｓｔｏｎ）で２５℃でラミネートした（図４）。この際ダイシングテープには古河電工株式会社製（ＵＣ３００４Ｍ−８０）を用いた。ダイシングテープの膜厚は、１００μｍであった。   The obtained adhesive sheet b was laminated at 60 ° C. on the semiconductor wafer A (thickness: 80 μm) to be processed, and the ends were cut. Dicing tape 1 was laminated on this at 25 ° C. with a hot roll laminator (Riston manufactured by Du Pont) (FIG. 4). At this time, Furukawa Electric Co., Ltd. (UC3004M-80) was used as the dicing tape. The film thickness of the dicing tape was 100 μm.

（実施例２〜４）
下記表１に示す配合を用いて、実施例１と同様に接着シートを作製した。なお、実施例４においては実施例１で用いたエポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴムの分子量低減品（ゲル パーミエーション クロマトグラフィーによる重量平均分子量３０万、グリシジルメタクリレート３重量％、Ｔｇは−７℃、ナガセケムテックス株式会社製）を用いた。 (Examples 2 to 4)
An adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1 using the formulation shown in Table 1 below. In Example 4, the epoxy group-containing acrylic rubber used in Example 1 has a reduced molecular weight product of epoxy group-containing acrylic rubber (weight average molecular weight of 300,000 by gel permeation chromatography, 3% by weight of glycidyl methacrylate, Tg was -7 ° C, manufactured by Nagase ChemteX Corporation.

（比較例１〜６）
下記表１に示す配合を用いて、実施例１と同様に接着シートを作製した。 (Comparative Examples 1-6)
An adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1 using the formulation shown in Table 1 below.

［評価項目］
（１）溶融粘度
接着シートの溶融粘度は、下記の平行平板プラストメータ法により測定、算出した値を用いた。すなわち、得られた接着シートを８０℃で、ロールラミネーターによりラミネートし、厚さ１００〜３００μｍのフィルムを作製する。これを直径１１．３ｍｍの円形に打ち抜いたものを試料とし、１００℃において、荷重３．０ｋｇｆで５秒間加圧し、加圧前後の試料の厚みから、式１を用いて溶融粘度を算出した。

Figure 2007270125
[Evaluation item]
(1) Melt viscosity The melt viscosity of the adhesive sheet was measured and calculated by the following parallel plate plastometer method. That is, the obtained adhesive sheet is laminated at 80 ° C. with a roll laminator to produce a film having a thickness of 100 to 300 μm. This was punched into a circle with a diameter of 11.3 mm, and the sample was pressed at 100 ° C. with a load of 3.0 kgf for 5 seconds, and the melt viscosity was calculated using Equation 1 from the thickness of the sample before and after pressing.
Figure 2007270125

（式中、Ｚ０は荷重を加える前の接着シートの厚さ、Ｚは荷重を加えた後の接着シートの厚さ、Ｖは接着シートの体積、Ｆは加えた荷重、ｔは荷重を加えた時間を表す。）
（２）弾性率
硬化後（Ｃステージ状態）の貯蔵弾性率は次のようにして測定した。すなわち、得られたＢステージ状態の接着シートの接着層を、１７０℃、１時間硬化したＣステージ状態の接着シートの接着層の１７０℃の弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジー社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて測定した（サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、温度範囲−３０〜２００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重）。 (Where Z 0 is the thickness of the adhesive sheet before the load is applied, Z is the thickness of the adhesive sheet after the load is applied, V is the volume of the adhesive sheet, F is the applied load, and t is the applied load. Represents the time spent.)
(2) Elastic Modulus The storage elastic modulus after curing (C stage state) was measured as follows. That is, the adhesive layer of the obtained B-staged adhesive sheet was cured at 170 ° C. for 1 hour, and the elastic modulus at 170 ° C. of the adhesive layer of the adhesive sheet in the C-staged state was measured by a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by Rheology). DVE-V4) (sample size: length 20 mm, width 4 mm, temperature range -30 to 200 ° C., heating rate 5 ° C./min, tensile mode 10 Hz, automatic static load).

なお、上記の弾性率等の測定において、サンプルの作製方法について詳しく説明すると、接着シート単体の厚みが１００μｍ未満である場合は、接着シートを複数枚数貼り合わせて１００〜３００μｍの厚さにする。厚さが１００〜３００μｍであれば測定値が再現性よく得られるためである。例えば接着シート単体の厚みが７５μｍである場合は、接着シートを２〜４枚貼り合わせればよい。また、貼り合わせる条件はサンプルによって異なるが、測定中に貼り合わせ面において剥離が生じないようにすればよく、通常その接着シートの硬化が進まない条件、要するに、ラミネートと同様な条件（例えば６０℃）で貼り合わせる。なお、硬化後の貯蔵弾性率の場合には、貼り合わせた後に硬化することになる。   In the measurement of the elastic modulus and the like, the sample preparation method will be described in detail. When the thickness of the adhesive sheet alone is less than 100 μm, a plurality of adhesive sheets are bonded to a thickness of 100 to 300 μm. This is because the measured value can be obtained with good reproducibility when the thickness is 100 to 300 μm. For example, when the thickness of the adhesive sheet alone is 75 μm, 2 to 4 adhesive sheets may be bonded together. In addition, the bonding condition varies depending on the sample, but it is sufficient to prevent peeling on the bonding surface during the measurement. Usually, the adhesive sheet is not cured, in other words, the same condition as the laminate (for example, 60 ° C.). ) In addition, in the case of the storage elastic modulus after hardening, it will harden | cure after bonding.

（３）タック強度
Ｂステージ状態の基材フィルム付き接着シートの塗工した上面のタック強度を、レスカ株式会社製プローブタッキング試験機を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７−１９９１に記載の方法（プローブ直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重１００ｇｆ／ｃｍ２、接触時間１ｓ）により、２５℃、４０℃、６０℃、８０℃で測定した。 (3) Tack strength The tack strength of the upper surface coated with the adhesive sheet with the base film in the B-stage state is measured by the method described in JIS Z0237-1991 (probe diameter: 5. 1 mm, peeling speed 10 mm / s, contact load 100 gf / cm 2 , contact time 1 s) at 25 ° C., 40 ° C., 60 ° C. and 80 ° C.

（４）ラミネート性
ホットロールラミネータ（６０℃、０．３ｍ／分、０．３ＭＰａ）で幅１０ｍｍの接着シートとウエハを貼り合わせ、その後、接着シートをＴＯＹＯＢＡＬＷＩＮ製ＵＴＭ−４−１００型テンシロンを用いて、２５℃の雰囲気中で、９０°の角度で、５０ｍｍ／分の引張り速度で剥がしたときの９０°ピール強度を求めた。９０°ピール強度が３０Ｎ／ｍ以上の場合はラミネート性良好、９０°ピール強度が３０Ｎ／ｍ未満の場合はラミネート性不良とした。 (4) Laminating property An adhesive sheet having a width of 10 mm and a wafer are bonded with a hot roll laminator (60 ° C., 0.3 m / min, 0.3 MPa), and then the adhesive sheet is made of TOYOBALWIN UTM-4-100 type Tensilon. The 90 ° peel strength when peeled off at an angle of 90 ° at a pulling speed of 50 mm / min in an atmosphere of 25 ° C. was obtained. When the 90 ° peel strength was 30 N / m or more, the laminate property was good, and when the 90 ° peel strength was less than 30 N / m, the laminate property was poor.

（５）フロー量
基材フィルム（ＰＥＴフィルム）付き接着シートを１×２ｃｍの短冊状に打ち抜いたサンプルについて、熱圧着試験装置（テスター産業株式会社製）を用いて熱板温度１６０℃、圧力１ＭＰａで１８秒間プレスした後、サンプルの端部からはみだした樹脂の長さを光学顕微鏡で測定し、これをフロー量とした。 (5) Flow amount About a sample obtained by punching an adhesive sheet with a base film (PET film) into a 1 × 2 cm strip shape, using a thermocompression test apparatus (manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.), a hot plate temperature of 160 ° C. and a pressure of 1 MPa After pressing for 18 seconds, the length of the resin protruding from the end of the sample was measured with an optical microscope, and this was taken as the flow amount.

（６）充てん性、吸湿耐リフロークラック性、耐温度サイクル性
接着シート付き半導体チップと、厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用いた高さ１０μｍの凹凸を有する配線基板を０．０５ＭＰａ、１ｓ、１３０℃の条件で貼り合せた半導体装置サンプル（片面に、はんだボールを形成）を作製し、充てん性、耐熱性を調べた。 (6) Packing property, moisture absorption reflow cracking resistance, temperature cycle resistance A 0.05 μm, 1 s, wiring board having a 10 μm high unevenness using a semiconductor chip with an adhesive sheet and a polyimide film with a thickness of 25 μm as a base material, A semiconductor device sample (a solder ball was formed on one side) bonded at 130 ° C. was prepared, and the filling property and heat resistance were examined.

（吸湿耐リフロークラック性）
吸湿耐リフロークラック性の評価は、半導体装置サンプルを８５℃相対湿度６０％の環境に１６８ｈ放置した後でサンプル表面の最高温度が２６０℃でこの温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲリフロー炉にサンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処理を、２回繰り返したサンプル中のクラックを、目視と超音波顕微鏡で視察した。試験したサンプル試料１０個すべてでクラックの発生していないものを○とし、１個以上発生していたものを×とした。 (Hygroscopic resistance to reflow cracking)
Evaluation of moisture absorption reflow crack resistance is based on IR reflow in which a semiconductor device sample is left in an environment of 85 ° C. and a relative humidity of 60% for 168 hours, and then the maximum temperature of the sample surface is 260 ° C. and this temperature is maintained for 20 seconds. The sample was passed through a furnace and cooled by allowing it to stand at room temperature, and the cracks in the sample were observed twice and observed with an ultrasonic microscope. Of all the 10 sample samples tested, no crack occurred, and one or more cracks occurred as x.

（耐温度サイクル性）
耐温度サイクル性は、サンプルを−５５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３０分間放置する工程を１サイクルとして、１０００サイクル後において超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等の破壊が、試験したサンプル試料１０個すべてで発生していないものを○、１個以上発生したものを×とした。 (Temperature cycle resistance)
The temperature cycle resistance is that the sample is left in a −55 ° C. atmosphere for 30 minutes and then left in a 125 ° C. atmosphere for 30 minutes. After 1000 cycles, an ultrasonic microscope is used to destroy peeling or cracks. However, the case where it did not occur in all 10 sample samples tested was evaluated as ○, and the case where one or more samples were generated was evaluated as ×.

（充てん性）
半導体チップ及び接着シートと、半導体チップ上に高さ６０μｍになるように金ワイヤ（直径２５μｍ）を布線した半導体チップを０．０５ＭＰａ、１ｓ、１３０℃の条件で貼り合せたサンプルについて充てん性を評価した。半導体チップ中央部の断面を研磨し、光学顕微鏡でボイドの有無を調査した。試験した１０個のサンプル試料のすべてにおいて直径３００μｍ以上のボイドのないものを○、あるものを×とした。 (Fillability)
Fillability of a sample in which a semiconductor chip and an adhesive sheet and a semiconductor chip in which a gold wire (diameter 25 μm) is laid on the semiconductor chip so as to have a height of 60 μm are bonded together under the conditions of 0.05 MPa, 1 s, and 130 ° C. evaluated. The cross section of the central part of the semiconductor chip was polished, and the presence or absence of voids was examined with an optical microscope. Of all the ten sample samples tested, those having no voids with a diameter of 300 μm or more were marked with ◯, and those with certain voids were marked with ×.

（７）凸に変形した量
チップあるいは基板表面の硬化後のそりは次のようにして測定した。 (7) Amount deformed convexly The warpage after curing of the chip or the substrate surface was measured as follows.

厚さ０．０８ｍｍで７ｍｍ角サイズのシリコンチップの片面に接着シートを介して基板（厚さ０．２ｍｍ、１０ｍｍ角）に積層したサンプル（１７０℃、１時間、無荷重で硬化）について、シリコンチップの長さ（７ｍｍ）に渡って表面粗さ計（小坂研究所社製、せー２３００）を用いて１２０℃において、シリコンチップ表面の凹凸を測定し、シリコンチップ周辺部に対する中央部分の高さを、凸に変形した量（Ｈ）として表した（図３）。   A sample (cured at 170 ° C., 1 hour, no load) of a silicon chip having a thickness of 0.08 mm and laminated on a substrate (thickness 0.2 mm, 10 mm square) on one side of a 7 mm square silicon chip with silicon The roughness of the silicon chip surface was measured at 120 ° C. using a surface roughness meter (Kosaka Laboratories, SE-2300) over the length of the chip (7 mm), and the height of the central portion relative to the periphery of the silicon chip was measured. This was expressed as an amount (H) of convex deformation (FIG. 3).

（８）残存揮発分
重さ約１ｇの接着シートを１７０℃、１時間加熱し、加熱前後の重量変化から残存揮発分（％）を求めた。 (8) Residual Volatile Content An adhesive sheet weighing about 1 g was heated at 170 ° C. for 1 hour, and the residual volatile content (%) was determined from the weight change before and after heating.

評価結果を組成とともに下記表１に示した。   The evaluation results are shown in Table 1 below together with the composition.

なお、表中、「ポリマー分率」は、高分子量成分と熱硬化性成分との合計量に対する高分子量成分の重量比を表し、また、「フィラーの重量分率」は、全重量に対する、フィラーの占める重量比を示している。

Figure 2007270125
In the table, “polymer fraction” represents the weight ratio of the high molecular weight component to the total amount of the high molecular weight component and the thermosetting component, and “weight fraction of filler” represents the filler relative to the total weight. The weight ratio occupied by is shown.
Figure 2007270125

実施例１〜４は、充てん性、吸湿耐リフロークラック性、耐温度サイクル性が良好である。比較例１〜６はいずれも不良である。   Examples 1-4 have good filling properties, moisture absorption reflow crack resistance, and temperature cycle resistance. Comparative Examples 1-6 are all bad.

以上、本発明について実施例を用いて説明してきたが、以下の作用効果を奏することがわかった。本発明の接着シートを用いた場合は、半導体チップと凹凸を有する基板、ワイヤ付き半導体チップとの接着工程において、充てん性に優れ、また半導体搭載用支持部材に半導体チップを実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、かつ作業性に優れる。このことから、本発明の接着シートによれば、半導体装置の信頼性の向上と共に、半導体装置の加工速度、歩留の向上をはかることが可能となる。   As mentioned above, although this invention has been demonstrated using the Example, it turned out that there exist the following effects. When the adhesive sheet of the present invention is used, it is excellent in filling in the bonding process between the semiconductor chip, the substrate having irregularities, and the semiconductor chip with wire, and is necessary when the semiconductor chip is mounted on the semiconductor mounting support member. It has heat resistance and moisture resistance and is excellent in workability. Therefore, according to the adhesive sheet of the present invention, it is possible to improve the reliability of the semiconductor device and improve the processing speed and yield of the semiconductor device.

ＣＳＰの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of CSP. スタックドＣＳＰの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of stacked CSP. 凸に変形した状態、および凸に変形した量の測定方法を説明する概略図である。It is the schematic explaining the measuring method of the state deform | transformed into the convex and the quantity deform | transformed into the convex. 本発明の接着シート、半導体ウエハ、及びダンシングテープの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the adhesive sheet, semiconductor wafer, and dancing tape of this invention. 本発明の基材フィルム付き接着シートの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the adhesive sheet with a base film of this invention. 本発明の基材フィルム付き多層接着シートの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the multilayer adhesive sheet with a base film of this invention. 本発明の接着剤付き半導体チップの一実施態様を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one embodiment of the semiconductor chip with an adhesive agent of this invention. 本発明の接着シートを用いた接着剤付き半導体チップを、ワイヤボンディングされたチップに接着する際の工程の一実施態様を示す概略図である。It is the schematic which shows one embodiment of the process at the time of adhere | attaching the semiconductor chip with an adhesive agent using the adhesive sheet of this invention to the chip | tip bonded by wire bonding.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ 半導体ウエハ
Ａ１ 半導体チップ
ａ 第１の接着剤層
ｂ 接着シート
ｂ’ 第２の接着剤層
ｂ１ 接着剤
１ ダイシングテープ
２ ワイヤ
３ 基板
４ 配線
５ 基材フィルム
Ｈ 凸に変形した量 A Semiconductor wafer A1 Semiconductor chip a First adhesive layer b Adhesive sheet b ′ Second adhesive layer b1 Adhesive 1 Dicing tape 2 Wire 3 Substrate 4 Wiring 5 Base film H Amount deformed in a convex shape

Claims (8)

硬化前の１００℃の溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以上２５０００Ｐａ・ｓ以下であり、２５℃におけるタック強度が８ｇｆ以上３０ｇｆ以下、４０℃におけるタック強度が４０ｇｆ以上８０ｇｆ以下であり、厚さが５〜２５０μｍであることを特徴とする接着シート。   The melt viscosity at 100 ° C. before curing is 100 Pa · s to 25000 Pa · s, the tack strength at 25 ° C. is 8 gf to 30 gf, the tack strength at 40 ° C. is 40 gf to 80 gf, and the thickness is 5 to 250 μm. An adhesive sheet, characterized in that 接着シートは、樹脂１００重量部に対し、フィラー４０〜１８０重量部を含有しており、かつ樹脂が、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上４０万以下であってＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分１５〜４０重量％と、エポキシ樹脂を含む熱硬化性成分６０〜８５重量％とを含むことを特徴とする請求項１記載の接着シート。   The adhesive sheet contains 40 to 180 parts by weight of filler with respect to 100 parts by weight of resin, and the resin has a weight average molecular weight including a crosslinkable functional group of 100,000 to 400,000 and Tg is −50. The adhesive sheet according to claim 1, comprising 15 to 40% by weight of a high molecular weight component having a temperature of ˜50 ° C. and 60 to 85% by weight of a thermosetting component containing an epoxy resin. 硬化後の１７０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２０〜６００ＭＰａである請求項１または２に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1 or 2, wherein a storage elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 170 ° C after curing is 20 to 600 MPa. 予めウエハ形状に形成した請求項１〜３のいずれかに記載の接着シートとダイシングテープとを貼り合わせた一体型シート。   An integrated sheet obtained by bonding the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 3 and a dicing tape formed in advance in a wafer shape. ウエハ、請求項１〜３のいずれかに記載の接着シート、及びダイシングテープの順に０℃〜１２０℃で貼り合わせる工程、ウエハ、接着シート及びダイシングテープを同時に切断し、接着シート付き半導体チップを得る工程、当該接着シート付き半導体チップをダイシングテープから垂直方向に引き上げて剥離させる工程、当該接着シート付き半導体チップを凹凸または中空ワイヤ配線を有する基板又は半導体チップに荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着シートの接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造方法。   The step of bonding the wafer, the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 3 and the dicing tape in this order at 0 ° C to 120 ° C, the wafer, the adhesive sheet and the dicing tape are simultaneously cut to obtain a semiconductor chip with an adhesive sheet. A step, a step of peeling the semiconductor chip with an adhesive sheet from the dicing tape in a vertical direction, and peeling the semiconductor chip with an adhesive sheet to a substrate or semiconductor chip having unevenness or hollow wire wiring with a load of 0.001 to 1 MPa, A manufacturing method of a semiconductor device including a step of filling irregularities with an adhesive of an adhesive sheet. ウエハと請求項４に記載の一体型シートの接着シートとを０℃〜１２０℃で貼り合わせる工程、ウエハ、接着シート及びダイシングテープを同時に切断し、接着シート付き半導体チップを得る工程、当該接着シート付き半導体チップをダイシングテープから垂直方向に引き上げて剥離させる工程、当該接着シート付き半導体チップを凹凸または中空ワイヤ配線を有する基板又は半導体チップに荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、接着シートの接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造方法。   A step of bonding the wafer and the adhesive sheet of the integrated sheet according to claim 4 at 0 ° C to 120 ° C, a step of simultaneously cutting the wafer, the adhesive sheet and the dicing tape to obtain a semiconductor chip with an adhesive sheet, the adhesive sheet A step of pulling the attached semiconductor chip from the dicing tape in a vertical direction and separating the attached semiconductor chip, bonding the semiconductor chip with the adhesive sheet to a substrate or semiconductor chip having unevenness or hollow wire wiring with a load of 0.001 to 1 MPa, and an adhesive for the adhesive sheet The manufacturing method of the semiconductor device including the process of filling an unevenness with. 請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法により製造した半導体装置。   A semiconductor device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5. 基板に請求項１〜４のいずれかに記載の接着シートを用いて接着、硬化した半導体チップが、１２０℃において１０〜２００μｍ凸に変形していることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。   The semiconductor chip according to claim 7, wherein a semiconductor chip bonded and cured to the substrate using the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4 is deformed to a convex of 10 to 200 µm at 120 ° C. apparatus.
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