JP5977954B2 - Semiconductor wafer processing sheet - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウエハ加工用シートに関し、さらに詳しくは半導体ウエハにダイシングなどの加工を行う際に、半導体ウエハを固定するために使用されるシートに関する。また、本発明の他の態様は、ダイシングシートとフィルム状接着剤との機能を兼ね備える、ダイシング・ダイボンドシートに関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer processing sheet, and more particularly to a sheet used for fixing a semiconductor wafer when processing such as dicing is performed on the semiconductor wafer. Moreover, the other aspect of this invention is related with the dicing die-bonding sheet | seat which has a function of a dicing sheet and a film adhesive.

半導体ウエハをダイシングし、得られたチップをダイボンドする一連の工程では、各種の粘着シートやフィルム状接着剤が用いられている。   Various pressure-sensitive adhesive sheets and film adhesives are used in a series of steps of dicing a semiconductor wafer and die-bonding the obtained chips.

たとえば、ダイシング工程に用いる粘着シートは、基材と粘着剤層とからなり、半導体ウエハをダイシングする際に、当該半導体ウエハを固定し、またダイシング後にはチップを保持するために用いられる。また、粘着シート上でダイシングされたチップを、該粘着シートから直接ピックアップしたり、またチップを、半導体ピックアップ用粘着シートに転写した後に、ピックアップすることがある。   For example, the pressure-sensitive adhesive sheet used in the dicing step is composed of a base material and a pressure-sensitive adhesive layer, and is used for fixing the semiconductor wafer when dicing the semiconductor wafer and holding the chip after dicing. Further, a chip diced on the pressure-sensitive adhesive sheet may be picked up directly from the pressure-sensitive adhesive sheet, or may be picked up after the chip is transferred to a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor pickup.

ダイシング工程の終了後には、チップのダイボンドを行う。この際、液状の接着剤を用いることもあるが、近年はフィルム状接着剤が多用されている。フィルム状接着剤は、半導体ウエハの片面に貼着され、ダイシング工程においてウエハとともに切断され、その後、接着剤層付のチップとしてピックアップされ、接着剤層を介してチップは所定の部位に接着される。このようなフィルム状接着剤は、基材フィルムや粘着シート上にエポキシやポリイミドなどの接着剤を製膜、半固化した層を設けることにより得られる。   After the dicing process is completed, chip die bonding is performed. At this time, a liquid adhesive may be used, but in recent years, film adhesives are frequently used. The film adhesive is adhered to one surface of a semiconductor wafer, cut together with the wafer in a dicing process, and then picked up as a chip with an adhesive layer, and the chip is bonded to a predetermined site via the adhesive layer. . Such a film-like adhesive is obtained by forming a semi-solidified layer of an adhesive such as epoxy or polyimide on a base film or a pressure-sensitive adhesive sheet.

さらに、ダイシング時のウエハ固定機能とダイボンド時のダイ接着機能とを同時に兼ね備えたダイシング・ダイボンド兼用シートも提案されている。ダイシング・ダイボンド兼用シートは、粘接着剤層と、基材とからなる。粘接着剤層は、ダイシング工程においては半導体ウエハやチップを保持し、ダイボンド時にはチップを固着するための接着剤として機能する。粘接着剤層は、ダイシング時には、ウエハとともに切断され、切断されたチップと同形状の粘接着剤層が形成される。ダイシング終了後、チップのピックアップを行うと、粘接着剤層は、チップとともに剥離する。粘接着剤層を伴ったチップを基板に載置し、加熱等を行い、チップと基板とを接着剤層を介して接着する。このようなダイシング・ダイボンド兼用シートは、基材上に、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを兼ね備えた、粘接着剤層が形成されてなる。   Furthermore, a dicing / die-bonding sheet that simultaneously has a wafer fixing function during dicing and a die bonding function during die-bonding has also been proposed. The dicing / die-bonding sheet includes an adhesive layer and a base material. The adhesive layer holds a semiconductor wafer or chip in the dicing process, and functions as an adhesive for fixing the chip during die bonding. The adhesive layer is cut together with the wafer at the time of dicing, and an adhesive layer having the same shape as the cut chip is formed. When the chip is picked up after the dicing is completed, the adhesive layer is peeled off together with the chip. The chip with the adhesive layer is placed on the substrate, heated, etc., and the chip and the substrate are bonded via the adhesive layer. Such a dicing / die-bonding sheet is formed by forming an adhesive layer having a wafer fixing function and a die bonding function on a base material.

また、チップの表面に保護膜を形成するために、硬化性の樹脂層に半導体ウエハを貼付し、樹脂層を硬化させ、その後、半導体ウエハと樹脂層をダイシングし、硬化した樹脂層(保護膜)を有するチップを製造するプロセスも提案されている。このような保護膜形成用のシートは、剥離性基材上に保護膜となる接着性の樹脂層を有する。   In addition, in order to form a protective film on the surface of the chip, a semiconductor wafer is attached to the curable resin layer, the resin layer is cured, and then the semiconductor wafer and the resin layer are diced, and the cured resin layer (protective film) A process for manufacturing a chip having) has also been proposed. Such a sheet for forming a protective film has an adhesive resin layer serving as a protective film on a peelable substrate.

これらの半導体ウエハ加工用シートを用いたウエハ加工では、ダイシング後にエキスパンドして、チップ間隔を離間し、チップのピックアップを容易にしている。このため、ウエハ加工用シートにおいては、エキスパンドできる程度の柔軟性が要求されることがある。そこで、上記半導体ウエハ加工用シートの基材としては、可塑剤を含有するポリ塩化ビニルフィルムが使用されることが多い(特許文献1および2)。   In wafer processing using these semiconductor wafer processing sheets, expansion is performed after dicing, and the chip interval is separated to facilitate chip pickup. For this reason, the wafer processing sheet may be required to be flexible enough to expand. Therefore, a polyvinyl chloride film containing a plasticizer is often used as a base material for the semiconductor wafer processing sheet (Patent Documents 1 and 2).

ポリ塩化ビニルに配合される可塑剤としては、芳香族ジカルボン酸のアルキルエステル、典型的には、ジオクチルフタレート(DOP)が使用されている。DOPなどの可塑剤を含む軟質ポリ塩化ビニル(PVC)フィルムは、その優れた機械特性(PVC)のもつ剛性と可塑剤による柔軟性を併せ持つことから各種の粘着シートの基材として幅広く使用されている。   As a plasticizer blended with polyvinyl chloride, an alkyl ester of an aromatic dicarboxylic acid, typically dioctyl phthalate (DOP) is used. Soft polyvinyl chloride (PVC) films containing plasticizers such as DOP are widely used as base materials for various pressure-sensitive adhesive sheets because of their excellent mechanical properties (PVC) and the flexibility of plasticizers. Yes.

しかし、DOPは、欧州におけるRoHS(危険物質に関する制限)指令の規制対象候補物質であり、またREACH(欧州連合における人の健康や環境の保護のための欧州議会及び欧州理事会規則)において、SVHC(高懸念物質)の認可物質として挙げられている。このため、今後DOPの使用については制限される可能性が極めて高く、代替物質の検索が行われている。   However, DOP is a candidate for regulation under the RoHS (Dangerous Substances Restriction) Directive in Europe, and in REACH (European Parliament and European Council Regulations for the Protection of Human Health and the Environment in the European Union) It is listed as an approved substance (substance of high concern). For this reason, there is a very high possibility that the use of DOP will be restricted in the future, and search for alternative substances is being conducted.

DOPの代替として、アジピン酸エステルが着目されたが、その化学構造上十分な特性が得られていない。たとえば、アジピン酸エステルを電子部材加工用粘着シートの基材として用いた場合、粘着剤を基材上に形成した直後においては問題がないものの、一定期間保管後に被着体に粘着剤の成分が転着することがあった。粘着剤が転着した電子部材は、その後の工程または実装後に種々の問題を引き起こすことがある。また、トリメリット酸エステル等、フタル酸が誘導体として発生しにくい化合物であっても、芳香環を有するために不純物としてフタル酸を含む懸念がある。   As an alternative to DOP, attention has been focused on adipic acid ester, but sufficient characteristics are not obtained in terms of its chemical structure. For example, when adipic acid ester is used as the base material of the pressure-sensitive adhesive sheet for electronic member processing, there is no problem immediately after the pressure-sensitive adhesive is formed on the base material, but the adhesive component is not attached to the adherend after storage for a certain period of time. There was a case of transfer. The electronic member to which the adhesive has been transferred may cause various problems after the subsequent process or mounting. Moreover, even if it is a compound which phthalic acid is hard to generate | occur | produce as a derivative, such as trimellitic acid ester, since it has an aromatic ring, there exists a concern containing phthalic acid as an impurity.

特開2001−207140号公報JP 2001-207140 A 特開2010−260893号公報JP 2010-260893 A

本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、基材がDOPを含まないにも関わらず、十分なエキスパンド性を示し、しかも粘着特性の経時変化の少ない半導体ウエハ加工用シートを提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the prior art as described above, and for semiconductor wafer processing that exhibits sufficient expandability and has little change in adhesive properties over time even though the substrate does not contain DOP. The purpose is to provide a seat.

上記課題を解決する本発明の要旨は、以下の通りである。
(1)脂環族エステル化合物を可塑剤として含有する塩化ビニル製基材の少なくとも片面に、接着性樹脂層を有する半導体ウエハ加工用シート。
The gist of the present invention for solving the above problems is as follows.
(1) A semiconductor wafer processing sheet having an adhesive resin layer on at least one surface of a vinyl chloride base material containing an alicyclic ester compound as a plasticizer.

(2)脂環族エステル化合物が、シクロヘキサンジカルボン酸と、炭素数6〜12のアルコールとのジエステルである(1)に記載の半導体ウエハ加工用シート。 (2) The semiconductor wafer processing sheet according to (1), wherein the alicyclic ester compound is a diester of cyclohexanedicarboxylic acid and an alcohol having 6 to 12 carbon atoms.

(3)シクロヘキサンジカルボン酸が、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸であり、アルコールがイソノニルアルコールである(2)に記載の半導体ウエハ加工用シート。 (3) The semiconductor wafer processing sheet according to (2), wherein the cyclohexanedicarboxylic acid is 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid and the alcohol is isononyl alcohol.

(4)塩化ビニル製基材における脂環族エステル化合物の含有量が、塩化ビニル100質量部に対して5〜100質量部である(1)〜(3)の何れかに記載の半導体ウエハ加工用シート。 (4) The semiconductor wafer processing according to any one of (1) to (3), wherein the content of the alicyclic ester compound in the vinyl chloride substrate is 5 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of vinyl chloride. Sheet.

(5)接着性樹脂層が、感圧接着性を有する(1)〜(4)の何れかに記載の半導体ウエハ加工用シート。 (5) The semiconductor wafer processing sheet according to any one of (1) to (4), wherein the adhesive resin layer has pressure-sensitive adhesiveness.

(6)接着性樹脂層が、エネルギー線硬化型粘着剤からなる(5)に記載の半導体ウエハ加工用シート。 (6) The semiconductor wafer processing sheet according to (5), wherein the adhesive resin layer is made of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive.

(7)接着性樹脂層が、アクリル系粘着剤からなる(5)または(6)に記載の半導体ウエハ加工用シート。 (7) The semiconductor wafer processing sheet according to (5) or (6), wherein the adhesive resin layer is made of an acrylic pressure-sensitive adhesive.

(8)アクリル系粘着剤の含有する(メタ)アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度が−50〜30℃である(7)に記載の半導体ウエハ加工用シート。 (8) The semiconductor wafer processing sheet according to (7), wherein the (meth) acrylic acid ester copolymer contained in the acrylic pressure-sensitive adhesive has a glass transition temperature of −50 to 30 ° C.

(9)半導体ウエハのダイシングを行う際に、半導体ウエハおよびダイシング後のチップを保持するために使用される(1)〜(8)の何れかに記載の半導体ウエハ加工用シート。 (9) The semiconductor wafer processing sheet according to any one of (1) to (8), which is used for holding the semiconductor wafer and the chips after dicing when dicing the semiconductor wafer.

(10)接着性樹脂層が、エポキシ系接着剤またはポリイミド系接着剤を含有する(1)〜(9)の何れかに記載の半導体ウエハ加工用シート。 (10) The semiconductor wafer processing sheet according to any one of (1) to (9), wherein the adhesive resin layer contains an epoxy adhesive or a polyimide adhesive.

(11)半導体ウエハおよびダイシング後のチップに、接着性樹脂層を転写するための(9)または(10)に記載の半導体ウエハ加工用シート。 (11) The semiconductor wafer processing sheet according to (9) or (10) for transferring the adhesive resin layer to the semiconductor wafer and the chip after dicing.

本発明では、半導体ウエハ加工用シートの基材に、可塑剤として脂環族エステル化合物を含有する塩化ビニル基材を使用して、十分なエキスパンド性を示し、しかも粘着特性の経時変化の少ない半導体ウエハ加工用シートを得ている。すなわち、DOPを使用せず、DOP使用品と同等あるいはそれ以上の性能を達成し得た。このため、今後規制が予定されるDOP使用品の代替品としての展開が期待される。   In the present invention, a vinyl chloride base material containing an alicyclic ester compound as a plasticizer is used as a base material for a semiconductor wafer processing sheet, and the semiconductor exhibits sufficient expandability and has little change in adhesive properties over time. A wafer processing sheet is obtained. That is, the performance equivalent to or higher than that of the DOP-use product could be achieved without using the DOP. For this reason, it is expected to be developed as an alternative to the DOP-use product that will be regulated in the future.

以下に、本発明に係る半導体ウエハ加工用シートについて、さらに具体的に説明する。   Hereinafter, the semiconductor wafer processing sheet according to the present invention will be described more specifically.

本発明に係る半導体ウエハ加工用シートは、基材と、その少なくとも片面に形成された接着性樹脂層とを有する。   The sheet for processing a semiconductor wafer according to the present invention has a base material and an adhesive resin layer formed on at least one surface thereof.

(基材)
前記基材は、脂環族エステル化合物を可塑剤として含有する塩化ビニル系樹脂からなる。
(Base material)
The base material is made of a vinyl chloride resin containing an alicyclic ester compound as a plasticizer.

本発明に用いられる塩化ビニル系樹脂とは、-CH2-CHCl-で表される繰り返し単位を有するポリマーすべてを指し、塩化ビニルの単独重合体、及びエチレン-塩化ビニル共重合体等の塩化ビニルと重合性モノマーとの共重合体、並びに塩素化塩化ビニル共重合体等の単独および共重合体を改質したもの、さらには塩素化ポリエチレン等の構造上塩化ビニル樹脂と類似の塩素化ポリエチレンを包含する。また、これらの塩化ビニル系樹脂は数平均重合度で300〜3000が好ましく、さらには1000〜2500の重合度を有しているのがより好ましい。これらの塩化ビニル系樹脂を単独、または2種以上併用して基材を構成する塩化ビニル樹脂成分とすることができる。 The vinyl chloride resin used in the present invention refers to all polymers having a repeating unit represented by —CH 2 —CHCl—, such as a vinyl chloride homopolymer and an ethylene-vinyl chloride copolymer. A copolymer of a monomer and a polymerizable monomer, and a homopolymer or modified copolymer such as a chlorinated vinyl chloride copolymer, or a chlorinated polyethylene similar in structure to a vinyl chloride resin such as chlorinated polyethylene. Include. Further, these vinyl chloride resins preferably have a number average degree of polymerization of 300 to 3000, and more preferably 1000 to 2500. These vinyl chloride resins can be used alone or in combination of two or more to form a vinyl chloride resin component constituting the substrate.

可塑剤として用いられる脂環族エステルは、脂環族ジカルボン酸とアルコールとのエステルである。脂環族エステルとしては、シクロブタンジカルボン酸のエステル、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環式カルボン酸と、メタノール、エタノール、プロパノール、n−ブタノール、n−ペンタノール、n−ヘキサノール、n−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、n−ノナノール、イソノナノール、n−デカノール、n−ドデカノール、n−テトラデカノール等のアルコールとのエステルが挙げられる。
Alicyclic ester used as the plasticizer is an ester of an alicyclic dicarboxylic acid and an alcohol. As alicyclic esters, cyclobutanedicarboxylic acid esters, cyclopentanecarboxylic acid, cyclohexanedicarboxylic acid and other alicyclic carboxylic acids, methanol, ethanol, propanol, n-butanol, n-pentanol, n-hexanol, n Examples include esters with alcohols such as -heptanol, n-octanol, 2-ethylhexanol, n-nonanol, isononanol, n-decanol, n-dodecanol, n-tetradecanol.

脂環族ジカルボン酸は、立体的な安定性の観点から好ましくはシクロヘキサンジカルボン酸であり、カルボキシル基の置換位は特に限定はされないが、好ましくは1,2−シクロヘキサンジカルボン酸である。またアルコールとしては、炭素数6〜12のアルコールが好ましく、炭素数8〜10のアルコールがさらに好ましく、イソノナノールが特に好ましい。したがって、本発明において特に好ましく用いられる可塑剤は、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステルである。   The alicyclic dicarboxylic acid is preferably cyclohexanedicarboxylic acid from the viewpoint of steric stability, and the substitution position of the carboxyl group is not particularly limited, but is preferably 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid. The alcohol is preferably an alcohol having 6 to 12 carbon atoms, more preferably an alcohol having 8 to 10 carbon atoms, and particularly preferably isononanol. Therefore, the plasticizer particularly preferably used in the present invention is 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid diisononyl ester.

脂環族エステルを用いることで、必然的に芳香族エステルであるフタル酸ジエステルが排除され、かつ不純物としてフタル酸を含有する可能性が激減し、環境負荷および有毒性の懸念がなく、塩化ビニル系樹脂を主成分とする基材を可塑化することができる。また、本発明の半導体ウエハ加工用シートが、基材上に再剥離性の粘着剤層を設けた粘着シートである場合には、後述するようにシートの製造の後、保管の最中に基材内部の可塑剤が粘着剤層内部に移行し、粘着剤層内部に取り込まれることがある。このような場合、その原理は明らかではないが、エステル類の選択によっては、基材の可塑剤として用いた場合に、半導体ウエハ加工用シートを半導体ウエハから剥離する際に粘着剤層の成分が半導体に残存する不具合(糊残り)が発生することがある。このような糊残り現象の発生は、半導体ウエハ加工用シートを作製後、経時により顕著となる傾向がある。脂環族エステルを用いた場合、このような半導体ウエハ上の残渣物の発生を抑制することができる。   The use of alicyclic esters inevitably eliminates phthalic acid diesters, which are aromatic esters, and drastically reduces the possibility of containing phthalic acid as an impurity. It is possible to plasticize a base material mainly composed of a resin. Further, when the semiconductor wafer processing sheet of the present invention is an adhesive sheet in which a removable adhesive layer is provided on a base material, the sheet is manufactured during the storage after the manufacture of the sheet as described later. The plasticizer inside the material may move into the pressure-sensitive adhesive layer and be taken into the pressure-sensitive adhesive layer. In such a case, the principle is not clear, but depending on the choice of esters, when used as a plasticizer for the substrate, the components of the adhesive layer may be different when peeling the semiconductor wafer processing sheet from the semiconductor wafer. A defect (glue residue) may remain in the semiconductor. The occurrence of such an adhesive residue phenomenon tends to become more prominent with time after the production of the semiconductor wafer processing sheet. When the alicyclic ester is used, the generation of such a residue on the semiconductor wafer can be suppressed.

基材における脂環族エステル化合物の含有量は、基材を構成する塩化ビニル樹脂100質量部に対して、好ましくは5〜100質量部、さらに好ましくは10〜50質量部、特に好ましくは20〜40質量部である。基材における脂環族エステル化合物の含有量が過小であると、基材の柔軟性がなく、半導体ウエハ加工用シートのエキスパンド性が不十分になる。基材における脂環族エステル化合物の含有量が過大であると、基材が過度に柔らかくなりハンドリング性が低下したり、基材の可塑剤が接着性樹脂層に移行し、接着性樹脂層の性能が経時的に変化したりすることがある。なお、基材における脂環族エステルの含有量がこのような範囲にあると、後述のように基材上に再剥離性の粘着剤層を設けた粘着シートにおいて、シートの製造の後、保管の最中に基材内部の可塑剤が粘着剤層内部に移行する現象が生じやすくなる。その場合であっても、脂環族エステルを基材の可塑剤として用いることで、粘着剤の糊残りの問題を防止しうる。   The content of the alicyclic ester compound in the substrate is preferably 5 to 100 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass, particularly preferably 20 to 100 parts by mass of the vinyl chloride resin constituting the substrate. 40 parts by mass. If the content of the alicyclic ester compound in the substrate is too small, the substrate is not flexible, and the expandability of the semiconductor wafer processing sheet becomes insufficient. If the content of the alicyclic ester compound in the base material is excessive, the base material becomes excessively soft and the handling property is lowered, or the plasticizer of the base material moves to the adhesive resin layer, and the adhesive resin layer The performance may change over time. In addition, when the content of the alicyclic ester in the base material is in such a range, in the pressure-sensitive adhesive sheet provided with a re-peelable pressure-sensitive adhesive layer on the base material as described later, the sheet is stored after manufacture. During this, a phenomenon in which the plasticizer inside the base material moves to the inside of the pressure-sensitive adhesive layer easily occurs. Even in that case, the problem of adhesive residue of the pressure-sensitive adhesive can be prevented by using the alicyclic ester as a plasticizer for the base material.

また、基材には、さらに強度を向上するための充填剤が含まれていてもよい。さらに化学的安定性付与のために、バリウム・亜鉛系安定剤、カルシウム・亜鉛系安定剤などが配合されていてもよい。このような安定剤は、塩化ビニル樹脂100質量部に対して、1.5〜3.5質量部程度の割合で含まれていてもよい。また、これらの他にも、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、紫外線吸収剤、光安定剤等の添加剤が含まれていてもよい。これらの充填剤、安定剤、添加剤等は、塩化ビニル樹脂100質量部に対して、1.0〜8.0質量部程度の割合で含まれていても良い。また、前記脂環族エステル化合物以外の可塑剤を、本発明の目的を損なわない範囲で含んでいても良い。   The base material may further contain a filler for improving the strength. Furthermore, in order to impart chemical stability, a barium / zinc stabilizer, a calcium / zinc stabilizer, or the like may be blended. Such a stabilizer may be contained at a ratio of about 1.5 to 3.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the vinyl chloride resin. In addition to these, additives such as a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, an organic lubricant, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer may be contained. These fillers, stabilizers, additives and the like may be contained at a ratio of about 1.0 to 8.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the vinyl chloride resin. Moreover, you may contain plasticizers other than the said alicyclic ester compound in the range which does not impair the objective of this invention.

基材の厚みは特に限定はされず、半導体ウエハ加工用シートの用途により様々であるが、一般的には10〜300μm、好ましくは40〜120μm程度である。基材の厚みが薄すぎると、シートがダイシング工程における被加工物に固定に用いられる場合に、ダイシングブレードにより基材が切り込まれると、その部分の厚みが極度に薄くなり、エキスパンドの際に断裂するおそれがある。厚すぎると引張りに対する力が昂進し、エキスパンド適性が低下することがある。さらに、基材の接着性樹脂層と接する面には接着性樹脂層との密着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けてもよい。さらに基材から接着性樹脂層を剥離し、チップ等に接着性樹脂層を転写する場合には、接着性樹脂層と基材との間での剥離を容易にするため、基材表面に剥離処理を施しても良い。この場合、基材の表面張力は、好ましくは40mN/m以下、さらに好ましくは37mN/m以下、特に好ましくは35mN/m以下である。剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。   The thickness of the substrate is not particularly limited and varies depending on the use of the semiconductor wafer processing sheet, but is generally about 10 to 300 μm, preferably about 40 to 120 μm. If the base material is too thin, the sheet will be used for fixing to the workpiece in the dicing process, and if the base material is cut by the dicing blade, the thickness of that part will become extremely thin, and during expansion There is a risk of tearing. If it is too thick, the tensile force may increase and the expansibility may decrease. Furthermore, in order to improve the adhesiveness with the adhesive resin layer, the surface of the substrate that contacts the adhesive resin layer may be subjected to corona treatment or other layers such as a primer. Furthermore, when peeling the adhesive resin layer from the substrate and transferring the adhesive resin layer to the chip, etc., it is peeled off from the substrate surface to facilitate peeling between the adhesive resin layer and the substrate. Processing may be performed. In this case, the surface tension of the substrate is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, and particularly preferably 35 mN / m or less. As the release agent used for the release treatment, alkyd, silicone, fluorine, unsaturated polyester, polyolefin, wax, and the like are used. In particular, alkyd, silicone, and fluorine release agents are heat resistant. This is preferable.

上記の剥離剤を用いて基材の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。   In order to release the surface of the substrate using the above release agent, the release agent can be applied as it is without solvent, or after solvent dilution or emulsification, using a gravure coater, Mayer bar coater, air knife coater, roll coater, etc. Then, the laminate may be formed by room temperature or heating or electron beam curing, wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, or the like.

また、塩化ビニル系樹脂は一般に耐熱性に劣り、上記のような剥離処理手段をとれないことがある。このような場合には、剥離剤としてエネルギー線硬化性のものを用い、基材用の塩化ビニル系樹脂フィルムに剥離剤を塗布し、エネルギー線照射により硬化させることで形成させることも可能である。   In addition, vinyl chloride resins are generally inferior in heat resistance, and the above-described peeling treatment means may not be taken. In such a case, it is possible to use an energy ray curable release agent as the release agent, apply the release agent to the vinyl chloride resin film for the substrate, and cure by irradiation with energy rays. .

基材の製法は特に限定はされないが、前記塩化ビニル樹脂、可塑剤としての脂環族エステル化合物、安定剤、その他の添加剤を混合し、得られた混合物を製膜して得られる。   Although the manufacturing method of a base material is not specifically limited, The said vinyl chloride resin, the alicyclic ester compound as a plasticizer, a stabilizer, and other additives are mixed, and the obtained mixture is formed into a film.

各成分の混合は、一般的には機械的溶融混練方法により、単軸押出機、二軸押出機、バンバリーミキサー、各種ニーダー、ブラベンダー、カレンダーロール等が用いられる。この際、各成分の添加順序には制限がない。また、溶融混練する温度は140℃〜220℃の中から好適に選ぶことができる。   For mixing the components, a single-screw extruder, a twin-screw extruder, a Banbury mixer, various kneaders, a brabender, a calender roll and the like are generally used by a mechanical melt kneading method. At this time, there is no restriction on the order of adding each component. The temperature for melt kneading can be suitably selected from 140 ° C to 220 ° C.

得られた混合物をシート状に加工して、基材が得られる。シート加工は、押し出し成形、カレンダー成形、インフレーション成型など一般成形加工法によって行えばよい。   The obtained mixture is processed into a sheet to obtain a substrate. The sheet processing may be performed by a general molding processing method such as extrusion molding, calendar molding, and inflation molding.

また、製膜の方法は上記に例示した混合物を溶液あるいは溶融状態とし、ナイフコーター等の塗工手段により塗工を行うことによるものであってもよい。   The film forming method may be a method in which the mixture exemplified above is made into a solution or a molten state, and coating is performed by a coating means such as a knife coater.

(接着性樹脂層)
半導体ウエハ加工用シートにおける接着性樹脂層は、シートの用途に応じて様々な機能を有する樹脂の中から適宜に選択される。
(Adhesive resin layer)
The adhesive resin layer in the semiconductor wafer processing sheet is appropriately selected from resins having various functions depending on the use of the sheet.

(感圧接着性樹脂層)
中でも、半導体ウエハ加工用シートを、接着性樹脂層が再剥離性を有する感圧性接着剤層(粘着剤層)からなる粘着シートとすることが特に好ましく、半導体ウエハ加工用シートをダイシングシートとして用いることが特に好ましい。半導体ウエハ加工用シートは基材が可塑剤を含有する軟質塩化ビニル樹脂から構成されるため、エキスパンド適性に優れており、特に、チップ間隔が等方的に拡張しやすいため、エキスパンド後のチップ整列性に優れる。また、ダイシングブレードが基材との接触部において摺動することに起因した切削片の発生が起こりにくい。加えて、切断時の衝撃によりチップが欠けたり、割れたりする現象が起こりにくい。なお、粘着シートの用途は、ダイシングシートに限らず、たとえば個片化されたチップを他のシートから移し変えてエキスパンドを行った後、チップの取り上げ(ピックアップ)を行うためのシート等、エキスパンドを伴う用途は同様の見地から好適である。
(Pressure-sensitive adhesive resin layer)
Among them, the semiconductor wafer processing sheet is particularly preferably a pressure-sensitive adhesive sheet composed of a pressure-sensitive adhesive layer (adhesive layer) in which the adhesive resin layer has removability, and the semiconductor wafer processing sheet is used as a dicing sheet. It is particularly preferred. The semiconductor wafer processing sheet is composed of a soft vinyl chloride resin containing a plasticizer, so it has excellent expandability. In particular, the chip spacing is easy to expand isotropically, so chip alignment after expansion Excellent in properties. In addition, it is difficult for cutting pieces to be generated due to the dicing blade sliding at the contact portion with the substrate. In addition, the phenomenon that the chip is chipped or broken due to an impact at the time of cutting hardly occurs. The use of the adhesive sheet is not limited to the dicing sheet. For example, after expanding the chip separated from the other sheet, the expanded sheet such as a sheet for picking up the chip (pickup) can be used. The accompanying application is preferable from the same viewpoint.

可塑剤を含有する塩化ビニル系樹脂からなる基材上に粘着剤層を設けた半導体ウエハ加工用シートにおいては、保管中に基材内部に存在する可塑剤が粘着剤層内部に移行することがある。これは、基材内部と、粘着剤層内部の可塑剤の濃度勾配に起因した拡散現象によるものであり、基材中の可塑剤の濃度が高いほど生じやすくなる。このように可塑剤が粘着剤層に移行する場合であっても、上述したように基材の可塑剤として脂環族エステルを用いることで糊残りの抑制を図ることができる。ダイシングシートは、半導体ウエハをダイシングしチップ化する際に、半導体ウエハならびにダイシングにより生成するチップを保持しておくために使用される。したがって、ダイシング後にチップを剥離できる程度の適度な再剥離性を有することが求められる。このような粘着剤層は、従来より公知の種々の感圧性接着剤(粘着剤)により形成され得る。粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。これらの中でも粘着力の制御が容易なアクリル系粘着剤が特に好ましい。   In a semiconductor wafer processing sheet provided with a pressure-sensitive adhesive layer on a base material made of a vinyl chloride resin containing a plasticizer, the plasticizer present inside the base material may migrate to the inside of the pressure-sensitive adhesive layer during storage. is there. This is due to a diffusion phenomenon caused by the concentration gradient of the plasticizer inside the base material and inside the pressure-sensitive adhesive layer, and is more likely to occur as the concentration of the plasticizer in the base material is higher. Even when the plasticizer moves to the pressure-sensitive adhesive layer as described above, it is possible to suppress the adhesive residue by using the alicyclic ester as the plasticizer for the substrate as described above. The dicing sheet is used to hold a semiconductor wafer and chips generated by dicing when the semiconductor wafer is diced into chips. Therefore, it is required to have an appropriate re-peelability that can peel the chip after dicing. Such a pressure-sensitive adhesive layer can be formed by various conventionally known pressure-sensitive adhesives (pressure-sensitive adhesives). The pressure-sensitive adhesive is not limited at all. For example, a rubber-based, acrylic-based, silicone-based, polyvinyl ether, or other pressure-sensitive adhesive is used. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive that can easily control the adhesive force is particularly preferable.

アクリル系粘着剤は、(メタ)アクリル酸エステル共重合体を主剤とする。(メタ)アクリル酸エステル共重合体としては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸−2−エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸ドデシル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸ミリスチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸イソボルニルなどのエステル構造に炭化水素のみが付加した(メタ)アクリル酸エステルの1種以上の単量体と、必要に応じて、アクリル酸−2−ヒドロキシエチル、アクリル酸−2−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−3−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−3−ヒドロキシブチル、アクリル酸−4−ヒドロキシブチル、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−2−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸−3−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸−3−ヒドロキシブチル、メタクリル酸−4−ヒドロキシブチルなどの水酸基含有(メタ)アクリル酸アルキルエステル;アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸などのカルボキシル基含有化合物;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル;アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノ基含有化合物;アクリルアミドなどのアミド基含有化合物;スチレン、ビニルピリジンなどの芳香族化合物などの重合性単量体から選ばれる1種以上の単量体の共重合体などが挙げられる。なお、重合性単量体が1種である場合には狭義の共重合体ではないが、そのような場合も含めて共重合体と総称する。   The acrylic pressure-sensitive adhesive mainly comprises a (meth) acrylic acid ester copolymer. Examples of (meth) acrylic acid ester copolymers include methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, -2-ethylhexyl acrylate, decyl acrylate, dodecyl acrylate, lauryl acrylate, and myristyl acrylate. One or more of (meth) acrylate esters in which only hydrocarbons are added to ester structures such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, benzyl acrylate, cyclohexyl acrylate, and isobornyl acrylate Monomer and optionally, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxybutyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, Metacri Hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid alkyl esters such as acid-2-hydroxyethyl, methacrylate-2-hydroxypropyl, methacrylate-3-hydroxypropyl, methacrylate-3-hydroxybutyl, methacrylate-4-hydroxybutyl; Carboxyl group-containing compounds such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid and fumaric acid; Vinyl esters such as vinyl acetate and vinyl propionate; Cyano group-containing compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile; Amide group-containing compounds such as acrylamide; Styrene And a copolymer of one or more monomers selected from polymerizable monomers such as aromatic compounds such as vinylpyridine. In addition, although it is not a narrowly-defined copolymer when the polymerizable monomer is one kind, it is generically called a copolymer including such a case.

(メタ)アクリル酸エステル共重合体におけるエステル構造に炭化水素のみが付加した(メタ)アクリル酸エステルに由来する単位の含有割合は、10〜98質量%が好ましく、20〜95質量%がより好ましく、50〜93質量%がさらに好ましい。(メタ)アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、10万〜250万が好ましく、20万〜150万がより好ましく、30万〜100万が特に好ましい。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定した標準ポリスチレン換算の値である。   The content ratio of the unit derived from the (meth) acrylic acid ester in which only the hydrocarbon is added to the ester structure in the (meth) acrylic acid ester copolymer is preferably 10 to 98% by mass, and more preferably 20 to 95% by mass. 50 to 93% by mass is more preferable. The weight average molecular weight of the (meth) acrylic acid ester copolymer is preferably 100,000 to 2,500,000, more preferably 200,000 to 1,500,000, and particularly preferably 300,000 to 1,000,000. In the present specification, the weight average molecular weight is a value in terms of standard polystyrene measured by gel permeation chromatography.

これらの粘着剤は、1種単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの粘着剤のうち、アクリル系粘着剤が好ましく用いられる。特に、アクリル系共重合体を、ポリイソシアナート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、キレート系架橋剤などの架橋剤の1種以上で架橋させて得られるアクリル系粘着剤が好ましい。   These pressure-sensitive adhesives can be used alone or in combination of two or more. Of these pressure-sensitive adhesives, acrylic pressure-sensitive adhesives are preferably used. In particular, an acrylic pressure-sensitive adhesive obtained by crosslinking an acrylic copolymer with one or more of a crosslinking agent such as a polyisocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, or a chelating crosslinking agent is preferable. .

エポキシ系架橋剤としては、(1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、N,N,N',N'−テトラグリジル−m−キシリレンジアミン、N,N,N',N'−テトラグリジルアミノフェニルメタン、トリグリシジルイソシアネート、m−N,N−ジグリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、N,N−ジグリシジルトルイジン、N,N−ジグリシジルアニリン、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等が挙げられる。
The epoxy based crosslinking agent, (1,3-bis (N, N-diglycidyl aminomethyl) cyclohexane, N, N, N ', N'Tetoraguri sheet Jill -m- xylylene amine, N, N, N ', N'- Tetoraguri sheet Jill aminophenyl methane, triglycidyl isocyanate, m-N, N-diglycidyl-aminophenyl glycidyl ether, N, N-diglycidyl toluidine, N, N-diglycidyl aniline, pentaerythritol polyglycidyl ether 1,6-hexanediol diglycidyl ether and the like.

ポリイソシアナート系架橋剤としては、トリレンジイソシアナート(TDI)、ヘキサメチレンジイソシアナート(HMDI)、イソホロンジイソシアナート(IPDI)、キシリレンジイソシアナート(XDI)、水素化トリレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート及びその水添体、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアナート、ナフチレン−1,5−ジイソシアナート、ポリイソシアナートプレポリマー、ポリメチロールプロパン変性TDIなどが挙げられる。   Polyisocyanate-based crosslinking agents include tolylene diisocyanate (TDI), hexamethylene diisocyanate (HMDI), isophorone diisocyanate (IPDI), xylylene diisocyanate (XDI), hydrogenated tolylene diisocyanate, diphenylmethane Examples thereof include diisocyanates and hydrogenated products thereof, polymethylene polyphenyl polyisocyanates, naphthylene-1,5-diisocyanates, polyisocyanate prepolymers, and polymethylolpropane-modified TDI.

架橋剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。架橋剤の使用量は、アクリル系共重合体100質量部に対して、0.01〜20質量部が好ましい。   A crosslinking agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. As for the usage-amount of a crosslinking agent, 0.01-20 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of acrylic copolymers.

さらに、半導体ウエハ加工用シートをダイシングシートとして用いる場合、粘着剤層は、エネルギー線硬化や加熱発泡、水膨潤などにより接着力を制御できる粘着剤であってもよい。エネルギー線硬化型粘着剤層は、従来より公知のガンマ線、電子線、紫外線、可視光等のエネルギー線の照射により硬化する種々のエネルギー線硬化型粘着剤により形成され得るが、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。   Furthermore, when the semiconductor wafer processing sheet is used as a dicing sheet, the pressure-sensitive adhesive layer may be a pressure-sensitive adhesive whose adhesive force can be controlled by energy ray curing, heat foaming, water swelling, or the like. The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer can be formed of various energy ray-curable pressure-sensitive adhesives that are cured by irradiation with energy rays such as gamma rays, electron beams, ultraviolet rays, and visible light that are conventionally known. It is preferable to use an agent.

エネルギー線硬化型粘着剤としては、例えばアクリル系粘着剤に、多官能エネルギー線硬化樹脂を混合した粘着剤が挙げられる。多官能エネルギー線硬化樹脂としては、エネルギー線重合性の官能基を複数有する低分子化合物、ウレタンアクリレートオリゴマーなどが挙げられる。また、側鎖にエネルギー線重合性の官能基を有するアクリル系共重合体を含む粘着剤も用いることができる。このようなエネルギー線重合性官能基としては(メタ)アクリロイル基が好ましい。   Examples of the energy ray curable pressure sensitive adhesive include a pressure sensitive adhesive obtained by mixing a polyfunctional energy ray curable resin with an acrylic pressure sensitive adhesive. Examples of the polyfunctional energy ray curable resin include low molecular weight compounds having a plurality of energy ray polymerizable functional groups, urethane acrylate oligomers, and the like. An adhesive containing an acrylic copolymer having an energy ray polymerizable functional group in the side chain can also be used. Such an energy ray polymerizable functional group is preferably a (meth) acryloyl group.

本発明において、粘着剤層のガラス転移温度(Tg)は、−50℃〜30℃が好ましく、−25℃〜30℃であることが好ましい。また、基材における脂環族エステルの含有量が多い場合には、粘着剤層のガラス転移温度(Tg)は0〜30℃であることが好ましく、5〜25℃であることがさらに好ましい。ここで、粘着剤層のTgとは、粘着剤層を積層させた試料の周波数11Hzでの動的粘弾性測定において、−50〜50℃の領域で損失正接(tanδ)が最大値を示す温度を指す。なお、粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤である場合には、エネルギー線照射により粘着剤層を硬化させる前のガラス転移温度を指す。粘着剤層が前記したアクリル系粘着剤からなる場合は、粘着剤層のガラス転移温度は、前記したアクリル系粘着剤を構成する単量体の種類および重合比を規制し、場合によって添加される紫外線硬化性化合物や架橋剤の影響を見積もることにより制御できる。   In this invention, -50 degreeC-30 degreeC is preferable and, as for the glass transition temperature (Tg) of an adhesive layer, it is preferable that it is -25 degreeC-30 degreeC. Moreover, when there is much content of alicyclic ester in a base material, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) of an adhesive layer is 0-30 degreeC, and it is more preferable that it is 5-25 degreeC. Here, the Tg of the pressure-sensitive adhesive layer is the temperature at which the loss tangent (tan δ) shows the maximum value in the region of −50 to 50 ° C. in the dynamic viscoelasticity measurement at a frequency of 11 Hz of the sample on which the pressure-sensitive adhesive layer is laminated. Point to. In addition, when an adhesive layer is an energy ray hardening-type adhesive, the glass transition temperature before hardening an adhesive layer by energy ray irradiation is pointed out. When the pressure-sensitive adhesive layer is composed of the above-mentioned acrylic pressure-sensitive adhesive, the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer regulates the type and polymerization ratio of the monomers constituting the above-mentioned acrylic pressure-sensitive adhesive, and is added in some cases. It can be controlled by estimating the influence of the ultraviolet curable compound and the crosslinking agent.

基材における脂環族エステルの含有量が多い場合の粘着剤層のガラス転移温度の好ましい範囲は、一般に粘着剤に関して好ましいとされる範囲よりも高いものである。このような範囲が好ましい理由は次のとおりである。上述したように、本発明の一形態である粘着シートにおいては、基材内部の可塑剤が粘着剤層に移行する場合がある。そして、移行によって粘着剤層が可塑剤を内包することとなり、粘着剤層が軟化する傾向がある。この場合であってもガラス転移温度が上記範囲であれば、粘着剤層の凝集力が過度に低下することなく、糊残り防止効果が損なわれにくい。   The preferable range of the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer when the content of the alicyclic ester in the substrate is large is higher than the range generally preferable for the pressure-sensitive adhesive. The reason why such a range is preferable is as follows. As described above, in the pressure-sensitive adhesive sheet according to one embodiment of the present invention, the plasticizer inside the substrate may move to the pressure-sensitive adhesive layer. And the adhesive layer encloses a plasticizer by transfer, and there exists a tendency for an adhesive layer to soften. Even in this case, if the glass transition temperature is in the above range, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is not excessively reduced, and the adhesive residue preventing effect is hardly impaired.

このようなダイシングシートは、半導体加工に汎用されていたものであり、ダイシング時にはウエハを固定し、またダイシングにより生成したチップが飛散しない程度の接着力を有する。ダイシング工程終了後には、チップをピックアップする。この際、突き上げピンや吸引コレットなどを用いて、ダイシングシートからチップをピックアップする。また、粘着剤層がエネルギー線硬化性を有する場合には、粘着剤層にエネルギー線を照射し、粘着力を低下させることで、チップのピックアップがより容易になる。また、チップのピックアップ時には、チップ同士の間隔を離間するために、ダイシングシートにチップが固定された状態でダイシングシートをエキスパンドすることが好ましい。エキスパンドによりチップ間隔が離間し、チップの認識が容易になり、またチップ同士の接触による破損も低減され歩留りも向上する。   Such a dicing sheet has been widely used for semiconductor processing, and has an adhesive strength that fixes the wafer during dicing and prevents chips generated by dicing from scattering. After the dicing process is completed, the chip is picked up. At this time, a chip is picked up from the dicing sheet using a push-up pin, a suction collet, or the like. Further, when the pressure-sensitive adhesive layer has energy ray curability, the chip can be more easily picked up by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer with energy rays to reduce the adhesive force. Further, when picking up the chips, it is preferable to expand the dicing sheet in a state where the chips are fixed to the dicing sheet in order to separate the intervals between the chips. By expanding, the distance between the chips is increased, the chips can be easily recognized, the damage due to the contact between the chips is reduced, and the yield is improved.

(フィルム状接着剤)
また、接着性樹脂層は、フィルム状接着剤であってもよい。このようなフィルム状接着剤は、チップのダイボンド工程において近年多用されている。このようなフィルム状接着剤は、好ましくはエポキシ系接着剤またはポリイミド系接着剤を製膜、半硬化したものであり、基材上または上記した粘着シート上に剥離可能に形成され、本発明の半導体ウエハ加工用シートが得られる。
(Film adhesive)
The adhesive resin layer may be a film adhesive. Such film adhesives are frequently used in the die bonding process of chips in recent years. Such a film-like adhesive is preferably an epoxy-based adhesive or a polyimide-based adhesive formed into a film and semi-cured, and is formed so as to be peelable on the substrate or the above-mentioned pressure-sensitive adhesive sheet. A semiconductor wafer processing sheet is obtained.

フィルム状接着剤層は、半導体ウエハに貼付される。その半導体ウエハとフィルム状接着剤層とをチップサイズにダイシングすることで、接着剤層付のチップが得られ、これを基材または粘着シートからピックアップし、接着剤層を介して、所定の位置にチップを固着する。なお、接着剤層付チップのピックアップ時には、前記と同様にエキスパンドを行うことが好ましい。   The film adhesive layer is attached to the semiconductor wafer. The semiconductor wafer and the film-like adhesive layer are diced to a chip size to obtain a chip with an adhesive layer, which is picked up from the base material or the pressure-sensitive adhesive sheet, and passed through the adhesive layer to a predetermined position. Affix the chip to. In addition, when picking up the chip | tip with an adhesive layer, it is preferable to expand like the above.

さらに、本発明の半導体ウエハ加工用シートは、ダイシング時のウエハ固定機能とダイボンド時のダイ接着機能とを同時に兼ね備えたダイシング・ダイボンド兼用シートであってもよい。この場合、接着性樹脂層を、粘着性を有し、又は加熱により軟化して被着体に付着することのできる性状とすることで、ダイシング工程において半導体ウエハやチップを保持することができる。そして、ダイボンド時にはチップを固着するための接着剤として機能する。接着剤層は、ダイシング時には、ウエハとともに切断され、切断されたチップと同形状の接着剤層が形成される。ダイシング終了後、チップのピックアップを行うと、接着剤層は、チップとともに基材から剥離する。接着剤層を伴ったチップを基板に載置し、加熱等を行い、チップと、基板や他のチップ等の被着体とを接着剤層を介して接着する。このようなダイシング・ダイボンド兼用シートは、基材上に、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを兼ね備えた、接着剤層が形成されてなる。このようなウエハ固定機能とダイ接着機能とを兼ね備えた接着剤は、たとえば前記したアクリル系粘着剤と、エポキシ接着剤を含み、また必要に応じ、エネルギー線硬化型化合物および硬化助剤等を含む。また、接着性樹脂層のチップへの転写を容易にするため、ダイシング・ダイボンド兼用シートにおける基材は剥離処理されていることが好ましい。なお、粘接着剤層付チップのピックアップ時には、前記と同様にエキスパンドを行うことが好ましい。   Further, the semiconductor wafer processing sheet of the present invention may be a dicing / die-bonding sheet having both a wafer fixing function during dicing and a die bonding function during die bonding. In this case, by making the adhesive resin layer sticky or having a property that can be softened by heating and attached to the adherend, the semiconductor wafer or chip can be held in the dicing process. And it functions as an adhesive for fixing the chip during die bonding. The adhesive layer is cut together with the wafer at the time of dicing, and an adhesive layer having the same shape as the cut chip is formed. When the chip is picked up after the dicing is completed, the adhesive layer is peeled off from the substrate together with the chip. A chip with an adhesive layer is placed on the substrate, heated, etc., and the chip and an adherend such as a substrate or another chip are bonded via the adhesive layer. Such a dicing / die-bonding sheet is formed by forming an adhesive layer having a wafer fixing function and a die bonding function on a base material. Such an adhesive having both a wafer fixing function and a die bonding function includes, for example, the above-mentioned acrylic pressure-sensitive adhesive and an epoxy adhesive, and, if necessary, an energy beam curable compound and a curing aid. . In order to facilitate the transfer of the adhesive resin layer to the chip, it is preferable that the base material in the dicing / die-bonding sheet is subjected to a peeling treatment. In addition, when picking up a chip with an adhesive layer, it is preferable to perform expansion in the same manner as described above.

(保護膜形成用シート)
さらに、半導体ウエハ加工用シートは、チップの裏面に保護膜を形成するための保護膜形成用シートであってもよい。この場合、接着性樹脂層に半導体ウエハを貼付し、接着性樹脂層を硬化させ、その後、半導体ウエハと樹脂層をダイシングし、硬化した樹脂層(保護膜)を有するチップを得る。このような保護膜形成用のシートは、剥離性基材上に保護膜となる接着性の樹脂層を有する。保護膜となる接着性樹脂層は、前記したアクリル系粘着剤と、エポキシ接着剤および硬化助剤を含み、また必要に応じフィラー等が含まれていても良い。
(Protective film forming sheet)
Further, the semiconductor wafer processing sheet may be a protective film forming sheet for forming a protective film on the back surface of the chip. In this case, a semiconductor wafer is attached to the adhesive resin layer, the adhesive resin layer is cured, and then the semiconductor wafer and the resin layer are diced to obtain a chip having a cured resin layer (protective film). Such a sheet for forming a protective film has an adhesive resin layer serving as a protective film on a peelable substrate. The adhesive resin layer serving as a protective film contains the above-mentioned acrylic pressure-sensitive adhesive, an epoxy adhesive and a curing aid, and may contain a filler or the like as necessary.

本発明の半導体ウエハ加工用シートにおける接着性樹脂層の厚みは、その用途により様々であり、ダイシングシートとして用いる場合は、30〜200μm程度であり、またダイシング・ダイボンド兼用シートとして用いる場合には、50〜300μm程度である。   The thickness of the adhesive resin layer in the semiconductor wafer processing sheet of the present invention varies depending on its use.When used as a dicing sheet, it is about 30 to 200 μm, and when used as a dicing / die-bonding sheet, It is about 50-300 micrometers.

以上、本発明の半導体ウエハ加工用シートについて、接着性樹脂層の代表的な組成と用途について概説したが、本発明の半導体ウエハ加工用シートにおける接着性樹脂層は上記のものに限定されることはなく、またその用途も特に限定されない。   As described above, the representative composition and application of the adhesive resin layer of the semiconductor wafer processing sheet of the present invention have been outlined, but the adhesive resin layer in the semiconductor wafer processing sheet of the present invention is limited to the above. There is no particular limitation on its use.

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。本発明において採用した測定、評価方法は次の通りである。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples. The measurement and evaluation methods employed in the present invention are as follows.

<粘着力測定>
長期経時を模した条件として、実施例および比較例で作製した半導体ウエハ加工用シートを促進条件下(40℃7日または40℃14日)に投入した。その後、該シートを、23℃相対湿度50%の環境下において24時間保管した後、幅25mmで長さ250mmにカットしたシートを鏡面処理されたシリコンウエハ(直径6インチ、厚さ650μm、ケミカルメカニカルポリッシュ後にアルカリ、次いで酸により残渣除去処理を行ったもの、反りの規格:水平面に載置した場合に端部が水平面から離れる距離が100μm以内、試料貼付面の直径0.2μm以上のパーティクル:30個以内、Al、Cr、Cu、Fe、Ni、Zn、Naの元素の存在量:5×1010atoms/cm2未満)に貼付し、23℃相対湿度50%の環境下において30分間保管した後、紫外線を照射(紫外線照射装置:Adwill(登録商標)RAD-2000m/12(リンテック社製)、230mW/cm、190mJ/cm)して粘着剤層を硬化し、23℃相対湿度50%の環境下において10分間保管した後に剥離速度300mm/min、剥離角度180°にてシートを引き剥がした際の力を測定した。また、紫外線を照射しないシートについても同様に粘着力を測定した。
<Adhesion measurement>
As conditions simulating long-term aging, the semiconductor wafer processing sheets prepared in Examples and Comparative Examples were put under accelerated conditions (40 ° C. for 7 days or 40 ° C. for 14 days). After that, the sheet was stored for 24 hours in an environment of 23 ° C. and 50% relative humidity, and then a silicon wafer (diameter 6 inches, thickness 650 μm, chemical mechanical) was prepared by cutting the sheet 25 mm wide and 250 mm long. Residue removal treatment with alkali and then acid after polishing, Warpage standard: Particles with an edge distance of 100 μm or less when placed on a horizontal surface and a diameter of 0.2 μm or more on a sample application surface: 30 Abundant, Al, Cr, Cu, Fe, Ni, Zn, Na element abundance: less than 5 × 10 10 atoms / cm 2 ) and stored in an environment of 23 ° C. and 50% relative humidity for 30 minutes after irradiation with ultraviolet (UV irradiation apparatus: Adwill (registered trade mark) RAD-2000m / 12 (Lintec Corporation), 230mW / cm 2, 190mJ / cm 2) to cure the to the adhesive layer, 3 ° C. and 50% relative humidity the release rate of 300 mm / min after storage for 10 minutes under the environment was measured force when peeled sheet at a peeling angle of 180 °. Moreover, the adhesive force was similarly measured about the sheet | seat which is not irradiated with an ultraviolet-ray.

<糊残りの評価>
前記粘着力測定において、シートを剥離した部分のシリコンウエハ表面における粘着剤の残渣物の有無を確認した。粘着剤の残渣物が確認されないものを「A」とし、粘着剤の残渣物が確認されたものを「F」とした。
<Evaluation of adhesive residue>
In the adhesive force measurement, the presence or absence of adhesive residue on the surface of the silicon wafer where the sheet was peeled was confirmed. The case where the adhesive residue was not confirmed was designated as “A”, and the case where the adhesive residue was confirmed was designated as “F”.

<エキスパンド適性>
実施例1および参考例1の半導体ウエハ加工用シートを6インチのシリコンウエハ(厚み350μm)に貼付し、ダイサー(Disco社製、DFD651)により、ダイシングブレード27HECCを用いて8mm×8mmのサイズのチップに個片化した。次いで、引き落とし量10mmでエキスパンドを行い、横方向(X方向)及び縦方向(Y方向)のチップ間隔をデジタル顕微鏡で確認した。
<Expandability>
The semiconductor wafer processing sheet of Example 1 and Reference Example 1 was affixed to a 6-inch silicon wafer (thickness 350 μm), and a 8 mm × 8 mm chip using a dicing blade 27HECC with a dicer (Disco, DFD651). It was separated into pieces. Subsequently, expansion was performed with a withdrawal amount of 10 mm, and the chip intervals in the horizontal direction (X direction) and the vertical direction (Y direction) were confirmed with a digital microscope.

<粘着剤層のガラス転移温度の測定>
ロールナイフコーターを用いて、溶剤で希釈した実施例のエネルギー線硬型粘着剤組成物を、乾燥後の塗布厚が10μmとなるように、シリコーン剥離処理したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(厚さ38μm)の剥離処理面に塗布し、100℃で1分間乾燥させ、粘着剤層の露出した面に剥離力の異なるシリコーン剥離処理したPETフィルムを貼り合せ、2枚のPETフィルムに挟持された粘着剤層を得た。次いで、23℃50%RHの環境にて7日間保管した後に、PETフィルムを除く粘着剤層のみを厚さ1mmになるまで積層した。1mm厚まで積層した粘着剤層を、直径8mmの円柱型に型抜きした後、更に厚さ3mmまで積層し測定用サンプルを得た。このサンプルの−50℃から110℃における周波数11Hzで測定したときのtanδ(損失正接)を粘弾性測定装置(REOMETRIC社製、DYNAMIC ANALYZER RADII)を用いて測定した。−50℃から50℃の範囲でtanδの極大値を示す温度をガラス転移温度とした。
<Measurement of glass transition temperature of adhesive layer>
Using a roll knife coater, a polyethylene terephthalate (PET) film (thickness 38 μm) obtained by subjecting the energy ray hard adhesive composition of the example diluted with a solvent to a silicone release treatment so that the coating thickness after drying is 10 μm. ), And dried at 100 ° C. for 1 minute, and a silicone film with a different peeling force is bonded to the exposed surface of the adhesive layer, and the adhesive is sandwiched between two PET films. A layer was obtained. Next, after storing for 7 days in an environment of 23 ° C. and 50% RH, only the pressure-sensitive adhesive layer excluding the PET film was laminated until the thickness became 1 mm. The pressure-sensitive adhesive layer laminated to a thickness of 1 mm was punched into a cylindrical shape having a diameter of 8 mm, and further laminated to a thickness of 3 mm to obtain a measurement sample. The tan δ (loss tangent) of this sample measured at a frequency of −50 ° C. to 110 ° C. at a frequency of 11 Hz was measured using a viscoelasticity measuring device (RENATRIC, DYNAMIC ANALYZER RADII). The temperature at which the maximum value of tan δ was in the range of −50 ° C. to 50 ° C. was defined as the glass transition temperature.

(実施例1)
(基材)
ポリ塩化ビニル樹脂(平均重合度1100)100重量部、可塑剤としての1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル(BASF社製、製品名:Hexamoll-DINCH)30重量部、バリウム・亜鉛系安定剤2.8重量部からなる混合物を180℃にてバンバリーミキサーを用いて混練した。この混合物をカレンダーロールで圧延して厚さ80μmの塩化ビニル樹脂製基材を得た。
Example 1
(Base material)
100 parts by weight of a polyvinyl chloride resin (average degree of polymerization 1100), 30 parts by weight of 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid diisononyl ester (product name: Hexamoll-DINCH) as a plasticizer, barium / zinc stabilizer 2 The mixture composed of 8 parts by weight was kneaded at 180 ° C. using a Banbury mixer. This mixture was rolled with a calendar roll to obtain a vinyl chloride resin base material having a thickness of 80 μm.

(粘着剤層)
アクリル酸エステル共重合体(2−エチルヘキシルアクリレート:20質量部、酢酸ビニル:78質量部、アクリル酸:1質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート:1質量部から得られる共重合体、重量平均分子量:40万、)100質量部、硬化剤として有機多価イソシアネート化合物(トーヨーケム株式会社製、商品名:BHS8515)3.2質量部、光重合開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバ・スペシャルティケミカルズ社製、商品名:イルガキュア184)2.6質量部、およびエネルギー線硬化性化合物として2官能ウレタンアクリレートと6官能ウレタンアクリレートとの比率が1:1の混合物85.7質量部を配合(固形質量比)してエネルギー線硬化性粘着剤組成物を得た。この組成物により得られる粘着剤層のガラス転移温度は17℃である。
(Adhesive layer)
Acrylate ester copolymer (2-ethylhexyl acrylate: 20 parts by mass, vinyl acetate: 78 parts by mass, acrylic acid: 1 part by mass, 2-hydroxyethyl methacrylate: copolymer obtained from 1 part by mass, weight average molecular weight: 100,000 parts), 100 parts by mass of organic polyisocyanate compound (manufactured by Toyochem Co., Ltd., trade name: BHS8515) as a curing agent, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) as a photopolymerization initiator Manufactured and trade name: Irgacure 184) 2.6 parts by mass, and 85.7 parts by mass of a mixture of 1: 1 ratio of bifunctional urethane acrylate and hexafunctional urethane acrylate as an energy ray-curable compound (solid mass ratio) To obtain an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition. The glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer obtained by this composition is 17 ° C.

(半導体ウエハ加工用シートの作成)
上記のエネルギー線硬化型粘着剤組成物を、溶剤で希釈して塗布量が10g/mとなるように剥離材(SP−PET381031、リンテック社製)に塗布した後、乾燥し、粘着剤層面と上記基材とが対向するようにして積層し、半導体ウエハ加工用シートを作製した。なお、事前に基材にコロナ処理を行い、コロナ処理面に粘着剤層を積層した。
(Creation of semiconductor wafer processing sheet)
The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition is applied to a release material (SP-PET 381031, manufactured by Lintec Corporation) so as to be diluted with a solvent to a coating amount of 10 g / m 2, and then dried, and the pressure-sensitive adhesive layer surface And the substrate were laminated so as to face each other, and a semiconductor wafer processing sheet was produced. In addition, the corona treatment was performed to the base material beforehand and the adhesive layer was laminated | stacked on the corona treatment surface.

得られた半導体ウエハ加工用シートを用いた<糊残りの評価>を表1に示し、<粘着力測定>の測定結果を表2に、<エキスパンド適性>の結果を表3に示す。   Table 1 shows <adhesive residue evaluation> using the obtained semiconductor wafer processing sheet, Table 2 shows the measurement results of <Adhesive strength measurement>, and Table 3 shows the results of <Expandability>.

(比較例1)
基材に配合する可塑剤として、アジピン酸ジ(2−エチルヘキシル)を用いた以外は実施例1と同様とした。結果を表1および表2に示す。
(Comparative Example 1)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that di (2-ethylhexyl) adipate was used as a plasticizer to be blended with the substrate. The results are shown in Tables 1 and 2.

(比較例2)
基材に配合する可塑剤として、テレフタル酸ジ(2−エチルヘキシル)を用いた以外は実施例1と同様とした。結果を表1および表2に示す。
(Comparative Example 2)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that di (2-ethylhexyl) terephthalate was used as a plasticizer to be blended with the base material. The results are shown in Tables 1 and 2.

(比較例3)
基材に配合する可塑剤として、フタル酸ジ(2−エチルヘキシル)を用いた以外は実施例1と同様とした。結果を表1および表2に示す。
(Comparative Example 3)
The same procedure as in Example 1 was performed except that di (2-ethylhexyl) phthalate was used as a plasticizer to be blended with the base material. The results are shown in Tables 1 and 2.

Figure 0005977954
Figure 0005977954

Figure 0005977954
Figure 0005977954

(比較例4)
基材として、厚さ80μmの、エチレン・メタクリル酸共重合体フィルムを用いた以外は実施例1と同様とした。<エキスパンド適性>の結果を表3に示す。比較例4の半導体加工用シートを用いた場合には、X方向とY方向の拡張が均一でなく、エキスパンド適性に劣った。
(Comparative Example 4)
The same procedure as in Example 1 was performed except that an ethylene / methacrylic acid copolymer film having a thickness of 80 μm was used as the substrate. The results of <Expand aptitude> are shown in Table 3. When the semiconductor processing sheet of Comparative Example 4 was used, the expansion in the X direction and the Y direction was not uniform, and the expandability was inferior.

Figure 0005977954
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Claims (8)

脂環族エステル化合物を可塑剤として含有する塩化ビニル製基材の少なくとも片面に、接着性樹脂層を有する半導体ウエハ加工用シートであって、
前記脂環族エステル化合物が、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸と、イソノニルアルコールとのジエステルであり、
前記接着性樹脂層が、アクリル系粘着剤を含む、半導体ウエハ加工用シート
A semiconductor wafer processing sheet having an adhesive resin layer on at least one surface of a vinyl chloride base material containing an alicyclic ester compound as a plasticizer ,
The alicyclic ester compound is a diester of 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid and isononyl alcohol;
The semiconductor wafer processing sheet, wherein the adhesive resin layer contains an acrylic pressure-sensitive adhesive .
塩化ビニル製基材における脂環族エステル化合物の含有量が、塩化ビニル100質量部に対して5〜100質量部である請求項1に記載の半導体ウエハ加工用シート。 2. The semiconductor wafer processing sheet according to claim 1, wherein the content of the alicyclic ester compound in the vinyl chloride substrate is 5 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of vinyl chloride. 接着性樹脂層が、感圧接着性を有する請求項1または2に記載の半導体ウエハ加工用シート。 Adhesive resin layer, a semiconductor wafer processing sheet according to claim 1 or 2 having pressure sensitive adhesive properties. 接着性樹脂層が、エネルギー線硬化型粘着剤からなる請求項1〜3の何れかに記載の半導体ウエハ加工用シート。 The semiconductor wafer processing sheet according to any one of claims 1 to 3 , wherein the adhesive resin layer is made of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. アクリル系粘着剤の含有する(メタ)アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度が−50〜30℃である請求項1〜4の何れかに記載の半導体ウエハ加工用シート。 The glass transition temperature of the (meth) acrylic acid ester copolymer contained in the acrylic pressure-sensitive adhesive is -50 to 30 ° C. The semiconductor wafer processing sheet according to any one of claims 1 to 4 . 半導体ウエハのダイシングを行う際に、半導体ウエハおよびダイシング後のチップを保持するために使用される請求項1〜の何れかに記載の半導体ウエハ加工用シート。 When performing dicing of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer processing sheet according to any one of claims 1 to 5, which is used to hold the semiconductor wafer and the dicing after a chip. 接着性樹脂層が、エポキシ系接着剤またはポリイミド系接着剤を含有する請求項1〜の何れかに記載の半導体ウエハ加工用シート。 The semiconductor wafer processing sheet according to any one of claims 1 to 6 , wherein the adhesive resin layer contains an epoxy adhesive or a polyimide adhesive. 半導体ウエハおよびダイシング後のチップに、接着性樹脂層を転写するための請求項6または7に記載の半導体ウエハ加工用シート。 The semiconductor wafer processing sheet according to claim 6 or 7 , for transferring the adhesive resin layer to the semiconductor wafer and the chip after dicing.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018190085A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 日東電工株式会社 Adhesive sheet for wafer processing

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6402392B2 (en) * 2014-11-26 2018-10-10 平岡織染株式会社 Odor adsorption mesh sheet and recovery method of odor adsorption performance
JP6383927B2 (en) * 2014-12-03 2018-09-05 平岡織染株式会社 Odor adsorption mesh sheet and recovery method of odor adsorption performance
WO2017138310A1 (en) * 2016-02-10 2017-08-17 デンカ株式会社 Adhesive sheet
KR101750756B1 (en) * 2016-03-10 2017-06-27 주식회사 벡스 Coating agent and method of forming a coating layer using thereof
JP6886838B2 (en) * 2017-02-23 2021-06-16 デンカ株式会社 Adhesive tape for semiconductor processing and manufacturing method of semiconductor chips or semiconductor parts using it
JP7205596B1 (en) 2021-09-30 2023-01-17 住友ベークライト株式会社 Adhesive tape
JP7226501B1 (en) 2021-09-30 2023-02-21 住友ベークライト株式会社 Adhesive tapes and substrates for adhesive tapes

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03278444A (en) * 1990-09-07 1991-12-10 Bando Chem Ind Ltd Dicing of semiconductor wafer
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP3280876B2 (en) * 1996-01-22 2002-05-13 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 Wafer dicing / bonding sheet and method of manufacturing semiconductor device
JP2001207140A (en) 2000-01-26 2001-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd Adhesive tape for processing semiconductor wafer
JP4314711B2 (en) * 2000-01-27 2009-08-19 新日本理化株式会社 Cyclohexanedicarboxylic acid diester plasticizer, vinyl chloride resin composition, and vinyl chloride resin molded article using the same
JP4230080B2 (en) * 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 Wafer sticking adhesive sheet
JP4453225B2 (en) * 2001-06-12 2010-04-21 新日本理化株式会社 Agricultural vinyl chloride resin film
KR101236026B1 (en) * 2005-11-25 2013-02-21 가부시키가이샤 구라레 Polylactic acid composition
JP5556070B2 (en) * 2008-08-20 2014-07-23 日立化成株式会社 Manufacturing method of semiconductor device using adhesive sheet integrated with dicing tape
JP2010260893A (en) 2009-04-30 2010-11-18 Nitto Denko Corp Laminated film and method for producing semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018190085A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 日東電工株式会社 Adhesive sheet for wafer processing
JP2018182054A (en) * 2017-04-12 2018-11-15 日東電工株式会社 Adhesive sheet for wafer processing

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