JP5556070B2 - Manufacturing method of semiconductor device using adhesive sheet integrated with dicing tape - Google Patents
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Description
本発明は、ダイシングテープと接着シートとが一体形成されたダイシングテープ一体型接着シートそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a dicing tape-integrated adhesive sheet in which a dicing tape and an adhesive sheet are integrally formed, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.
現在、半導体製造の製造方法として、半導体ウエハの裏面に接着シートとダイシングテープとを貼付け、その後、半導体ウエハ、接着シート及びダイシングテープの一部を、ダイシング工程で切断する半導体ウエハ裏面貼付け方式が、一般的に用いられている。この例として、接着シートをダイシングテープ上に付設し、これを半導体ウエハに貼り付ける方法が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。 Currently, as a manufacturing method of semiconductor manufacturing, an adhesive sheet and a dicing tape are pasted on the back surface of a semiconductor wafer, and then a semiconductor wafer, an adhesive sheet and a part of the dicing tape are cut in a dicing process, a semiconductor wafer back surface pasting method, Commonly used. As an example of this, a method has been proposed in which an adhesive sheet is attached on a dicing tape and this is attached to a semiconductor wafer (for example, see Patent Documents 1 to 4).
この半導体ウエハ裏面貼付け方式の製造方法では、半導体ウエハのダイシング時に、接着シートも同時に切断することが必要であるが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、半導体ウエハと接着シートとを同時に切断するために、切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。 In the manufacturing method of the semiconductor wafer back surface pasting method, it is necessary to cut the adhesive sheet at the same time when dicing the semiconductor wafer. However, in a general dicing method using a diamond blade, the semiconductor wafer and the adhesive sheet are separated. In order to cut at the same time, it was necessary to slow down the cutting speed, resulting in an increase in cost.
１パッケージあたりの記憶容量を増大させる目的で、近年、パッケージ中のチップの積層枚数は増加している。それに従い、チップ又は半導体ウエハの厚さは、バックグラインド工程などで薄くすることが行われており、厚さ１００μｍ以下、より薄くは７０μｍ以下、さらに薄くは厚さ５５μｍ以下、最も薄くは３５μｍ以下の半導体ウエハがつくられている。 In recent years, the number of stacked chips in a package has increased for the purpose of increasing the storage capacity per package. Accordingly, the thickness of the chip or the semiconductor wafer is reduced by a back grinding process or the like. The thickness is 100 μm or less, the thinner is 70 μm or less, the thinner is 55 μm or less, and the thinnest is 35 μm or less. The semiconductor wafer is made.
半導体ウエハが薄くなると、ダイシング時に半導体ウエハが割れやすくなるため、製造効率が大幅に悪化し、上記の問題はさらに深刻になってきている。このような薄いウエハは反りやすく、割れやすいため、これに使用する接着シートは従来のものより柔らかいことが必要になっている。 As the semiconductor wafer becomes thinner, the semiconductor wafer is easily broken during dicing, so that the production efficiency is greatly deteriorated, and the above-mentioned problems are becoming more serious. Since such a thin wafer is easily warped and easily broken, the adhesive sheet used for this is required to be softer than the conventional one.
一方、半導体ウエハの区分方法として、半導体ウエハを完全に切断せずに、折り目となる溝を加工する方法や、切断予定ライン上の半導体ウエハ内部にレーザー光を照射して改質領域を形成する方法等、半導体ウエハを容易に区分する工程を施し、その後に外力を加えるなどして切断する方法が近年提案されている。 On the other hand, as a method for dividing the semiconductor wafer, a method of processing a groove to be a crease without completely cutting the semiconductor wafer, or a modified region is formed by irradiating a laser beam inside the semiconductor wafer on the line to be cut. In recent years, a method of cutting a semiconductor wafer, such as a method, by cutting the semiconductor wafer by applying an external force or the like has been proposed.
前者の方法は、ハーフカットダイシング、後者の方法は、ステルスダイシング（例えば、特許文献５、６参照）と呼ばれる。これらの方法は、特に、半導体ウエハの厚さが薄い場合にチッピング等の不良を低減する効果があり、カーフ幅を必要としないことから収率向上効果などを期待することができる。 The former method is called half-cut dicing, and the latter method is called stealth dicing (see, for example, Patent Documents 5 and 6). These methods have an effect of reducing defects such as chipping particularly when the thickness of the semiconductor wafer is thin, and since a kerf width is not required, an effect of improving the yield can be expected.
ここで、上述のハーフカットダイシング又はステルスダイシングを用いて、上記半導体ウエハ裏面貼付け方式により半導体装置を製造するためには、接着シートを半導体ウエハと同時に切断する必要が生じるが、従来の一般的なダイシングテープを用いた場合には、接着シートを半導体ウエハと同時に切断することは困難である。 Here, in order to manufacture a semiconductor device by the semiconductor wafer back surface bonding method using the above-described half-cut dicing or stealth dicing, it is necessary to cut the adhesive sheet simultaneously with the semiconductor wafer. When a dicing tape is used, it is difficult to cut the adhesive sheet simultaneously with the semiconductor wafer.
特許文献４に記載される接着フィルムでは、この切断が可能なことが示されている。記載される接着フィルムよりも、より柔らかく伸びやすい接着フィルム、即ち、接着フィルムが、高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、Ｂステージ状態の前記接着シートの２５℃における破断伸びが、４０％超であり、２５℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が、４０００ＭＰａ未満である接着シートである場合には、確かに切断可能であるが、従来のダイシングテープと接着フィルムの組合せでは、十分に満足できる破断ができなかった。 The adhesive film described in Patent Document 4 indicates that this cutting is possible. The adhesive film that is softer and easier to stretch than the adhesive film described, that is, the adhesive film contains at least a high molecular weight component, and the elongation at break of the adhesive sheet in the B stage state at 25 ° C. is 40 %, And when the adhesive sheet has an elastic modulus of less than 4000 MPa as measured by dynamic viscoelasticity at 25 ° C. and 900 Hz, it can surely be cut, but with a combination of a conventional dicing tape and an adhesive film, A sufficiently satisfactory fracture could not be achieved.
しかし、ウエハのそりや割れを防止するために、これに使用する接着シートは、特許文献４に記載されるものより、未硬化状態においてより柔らかいシートが求められている。 また、硬化後もやわらかいシートは、多段に積層した半導体パッケージ（スタックドパッケージ）などの用途では、そりが小さく、また応力緩和性が高いため、信頼性に優れるなど極めて重要である。 However, in order to prevent warping and cracking of the wafer, the adhesive sheet used for this is required to be a softer sheet in an uncured state than that described in Patent Document 4. In addition, a sheet soft after curing is extremely important in applications such as a multi-layered semiconductor package (stacked package) because it has low warpage and high stress relaxation properties, and is excellent in reliability.
しかしながら、これまでのフィルムは、低弾性であることと、外部応力による破断性は両立しなかった。以上の点から、低弾性であり、かつ外部応力による破断性に優れるフィルムが求められていた。 However, conventional films have low elasticity and breakability due to external stress. In view of the above, there has been a demand for a film having low elasticity and excellent breakability due to external stress.
本発明は、低弾性でありながら、外部応力による破断性に優れるダイシングテープ一体型接着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a dicing tape-integrated adhesive sheet that is low in elasticity and excellent in breakability due to external stress, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.
前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
（１）接着シートとダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートであって、
前記接着シートが、高分子量成分と、エポキシ樹脂及びその硬化剤とを含む樹脂と、比表面積が３０〜４００ｍ２／ｇである粒子とを含み、前記樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合が２１〜２６質量％、高分子量成分の割合が７０〜８５質量％であり、前記樹脂１００質量部に対して、前記粒子の割合が２〜２０質量部であり、かつＢステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であること、及び
前記ダイシングテープの引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比（Ａ／Ｂ）が２〜３０であること、
を特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
Means for solving the above-mentioned problems are as follows.
(1) A dicing tape integrated adhesive sheet in which an adhesive sheet and a dicing tape are laminated,
The adhesive sheet includes a resin containing a high molecular weight component, an epoxy resin and a curing agent thereof, and particles having a specific surface area of 30 to 400 m 2 / g. The ratio of the total amount of the curing agent is 21 to 26% by mass, the ratio of the high molecular weight component is 70 to 85% by mass, and the ratio of the particles is 2 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin. And the elongation at break at 25 ° C. in the B stage state is more than 40%, and does not show a yield point at the time of tensile deformation of the dicing tape, and the thickness A of the dicing tape and the thickness B of the adhesive sheet The ratio (A / B) is 2 to 30,
A dicing tape-integrated adhesive sheet.
（２）高分子量成分がアクリルゴムである前記（１）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。 (2) The dicing tape-integrated adhesive sheet according to (1), wherein the high molecular weight component is acrylic rubber.
（３）ダイシングテープが、粘着剤層及び基材層からなり、前記基材層が、ポリ塩化ビニル基材である前記（１）又は（２）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。 (3) The dicing tape-integrated adhesive sheet according to (1) or (2), wherein the dicing tape includes an adhesive layer and a base material layer, and the base material layer is a polyvinyl chloride base material.
（４）ダイシングテープが、粘着剤層及び基材層からなり、前記基材層が、ポリエチレン基材、ポリプロピレン基材、及び塩素を含まないモノマを共重合したポリマーからなる基材のいずれか１種である前記（１）又は（２）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。 (4) The dicing tape comprises an adhesive layer and a base material layer, and the base material layer is any one of a base material made of a polymer obtained by copolymerizing a polyethylene base material, a polypropylene base material, and a monomer containing no chlorine. The dicing tape-integrated adhesive sheet according to (1) or (2), which is a seed.
（５）（Ｉ）厚さ５０μｍ以下の接着シートと、エネルギー線照射により粘着力が低下するダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートを、厚さ１００μｍ以下の半導体ウエハに貼り付ける工程と、（ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程とを工程（Ｉ）−工程（ＩＩ）又は工程（ＩＩ）−工程（Ｉ）の順で備え、さらに、（ＩＩＩ）前記半導体ウエハ及び前記接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程と、（ＩＶ）前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程とを備える、半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシングテープ一体型接着シートとして、前記（１）〜（４）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シートを用い、前記半導体ウエハを区分する方法が、ハーフカットダイシング又はステルスダイシングである半導体装置の製造方法。
(5) (I) A step of attaching a dicing tape-integrated adhesive sheet in which an adhesive sheet having a thickness of 50 μm or less and a dicing tape whose adhesive strength is reduced by irradiation with energy rays is laminated to a semiconductor wafer having a thickness of 100 μm or less And (II) a step of dividing the semiconductor wafer in the order of step (I) -step (II) or step (II) -step (I), and (III) the semiconductor wafer and the adhesive sheet Manufacturing of a semiconductor device comprising: a step of obtaining a plurality of individual semiconductor chips with an adhesive sheet by cutting; and (IV) a step of bonding the semiconductor chip with an adhesive sheet to a semiconductor chip mounting support member. A method,
A semiconductor in which the dicing tape-integrated adhesive sheet according to any one of (1) to (4) above is used as the dicing tape-integrated adhesive sheet, and the method of dividing the semiconductor wafer is half-cut dicing or stealth dicing. Device manufacturing method.
（６）半導体ウエハを区分する工程が−３０℃〜２０℃で行われる前記（５）に記載の半導体装置の製造方法。 (6) The method for manufacturing a semiconductor device according to (5), wherein the step of dividing the semiconductor wafer is performed at −30 ° C. to 20 ° C.
本発明によれば、低弾性でありながら、外部応力による破断性に優れるダイシングテープ一体型接着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
すなわち、本発明のダイシングテープ一体型接着シートにより、通常に行われる接着シート及び半導体ウエハの切断条件において、接着シートを半導体ウエハと同時に切断可能となる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of a dicing tape integrated adhesive sheet which is excellent in the fracture property by external stress, and a semiconductor device using the same, while being low elasticity can be provided.
That is, with the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention, the adhesive sheet can be cut simultaneously with the semiconductor wafer under the usual cutting conditions of the adhesive sheet and the semiconductor wafer.
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、接着シートとダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートであって、前記接着シートが、高分子量成分と、エポキシ樹脂及びその硬化剤とを含む樹脂と、比表面積が３０〜４００ｍ２／ｇである粒子とを含み、前記樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合が２１〜２６質量％、高分子量成分の割合が７０〜８５質量％であり、前記樹脂１００質量部に対して、前記粒子の割合が２〜２０質量部であり、かつＢステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であること、及び
前記ダイシングテープの引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比（Ａ／Ｂ）が２〜３０であること、を特徴としている。
以下に、本発明のダイシングテープ一体型接着シートについて説明する。
The dicing tape integrated adhesive sheet of the present invention is a dicing tape integrated adhesive sheet in which an adhesive sheet and a dicing tape are laminated, and the adhesive sheet includes a high molecular weight component, an epoxy resin, and a curing agent thereof. A resin and particles having a specific surface area of 30 to 400 m 2 / g, and the ratio of the total amount of the epoxy resin and its curing agent to the total amount of the resin is 21 to 26% by mass, and the ratio of the high molecular weight component Is 70 to 85% by mass, the proportion of the particles is 2 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin, and the elongation at break at 25 ° C. in the B-stage state is more than 40%, and The yield point is not shown at the time of tensile deformation of the dicing tape, and the ratio (A / B) between the thickness A of the dicing tape and the thickness B of the adhesive sheet is 2-30. , It is characterized in.
Below, the dicing tape integrated adhesive sheet of this invention is demonstrated.
［ダイシングテープ］
本発明のダイシングテープ一体型接着シートにおけるダイシングテープは、エネルギー照射により粘着力が低下するものであり、引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、上記（工程ＩＩＩ）において、ダイシングテープと接着シートとの接着力が、２０Ｎ／ｍ以上、１００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。
なお、一般的に、荷重−伸び線図、応力−ひずみ線図等で見られるように、物体に働く応力が弾性限度を超えると、荷重又は応力の増大がないのに変形が徐々に進行する現象を「降伏」と呼び、弾性挙動の最大荷重、最大応力値における点を「降伏点」と呼ぶ。
[Dicing tape]
The dicing tape in the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention is one whose adhesive strength is reduced by energy irradiation, does not show a yield point during tensile deformation, and in the above (Step III), the dicing tape and the adhesive sheet Is preferably 20 N / m or more and 100 N / m or less.
In general, as seen in the load-elongation diagram, stress-strain diagram, etc., when the stress acting on the object exceeds the elastic limit, the deformation gradually progresses without an increase in load or stress. The phenomenon is called “yield”, and the point at the maximum load and maximum stress value of the elastic behavior is called “yield point”.
降伏点を有するダイシングテープとは、短冊形状のダイシングテープについて、２５℃で引っ張り試験を行い、ひずみをＸ軸、伸びをＹ軸にそれぞれプロットした場合に、傾きｄＸ／ｄＹが、正の値から０又は負の値に変化する応力値をとるものである。このような降伏点を有するテープでは、ダイシングテープに外力を加えて半導体ウエハ及び接着シートを切断する工程、即ち、上記（工程ＩＩＩ）において、半導体ウエハに応力がかからず、周辺のダイシングテープばかりが伸び変形を起こすため、半導体ウエハが割れない又は割れ残りが生じる等の問題がある。
降伏点がない場合、外力が半導体ウエハ及び接着シートにかかりやすく、破断性が良い。
A dicing tape having a yield point is a strip-shaped dicing tape subjected to a tensile test at 25 ° C. When the strain is plotted on the X axis and the elongation is plotted on the Y axis, the slope dX / dY is a positive value. It takes a stress value that changes to 0 or a negative value. In the tape having such a yield point, the semiconductor wafer and the adhesive sheet are cut by applying an external force to the dicing tape, that is, in the above (Step III), the semiconductor wafer is not stressed, and only the peripheral dicing tape is used. However, there is a problem that the semiconductor wafer does not break or a crack remains.
When there is no yield point, the external force is easily applied to the semiconductor wafer and the adhesive sheet, and the breakability is good.
このようなダイシングテープとしては、粘着材層及び基材層からなり、具体的には、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリ酢酸ビニルポリエチレン共重合体からなるフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニル等のプラスチックフィルム及び、それらを積層したフィルム等を用いた基材層、及び、アクリルゴム、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等を主成分とする粘着剤を用いた粘着剤層が、積層されたテープが挙げられる。 As such a dicing tape, it consists of an adhesive material layer and a base material layer, specifically, a film made of a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl acetate polyethylene copolymer, a polyethylene film, a polypropylene film, Polymethylpentene film, plastic film such as polyvinyl chloride, and a base material layer using a film obtained by laminating them, and an adhesive using an adhesive mainly composed of acrylic rubber, urethane resin, silicone resin, etc. An example is a tape in which layers are laminated.
特に、上記基材層の材料としては、降伏点がない上、低温での伸びが優れ、フィルムの伸びの異方性が小さい点で、ポリ塩化ビニル、又はポリエチレン基材、ポリプロピレン基材、及び塩素を含まないモノマを共重合したポリマーからなる基材のいずれか１種、例えば、ポリ酢酸ビニルポリエチレン共重合体が好ましい。フィルムは、押し出し成形時に、縦方向に配向しやすく、上記のフィルムについてもフィルムの伸びが完全に均一でない場合があるが、ウエハラミネート時に張力を調整する等して、調整することが好ましい。 In particular, as the material of the base material layer, there is no yield point, excellent elongation at low temperature, and low anisotropy of film elongation, polyvinyl chloride, polyethylene base material, polypropylene base material, and Any one of base materials made of a polymer obtained by copolymerizing a monomer containing no chlorine, for example, a polyvinyl acetate polyethylene copolymer is preferred. The film tends to be oriented in the vertical direction during extrusion molding, and the film may not be completely stretched even for the above-mentioned film, but it is preferable to adjust it by adjusting the tension during wafer lamination.
また、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。上記粘着剤層は、特に、液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる、適度なタック強度を有する樹脂組成物を基材層上に塗布乾燥することで形成可能である。 If necessary, surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment may be performed. In particular, the pressure-sensitive adhesive layer can be formed by applying and drying a resin composition having an appropriate tack strength obtained by adjusting the ratio of the liquid component and the Tg of the high molecular weight component on the base material layer. .
粘着材層は、エネルギー照射により粘着力が低下する材料を用いることが好ましい。そのような材料として、例えば、ＵＶ硬化粘着剤を使用することで、半導体装置の製造工程において、個片化された接着シート付き半導体チップをピックアップする前にＵＶ照射して粘着剤層を硬化させ粘着力を低下させれば、粘着剤層と接着シートとの界面における密着力が低下し、ピックアップが容易になる。 The adhesive material layer is preferably made of a material whose adhesive strength is reduced by energy irradiation. As such a material, for example, by using a UV curable adhesive, in the semiconductor device manufacturing process, the adhesive layer is cured by UV irradiation before picking up the separated semiconductor chip with an adhesive sheet. If the adhesive force is reduced, the adhesive force at the interface between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive sheet is reduced, and pickup becomes easy.
また、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で６０〜１５０μｍ、好ましくは７０〜１３０μｍであることが好ましい。 In addition, the film thickness of the dicing tape is not particularly limited, and is appropriately determined depending on the film thickness of the adhesive sheet and the application of the dicing tape-integrated adhesive sheet, but it is economical and easy to handle. It is preferable that it is 60-150 micrometers, Preferably it is 70-130 micrometers.
なお、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比Ａ／Ｂは、２〜３０であり、好ましくは１０〜２５である。さらに好ましくは、１５〜２５である。
接着シート、ダイシングテープの膜厚の組合せとしては、ダイシングテープ：１１０μｍ、接着シート：１０μｍ、この場合のＡ／Ｂは１１、ダイシングテープ：１１０μｍ、接着シート：５μｍ、この場合のＡ／Ｂは２２である。
In addition, ratio A / B of the thickness A of a dicing tape and the thickness B of an adhesive sheet is 2-30, Preferably it is 10-25. More preferably, it is 15-25.
As a combination of the film thickness of the adhesive sheet and dicing tape, dicing tape: 110 μm, adhesive sheet: 10 μm, A / B in this case is 11, dicing tape: 110 μm, adhesive sheet: 5 μm, A / B in this case is 22 It is.
Ａ／Ｂが２未満である場合は、ダイシングテープに比べて接着シートが厚いため、ダイシングテープ部に比べて接着シートのある部分が伸びにくく、結果として、接着シートが割れにくくなるため好ましくない。特に、ウエハの端部にはみ出した接着シートが、破断しにくくなる。 When A / B is less than 2, since the adhesive sheet is thicker than the dicing tape, the portion with the adhesive sheet is less likely to extend than the dicing tape portion, and as a result, the adhesive sheet is less likely to break, which is not preferable. In particular, the adhesive sheet that protrudes from the edge of the wafer is difficult to break.
また、Ａ／Ｂが３０を超える場合は、ダイシングテープに比べて接着シートが薄いため、ダイシングテープ部に張力が掛かった場合に、早い段階でウエハの端部にはみ出した接着シートが割れてしまい、ウエハに十分な張力が掛かる前に、接着シートの割れた部分のみに、張力が不均一に掛かるため、結果として接着シートが、部分的に割れにくくなり好ましくない。 In addition, when A / B exceeds 30, the adhesive sheet is thinner than the dicing tape. Therefore, when tension is applied to the dicing tape, the adhesive sheet that protrudes to the edge of the wafer at an early stage is broken. Since the tension is applied non-uniformly only to the cracked portion of the adhesive sheet before sufficient tension is applied to the wafer, the resulting adhesive sheet is difficult to partially crack, which is not preferable.
上記ダイシングテープは、粘着剤層面で接着シートと貼り合わされ、ダイシングテープと接着シートとの、９０°はく離試験による接着力は、通常、２０Ｎ／ｍ以上、１００Ｎ／ｍ以下である。
接着力が、２０Ｎ／ｍ以上、１００Ｎ／ｍであることにより、エキスパンド時に、ダイシングテープと接着シートとがはく離せず、結果として接着シートが破断しやすく、さらには、後のチップのピックアップが可能である点で好ましい。
The dicing tape is bonded to the adhesive sheet on the pressure-sensitive adhesive layer surface, and the adhesive strength between the dicing tape and the adhesive sheet by a 90 ° peel test is usually 20 N / m or more and 100 N / m or less.
Adhesive strength of 20 N / m or more and 100 N / m prevents dicing tape and adhesive sheet from being peeled off during expansion, resulting in easy breakage of the adhesive sheet and further pickup of subsequent chips. It is preferable at this point.
接着力が２０Ｎ／ｍ未満の場合、ダイシングテープを延伸した時に、半導体ウエハが破断し、チップになる際に内部応力が開放されて、チップとダイシングテープの界面がはく離し、反りが生じるため、ピックアップが困難になることがある。接着力が１００Ｎ／ｍを超えるとピックアップが困難で、徐々にチップの割れなどが生じることがある。 When the adhesive force is less than 20 N / m, when the dicing tape is stretched, the semiconductor wafer is broken, the internal stress is released when it becomes a chip, the interface between the chip and the dicing tape peels off, and warping occurs. Picking up can be difficult. If the adhesive strength exceeds 100 N / m, picking up is difficult, and chip cracking may occur gradually.
［接着シート］
本発明に使用される接着シートとしては、高分子量成分を少なくとも含有し、Ｂステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であり、エポキシ樹脂及びその硬化剤並びにアクリルゴムを含む樹脂と、比表面積が３０〜４００ｍ２／ｇである粒子とを含み、前記樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合が２１〜２６質量％、アクリルゴムの割合が７０〜８５質量％であり、前記樹脂１００質量部に対して、前記粒子の割合が２〜２０質量部である接着シートである。
このような接着シートとしては、例えば、日立化成工業株式会社製、商品名、ＨＳ−２３０、ＨＳ−２７０等を用いることができる。
[Adhesive sheet]
The adhesive sheet used in the present invention contains at least a high molecular weight component, has an elongation at break at 25 ° C. in the B-stage state of more than 40%, and a resin containing an epoxy resin and its curing agent and acrylic rubber, Particles having a surface area of 30 to 400 m 2 / g, the ratio of the total amount of the epoxy resin and its curing agent to the total amount of the resin is 21 to 26% by mass, and the ratio of the acrylic rubber is 70 to 85% by mass. %, And the proportion of the particles is 2 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin.
As such an adhesive sheet, for example, trade names, HS-230, HS-270, etc. manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. can be used.
本発明に係る接着シートは、Ｂステージ状態における２５℃における破断伸びが４０％超であるが、半導体ウエハに貼り付ける前の状態において、破断伸びの大きい接着シートを用いた場合、接着シートを、低温で半導体ウエハに貼り付けすることが可能であり、貼り付け後に、破断伸びを上記数値範囲内にすることで、破断性を向上させることができる。当該破断伸びは１００％超が好ましく、１５０％超がより好ましく、上限は通常５００％である。
接着シートは、半導体ウエハの反りを小さくし、室温（２５℃）での取扱い性を良くするため、４０〜１００℃の間でウエハラミネートすることが好ましい。
The adhesive sheet according to the present invention has an elongation at break at 25 ° C. in the B-stage state of more than 40%, but in the state before being attached to the semiconductor wafer, when an adhesive sheet having a large elongation at break is used, It can be attached to a semiconductor wafer at a low temperature, and the breakability can be improved by making the elongation at break within the above numerical range after the attachment. The elongation at break is preferably more than 100%, more preferably more than 150%, and the upper limit is usually 500%.
The adhesive sheet is preferably laminated between 40 and 100 ° C. in order to reduce the warpage of the semiconductor wafer and improve the handleability at room temperature (25 ° C.).
接着シートは、Ｂステージ状態の接着シートの、６０℃、１０Ｈｚにおける動的粘弾性測定による弾性率が、０．１〜２０ＭＰａであることが好ましく、０．１〜１０ＭＰａであることがより好ましく、０．１〜５ＭＰａであることが特に好ましい。０．１ＭＰａ未満であると、貼付後にシートが半導体ウエハから剥離したり、ずれたりする傾向がある。
なお、接着シートは、上記各特性に加えて、半導体素子搭載用支持部材に半導体素子を実装する場合に要求される、耐熱性及び耐湿性を有するものであることが好ましい。
The adhesive sheet preferably has an elastic modulus of 0.1 to 20 MPa, more preferably 0.1 to 10 MPa, as measured by dynamic viscoelasticity at 60 ° C. and 10 Hz of the B-staged adhesive sheet. It is particularly preferably 0.1 to 5 MPa. If the pressure is less than 0.1 MPa, the sheet tends to be peeled off from the semiconductor wafer after being attached or displaced.
In addition to the above characteristics, the adhesive sheet preferably has heat resistance and moisture resistance required when a semiconductor element is mounted on a semiconductor element mounting support member.
また、接着シートは、上記特性を満足するものであれば特に制限はないが、適当なタック強度を有し、シート状での取り扱い性が良好であることから、高分子量成分の他に、熱硬化性成分及びフィラーを含み、さらにこれらの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでもよい。
また、破断強度や破断伸びは、接着シートに含まれる高分子量成分が多く、フィラーが少ないほど高くなる傾向がある。
The adhesive sheet is not particularly limited as long as it satisfies the above characteristics, but has an appropriate tack strength and good handleability in the form of a sheet. It contains a curable component and a filler, and may further contain a curing accelerator, a catalyst, an additive, a coupling agent and the like in addition to these.
Moreover, there exists a tendency for breaking strength and breaking elongation to become so high that there are many high molecular weight components contained in an adhesive sheet, and there are few fillers.
接着シートは、ガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と言う。）が、−３０℃〜５０℃で、重量平均分子量が、５０，０００〜１，０００，０００であることが好ましい。
Ｔｇが−３０℃〜５０℃であると、適度な柔軟性が得られ、半導体ウエハ破断時に接着シートが破断するため好ましい。
また、重量平均分子量が５０，０００〜１，０００，０００であると、十分な耐熱性及び流動性が得られるため好ましい。
The adhesive sheet preferably has a glass transition temperature (hereinafter referred to as “Tg”) of −30 ° C. to 50 ° C. and a weight average molecular weight of 50,000 to 1,000,000.
A Tg of −30 ° C. to 50 ° C. is preferable because moderate flexibility is obtained and the adhesive sheet is broken when the semiconductor wafer is broken.
Moreover, it is preferable for the weight average molecular weight to be 50,000 to 1,000,000 because sufficient heat resistance and fluidity can be obtained.
半導体ウエハ切断時における接着シートの破断性や耐熱性の観点から、Ｔｇが−２０℃〜４０℃で、重量平均分子量が１００，０００〜９００，０００の高分子量成分がより好ましく、Ｔｇが−１０℃〜３０℃で、重量平均分子量が５００，０００〜９００，０００の高分子量成分が特に好ましい。 From the viewpoints of breakability and heat resistance of the adhesive sheet when cutting a semiconductor wafer, a high molecular weight component having a Tg of −20 ° C. to 40 ° C. and a weight average molecular weight of 100,000 to 900,000 is more preferable, and the Tg is −10. High molecular weight components having a weight average molecular weight of 500,000 to 900,000 at -30 ° to 30 ° C. are particularly preferred.
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして、株式会社日立製作所製、商品名Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製、商品名ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ〔各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ〕をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と言う。）を使用し、試料１２０ｍｇを、ＴＨＦ：５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。 In addition, a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value using the calibration curve by a standard polystyrene by the gel permeation chromatography method (GPC), the Hitachi Ltd. make, brand name L-6000 is used as a pump, a column Using a column in which Hitachi Chemical Co., Ltd., trade names Gelpack GL-R440, Gelpack GL-R450 and Gelpack GL-R400M [each 10.7 mm (diameter) × 300 mm] are connected in this order, As a sample, tetrahydrofuran (hereinafter referred to as “THF”) is used, and a sample in which 120 mg of sample is dissolved in 5 ml of THF can be measured at a flow rate of 1.75 mL / min.
次に、接着シートを構成する成分、すなわち高分子量成分と、エポキシ樹脂及び硬化剤とを含む樹脂、その他の成分についてより詳細に説明する。 Next, components constituting the adhesive sheet, that is, a resin containing a high molecular weight component, an epoxy resin and a curing agent, and other components will be described in more detail.
（高分子量成分）
接着シートは、粘着性やフィルムの強度を改善するために高分子量成分を含む。
当該高分子量成分として、具体的には、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、ブタジエンゴム、アクリルゴム、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート及びこれらの混合物等が挙げられる。
(High molecular weight component)
The adhesive sheet contains a high molecular weight component in order to improve tackiness and film strength.
Specific examples of the high molecular weight component include polyimide, polystyrene, polyethylene, polyester, polyamide, butadiene rubber, acrylic rubber, (meth) acrylic resin, urethane resin, polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, phenoxy resin, and modified polyphenylene. Examples include ether resins, phenoxy resins, polycarbonates, and mixtures thereof.
特に、官能性モノマを含む重量平均分子量が１００，０００以上である高分子量成分、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマを含有し、かつ重量平均分子量が１００，０００以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましい。 In particular, an epoxy group containing a functional monomer such as a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 100,000 or more, for example, a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, and having a weight average molecular weight of 100,000 or more. Containing (meth) acrylic copolymers are preferred.
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。 As the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer, for example, (meth) acrylic ester copolymer, acrylic rubber and the like can be used, and acrylic rubber is more preferable. The acrylic rubber is a rubber mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile, or the like.
本発明において、高分子量成分の割合は樹脂全体量に対して、７０〜８５質量％としており、７０質量％未満では、応力緩和性が低下する傾向となり、８５質量％を超えると、耐熱性が低下する傾向となる。高分子量成分の割合は、７２〜８５質量％が好ましく、７８〜８５質量％がより好ましい。 In the present invention, the ratio of the high molecular weight component is 70 to 85% by mass with respect to the total amount of the resin, and if it is less than 70% by mass, the stress relaxation tends to decrease. It tends to decrease. 72-85 mass% is preferable and, as for the ratio of a high molecular weight component, 78-85 mass% is more preferable.
（エポキシ樹脂及びその硬化剤）
接着シートは、熱硬化性成分としてエポキシ樹脂及びその硬化剤を含み、このようなエポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限はない。
(Epoxy resin and its curing agent)
The adhesive sheet contains an epoxy resin and a curing agent thereof as a thermosetting component, and such an epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action.
例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。
また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られている樹脂を適用することができる。
For example, a bifunctional epoxy resin such as bisphenol A type epoxy, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolac type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, or the like can be used.
Further, generally known resins such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin can be applied.
また、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、 アミン系化合物が好ましい。 Moreover, as a hardening | curing agent of an epoxy resin, a phenol resin and an amine compound are preferable.
本発明において、エポキシ樹脂及びその硬化剤の割合は樹脂全体量に対して、１５〜３０質量％としており、１５質量％未満では、耐熱性が低下する傾向となり、３０質量％を超えると、応力緩和性が低下するとなる。エポキシ樹脂及びその硬化剤の割合は、１５〜２８質量％が好ましく、１５〜２２質量％がより好ましい。 In the present invention, the ratio of the epoxy resin and its curing agent is 15 to 30% by mass with respect to the total amount of the resin, and if it is less than 15% by mass, the heat resistance tends to decrease. The relaxability will be reduced. The proportion of the epoxy resin and its curing agent is preferably 15 to 28% by mass, and more preferably 15 to 22% by mass.
［粒子」
さらに、接着シートには、Ｂステージ状態の接着シートの破断強度、破断伸びの低減、接着剤の取扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与等を目的として、比表面積が３０〜４００ｍ２／ｇの粒子（フィラー）、例えば、無機フィラーを配合することが好ましい。
[particle"
Furthermore, the adhesive sheet has the purpose of reducing the breaking strength and breaking elongation of the adhesive sheet in the B-stage state, improving the handling of the adhesive, improving the thermal conductivity, adjusting the melt viscosity, and imparting thixotropic properties. It is preferable to blend particles (filler) having a specific surface area of 30 to 400 m 2 / g, for example, an inorganic filler.
本発明に係る粒子として、比表面積が３０〜４００ｍ２／ｇのものを用いるが、比表面積が３０ｍ２／ｇ未満であると、耐熱性が低下する傾向となり、４００ｍ２／ｇを超えると、流動性が低下する傾向となる。当該比表面積は、５０〜３００ｍ２／ｇが好ましく、５０〜２００ｍ２／ｇがより好ましい。 As particles according to the present invention, although the specific surface area is used as a 30 to 400 m 2 / g, the specific surface area is less than 30 m 2 / g, tends to heat resistance is lowered, and when it exceeds 400 meters 2 / g, The fluidity tends to decrease. The specific surface area is preferably 50~300m 2 / g, 50~200m 2 / g is more preferable.
無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物等が挙げられる。
熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。
As the inorganic filler, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, Examples thereof include amorphous silica and antimony oxide.
In order to improve thermal conductivity, alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like are preferable.
また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与のためには、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。
また、耐湿性を向上させるためには、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸化物が好ましい。
For adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica Amorphous silica and the like are preferable.
In order to improve moisture resistance, alumina, silica, aluminum hydroxide, and antimony oxide are preferable.
本発明において、粒子の割合は前記樹脂１００質量部に対して、２〜２０質量部としており、２質量部未満では、耐熱性が低下する傾向となり、２０質量部を超えると、流動性が低下する傾向となる。粒子の割合は、前記樹脂１００質量部に対して３〜１５質量部が好ましく、４〜１２質量部がより好ましい。
また、上記フィラー量は、接着シートの全重量に対して、５質量％以上、７０質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは、３５質量％以上、６０質量％以下である。
配合量が多くなると、接着シートの貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので、５０質量％以下とするのが特に好ましい。またフィラーの比重は、１〜１０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
In the present invention, the ratio of the particles is 2 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin. If the amount is less than 2 parts by mass, the heat resistance tends to decrease. Tend to. The ratio of the particles is preferably 3 to 15 parts by mass and more preferably 4 to 12 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin.
Moreover, it is preferable that the said filler amount is 5 to 70 mass% with respect to the total weight of an adhesive sheet, More preferably, it is 35 to 60 mass%.
When the blending amount is increased, problems such as an increase in storage elastic modulus of the adhesive sheet, a decrease in adhesiveness, and a decrease in electrical characteristics due to remaining voids are likely to occur. Therefore, the content is particularly preferably 50% by mass or less. The specific gravity of the filler is preferably 1 to 10 g / cm 3 .
接着シートは、高分子量成分、エポキシ樹脂及びその硬化剤、粒子及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材を除去して得ることができる。 The adhesive sheet is prepared by mixing a high molecular weight component, an epoxy resin and its curing agent, particles and other components in an organic solvent, kneading to prepare a varnish, and then forming the varnish layer on the base film and heating. After drying, it can be obtained by removing the substrate.
上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常は６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。 The above mixing and kneading can be carried out by appropriately combining dispersers such as ordinary stirrers, crackers, three rolls, and ball mills. The heating and drying conditions are not particularly limited as long as the used solvent is sufficiently volatilized, but the heating and drying is usually performed at 60 to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes.
上記接着シートの製造における、上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。 The organic solvent used for the preparation of the varnish in the production of the adhesive sheet is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse the material, and a conventionally known one can be used. Examples of such a solvent include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, toluene, xylene, and the like. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, etc. in terms of fast drying speed and low price.
有機溶媒の使用量は、接着シート製造後の残存揮発分が、全質量基準で、０．０１〜３質量％であれば特に制限はないが、耐熱信頼性の観点からは全質量基準で、０．０１〜２．０質量％が好ましく、全質量基準で、０．０１〜１．５質量％がさらに好ましい。 The amount of the organic solvent used is not particularly limited as long as the residual volatile content after production of the adhesive sheet is 0.01 to 3% by mass based on the total mass, but from the viewpoint of heat resistance reliability, based on the total mass, 0.01-2.0 mass% is preferable, and 0.01-1.5 mass% is further more preferable on the basis of the total mass.
また、切断可能である範囲で、接着シートを複数重ね合わせ、複層の接着シートにしてもよい。
また、接着シートと、例えば、熱可塑フィルム、粘着剤、熱硬化樹脂等を用いたフィルムを組合せ、フィルムの両面に接着シートを重ね合わせる等、複層の接着シートにしてもよい。
In addition, a plurality of adhesive sheets may be stacked to form a multilayer adhesive sheet as long as it can be cut.
Alternatively, an adhesive sheet may be combined with a film using, for example, a thermoplastic film, a pressure-sensitive adhesive, a thermosetting resin, etc., and a multilayer adhesive sheet may be formed such that the adhesive sheet is superimposed on both surfaces of the film.
なお、切断可能である範囲とは、複層にした接着シートの破断強度及び破断伸びや、弾性率が、上記数値範囲内で切断可能にあることをいう。このようなフィルムとして、例えば、ポリイミド、ポリエステル等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂及びこれらの混合物等を用いたフィルムを挙げることができる。これらのフィルムは、各種フィラーを含んでいてもよい。 In addition, the range which can be cut | disconnected means that the breaking strength and breaking elongation of a multilayered adhesive sheet, and an elastic modulus are cut | disconnected within the said numerical range. Examples of such films include films using thermoplastic resins such as polyimide and polyester, epoxy resins, silicone resins, and mixtures thereof. These films may contain various fillers.
接着シートの膜厚は、５０μｍ以下とされ、１〜５０μｍであることが好ましい。１μｍ未満であると、徐々に応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、５０μｍを超えると、徐々に経済的ではなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられず、破断も困難になる傾向がある。 The film thickness of the adhesive sheet is 50 μm or less, and preferably 1 to 50 μm. If it is less than 1 μm, the stress relaxation effect and adhesiveness tend to be poor gradually. If it exceeds 50 μm, it is gradually not economical, and it is difficult to meet the demands for downsizing of semiconductor devices and it is difficult to break. Tend to be.
なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で、接着シートの膜厚は、３〜４０μｍが好ましく、パッケージが薄くなり、ダイシングテープの厚さが１００μｍ程度の場合に破断性が向上することから、５〜２０μｍがより好ましい。 In addition, since the adhesiveness is high and the thickness of the semiconductor device can be reduced, the film thickness of the adhesive sheet is preferably 3 to 40 μm, the package is thin, and the dicing tape has a thickness of about 100 μm, so that the breakability is obtained. In order to improve, 5-20 micrometers is more preferable.
また、ウエハの厚さＣに対して、接着シートの厚さＢの比、Ｃ／Ｂは２〜２０であることが好ましい。ウエハに対して接着シートが薄いと、ウエハの破断の衝撃で割れやすくなる点で好ましく、厚いと接着シートが割れずにチップ間に残り、チップのピックアップ性が悪化する Further, the ratio of the thickness B of the adhesive sheet to the thickness C of the wafer, C / B, is preferably 2-20. If the adhesive sheet is thin relative to the wafer, it is preferable in that it can be easily broken by the impact of breaking the wafer. If it is thick, the adhesive sheet remains between the chips without cracking, and the chip pick-up property deteriorates.
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、接着シートを上述のダイシングテープの粘着剤層面に積層することで得ることができる。このダイシングテープ一体型接着シートを用いることで、半導体ウエハへのラミネート工程が一回で済み、作業の効率化が可能である。 The dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention can be obtained by laminating the adhesive sheet on the pressure-sensitive adhesive layer surface of the dicing tape described above. By using this dicing tape-integrated adhesive sheet, the laminating process on the semiconductor wafer can be performed only once, and the work efficiency can be improved.
ダイシングテープ上に接着シートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作製した接着シートを、ダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネート方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネート方法が好ましい。 As a method of laminating an adhesive sheet on a dicing tape, in addition to printing, an adhesive sheet prepared in advance can be pressed on a dicing tape, a hot roll laminating method, etc. A hot roll laminating method is preferred.
＜半導体装置の製造方法＞
本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いて半導体装置を製造する方法は、上述した本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いるものであり、（Ｉ）厚さ１００μｍ以下の半導体ウエハに、厚さ５０μｍ以下の接着シートとエネルギー照射により粘着力が低下するダイシングテープとが積層されたダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける工程（工程Ｉ）と、（ＩＩ）半導体ウエハを区分する工程と（工程ＩＩ）を、（工程Ｉ）−（工程ＩＩ）、又は（工程ＩＩ）−（工程Ｉ）の順で備え、さらに、（ＩＩＩ）半導体ウエハ及び接着シートを切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程（工程ＩＩＩ）と、（ＩＶ）接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程（工程ＩＶ）と、を備えるものである。
<Method for Manufacturing Semiconductor Device>
A method of manufacturing a semiconductor device using the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention uses the above-described dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention. (I) A semiconductor wafer having a thickness of 100 μm or less is thickened. A step of attaching a dicing tape-integrated adhesive sheet in which an adhesive sheet having a thickness of 50 μm or less and a dicing tape whose adhesive strength is reduced by energy irradiation are laminated (step I), and a step of dividing a semiconductor wafer (step) II) in the order of (Step I)-(Step II) or (Step II)-(Step I), and (III) cutting the semiconductor wafer and the adhesive sheet into a plurality of pieces. Of obtaining a bonded semiconductor chip with an adhesive sheet (Step III) and (IV) bonding the semiconductor chip with an adhesive sheet to a support member for mounting a semiconductor chip The process (process IV) to perform is provided.
以下、図１〜図５に基づいて本発明の半導体装置の製造方法の、他の好適な実施形態を説明する。
図１には、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける工程（工程Ｉ）を、図２には、半導体ウエハＡを、ダイシングソー２３によりハーフカットして区分する工程（工程ＩＩ）を、図３には、ダイシングテープ一体型接着シート３に外力を加えることで、半導体ウエハ及び接着シートを切断し、複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程（工程ＩＩＩ）を経て、半導体ウエハＡ及び接着シート１が切断された状態を、図４には、接着シート付き半導体チップ６を、半導体チップ搭載用支持部材７に接着する工程（工程ＩＶ）をそれぞれ示す。
Hereinafter, another preferred embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 shows a process of attaching the dicing tape-integrated
また、図５には、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける工程、半導体ウエハＡの切断予定ライン上にレーザー光を照射して、半導体ウエハ内部に改質領域（切断予定部）５を形成して、半導体ウエハを区分する工程、ダイシングテープ２又はダイシングテープ一体型接着シート３に外力を加えて半導体ウエハＡ及び接着シート１を切断する工程をまとめて示す。
Further, FIG. 5 shows a process of attaching the dicing tape-integrated
上記半導体ウエハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素等の化合物半導体等が、使用される。 As the semiconductor wafer, polycrystalline silicon, various ceramics, compound semiconductors such as gallium arsenide, etc. are used in addition to single crystal silicon.
上記（工程Ｉ）におけるダイシングテープ一体型接着シート３を、半導体ウエハＡに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、０℃〜１７０℃の範囲であることが好ましく、半導体ウエハＡの反りを少なくするためには、２０℃〜１３０℃の範囲であることがより好ましく、２０℃〜８０℃の範囲であることが特に好ましい。
The temperature at which the dicing tape-integrated
また、（工程ＩＩ）の後に（工程Ｉ）を行う場合、ラミネート工程での応力や変形により半導体ウエハＡが破断することを防止するため、半導体ウエハＡが、変形しないように支持してラミネートを行うことが好ましい。 Further, when performing (Process I) after (Process II), in order to prevent the semiconductor wafer A from being broken by stress or deformation in the laminating process, the semiconductor wafer A is supported so as not to be deformed and laminated. Preferably it is done.
上記（工程ＩＩ）における、半導体ウエハＡを区分する加工方法としては、ダイシングカッター等により、半導体ウエハＡを完全に切断せずに、折り目となる溝を加工する方法や、切断予定ライン上の半導体ウエハＡ内部に、レーザー光を照射して改質領域を形成する方法等、その後に外力等を加えることで、容易に半導体ウエハＡを切断することができる方法が挙げられる。 As a processing method for dividing the semiconductor wafer A in the above (Step II), a method of processing a groove to be a crease without completely cutting the semiconductor wafer A with a dicing cutter or the like, or a semiconductor on a cutting scheduled line Examples include a method in which a modified region is formed by irradiating a laser beam inside the wafer A, and a method in which the semiconductor wafer A can be easily cut by applying an external force or the like thereafter.
なお、半導体ウエハＡのレーザー加工の方法については、特開２００２−１９２３７０号公報及び特開２００３−３３８４６７号公報に記載の方法を使用することができる。装置については、例えば、株式会社東京精密製のＭＡＨＯＨＤＩＣＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥを使用することができる。 In addition, about the method of laser processing of the semiconductor wafer A, the method as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-192370 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-338467 can be used. As for the apparatus, for example, MAHODICING MACHINE made by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. can be used.
なお、これらの方法を用いて半導体ウエハを区分するとは、外力により切断できるように、予め破断のきっかけを作った状態又は、この状態の後、さらに外力を加え半導体ウエハがほぼ切断され、一部のみつながっている状態、さらに外力を加え半導体ウエハが切断されているが互いに接触するか、数μｍ以下の僅かな間隙を挟んで隣り合う状態又は、さらに外力を加え半導体ウエハが切断されて、数μｍ以上１ｍｍ以下の間隙を挟んで隣合う状態までを指す。 It should be noted that the use of these methods to classify semiconductor wafers means that the semiconductor wafer is almost cut by applying an external force after this state has been created in advance, or after this state, so that it can be cut by external force. In a state where only the semiconductor wafers are cut by applying an external force, but are in contact with each other, adjacent to each other with a slight gap of several μm or less, or by further applying an external force, the semiconductor wafer is cut. It refers to the state adjacent to each other with a gap of μm or more and 1 mm or less.
また、半導体ウエハ及び接着シートを切断するとは、半導体ウエハが完全に切断されていない場合には、両者を同時に切断すること、既に半導体ウエハが切断されている場合には、最終的に両者がいずれも切断されている状態にすることを示す。 In addition, when the semiconductor wafer and the adhesive sheet are cut, when the semiconductor wafer is not completely cut, both are cut at the same time. Also indicates that it is disconnected.
レーザー光を照射して改質領域を形成する方法において、半導体ウエハＡへのレーザー光は、半導体ウエハＡの表面、即ち、回路が形成されている面から照射してもよく、また半導体ウエハＡの裏面、即ち、回路が形成されていない、接着シートを貼り付ける側の面から照射してもよい。 In the method of forming the modified region by irradiating the laser beam, the laser beam to the semiconductor wafer A may be irradiated from the surface of the semiconductor wafer A, that is, the surface on which the circuit is formed. Irradiation may be performed from the back surface, that is, the surface on which the adhesive sheet is pasted, on which no circuit is formed.
（工程ＩＩ）を（工程Ｉ）の後に行う場合には、接着シート１や、ダイシングテープ２側からも、半導体ウエハＡにレーザー光を照射することが可能になる点で、接着シート１や、ダイシングテープ２として、レーザー光を透過するものを用いることが好ましい。
また、破断、即ち、切断できなかった部分を認識しやすい点で、接着シート１は、ダイシングテープ２と、透明性や色調が異なるものであることが好ましい。
When (Step II) is performed after (Step I), the adhesive sheet 1 or the dicing
Moreover, it is preferable that the adhesive sheet 1 is different from the dicing
（工程ＩＩ）においては、例えば、下記の条件で、上記のレーザー加工装置を用いて半導体ウエハＡの内部に集光点を合わせて、切断予定ライン４に沿って半導体ウエハＡの表面側からレーザー光を照射し、半導体ウエハＡの内部に改質領域５を形成する。 In (Step II), for example, the laser beam is focused on the inside of the semiconductor wafer A using the above laser processing apparatus under the following conditions, and the laser is irradiated from the surface side of the semiconductor wafer A along the scheduled cutting line 4. Light is irradiated to form the modified region 5 inside the semiconductor wafer A.
この改質領域５により切断予定ラインに沿って半導体ウエハＡを切断することができる。改質領域５は、多光子吸収により半導体ウエハ内部が局所的に加熱溶融することにより形成された溶融処理領域であることが好ましい。 With this modified region 5, the semiconductor wafer A can be cut along the planned cutting line. The modified region 5 is preferably a melt-processed region formed by locally heating and melting the inside of the semiconductor wafer by multiphoton absorption.
（レーザー加工条件）
（Ａ）半導体基板（半導体ウエハ）：シリコンウエハ（厚さ３５０μｍ、外径６インチ）
（Ｂ）レーザー光源：半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー波長：１０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積：３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザー光品質：ＴＥＭ００
偏光特性：直線偏光
(Laser processing conditions)
(A) Semiconductor substrate (semiconductor wafer): silicon wafer (thickness 350 μm,
(B) Laser light source: semiconductor laser excitation Nd: YAG laser wavelength: 1064 nm
Laser light spot cross-sectional area: 3.14 × 10 −8 cm 2
Oscillation form: Q switch pulse Repeat frequency: 100 kHz
Pulse width: 30ns
Output: 20μJ / pulse Laser light quality: TEM00
Polarization characteristics: linearly polarized light
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
ＮＡ：０．５５
レーザー光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）半導体基板が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒
(C) Condensing lens Magnification: 50 times NA: 0.55
Transmittance with respect to laser light wavelength: 60% (D) Moving speed of mounting table on which semiconductor substrate is mounted: 100 mm / second
なお、半導体装置の製造方法において、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける方法とダイシング方法の組み合わせは、特に制限はない。作業性や効率性の観点からは、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付け、ステルスダイシングを行う組み合わせであることが最も好ましい。
In the method for manufacturing a semiconductor device, the combination of the method for attaching the dicing tape-integrated
上記（工程Ｉ）において、半導体ウエハＡに、ダイシングテープ一体型接着シート３を貼り付ける際には、半導体ウエハＡとダイシングテープ一体型接着シート３とにおける接着シートの１面が、接するように貼り付ける。
貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、２０℃〜１７０℃の範囲であることが好ましく、半導体ウエハＡの反りを少なくするためには、２０℃〜１３０℃の範囲であることがより好ましく、２０℃〜６０℃の範囲であることが特に好ましい。
In the above (Step I), when the dicing tape-integrated
The affixing temperature, that is, the laminating temperature is preferably in the range of 20 ° C. to 170 ° C., and in order to reduce the warp of the semiconductor wafer A, it is more preferably in the range of 20 ° C. to 130 ° C., and 20 ° C. A range of ˜60 ° C. is particularly preferred.
上記（工程Ｉ）及び（工程ＩＩ）の後、（工程ＩＩＩ）を行うが、当該工程において半導体ウエハＡ及び接着シート１の切断は、ダイシングテープ２又はダイシングテープ一体型接着シート３に外力を加えることで行うことができる。
この外力は、例えば、ハーフカットダイシングの場合には、曲げ方向やねじれ方向に加えることが好ましく、ステルスダイシングの場合には、引っ張り（エキスパンド）方向に加えることが好ましい。
After (Step I) and (Step II), (Step III) is performed. In this step, cutting of the semiconductor wafer A and the adhesive sheet 1 applies an external force to the dicing
For example, in the case of half-cut dicing, this external force is preferably applied in the bending direction or twist direction, and in the case of stealth dicing, it is preferably applied in the pulling (expanding) direction.
例えば、ステルスダイシングにおいて、ダイシングテープ２の両端を引っ張り、外力を加えることで半導体ウエハＡ及び接着シート１の切断を行う場合には、市販のウエハ拡張装置によって行うことができる。より具体的には、図６に示すように、ステージ１３上に配置されたダイシングテープ２周辺部にリング１１を貼り付け、固定し、ついで突き上げ部１２を上昇させることで、ダイシングテープ２に両端から張力をかける。
For example, in stealth dicing, when the semiconductor wafer A and the adhesive sheet 1 are cut by pulling both ends of the dicing
このときの突き上げ部が上昇する速度を、エキスパンド速度とし、突き上げ部が上昇した高さ１４を、エキスパンド量とすると、本発明では、エキスパンド速度は、１０〜１０００ｍｍ／秒であることが好ましく、１０〜２００ｍｍ／秒であることがより好ましく、５０〜１５０ｍｍ／秒であることが特に好ましい。
また、エキスパンド量は、５〜３０ｍｍであることが好ましく、１０〜３０ｍｍであることがより好ましく、１５〜２０ｍｍであることが特に好ましい。
In this invention, the expanding speed is preferably 10 to 1000 mm / second, where the speed at which the thrusting part rises is the expanding speed, and the
Further, the amount of expand is preferably 5 to 30 mm, more preferably 10 to 30 mm, and particularly preferably 15 to 20 mm.
エキスパンド速度が１０ｍｍ／秒未満であると、半導体ウエハ及び接着シートの切断が、徐々に困難となる傾向があり、１０００ｍｍ／秒を超えると、ダイシングテープが、徐々に破断しやすくなる傾向がある。またエキスパンド量が５ｍｍ未満であると、半導体ウエハ及び接着シートの切断が、徐々に困難となる傾向があり、３０ｍｍを超えるとダイシングテープが、徐々に破断しやすくなる傾向がある。 When the expanding speed is less than 10 mm / second, cutting of the semiconductor wafer and the adhesive sheet tends to be difficult, and when it exceeds 1000 mm / second, the dicing tape tends to be easily broken. Moreover, when the amount of expand is less than 5 mm, cutting of the semiconductor wafer and the adhesive sheet tends to become gradually difficult, and when it exceeds 30 mm, the dicing tape tends to be easily broken.
このようにダイシングテープ２を引っ張り、外力を加えることで、半導体ウエハＡ内部の改質領域を起点として、半導体ウエハＡの厚さ方向に割れが発生し、この割れが半導体ウエハＡ表面と裏面、さらには、半導体ウエハＡと密着する接着シート１の裏面まで到達し、半導体ウエハＡ及び接着シート１が破断、即ち、切断される。これにより接着シート付き半導体チップを得ることができる。
By pulling the dicing
なお、エキスパンド量が、３０ｍｍを超す場合には、ダイシングテープ２の基材層として、塩化ビニル基材を使用することが好ましいが、引っ張り量が少ない場合は、各種ポリオレフィン基材を使用することが好ましい。
また、半導体及び接着シートを区分する工程、即ち、エキスパンド工程は、室温（２５℃）で行ってもよいが、必要に応じて−５０℃〜１００℃の間で調整してもよい。
In addition, when the amount of expand exceeds 30 mm, it is preferable to use a vinyl chloride base material as the base material layer of the dicing
Moreover, although the process of dividing a semiconductor and an adhesive sheet, ie, an expanding process, may be performed at room temperature (25 ° C.), it may be adjusted between −50 ° C. and 100 ° C. as necessary.
本発明においては、２５℃より低い温度でエキスパンド工程を行うことが、より接着シートの破断伸びが少なく、切断しやすいため、接着シートの切断不良による歩留低下を防ぐ点で好ましい。特に、−３０℃〜２０℃でエキスパンドを行うことが好ましい。 In the present invention, it is preferable to perform the expanding step at a temperature lower than 25 ° C. because the elongation at break of the adhesive sheet is less and it is easy to cut. In particular, the expansion is preferably performed at −30 ° C. to 20 ° C.
−５℃〜１５℃に冷却すると、ダイボンドフィルムが脆くなり破断性が向上する点で好ましく、さらに好ましくは０℃〜１０℃である。一方、−３０℃未満になると、結露が著しい点、ダイシングテープ２の伸びが低下する点、さらに、ダイシングテープ２の粘着剤が硬くなり、エキスパンド時に割れを生じ、のびが不均一になるなどといった不具合が生じる傾向がある。
When it cools to -5 degreeC-15 degreeC, it is preferable at the point which a die-bonding film becomes weak and a fracture property improves, More preferably, it is 0 degreeC-10 degreeC. On the other hand, when the temperature is lower than −30 ° C., the dew condensation is remarkable, the elongation of the dicing
ダイシングテープ２の粘着剤層に、ＵＶ硬化粘着剤を使用している場合は、エキスパンドの前あるいは後に、ダイシングテープ２に半導体ウエハＡが貼り付けられている面の反対面側から紫外線を照射し、ＵＶ硬化粘着剤を硬化させる。これにより、ＵＶ硬化粘着剤と接着シートとの密着力が低下することになり、後の（工程ＩＶ）におけるピックアップがし易くなる。
When UV curing adhesive is used for the adhesive layer of the dicing
続いて、（工程ＩＶ）では、ピックアップ手段として、図４に示すような吸着コレット２１、又は下面からの突き上げのために針扞２２（図４参照）等を用いて、複数の個片化された接着シート付き半導体チップをピックアップし、これを半導体チップ搭載用支持部材の半導体チップ搭載部に載せ、接着シートを加熱硬化する。加熱硬化は、通常、１００〜２２０℃の間で行われる。
Subsequently, in (Step IV), the pick-up means is separated into a plurality of pieces by using a
本発明において、半導体装置の製造方法は、上記工程に制限するものではなく、任意の工程を含み得る。例えば、（工程Ｉ）を行った後、（工程ＩＩＩ）を行う前のいずれかの段階において、接着シートに紫外線、赤外線若しくはマイクロ波を照射する工程又は接着シートを加熱若しくは冷却する工程を含んでいてもよい。（工程ＩＶ）を行った後には、必要に応じ、ワイヤボンディング工程、封止工程等が含まれるものとする。 In the present invention, the method for manufacturing a semiconductor device is not limited to the above steps, and may include arbitrary steps. For example, after performing (Step I), before performing (Step III), including a step of irradiating the adhesive sheet with ultraviolet rays, infrared rays, or microwaves, or a step of heating or cooling the adhesive sheet. May be. After performing (Process IV), a wire bonding process, a sealing process, etc. are included as needed.
以下、実施例より本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに制限するものではない。
［ダイシングテープ一体型接着シート］
（実施例１）
エポキシ樹脂「ＹＤＣＮ−７０３」（東都化成株式会社製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）３６質量部と、エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂「ミレックスＸＬＣ−ＬＬ」（三井化学株式会社製、商品名、フェノール樹脂）３０．１質量部と、シランカップリング剤である「Ａ−１１６０」（日本ユニカー株式会社製、商品名）２．１質量部、及び、「Ａ−１８９」（日本ユニカー株式会社製、商品名）１．１質量部と、シリカフィラー（粒子）である「アエロジルＲ９７２」（日本アエロジル株式会社製、商品名、平均粒径：０．０１６μｍ、比表面積１２０ｍ２／ｇ）２１．２質量部とからなる組成物に、シクロヘキサノンを加え、攪拌混合してからビーズミルを用いてさらに９０分混練した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not restrict | limited to these.
[Dicing tape integrated adhesive sheet]
Example 1
36 parts by mass of epoxy resin “YDCN-703” (trade name, cresol novolak type epoxy resin, epoxy equivalent 210) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., and phenol resin “Mirex XLC-LL” (Mitsui Chemicals) as a curing agent for epoxy resin Co., Ltd., trade name, phenol resin) 30.1 parts by mass, silane coupling agent "A-1160" (manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd., trade name) 2.1 parts by mass, and "A-189 "1.1 parts by mass (made by Nippon Unicar Co., Ltd., trade name) and" Aerosil R972 "which is silica filler (particles) (trade name, average particle size: 0.016 µm, specific surface area 120 m made by Japan Aerosil Co., Ltd.) 2 / g) To a composition consisting of 21.2 parts by mass, add cyclohexanone, mix by stirring, and then mix for another 90 minutes using a bead mill. Kneaded.
これにグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートに由来するモノマー単位を、３質量％含むアクリルゴム（高分子量成分）である「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」（ナガセケムテックス株式会社製、商品名、重量平均分子量８０万）２００質量部、及び、硬化促進剤としての「キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ」（四国化成工業株式会社製、商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）０．０７５質量部を加え、攪拌混合して、接着剤組成物のワニスを得た。
なお、樹脂全体量に対して、エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計量の割合は、２４．８質量％であり、アクリルゴムの割合は、７５．２質量％であった。また、樹脂１００質量部に対して、シリカフィラー（粒子）の割合は７．９７質量部であった。
“HTR-860P-3” (trade name, weight average molecular weight 800,000 manufactured by Nagase ChemteX Corporation), which is an acrylic rubber (high molecular weight component) containing 3% by mass of a monomer unit derived from glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate. ) Add 200 parts by mass and 0.075 parts by mass of “Curazole 2PZ-CN” (trade name, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) as a curing accelerator, and stir and mix. A varnish of the adhesive composition was obtained.
In addition, the ratio of the total amount of an epoxy resin and its hardening | curing agent with respect to resin whole quantity was 24.8 mass%, and the ratio of acrylic rubber was 75.2 mass%. Moreover, the ratio of the silica filler (particles) was 7.97 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin.
このワニスを、基材上に塗布し、９０℃で１０分間、１２０℃で５分間加熱することにより乾燥して、Ｂステージ状態の接着層（膜厚４０μｍ）が、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成された接着シートを得た。この接着層のフローは、２２０μｍであった。基材は、厚さ５０μｍの離型処理した、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。 This varnish is coated on a substrate and dried by heating at 90 ° C. for 10 minutes and at 120 ° C. for 5 minutes to form a B-staged adhesive layer (film thickness 40 μm) on the polyethylene terephthalate film. An adhesive sheet was obtained. The flow of this adhesive layer was 220 μm. As the substrate, a polyethylene terephthalate film having a release treatment of 50 μm in thickness was used.
作製した接着シートを、ポリ塩化ビニル基材にアクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材厚さ：１００μｍ、粘着剤厚さ：１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、実施例１のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは、引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比、Ａ／Ｂは、１１である。また、破断伸びについて以下の測定方法により測定したところ、２００％であった。
〜破断伸びの測定〜
破断伸びは、幅１０ｍｍ×長さ４０ｍｍの短冊形状の接着シートについて、万能試験機(株式会社オリエンテック製、テンシロンＵＣＴ−５Ｔ型)を用い、温度２５℃、引張速度５ｍｍ／分、チャック間距離２０ｍｍの条件で引張試験を行い、接着シートが破断するときの長さｘｍｍから破断伸びＬ（％）の値を、Ｌ＝(ｘ−２０)／２０×１００で算出した。
The prepared adhesive sheet was laminated on the pressure-sensitive adhesive layer surface of a dicing tape (base material thickness: 100 μm, pressure-sensitive adhesive thickness: 10 μm) obtained by applying an acrylic pressure-sensitive adhesive to a polyvinyl chloride base material, and the dicing tape of Example 1 An integrated adhesive sheet was obtained. This dicing tape does not show a yield point at the time of tensile deformation, and the ratio A / B of the thickness A of the dicing tape to the thickness B of the adhesive sheet is 11. Further, the elongation at break was measured by the following measuring method and found to be 200%.
~ Measurement of elongation at break ~
Elongation at break is 10 mm wide × 40 mm long strip-shaped adhesive sheet using a universal testing machine (Orientec Co., Ltd., Tensilon UCT-5T type), temperature 25 ° C., tensile speed 5 mm / min, chuck distance A tensile test was performed under the condition of 20 mm, and the value of the elongation at break L (%) was calculated as L = (x−20) / 20 × 100 from the length xmm when the adhesive sheet broke.
（実施例２）
接着シートに日立化成工業株式会社製、商品名「ＨＳ−２７０」（厚さ５μｍ）を用いた。この接着シートを、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム基材に、アクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材厚さ：１２０μｍ、粘着剤厚さ：１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、実施例２のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは、引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比、Ａ／Ｂは、２６である。また、破断伸びについて実施例１と同様にして測定したところ、２２０％であった。
(Example 2)
The product name “HS-270” (thickness: 5 μm) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. was used for the adhesive sheet. This adhesive sheet was laminated on the pressure-sensitive adhesive layer surface of a dicing tape (base material thickness: 120 μm, pressure-sensitive adhesive thickness: 10 μm) obtained by applying an acrylic pressure-sensitive adhesive to an ethylene vinyl acetate copolymer film base material. A dicing tape-integrated
（比較例１）
接着シートに日立化成工業株式会社製、商品名「ＨＳ−２７０」（厚さ５０μｍ）を用いた。この接着シートを、高圧重合法により作成したポリエチレンフィルム基材に、アクリル系粘着剤を塗布したダイシングテープ（基材厚さ：８０μｍ、粘着剤厚さ：１０μｍ）の粘着剤層面に積層し、比較例１のダイシングテープ一体型接着シートを得た。このダイシングテープは、引っ張り変形時に降伏点を示さず、且つ、ダイシングテープの厚さＡと、接着シートの厚さＢとの比、Ａ／Ｂは、１．８である。
(Comparative Example 1)
The product name “HS-270” (thickness 50 μm) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. was used for the adhesive sheet. This adhesive sheet is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer surface of a dicing tape (base material thickness: 80 μm, pressure-sensitive adhesive thickness: 10 μm) coated with an acrylic pressure-sensitive adhesive on a polyethylene film base material prepared by a high pressure polymerization method. The dicing tape-integrated adhesive sheet of Example 1 was obtained. This dicing tape does not show a yield point during tensile deformation, and the ratio A / B of the thickness A of the dicing tape to the thickness B of the adhesive sheet is 1.8.
［ダイシングテープの評価］
実施例１、２及び比較例１のダイシングテープを、それぞれ短冊状に成形し、得られた短冊形状のダイシングテープについて、２５℃で引っ張り試験を行った。ひずみをＸ軸、伸びをＹ軸にプロットした場合に、傾きｄＸ／ｄＹが、正の値から０又は負の値に変化する応力値をとるものを、降伏点有りとして、このような応力値をとらないものを降伏点なしとして、それぞれ評価した。評価結果を表１に示す。
[Evaluation of dicing tape]
The dicing tapes of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were each formed into a strip shape, and the obtained strip-shaped dicing tape was subjected to a tensile test at 25 ° C. When the strain is plotted on the X-axis and the elongation is plotted on the Y-axis, the stress value where the slope dX / dY takes a stress value that changes from a positive value to 0 or a negative value is regarded as having a yield point. Those that did not take the value were evaluated as having no yield point. The evaluation results are shown in Table 1.
［接着力の評価］
実施例１、２及び比較例１で得られたダイシングテープ一体型接着シートについて、９０°はく離試験を行い、接着力を測定した。測定結果を表１に示す。
[Evaluation of adhesive strength]
The dicing tape-integrated adhesive sheets obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were subjected to a 90 ° peel test, and the adhesive strength was measured. The measurement results are shown in Table 1.
［ステルスダイシングによる接着シート付き半導体チップの作製］
実施例１、２及び比較例１で得られたダイシングテープ一体型接着シートを用い、下記（工程１）に示す方法で、接着シート付き半導体チップを製造し、その破断性を評価した。評価結果を表１に示す。
[Production of semiconductor chip with adhesive sheet by stealth dicing]
Using the dicing tape-integrated adhesive sheets obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, a semiconductor chip with an adhesive sheet was produced by the method shown in the following (Step 1), and its breakability was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.
（工程１）
半導体ウエハ（厚さ５０μｍ）の切断予定ライン上にレーザー光を照射し、半導体ウエハ内部に改質領域を形成した。
次に、半導体ウエハと接着シートとが接するように、半導体ウエハ（厚さ：８０μｍ）にホットロールラミネータ（デュポン株式会社製「Ｒｉｓｔｏｎ（商品名）」）を用いて、実施例１、２及び比較例１のダイシングテープ一体型接着シートを、６０℃でラミネートした。ダイシングテープの外周部には、ステンレス製のリングを貼付けた。
(Process 1)
A laser beam was irradiated onto a planned cutting line of a semiconductor wafer (thickness 50 μm) to form a modified region inside the semiconductor wafer.
Next, Examples 1 and 2 and the comparison were made using a hot roll laminator (“Riston (trade name)” manufactured by DuPont) on the semiconductor wafer (thickness: 80 μm) so that the semiconductor wafer and the adhesive sheet were in contact with each other. The dicing tape-integrated adhesive sheet of Example 1 was laminated at 60 ° C. A stainless steel ring was attached to the outer periphery of the dicing tape.
続いて、エキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドし、５ｍｍ角のチップを作製した。このエキスパンド条件は、エキスパンド速度が、３０ｍｍ／秒、エキスパンド量が、１５ｍｍであった。その際、半導体ウエハと接着シートが、９０％以上同時に切断されたものを○（破断性良好）として評価し、９０％未満のものを×（不良）として評価した。 Subsequently, the ring was fixed and the dicing tape was expanded by an expanding device to produce a 5 mm square chip. In this expanding condition, the expanding speed was 30 mm / second, and the expanding amount was 15 mm. At that time, when the semiconductor wafer and the adhesive sheet were cut at 90% or more at the same time, they were evaluated as ◯ (good breakability), and less than 90% were evaluated as x (defective).
１ 接着シート
２ ダイシングテープ
２ａ 粘着剤層
２ｂ 基材層
３ ダイシングテープ一体型接着シート
４ 切断予定ライン
５ 改質領域
６ 接着シート付き半導体チップ
７ 半導体チップ搭載用支持部材
１１ リンク
１２ 突き上げ部
１３ ステージ
１４ 突き上げ部が上昇した高さ（エキスパンド量）
２１ 吸着コレット
２２ 針扞
２３ ダイシングソー
Ａ 半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
21 Adsorption collet 22
Claims (5)
前記半導体ウエハを区分する方法が、ハーフカットダイシング又はステルスダイシングである半導体装置の製造方法。 (I) A resin containing a high molecular weight component, an epoxy resin and a curing agent thereof, and particles having a specific surface area of 30 to 400 m 2 / g, and the epoxy resin and the curing agent thereof with respect to the total amount of the resin The ratio of the total amount is 21 to 26% by mass, the ratio of the high molecular weight component is 70 to 85% by mass, the ratio of the particles is 2 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin, and B A dicing in which an adhesive sheet having a thickness of 50 μm or less , having a breaking elongation at 25 ° C. in the stage state of more than 40%, and a dicing tape whose adhesive force is reduced by irradiation with energy rays and does not show a yield point when being deformed in tension. A tape-integrated adhesive sheet , wherein the ratio (A / B) of the thickness A of the dicing tape and the thickness B of the adhesive sheet (A / B) is 2 to 30, A step of attaching to a semiconductor wafer having a thickness of 100 μm or less, and (II) a step of dividing the semiconductor wafer in the order of step (I) -step (II) or step (II) -step (I), III) cutting the semiconductor wafer and the adhesive sheet to obtain a plurality of individual semiconductor chips with an adhesive sheet; and (IV) bonding the semiconductor chip with an adhesive sheet to a semiconductor chip mounting support member. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of :
Manufacturing method of a method of partitioning a pre-Symbol semiconductor wafer, the semiconductor device is a half-cut dicing or stealth dicing.
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