KR101967455B1 - Sheet for semiconductor wafer processing - Google Patents

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Abstract

과제
본 발명은 기재가 DOP를 포함하지 않음에도 불구하고, 충분한 익스펜딩성을 나타내고, 게다가 점착 특성의 경시 변화가 적은 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 제공하는 것이다.
해결 수단
본 발명과 관련되는 반도체 웨이퍼 가공용 시트는, 지환족 에스테르 화합물을 가소제로서 함유하는 염화비닐제 기재의 적어도 편면에 접착성 수지층을 갖는 것을 특징으로 한다.
assignment
The present invention provides a sheet for processing a semiconductor wafer which exhibits sufficient exponential properties and which exhibits little change with time in adhesive properties even though the substrate does not contain DOP.
Solution
The sheet for processing a semiconductor wafer according to the present invention is characterized by having an adhesive resin layer on at least one side of a substrate made of vinyl chloride containing an alicyclic ester compound as a plasticizer.

Description

반도체 웨이퍼 가공용 시트{SHEET FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a sheet for processing semiconductor wafers (SHEET FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING)

본 발명은 반도체 웨이퍼 가공용 시트에 관하며, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼에 다이싱 등의 가공을 실시할 때, 반도체 웨이퍼를 고정하기 위하여 사용되는 시트에 관한다. 또한, 본 발명의 다른 형태는 다이싱 시트와 필름형상 접착제의 기능을 겸비하는 다이싱·다이본드 시트에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sheet for processing a semiconductor wafer, and more particularly to a sheet used for fixing a semiconductor wafer when a semiconductor wafer is subjected to processing such as dicing. Another aspect of the present invention relates to a dicing die-bonding sheet having the functions of a dicing sheet and a film-like adhesive.

반도체 웨이퍼를 다이싱하여 얻어진 칩을 다이본드하는 일련의 공정에서는 각종 점착 시트나 필름형상 접착제가 이용되고 있다.BACKGROUND ART In a series of steps of die-bonding a chip obtained by dicing a semiconductor wafer, various pressure-sensitive adhesive sheets and film adhesives are used.

예를 들면, 다이싱 공정에 이용하는 점착 시트는 기재와 점착제층으로 이루어지며, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에, 당해 반도체 웨이퍼를 고정하며 또한 다이싱 후에는 칩을 보유하기 위하여 이용된다. 또한, 점착 시트상에서 다이싱된 칩을 해당 점착 시트로부터 직접 픽업하거나 또한 칩을 반도체 픽업용 점착 시트에 전사 한 후에 픽업하는 경우가 있다.For example, the pressure-sensitive adhesive sheet used in the dicing process is composed of a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer, and is used to fix the semiconductor wafer when dicing the semiconductor wafer and to retain the chip after dicing. There is also a case where the chips diced on the pressure sensitive adhesive sheet are picked up directly from the pressure sensitive adhesive sheet or after the chips are transferred onto the pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor pickup.

다이싱 공정의 종료 후에는 칩의 다이본드를 실시한다. 이 때, 액형상의 접착제를 이용하는 경우도 있지만 최근에는 필름형상 접착제가 다용되고 있다. 필름형상 접착제는 반도체 웨이퍼의 편면에 점착되며, 다이싱 공정에 있어서 웨이퍼와 함께 절단되고, 그 후 접착제층부의 칩으로써 픽업되어 접착제층을 개재시켜 칩은 소정의 부위에 접착된다. 이와 같은 필름형상 접착제는 기재 필름이나 점착 시트 상에 에폭시나 폴리이미드 등의 접착제를 제막, 반고체화 한 층을 구비하는 것으로 얻을 수 있다.After completion of the dicing process, die bonding of the chip is performed. At this time, although a liquid type adhesive may be used, a film type adhesive has recently been used. The film-shaped adhesive is adhered to one side of the semiconductor wafer, cut along with the wafer in the dicing step, and then picked up with a chip of the adhesive layer portion, and the chip is adhered to a predetermined portion with the adhesive layer interposed therebetween. Such a film-like adhesive can be obtained by providing a base film or a pressure-sensitive adhesive sheet on which an adhesive such as epoxy or polyimide is formed and semi-solidified.

또한, 다이싱 시의 웨이퍼 고정 기능과 다이본드 시의 다이 접착 기능을 동시에 겸비한 다이싱·다이본드 겸용 시트도 제안되고 있다. 다이싱·다이본드 겸용 시트는 점접착제층과 기재로 이루어진다. 점접착제층은 다이싱 공정에 있어서 반도체 웨이퍼나 칩을 보유하며, 다이본드 시에는 칩을 고착하기 위한 접착제로서 기능한다. 점접착제층은 다이싱시에는 웨이퍼와 함께 절단되고, 절단된 칩과 동일 형상의 점접착제층이 형성된다. 다이싱 종료 후, 칩의 픽업을 실시하면 점접착제층은 칩과 함께 박리된다. 점접착제층을 수반한 칩을 기판에 재치(載置)하고, 가열 등을 실시하여 칩과 기판을 접착제층을 통하여 접착한다. 이와 같은 다이싱·다이본드 겸용 시트는 기재 상에 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 겸비한 점접착제층이 형성된다.A dicing die-bonding sheet having both a wafer fixing function at the time of dicing and a die bonding function at the time of die bonding has also been proposed. The dicing die-bonding sheet is composed of a point-adhesive layer and a substrate. The point-adhesive layer has a semiconductor wafer or a chip in the dicing step, and functions as an adhesive for sticking the chip at the time of die bonding. At the time of dicing, the point-adhesive layer is cut together with the wafer, and a point-adhesive layer having the same shape as the cut chip is formed. After the completion of dicing, when the chip is picked up, the point-adhesive layer is peeled off together with the chip. The chip carrying the point adhesive layer is placed on the substrate and the chip and the substrate are bonded to each other through the adhesive layer by heating or the like. In such a dicing die-bonding sheet, a point-adhesive layer having a wafer-fixing function and a die-bonding function is formed on a substrate.

또한, 칩의 표면에 보호막을 형성하기 위하여, 경화성의 수지층에 반도체 웨이퍼를 첩부하여 수지층을 경화시켜, 그 후 반도체 웨이퍼와 수지층을 다이싱 하여, 경화한 수지층(보호막)을 가지는 칩을 제조하는 프로세스도 제안되고 있다. 이와 같은 보호막 형성용의 시트는 박리성 기재 상에 보호막으로 이루어지는 접착성의 수지층을 가진다.In order to form a protective film on the surface of the chip, a semiconductor wafer is attached to a curable resin layer to cure the resin layer, and then the semiconductor wafer and the resin layer are diced to form a chip having a cured resin layer Is also proposed. Such a sheet for forming a protective film has an adhesive resin layer made of a protective film on a peelable substrate.

이들 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 이용한 웨이퍼 가공에서는 다이싱 후에 익스펜딩(expand)하고, 칩 간격을 이간하여 칩의 픽업을 용이하게 하고 있다. 이 때문에, 웨이퍼 가공용 시트에 있어서는 익스펜딩이 가능할 정도의 유연성이 요구되는 경우가 있다. 그래서, 상기 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 기재로서는 가소제를 함유하는 폴리염화비닐필름이 사용되는 경우가 많다(특허 문헌 1 및 2).In wafer processing using these semiconductor wafer processing sheets, the semiconductor wafer is expanded after dicing, and the chips are spaced apart to facilitate picking up of chips. For this reason, the wafer processing sheet may be required to have flexibility enough to allow expansion. Thus, polyvinyl chloride films containing a plasticizer are often used as the base material for the semiconductor wafer processing sheet (Patent Documents 1 and 2).

폴리염화비닐에 배합되는 가소제로서는 방향족 디카르본산의 알킬에스테르, 전형적으로는 디옥틸프탈레이트(DOP)가 사용되고 있다. DOP 등의 가소제를 포함한 연질 폴리염화비닐(PVC) 필름은, 그 우수한 기계 특성(PVC가 갖는 강성)과 가소제에 의한 유연성을 겸비한 것으로 각종 점착 시트의 기재로서 폭넓게 사용되고 있다.As plasticizers incorporated in polyvinyl chloride, alkyl esters of aromatic dicarboxylic acids, typically dioctyl phthalate (DOP), have been used. A flexible polyvinyl chloride (PVC) film containing a plasticizer such as DOP has excellent mechanical properties (stiffness of PVC) and flexibility due to a plasticizer, and is widely used as a substrate for various pressure sensitive adhesive sheets.

그러나, DOP는 유럽에서의 RoHS(Restriction of Hazardous Substances:위험 물질에 관한 제한) 지령의 규제 대상 후보 물질이며, 또한 REACH(Registration, Evaluation, Authorization and Restriction of Chemicals:유럽 연합에서의 사람의 건강이나 환경 보호를 위한 유럽 의회 및 유럽 이사회 규칙)에 있어서, SVHC(Substance of Very High Concern:고위험성 우려 물질)의 인가 물질로 예로 들 수 있다. 이 때문에, 금후 DOP 사용에 대해서는 제한될 가능성이 매우 높고 대체 물질의 검색을 실시하고 있다.However, the DOP is a candidate substance for the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive in Europe and is also a REACH Regulation (Registration, Evaluation, Authorization and Restriction of Chemicals: The European Parliament for Protection and the Council of Europe Rules), for example, SVHC (Substance of Very High Concern). For this reason, the use of DOPs is very likely to be limited in the future and searches for alternative substances are being conducted.

DOP의 대체로서 아디핀산에스테르가 주목되었지만, 그 화학 구조상 충분한 특성을 얻지 못하고 있다. 예를 들면, 아디핀산에스테르를 전자 부재 가공용 점착 시트의 기재로서 이용하였을 경우, 점착제를 기재 상에 형성한 직후에는 문제가 없지만, 일정 기간 보관 후에 피착체에 점착제의 성분이 전착(轉着)되는 경우가 있었다. 점착제가 전착된 전자 부재는, 그 후의 공정 또는 실장 후에 여러 가지 문제를 일으킬 수 있다. 또한, 트리멜리트산에스테르 등, 프탈산이 유도체로서 발생하기 어려운 화합물이라도 방향환을 갖기 때문에 불순물로서 프탈산을 포함할 우려가 있다.Adipic acid ester has been noted as a substitute for DOP, but sufficient characteristics are not obtained due to its chemical structure. For example, adipic acid when hayeoteul using the ester as a substrate for electronic components for processing a pressure-sensitive adhesive sheet, there is no problem immediately after the formation of the pressure-sensitive adhesive on a base material, after a period of time, keep the components of the pressure-sensitive adhesive to an adherend to be electroplated (轉着) There was a case. The electronic member to which the pressure-sensitive adhesive is electrodeposited may cause various problems after the subsequent process or mounting. Further, even a compound, such as trimellitic acid ester, which is difficult to generate phthalic acid as a derivative, may contain phthalic acid as an impurity because it has an aromatic ring.

특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 2001-207140호 공보Patent Document 1: JP-A-2001-207140 특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 2010-260893호 공보Patent Document 2: JP-A-2010-260893

본 발명은 상기와 같은 종래 기술을 감안하여 이루어진 것으로써, 기재가 DOP를 포함하지 않음에도 불구하고 충분한 익스펜딩성을 나타내며, 게다가 점착 특성의 경시(經始) 변화가 적은 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.Disclosure of the Invention The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and it is an object of the present invention to provide a sheet for processing a semiconductor wafer, which exhibits sufficient expansibility despite the fact that the substrate contains no DOP, .

상기 과제를 해결하는 본 발명의 요지는 이하와 같다.The gist of the present invention to solve the above problems is as follows.

(1) 지환족 에스테르 화합물을 가소제로서 함유하는 염화비닐제 기재의 적어도 편면에 접착성 수지층을 갖는 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(1) A sheet for processing a semiconductor wafer having an adhesive resin layer on at least one side of a vinyl chloride base material containing an alicyclic ester compound as a plasticizer.

(2) 지환족 에스테르 화합물이, 시클로헥산디카르본산과 탄소수 6~12의 알코올과의 디에스테르인 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(2) The sheet for semiconductor wafer processing according to (1), wherein the alicyclic ester compound is a diester of cyclohexanedicarboxylic acid and an alcohol having 6 to 12 carbon atoms.

(3) 시클로헥산디카르본산이, 1,2-시클로헥산디카르본산이며, 알코올이 이소노닐알코올인 (2)에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(3) The sheet for semiconductor wafer processing according to (2), wherein the cyclohexanedicarboxylic acid is 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid and the alcohol is isononyl alcohol.

(4) 염화비닐제 기재에 있어서의 지환족 에스테르 화합물의 함유량이, 염화비닐 100 질량부에 대해서 5~100 질량부인(1)~(3)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(4) The sheet for semiconductor wafer processing according to any one of (1) to (3), wherein the content of the aliphatic ester compound in the vinyl chloride base material is 5 to 100 parts by mass relative to 100 parts by mass of vinyl chloride.

(5) 접착성 수지층이, 감압 접착성을 갖는 (1)~(4)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(5) The sheet for semiconductor wafer processing according to any one of (1) to (4), wherein the adhesive resin layer has a pressure-sensitive adhesive property.

(6) 접착성 수지층이, 에너지선 경화형 점착제로 이루어지는 (5)에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(6) The sheet for semiconductor wafer processing according to (5), wherein the adhesive resin layer comprises an energy radiation curable pressure sensitive adhesive.

(7) 접착성 수지층이, 아크릴계 점착제로 이루어지는 (5) 또는 (6)에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(7) The sheet for semiconductor wafer processing according to (5) or (6), wherein the adhesive resin layer comprises an acrylic pressure-sensitive adhesive.

(8) 아크릴계 점착제가 함유하는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체의 유리 전이 온도가 -50~30℃인 (7)에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(8) The sheet for semiconductor wafer processing according to (7), wherein the (meth) acrylic acid ester copolymer contained in the acrylic pressure-sensitive adhesive has a glass transition temperature of -50 to 30 占 폚.

(9) 반도체 웨이퍼의 다이싱을 실시할 때, 반도체 웨이퍼 및 다이싱 후의 칩을 보유하기 위하여 사용되는 (1)~(8)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(9) The semiconductor wafer processing sheet according to any one of (1) to (8), which is used for holding a semiconductor wafer and a chip after dicing when dicing the semiconductor wafer.

(10) 접착성 수지층이, 에폭시계 접착제 또는 폴리이미드계 접착제를 함유하는(1)~(9)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(10) The sheet for semiconductor wafer processing according to any one of (1) to (9), wherein the adhesive resin layer contains an epoxy adhesive or a polyimide adhesive.

(11) 반도체 웨이퍼 및 다이싱 후의 칩에, 접착성 수지층을 전사하기 위한 (9) 또는 (10)에 기재된 반도체 웨이퍼 가공용 시트.(11) The semiconductor wafer processing sheet according to (9) or (10) for transferring the adhesive resin layer onto a semiconductor wafer and a chip after dicing.

본 발명에서는 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 기재에, 가소제로서 지환족 에스테르 화합물을 함유하는 염화비닐 기재를 사용하여 충분한 익스펜딩성을 나타내며, 게다가 점착 특성의 경시 변화가 적은 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 얻는다. 즉, DOP를 사용하지 않고, DOP 사용품과 동일 또는 그 이상의 성능을 달성할 수 있었다. 이 때문에, 금후 규제가 예정되는 DOP 사용품의 대체품으로서의 전개가 기대된다.In the present invention, a vinyl chloride substrate containing an alicyclic ester compound as a plasticizer is used for a substrate of a semiconductor wafer processing sheet to obtain a sheet for processing a semiconductor wafer which exhibits sufficient expandability and little change with time. That is, the performance equal to or higher than that of the DOP product can be achieved without using the DOP. For this reason, it is expected to develop as a substitute for DOP products scheduled to be regulated in the future.

이하에 본 발명과 관련되는 반도체 웨이퍼 가공용 시트에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the semiconductor wafer processing sheet according to the present invention will be described in more detail.

본 발명과 관련되는 반도체 웨이퍼 가공용 시트는 기재와 적어도 그 편면에 형성된 접착성 수지층을 갖는다.
The semiconductor wafer processing sheet according to the present invention has a substrate and an adhesive resin layer formed on at least one side thereof.

(기재)(materials)

상기 기재는 지환족 에스테르 화합물을 가소제로서 함유하는 염화비닐계 수지로 이루어진다.The base material is composed of a vinyl chloride resin containing an alicyclic ester compound as a plasticizer.

본 발명에 이용되는 염화비닐계 수지란, -CH2-CHCl-로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리머 전체를 가리키며, 염화비닐의 단독 중합체 및 에틸렌-염화비닐 공중합체 등의 염화비닐과 중합성 모노머와의 공중합체 및 염소화 염화비닐 공중합체 등의 단독 및 공중합체를 개질한 것, 또한 염소화 폴리에틸렌 등의 구조상 염화비닐 수지와 유사한 염소화 폴리에틸렌을 포함한다. 또한, 이들 염화비닐계 수지는 수평균 중합도 300~3000이 바람직하고, 또한 1000~2500의 중합도를 갖는 것이 보다 바람직하다. 이들 염화비닐계 수지를 단독 또는 2종 이상 병용하여 기재를 구성하는 염화비닐 수지 성분으로 할 수 있다.The vinyl chloride-based resin used in the present invention refers to the whole polymer having a repeating unit represented by -CH 2 -CHCl-, and is a copolymer of a vinyl chloride homopolymer and vinyl chloride such as an ethylene-vinyl chloride copolymer and a polymerizable monomer Copolymers and chlorinated vinyl chloride copolymers, and chlorinated polyethylene similar to a structural vinyl chloride resin such as chlorinated polyethylene. These vinyl chloride resins preferably have a number average degree of polymerization of 300 to 3000, more preferably 1000 to 2500. These vinyl chloride resins may be used alone or in combination of two or more thereof to form a vinyl chloride resin component constituting the substrate.

가소제로서 이용되는 지환족 에스테르는 지환족 디카르본산과 알코올의 에스테르이다. 지환족 에스테르로서는 시클로부탄디카르본산의 에스테르, 시클로펜탄카르본산, 시클로헥산디카르본산 등의 지환식 카르본산과 메탄올, 에탄올, 프로판올, n-부탄올, n-펜타올, n-헥산올, n-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, n-노난올, 이소노난올, n-데칸올, n-도데칸올, n-테트라데칸올 등의 알코올과의 에스테르를 예로 들 수 있다.The alicyclic ester used as the plasticizer is an ester of an alicyclic dicarboxylic acid and an alcohol. Examples of the alicyclic ester include aliphatic carboxylic acids such as an ester of cyclobutanedicarboxylic acid, cyclopentanecarboxylic acid, and cyclohexanedicarboxylic acid and alcohols such as methanol, ethanol, propanol, n-butanol, n-pentanol, n- Esters with alcohols such as heptanol, n-octanol, 2-ethylhexanol, n-nonanol, isononanol, n-decanol, n-dodecanol and n-tetradecanol .

지환족 디카르본산은 입체적인 안정성의 관점에서 바람직하게는 시클로헥산디카르본산이며, 카르복실이기의 치환위는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1,2-시클로헥산디카르본산이다. 또한 알코올로서는, 탄소수 6~12의 알코올이 바람직하고, 탄소수 8~10의 알코올이 더 바람직하고, 이소노난올이 특히 바람직하다. 따라서, 본 발명에 있어서 특히 바람직하게 이용되는 가소제는 1,2-시클로헥산디카르본산 디이소노닐에스테르이다.The alicyclic dicarboxylic acid is preferably cyclohexanedicarboxylic acid from the viewpoint of steric stability, and the substitution degree of the carboxyl group is not particularly limited, but 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid is preferable. As the alcohol, an alcohol having 6 to 12 carbon atoms is preferable, an alcohol having 8 to 10 carbon atoms is more preferable, and isononanol is particularly preferable. Therefore, the plasticizer that is particularly preferably used in the present invention is 1,2-cyclohexanedicarboxylic diisononyl ester.

지환족 에스테르를 이용하는 것으로, 필연적으로 방향족 에스테르인 프탈산 디에스테르가 배제되며, 또한 불순물로서 프탈산을 함유할 가능성이 격감되고, 환경 부하 및 유독성의 우려가 없고, 염화비닐계 수지를 주성분으로 하는 기재를 가소화할 수 있다. 또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 시트가 기재 상에 재박리성의 점착제층을 구비한 점착 시트인 경우에는, 후술하는 바와 같이 시트의 제조 후, 보관중에 기재 내부의 가소제가 점착제층 내부로 이행되어, 점착제층 내부에 주입될 수 있다. 이와 같은 경우, 그 원리는 분명하지 않지만 에스테르류의 선택에 따라서는, 기재의 가소제로서 이용하였을 경우에, 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 때에 점착제층의 성분이 반도체에 잔존하는 결함(풀 잔여)이 발생할 수 있다. 이러한 풀 잔여 현상의 발생은 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 제작한 후, 시간 경과에 따라 현저하게 되는 경향이 있다. 지환족 에스테르를 이용하였을 경우, 이와 같은 반도체 웨이퍼 상의 잔류물의 발생을 억제할 수 있다.By using an alicyclic ester, it is inevitable that the phthalic acid diester, which is an aromatic ester, is excluded, the possibility of containing phthalic acid as an impurity is reduced, and there is no fear of environmental load and toxicity, and a substrate containing a vinyl chloride resin as a main component Can be plasticized. When the sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention is a pressure-sensitive adhesive sheet having a releasable pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, the plasticizer inside the substrate is transferred into the pressure-sensitive adhesive layer during storage after the production of the sheet, It can be injected into the pressure-sensitive adhesive layer. In such a case, although the principle thereof is not clear, depending on the selection of the esters, when the semiconductor wafer processing sheet is peeled from the semiconductor wafer, the component of the pressure-sensitive adhesive layer remains in the semiconductor Residual) may occur. Such occurrence of the residual phenomenon tends to become prominent over time after the production of the semiconductor wafer processing sheet. When alicyclic esters are used, the generation of residues on the semiconductor wafer can be suppressed.

기재에 있어서의 지환족 에스테르 화합물의 함유량은, 기재를 구성하는 염화비닐 수지 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 5~100 질량부, 더 바람직하게는 10~50 질량부, 특히 바람직하게는 20~40 질량부이다. 기재에 있어서의 지환족 에스테르 화합물의 함유량이 너무 작으면 기재의 유연성이 없고, 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 익스펜딩성이 불충분하게 된다. 기재에 있어서의 지환족 에스테르 화합물의 함유량이 너무 많으면 기재가 과도하게 부드러워져서 핸들링성이 저하되거나, 기재의 가소제가 접착성 수지층으로 이행되어 접착성 수지층의 성능이 경시적으로 변화될 수 있다. 또한, 기재에 있어서의 지환족 에스테르의 함유량이 이러한 범위에 있으면, 후술하는 바와 같이 기재 상에 재박리성의 점착제층을 마련한 점착 시트에 있어서, 시트의 제조 후 보관중에 기재 내부의 가소제가 점착제층 내부로 이행되는 현상이 발생되기 쉽다. 이와 같은 경우에도 지환족 에스테르를 기재의 가소제로서 이용하는 것으로 점착제의 풀 잔여 문제를 방지할 수 있다.The content of the aliphatic ester compound in the base material is preferably 5 to 100 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass, particularly preferably 20 to 50 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the vinyl chloride resin constituting the substrate. 40 parts by mass. If the content of the aliphatic ester compound in the substrate is too small, the flexibility of the substrate is lost and the expandability of the semiconductor wafer processing sheet becomes insufficient. If the content of the aliphatic ester compound in the base material is too large, the base material becomes excessively soft and the handling property is lowered, or the plasticizer of the base material is transferred to the adhesive resin layer, and the performance of the adhesive resin layer may be changed over time . When the content of the aliphatic ester in the base material is in this range, as described later, in the pressure-sensitive adhesive sheet provided with a releasable pressure-sensitive adhesive layer on the substrate, the plasticizer inside the pressure- Is likely to occur. Even in such a case, the problem of residual residual of the pressure-sensitive adhesive can be prevented by using the alicyclic ester as the plasticizer of the substrate.

또한, 기재에는 더욱 강도를 향상시키기 위한 충전제가 포함되어 있어도 좋다. 또한 화학적 안정성 부여를 위하여, 바륨·아연계 안정제, 칼슘·아연계 안정제 등이 배합되어 있어도 좋다. 이와 같은 안정제는 염화비닐 수지 100 질량부에 대하여, 1.5~3.5 질량부 정도의 비율로 포함되어 있어도 좋다. 또한, 이들 외에도 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 자외선 흡수제, 광안정제 등의 첨가제가 포함되어 있어도 좋다. 이들 충전제, 안정제, 첨가제 등은 염화비닐 수지 100 질량부에 대해서, 1.0~8.0 질량부 정도의 비율로 포함되어 있어도 좋다. 또한, 상기 지환족 에스테르 화합물 이외의 가소제를 본 발명의 목적에서 벗어나지 않는 범위에서 포함하고 있어도 좋다.The base material may further contain a filler for improving the strength. Further, barium-zinc-based stabilizers, calcium-zinc-based stabilizers, and the like may be blended for imparting chemical stability. Such a stabilizer may be contained in an amount of about 1.5 to 3.5 parts by mass based on 100 parts by mass of the vinyl chloride resin. In addition to these, additives such as a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, an organic lubricant, an ultraviolet absorber, and a light stabilizer may be included. These fillers, stabilizers, additives and the like may be contained in a proportion of about 1.0 to 8.0 parts by mass based on 100 parts by mass of the vinyl chloride resin. In addition, plasticizers other than the alicyclic ester compounds may be included within the scope of the present invention.

기재의 두께는 특별히 한정 되지 않으며, 반도체 웨이퍼 가공용 시트의 용도에 따라 다양하지만, 일반적으로는 10~300㎛, 바람직하게는 40~120㎛정도이다. 기재의 두께가 너무 얇으면 시트가 다이싱 공정에서의 피가공물에 고정에 이용되는 경우에, 다이싱 브레이드에 의해 기재가 절단되면 그 부분의 두께가 극도로 얇아져서 익스펜딩 시에 단열(斷裂)될 우려가 있다. 너무 두꺼우면 인장에 대한 힘이 앙진(?進)되어, 익스펜딩 적성이 저하될 수 있다. 또한, 기재의 접착성 수지층과 접하는 면에는 접착성 수지층과의 밀착성을 향상시키기 위하여, 코로나 처리를 실시하거나 프라이머 등의 다른 층을 설치해도 좋다. 또한 기재로부터 접착성 수지층을 박리하여 칩 등에 접착성 수지층을 전사하는 경우에는, 접착성 수지층과 기재와의 사이에서의 박리를 용이하게 하기 위하여 기재 표면에 박리 처리를 실시해도 좋다. 이 경우, 기재의 표면 장력은 바람직하게는 40mN/m 이하, 더 바람직하게는 37mN/m 이하, 특히 바람직하게는 35mN/m 이하이다. 박리 처리에 이용되는 박리제로서는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등이 이용되지만, 특히 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다. The thickness of the base material is not particularly limited and may vary depending on the use of the semiconductor wafer processing sheet, but is generally 10 to 300 占 퐉, preferably 40 to 120 占 퐉. If the thickness of the base material is too thin, when the base material is cut by the dicing blade when the sheet is used for fixing to the workpiece in the dicing step, the thickness of the base material becomes extremely thin, There is a concern. If it is too thick, the force on the tension can be amplified and the expansion ability can be deteriorated. The surface of the base material in contact with the adhesive resin layer may be subjected to a corona treatment or another layer such as a primer in order to improve adhesion with the adhesive resin layer. Further, when the adhesive resin layer is transferred from a substrate to an adhesive resin layer by peeling off the adhesive resin layer, the surface of the substrate may be peeled off to facilitate peeling between the adhesive resin layer and the substrate. In this case, the surface tension of the substrate is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, particularly preferably 35 mN / m or less. As the releasing agent used in the peeling treatment, an alkyd type, a silicone type, a fluorine type, an unsaturated polyester type, a polyolefin type, a wax type, or the like is used, but an alkyd type, a silicone type and a fluorine type releasing agent are preferable because they have heat resistance.

상기의 박리제를 이용하여 기재의 표면을 박리 처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로 또는 용제 희석이나 에멀션화하여, 그라비어 코터, 메이어 바 코터, 에어나이프 코터, 롤 코터 등에 의해 도포하여, 상온 또는 가열 또는 전자선 경화시키거나 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열용해 라미네이션, 용해압출 라미네이션, 공압출 가공 등으로 적층체를 형성하면 좋다.In order to peel the surface of the substrate using the above releasing agent, the releasing agent may be directly applied as a solvent or by solvent dilution or emulsification and then applied by a gravure coater, a Meyer bar coater, an air knife coater, a roll coater, The laminate may be formed by electron beam hardening, wet lamination, dry lamination, heat dissolution lamination, melt extrusion lamination, coextrusion, or the like.

또한, 염화비닐계 수지는 일반적으로 내열성에 떨어져, 상기와 같은 박리 처리 수단을 사용할 수 없을 경우가 있다. 이와 같은 경우에는, 박리제로서 에너지선 경화성인 것을 이용하여 기재용 염화비닐계 수지 필름에 박리제를 도포하여 에너지선 조사에 의해 경화시키는 것으로 형성시키는 것도 가능하다.In addition, the vinyl chloride resin generally has a low heat resistance and may not be able to use the above peeling treatment means. In such a case, it is also possible to form the film by applying a releasing agent to the vinyl chloride resin film for substrate using energy ray curable resin as a releasing agent, and curing the film by energy ray irradiation.

기재의 제조법은 특별히 한정되지 않지만, 상기 염화비닐 수지, 가소제로서의 지환족 에스테르 화합물, 안정제, 그 외의 첨가제를 혼합하여 얻어진 혼합물을 제막하여 얻을 수 있다.The production method of the base material is not particularly limited, but can be obtained by forming a mixture obtained by mixing the vinyl chloride resin, the alicyclic ester compound as the plasticizer, the stabilizer, and other additives.

각 성분의 혼합은 일반적으로는 기계적 용해 혼련 방법에 의해, 단축 압출기, 2축압출기, 밴버리믹서, 각종 니더, 브라벤더, 캘린더롤 등이 이용된다. 이 때, 각 성분의 첨가 순서에는 제한이 없다. 또한, 용해 혼련하는 온도는 140℃~220℃중에서 매우 적합하게 선택할 수 있다.As for the mixing of the components, a single-screw extruder, a twin-screw extruder, a Banbury mixer, various kneaders, a bravender, calender rolls and the like are generally used by a mechanical melting kneading method. At this time, there is no restriction on the order of addition of each component. The melting and kneading temperature may be suitably selected from 140 to 220 占 폚.

얻어진 혼합물을 시트형상으로 가공하여 기재를 얻을 수 있다. 시트 가공은 압출 성형, 캘린더 성형, 인플레이션 성형 등 일반 성형 가공법에 따라 실시하면 좋다.The obtained mixture is processed into a sheet shape to obtain a substrate. The sheet processing may be carried out according to a general molding process such as extrusion molding, calender molding, and inflation molding.

또한, 제막 방법은 상기에 예시한 혼합물을 용액 또는 용해 상태로 하여, 나이프 코터 등의 도공 수단에 의해 도공을 실시하는 것에 의한 것이라도 좋다.
The film-forming method may be a method in which the above-mentioned mixture is put in a solution or a dissolved state, and the coating is performed by a coating means such as a knife coater.

(접착성 수지층)(Adhesive resin layer)

반도체 웨이퍼 가공용 시트에 있어서의 접착성 수지층은 시트의 용도에 따라 다양한 기능을 갖는 수지 중에서 적당하게 선택된다.
The adhesive resin layer in the semiconductor wafer processing sheet is appropriately selected among resins having various functions depending on the use of the sheet.

(감압 접착성 수지층)(Pressure-sensitive adhesive resin layer)

그 중에서, 반도체 웨이퍼 가공용 시트를, 접착성 수지층이 재박리성을 갖는 감압성 접착제층(점착제층)으로 이루어지는 점착 시트로 하는 것이 특히 바람직하고, 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 다이싱시트로서 이용하는 것이 특히 바람직하다. 반도체 웨이퍼 가공용 시트는 기재가 가소제를 함유하는 연질 염화비닐 수지로 구성되기 때문에 익스펜딩 적성이 뛰어나며, 특히 칩 간격이 등방적으로 확장되기 쉽기 때문에 익스펜딩 후의 칩 정렬성이 뛰어난다. 또한, 다이싱 브레이드가 기재와의 접촉부에 있어 접동하는 것에 기인한 절삭편 발생이 일어나기 어렵다. 뿐만 아니라, 절단시의 충격에 의해 칩이 빠지거나 갈라지거나 하는 현상이 일어나기 어렵다. 또한, 점착 시트의 용도는 다이싱 시트에 한정되지 않고, 예를 들면 개편화(個片化)된 칩을 다른 시트로부터 옮겨 바꾸어 익스펜딩을 실시한 후, 칩의 들어올리기(픽업)를 실시하기 위한 시트 등, 익스펜딩을 수반하는 용도는 같은 견지에서 매우 적합하다.Among them, it is particularly preferable that the sheet for processing a semiconductor wafer be a pressure-sensitive adhesive sheet composed of a pressure-sensitive adhesive layer (pressure-sensitive adhesive layer) having an adhesive resin layer having re-releasability and that the sheet for semiconductor wafer processing is used as a dicing sheet desirable. Since the substrate for semiconductor wafer processing is composed of a flexible vinyl chloride resin containing a plasticizer, the expandability of the substrate is excellent, and the chip spacing is likely to expand isotropically. Further, it is difficult for the cutting blade to occur due to sliding of the dicing blade at the contact portion with the base material. In addition, it is difficult for the chip to be pulled out or cracked due to the impact at the time of cutting. Further, the application of the pressure-sensitive adhesive sheet is not limited to the dicing sheet. For example, the pressure-sensitive adhesive sheet may be a sheet for transferring chips from one sheet to another sheet, Sheets and the like, the applications involving expansion are very suitable from the same viewpoint.

가소제를 함유하는 염화비닐계 수지로 이루어지는 기재 상에 점착제층을 구비한 반도체 웨이퍼 가공용 시트에 있어서는, 보관중에 기재 내부에 존재하는 가소제가 점착제층 내부로 이행될 수 있다. 이것은 기재 내부와 점착제층 내부의 가소제의 농도 구배에 기인한 확산 현상에 의한 것으로, 기재 중의 가소제 농도가 높을수록 발생하기 쉬워진다. 이와 같이 가소제가 점착제층으로 이행되는 경우라도, 상술한 바와 같이 기재의 가소제로서 지환족 에스테르를 이용하는 것으로 풀 잔여의 억제를 도모할 수 있다. 다이싱 시트는 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 칩화할 때에, 반도체 웨이퍼 및 다이싱에 의해 생성되는 칩을 보유해 두기 위하여 사용된다. 따라서, 다이싱 후에 칩을 박리할 수 있을 정도의 적당한 재박리성을 갖는 것이 요구된다. 이와 같은 점착제층은 종래로부터 공지된 다양한 감압성 접착제(점착제)에 의해 형성될 수 있다. 점착제로서는 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에테르 등의 점착제가 이용된다. 이들 중에서 점착력의 제어가 용이한 아크릴계 점착제가 특히 바람직하다.In the case of a sheet for processing a semiconductor wafer having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate made of a vinyl chloride resin containing a plasticizer, a plasticizer present in the substrate during storage may be transferred into the pressure-sensitive adhesive layer. This is caused by the diffusion phenomenon caused by the concentration gradient of the plasticizer in the inside of the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer, and the higher the concentration of the plasticizer in the substrate, the more likely it is to occur. Even in the case where the plasticizer is transferred to the pressure-sensitive adhesive layer as described above, the use of the alicyclic ester as the plasticizer of the substrate as described above can be used to suppress the residue of the residue. The dicing sheet is used to hold a semiconductor wafer and a chip produced by dicing when dicing a semiconductor wafer into chips. Therefore, it is required to have an appropriate re-peeling property to such an extent that the chip can be peeled off after dicing. Such a pressure-sensitive adhesive layer can be formed by various conventionally known pressure-sensitive adhesives (pressure-sensitive adhesives). The pressure-sensitive adhesive is not limited, and for example, a pressure-sensitive adhesive such as rubber, acrylic, silicone, or polyvinyl ether is used. Among them, an acrylic pressure-sensitive adhesive which is easy to control the adhesive force is particularly preferable.

아크릴계 점착제는, (메타)아크릴산에스테르 공중합체를 주제(主劑)로 한다. (메타)아크릴산에스테르 공중합체로서는, 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산프로필, 아크릴산부틸, 아크릴산-2-에틸헥실, 아크릴산데실, 아크릴산도데실, 아크릴산라우릴, 아크릴산미리스틸, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산프로필, 메타크릴산부틸, 아크릴산벤질, 아크릴산시클로헥실, 아크릴산이소보닐 등의 에스테르 구조에 탄화수소만이 부가된 (메타)아크릴산에스테르의 1종 이상의 단량체와 필요에 따라서, 아크릴산-2-히드록시에틸, 아크릴산-2-히드록시프로필, 아크릴산-3-히드록시프로필, 아크릴산-3-히드록시부틸, 아크릴산-4-히드록시부틸, 메타크릴산-2-히드록시에틸, 메타크릴산-2-히드록시프로필, 메타크릴산-3-히드록시프로필, 메타크릴산-3-히드록시부틸, 메타크릴산-4-히드록시부틸 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산알킬에스테르;아크릴산, 메타크릴산, 마레인산, 후말산 등의 카르복실기 함유 화합물;초산비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐에스테르;아크릴로니트릴, 메타크릴로나이트릴 등의 시아노기 함유 화합물;아크릴아미드 등의 아미드기 함유 화합물;스틸렌, 비닐피리딘 등의 방향족 화합물 등의 중합성 단량체로부터 선택되는 1종 이상의 단량체의 공중합체 등을 예로 들 수 있다. 또한, 중합성 단량체가 1종인 경우에는 협의의 공중합체는 아니지만, 그러한 경우도 포함해서 공중합체로 총칭한다.The acrylic pressure-sensitive adhesive contains a (meth) acrylic acid ester copolymer as a main agent. Examples of the (meth) acrylic acid ester copolymer include methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, decyl acrylate, dodecyl acrylate, lauryl acrylate, myristyl acrylate, One or more monomers of (meth) acrylic acid esters in which only hydrocarbons are added to an ester structure such as ethyl, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, benzyl acrylate, cyclohexyl acrylate and isobornyl acrylate, 2-hydroxyethyl, 2-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 3-hydroxybutyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, (Meth) acrylate such as 2-hydroxypropyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 3-hydroxybutyl methacrylate and 4-hydroxybutyl methacrylate ) Acrylic acid alkyl ester, carboxyl group-containing compounds such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, and fumaric acid, vinyl esters such as vinyl acetate and vinyl propionate, cyano group-containing compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile, , And copolymers of at least one monomer selected from polymerizable monomers such as aromatic compounds such as styrene and vinyl pyridine. In the case where the polymerizable monomer is one type, it is not a narrow copolymer, but is collectively referred to as a copolymer including such a case.

(메타)아크릴산에스테르 공중합체에 있어서의 에스테르 구조에 탄화수소만이 부가된 (메타)아크릴산에스테르에 유래하는 단위의 함유 비율은 10~98질량%가 바람직하고, 20~95질량%이 더 바람직하고, 50~93질량%이 더욱 바람직하다. (메타)아크릴산에스테르 공중합체의 중량 평균 분자량은 10만~250만이 바람직하며, 20만~150만이 더 바람직하고, 30만~100만이 특히 바람직하다. 또한 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량이란 겔 투과 크로마토그래피(GPC : gel permeation chromatography)법에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.The content ratio of the unit derived from the (meth) acrylic acid ester to which only the hydrocarbon is added to the ester structure in the (meth) acrylic acid ester copolymer is preferably from 10 to 98 mass%, more preferably from 20 to 95 mass% And more preferably 50 to 93 mass%. The weight average molecular weight of the (meth) acrylic acid ester copolymer is preferably 100,000 to 250,000, more preferably 200,000 to 1,500,000, and particularly preferably 300,000 to 1,000,000. In the present specification, the weight average molecular weight is a value in terms of standard polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

이들 점착제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 점착제 중, 아크릴계 점착제가 바람직하게 이용된다. 특히, 아크릴계 공중합체를 폴리이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 킬레이트계 가교제 등의 가교제 1종 이상으로 가교시켜 얻어지는 아크릴계 점착제가 바람직하다.These pressure-sensitive adhesives may be used alone or in combination of two or more. Among these pressure-sensitive adhesives, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferably used. In particular, an acrylic pressure-sensitive adhesive obtained by crosslinking an acrylic copolymer with at least one crosslinking agent such as a polyisocyanate crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, or a chelate crosslinking agent is preferable.

에폭시계 가교제로서는, (1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, N, N, N', N'-테트라글리시딜아미노페닐메탄, 트리글리시딜이소시아네이트, m-N,N-디글리시딜아미노페닐글리시딜에이텔, N,N-디글리시딜톨루이딘, N,N-디글리시딜아닐린, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy cross-linking agent include (1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-tetraglycidyl- N, N'-tetraglycidylaminophenylmethane, triglycidylisocyanate, m-N, N-diglycidylaminophenylglycidylateur, N, N-diglycidyltoluidine, N, N -Diglycidyl aniline, pentaerythritol polyglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, and the like.

폴리이소시아네이트계 가교제로서는, 톨릴렌디이소시아네이트(TDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HMDI), 이소포론디이소시아네이트(IPDI), 크실리렌디이소시아네이트(XDI), 수소화톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트 및 그 수소 첨가체, 폴리메틸렌폴리페닐폴리이소시아네이트, 나프틸렌-1,5-디이소시아네이트, 폴리이소시아네이트프리폴리마, 폴리메틸올프로판 변성 TDI 등을 예로 들 수 있다.Examples of the polyisocyanate cross-linking agent include toluene diisocyanate (TDI), hexamethylene diisocyanate (HMDI), isophorone diisocyanate (IPDI), xylene diisocyanate (XDI), hydrogenated tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, An additive, polymethylene polyphenyl polyisocyanate, naphthylene-1,5-diisocyanate, polyisocyanate free polymer, polymethylol propane-modified TDI, and the like.

가교제는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 가교제의 사용량은 아크릴계 공중합체 100 질량부에 대해서, 0.01~20 질량부가 바람직하다.The crosslinking agent may be used alone or in combination of two or more. The amount of the crosslinking agent to be used is preferably 0.01 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

또한, 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 다이싱 시트로서 이용하는 경우, 점착제층은 에너지선 경화나 가열 발포, 수팽윤 등에 의해 접착력을 제어할 수 있는 점착제라도 좋다. 에너지선 경화형 점착제층은 종래부터 공지된 감마선, 전자선, 자외선, 가시광선 등 에너지선의 조사에 의해 경화하는 다양한 에너지선 경화형 점착제에 의해 형성될 수 있지만, 특히 자외선 경화형 점착제를 이용하는 것이 바람직하다.When the sheet for processing a semiconductor wafer is used as a dicing sheet, the pressure-sensitive adhesive layer may be a pressure-sensitive adhesive capable of controlling the adhesive force by energy ray curing, heated foaming, water swelling and the like. The energy ray curable pressure sensitive adhesive layer can be formed by various energy ray curable pressure sensitive adhesives which are conventionally cured by irradiation of energy rays such as gamma rays, electron rays, ultraviolet rays, and visible rays, but it is particularly preferable to use an ultraviolet ray curable pressure sensitive adhesive.

에너지선 경화형 점착제로서는, 예를 들면 아크릴계 점착제에 다관능 에너지선 경화 수지를 혼합한 점착제를 들 수 있다. 다관능 에너지선 경화 수지로서는 에너지선 중합성의 관능기를 복수 갖는 저분자 화합물, 우레탄아크릴레이트 올리고머 등을 들 수 있다. 또한, 측쇄에 에너지선 중합성의 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체를 포함하는 점착제도 이용할 수 있다. 이와 같은 에너지선 중합성 관능기로서는 (메타)아크릴로일기가 바람직하다.Examples of the energy ray curable pressure sensitive adhesive include pressure sensitive adhesives obtained by mixing a polyfunctional energy ray curable resin with an acrylic pressure sensitive adhesive. Examples of the polyfunctional energy ray curable resin include a low molecular compound having a plurality of energy ray polymerizable functional groups, urethane acrylate oligomer, and the like. Further, a pressure-sensitive adhesive containing an acrylic copolymer having an energy ray-polymerizable functional group in its side chain can also be used. As such an energy ray polymerizable functional group, a (meth) acryloyl group is preferable.

본 발명에 있어서, 점착제층의 유리 전이 온도(Tg)는 -50℃~30℃가 바람직하고 -25℃~30℃인 것이 바람직하다. 또한, 기재에 있어서의 지환족 에스테르의 함유량이 많은 경우에는 점착제층의 유리 전이 온도(Tg)는 0~30℃인 것이 바람직하고, 5~25℃인 것이 더 바람직하다. 여기서, 점착제층의 Tg란 점착제층을 적층시킨 시료의 주파수 11Hz에서의 동적 점탄성 측정에 있어서, -50~50℃의 영역에서 손실 탄젠트(tanδ)가 최대치를 나타내는 온도를 가리킨다. 또한, 점착제층이 에너지선 경화형 점착제인 경우에는 에너지선 조사에 의해 점착제층을 경화시키기 전의 유리 전이 온도를 가리킨다. 점착제층이 상기한 아크릴계 점착제로 이루어지는 경우는, 점착제층의 유리 전이 온도는 상기한 아크릴계 점착제를 구성하는 단량체의 종류 및 중합비를 규제하여, 경우에 따라 첨가되는 자외선 경화성 화합물이나 가교제의 영향을 추측하는 것으로 제어할 수 있다.In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer preferably has a glass transition temperature (Tg) of -50 ° C to 30 ° C, more preferably -25 ° C to 30 ° C. When the content of the alicyclic ester in the substrate is large, the pressure-sensitive adhesive layer preferably has a glass transition temperature (Tg) of 0 to 30 캜, more preferably 5 to 25 캜. Here, the Tg of the pressure-sensitive adhesive layer is the temperature at which the loss tangent (tan?) Shows the maximum value in the range of -50 to 50 占 폚 in the dynamic viscoelasticity measurement of the sample having the pressure-sensitive adhesive layer laminated at a frequency of 11 Hz. When the pressure-sensitive adhesive layer is an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, it indicates the glass transition temperature before curing the pressure-sensitive adhesive layer by energy ray irradiation. When the pressure-sensitive adhesive layer is made of the above-mentioned acrylic pressure-sensitive adhesive, the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer regulates the type and the polymerization ratio of the monomers constituting the acrylic pressure-sensitive adhesive, and presumably affects the influence of the ultraviolet- .

기재에 있어서의 지환족 에스테르의 함유량이 많은 경우 점착제층의 유리 전이 온도의 바람직한 범위는, 일반적으로 점착제에 관하여 바람직하다고 여겨지는 범위보다 높다. 이러한 범위가 바람직한 이유는 다음과 같다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 한 형태인 점착 시트에 있어서는, 기재 내부의 가소제가 점착제층으로 이행되는 경우가 있다. 그리고, 이행에 의해 점착제층이 가소제를 내포하게 되어 점착제층이 연화하는 경향이 있다. 이 경우라도 유리 전이 온도가 상기 범위이면, 점착제층의 응집력이 과도하게 저하되는 일 없이, 풀 잔여 방지 효과가 손상되기 어렵다.When the content of the aliphatic ester in the substrate is large, the preferable range of the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer is generally higher than the range that is considered preferable for the pressure-sensitive adhesive. The reasons for this range are as follows. As described above, in the case of the pressure-sensitive adhesive sheet as one form of the present invention, the plasticizer in the substrate may be transferred to the pressure-sensitive adhesive layer. Then, the pressure-sensitive adhesive layer contains the plasticizer by the transition, and the pressure-sensitive adhesive layer tends to be softened. Even in this case, if the glass transition temperature is within the above range, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is not excessively lowered, and the effect of preventing the residual paste is hardly impaired.

다이싱 시트는 반도체 가공에 범용된 것이며, 다이싱시에는 웨이퍼를 고정하고, 또한 다이싱에 의해 생성된 칩이 비산하지 않을 정도의 접착력을 갖는다. 다이싱 공정 종료 후에는 칩을 픽업한다. 이 때, 압출 핀이나 흡인 콜릿 등을 이용하여 다이싱 시트로부터 칩을 픽업한다. 또한, 점착제층이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 점착제층에 에너지선을 조사하여 점착력을 저하시키는 것으로, 칩의 픽업이 보다 용이하게 된다. 또한, 칩의 픽업 시에는 칩끼리의 간격을 이간하기 위하여, 다이싱 시트에 칩이 고정된 상태로 다이싱 시트를 익스펜딩하는 것이 바람직하다. 익스펜딩에 의해 칩 간격이 이간되어 칩의 인식이 용이하게 되며, 또한 칩끼리의 접촉에 의한 파손도 저감되어 수율도 향상한다.
The dicing sheet is commonly used for semiconductor processing. The dicing sheet fixes the wafer at the time of dicing, and has an adhesive force such that chips generated by dicing do not scatter. After completion of the dicing process, the chip is picked up. At this time, the chip is picked up from the dicing sheet by using an extrusion pin or a suction collet. When the pressure-sensitive adhesive layer has energy ray curability, the pressure sensitive adhesive layer is irradiated with an energy ray to lower the adhesive force, thereby making it easier to pick up the chip. When picking up the chips, it is preferable to expand the dicing sheet in a state where the chips are fixed on the dicing sheet in order to separate the chips from each other. The chip spacing is spaced apart by expansion, so that the chip is easily recognized, and breakage due to contact between the chips is also reduced, thereby improving the yield.

(필름형상 접착제)(Film-shaped adhesive)

또한, 접착성 수지층은 필름형상 접착제라도 좋다. 이러한 필름형상 접착제는 칩의 다이본드 공정에 있어서 최근 다용되고 있다. 이와 같은 필름형상 접착제는 바람직하게는 에폭시계 접착제 또는 폴리이미드계 접착제를 제막, 반경화한 것으로, 기재상 또는 상기한 점착 시트상에 박리 가능하게 형성되어 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 얻을 수 있다.The adhesive resin layer may be a film-like adhesive. Such a film-shaped adhesive has recently been widely used in the die bonding process of a chip. Such a film-like adhesive is preferably formed by forming and semi-curing an epoxy-based adhesive or a polyimide-based adhesive, and is peelable on a substrate or on the above-mentioned pressure-sensitive adhesive sheet to obtain a sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention .

필름형상 접착제층은 반도체 웨이퍼에 첩부된다. 그 반도체 웨이퍼와 필름형상 접착제층을 칩 사이즈로 다이싱하는 것으로 접착제층부의 칩이 얻어지고, 이것을 기재 또는 점착 시트로부터 픽업하여 접착제층을 통하여 소정 위치에 칩을 고착한다. 또한, 접착제층부 칩의 픽업 시에는 상기와 마찬가지로 익스펜딩을 실시하는 것이 바람직하다.The film-form adhesive layer is pasted on the semiconductor wafer. The semiconductor wafer and the film-shaped adhesive layer are diced into a chip size to obtain a chip of the adhesive layer portion, picked up from the base material or the adhesive sheet, and fixed to the predetermined position through the adhesive layer. When picking up the adhesive layer chips, it is preferable to perform expansion in the same manner as described above.

또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 시트는 다이싱 시의 웨이퍼 고정 기능과 다이본드 시의 다이 접착 기능을 동시에 겸비한 다이싱·다이본드 겸용 시트라도 좋다. 이 경우, 접착성 수지층을, 점착성을 갖던지 또는 가열에 의해 연화하여 피착체에 부착할 수 있는 성상으로 하는 것으로, 다이싱 공정에 있어서 반도체 웨이퍼나 칩을 보유할 수 있다. 그리고, 다이본드 시에는 칩을 고착하기 위한 접착제로서 기능한다. 접착제층은 다이싱 시에는 웨이퍼와 함께 절단되어 절단 된 칩과 동일 형상의 접착제층이 형성된다. 다이싱 종료후, 칩의 픽업을 실시하면 접착제층은 칩과 함께 기재로부터 박리된다. 접착제층을 수반한 칩을 기판에 재치하여 가열 등을 실시하고, 칩과 기판이나 다른 칩 등의 피착체를 접착제층을 통하여 접착한다. 이와 같은 다이싱·다이본드 겸용 시트는 기재 상에 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 겸비한 접착제층이 형성되어 이루어진다. 이와 같은 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 겸비한 접착제는, 예를 들면 상기한 아크릴계 점착제와 에폭시 접착제를 포함하며, 또한 필요에 따라서 에너지선 경화형 화합물 및 경화조제 등을 포함한다. 또한, 접착성 수지층의 칩에의 전사를 용이하게 하기 위한, 다이싱·다이본드 겸용 시트에 있어서의 기재는 박리 처리되는 것이 바람직하다. 또한, 점접착제층부 칩의 픽업 시에는 상기와 마찬가지로 익스펜딩을 실시하는 것이 바람직하다.
The sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention may be a dicing die-bonding sheet having both a wafer fixing function at the time of dicing and a die bonding function at the time of die bonding. In this case, the adhesive resin layer may have a sticky property or softened by heating so as to be attached to an adherend, so that a semiconductor wafer or chip can be held in the dicing step. In die bonding, it functions as an adhesive for bonding chips. The adhesive layer is cut along with the wafer at the time of dicing to form an adhesive layer having the same shape as the chips cut. After the completion of the dicing, if the chip is picked up, the adhesive layer is peeled from the substrate together with the chips. A chip accompanied by an adhesive layer is placed on a substrate and subjected to heating or the like, and an adherend such as a chip and a substrate or another chip is bonded through an adhesive layer. Such a dicing die-bonding sheet is formed by forming an adhesive layer having a wafer fixing function and a die bonding function on a substrate. The adhesives having the wafer fixing function and the die bonding function include, for example, the above acrylic pressure-sensitive adhesives and epoxy adhesives, and if necessary, energy ray curable compounds and curing aids. In order to facilitate the transfer of the adhesive resin layer to the chip, it is preferable that the substrate in the dicing / die bonding sheet is peeled. In picking up the point-adhesive-layer chip, it is preferable to perform expansion in the same manner as described above.

(보호막 형성용 시트)(Sheet for forming a protective film)

또한, 반도체 웨이퍼 가공용 시트는 칩 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트라도 좋다. 이 경우, 접착성 수지층에 반도체 웨이퍼를 첩부하여 접착성 수지층을 경화시켜, 그 후 반도체 웨이퍼와 수지층을 다이싱하여 경화한 수지층(보호막)을 갖는 칩을 얻는다. 이와 같은 보호막 형성용의 시트는 박리성 기재 상에 보호막이 되는 접착성의 수지층을 가진다. 보호막이 되는 접착성 수지층은 상기한 아크릴계 점착제와 에폭시 접착제 및 경화조제를 포함하며, 또한 필요에 따라서 필러 등이 포함되어 있어도 좋다.The sheet for processing a semiconductor wafer may be a sheet for forming a protective film for forming a protective film on the back surface of the chip. In this case, the semiconductor wafer is attached to the adhesive resin layer to cure the adhesive resin layer, and then the semiconductor wafer and the resin layer are diced to obtain a cured resin layer (protective film). Such a sheet for forming a protective film has an adhesive resin layer which becomes a protective film on a peelable substrate. The adhesive resin layer to be a protective film includes the acrylic adhesive, the epoxy adhesive, and the curing aid, and may further include a filler or the like if necessary.

본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 시트에 있어서의 접착성 수지층의 두께는 그 용도에 따라 다양하고, 다이싱 시트로 이용하는 경우는 30~200㎛ 정도이며, 또한 다이싱·다이본드 겸용 시트로 이용하는 경우에는 50~300㎛ 정도이다.The thickness of the adhesive resin layer in the sheet for processing a semiconductor wafer of the present invention varies depending on the use thereof, and is about 30 to 200 mu m when used as a dicing sheet. When the sheet is used as a dicing / die bonding sheet About 50 to 300 mu m.

이상, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 시트에 대하여, 접착성 수지층의 대표적인 조성과 용도에 대해 개설하였지만, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 시트에 있어서의 접착성 수지층은 상기한 것으로 한정되는 것은 아니며, 또한 그 용도도 특별히 한정되지 않는다.
The typical composition and application of the adhesive resin layer have been described above for the semiconductor wafer processing sheet of the present invention. However, the adhesive resin layer in the semiconductor wafer processing sheet of the present invention is not limited to the above, And its use is not particularly limited.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 있어서 채용한 측정, 평가 방법은 다음과 같다.
Hereinafter, the present invention will be described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples. The measurement and evaluation methods employed in the present invention are as follows.

<점착력 측정><Adhesive strength measurement>

장기 경시를 모방한 조건으로서 실시예 및 비교예로 제작한 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 촉진 조건 하(40℃ 7일 또는 40℃ 14일)에 투입하였다. 그 후, 해당 시트를 23℃ 상대습도 50%의 환경 하에 있어서 24시간 보관한 후, 폭 25mm로 길이 250mm로 커트한 시트를 경면 처리된 실리콘 웨이퍼(직경 6인치, 두께 650㎛, 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing) 후에 알칼리, 계속해서 산에 의해 잔류물 제거 처리를 실시한 것, 휨의 규격:수평면에 재치한 경우에 단부가 수평면으로부터 떨어진 거리가 100㎛ 이내, 시료 첩부면의 직경 0.2㎛ 이상의 파티클:30개 이내, Al, Cr, Cu, Fe, Ni, Zn, Na의 원소 존재량:5×1010 atoms/cm2 미만)에 첩부하여, 23℃ 상대습도 50%의 환경 하에 있어서 30분간 보관한 후, 자외선을 조사(자외선 조사 장치:Adwill(등록상표) RAD-2000m/12(린텍사제), 230mW/cm2, 190mJ/cm2)하여 점착제층을 경화하며, 23℃ 상대습도 50%의 환경하에 있어서 10분간 보관한 후에 박리 속도 300mm/min, 박리 각도 180°로 시트를 벗겼을 때의 힘을 측정하였다. 또한, 자외선을 조사하지 않는 시트에 대해서도와 마찬가지로 점착력을 측정하였다.
As a condition simulating long-term aging, the semiconductor wafer processing sheets prepared in Examples and Comparative Examples were placed under accelerated conditions (40 占 폚 for 7 days or 40 占 폚 for 14 days). Thereafter, the sheet was stored for 24 hours under the environment of a relative humidity of 23 캜 and a humidity of 50%, and then the sheet cut to a length of 250 mm with a width of 25 mm was transferred to a mirror-finished silicon wafer (6 inches in diameter, 650 탆 in thickness, After the chemical mechanical polishing, the alkali was removed and then the residue was removed by acid. Specification of warpage: The distance between the edge and the horizontal plane was 100 μm or less when placed on a horizontal plane. : 30 elements or less, elemental abundance of Al, Cr, Cu, Fe, Ni, Zn, and Na: less than 5 x 10 10 atoms / cm 2 ) and stored at 23 캜 in a 50% relative humidity for 30 minutes The pressure-sensitive adhesive layer was cured by irradiating ultraviolet rays (ultraviolet irradiation apparatus: Adwill (registered trademark) RAD-2000m / 12 (manufactured by LINTEC Co., Ltd., 230 mW / cm 2 , 190 mJ / cm 2 ) After 10 minutes of storage under the environment, the peeling speed was 300 mm / min and the peeling angle was 180 deg. To measure the force when the stripped. The adhesive strength was also measured in the same manner as for the sheet not irradiated with ultraviolet rays.

<풀 잔여의 평가><Evaluation of full residue>

상기 점착력 측정에 있어서, 시트를 박리한 부분의 실리콘 웨이퍼 표면에 있어서의 점착제 잔류물의 유무를 확인하였다. 점착제의 잔류물이 확인되지 않는 것을 「A」라고 하고, 점착제의 잔류물이 확인된 것을 「F」라고 하였다.
In the adhesion measurement, the presence or absence of the adhesive residue on the surface of the silicon wafer at the portion where the sheet was peeled off was confirmed. "A" indicates that the residue of the adhesive is not identified, and "F" indicates that the residue of the adhesive is identified.

<익스펜딩 적성><Expendability>

실시예 1 및 참고예 1의 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 6인치의 실리콘 웨이퍼(두께 350㎛)에 첩부하고, 다이서(Disco사제, DFD651에 의해, 다이싱 브레이드 27HECC를 이용하여 8mm×8mm 사이즈의 칩에 개편화했다. 계속해서, 당기면서 떼어내는 양 10mm로 익스펜딩을 실시하여, 가로방향(X방향) 및 세로방향(Y방향)의 칩 간격을 디지털 현미경으로 확인했다.
The semiconductor wafer processing sheet of Example 1 and Reference Example 1 was attached to a 6-inch silicon wafer (thickness 350 占 퐉), and a chip of 8 mm 占 8 mm size using a dicing blade 27HECC The chip was spaced 10 mm apart in pulling out, and chip intervals in the horizontal direction (X direction) and the vertical direction (Y direction) were confirmed by a digital microscope.

<점착제층의 유리 전이 온도의 측정>&Lt; Measurement of Glass Transition Temperature of Pressure-Sensitive Adhesive Layer &gt;

롤 나이프 코터를 이용하여, 용제로 희석한 실시예의 에너지선 경화형 점착제 조성물을, 건조 후의 도포 두께가 10㎛가 되도록 실리콘 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 38㎛)의 박리 처리면에 도포하여, 100℃으로 1분간 건조시켜, 점착제층의 노출한 면에 박리력이 다른 실리콘 박리 처리한 PET 필름을 접합하여 2매의 PET 필름에 협지된 점착제층을 얻었다. 계속해서, 23℃ 50%RH의 환경에서 7일간 보관한 후에, PET 필름을 제외한 점착제층만을 두께 1mm가 될 때까지 적층하였다. 1mm 두께까지 적층한 점착제층을 직경 8mm의 원주형으로 모형을 뽑아낸 후, 또한 두께 3mm까지 적층하여 측정용 샘플을 얻었다. 이 샘플의 -50℃부터 110℃에 있어서의 주파수 11Hz로 측정하였을 때의 tanδ(손실 탄젠트)를 점탄성 측정 장치(REOMETRIC사제, DYNAMIC ANALYZER RADII)를 이용하여 측정했다. -50℃부터 50℃의 범위에서 tanδ의 극대치를 나타내는 온도를 유리 전이 온도로 하였다.
Using a roll knife coater, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition of the example diluted with a solvent was applied to a release treatment surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (thickness 38 탆) obtained by silicone release treatment so as to have a coating thickness after drying of 10 탆 And dried at 100 占 폚 for 1 minute to bond the exposed PET film to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer with a silicone peeling treatment having a different peeling force to obtain a pressure-sensitive adhesive layer sandwiched between two PET films. Subsequently, after storage for 7 days in an environment of 23 ° C and 50% RH, only the pressure sensitive adhesive layer except for the PET film was laminated until the thickness became 1 mm. A pressure sensitive adhesive layer laminated up to a thickness of 1 mm was pulled out from the mold in a cylindrical shape having a diameter of 8 mm and then laminated up to a thickness of 3 mm to obtain a sample for measurement. The tan δ (loss tangent) of the sample measured at a frequency of 11 Hz at -50 ° C to 110 ° C was measured using a viscoelasticity measuring device (DYNAMIC ANALYZER RADII, manufactured by REOMETRIC Co., Ltd.). The temperature at which the maximum value of tan delta in the range of -50 deg. C to 50 deg. C was determined as the glass transition temperature.

실시예Example 1 One

(기재)(materials)

폴리염화비닐 수지(평균 중합도 1100) 100 중량부, 가소제로서의 1,2-시클로헥산디카르본산디이소노닐에스테르(BASF사제, 제품명:Hexamoll-DINCH) 30 중량부, 바륨·아연계 안정제 2.8 중량부로 이루어지는 혼합물을 180℃로 밴버리믹서를 이용하여 혼련했다. 이 혼합물을 캘린더 롤로 압연하여 두께 80㎛의 염화비닐 수지제 기재를 얻었다., 100 parts by weight of a polyvinyl chloride resin (average degree of polymerization: 1100), 30 parts by weight of 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid diisononyl ester (product name: Hexamoll-DINCH, product of BASF) and 2.8 parts by weight of barium- The mixture was kneaded at 180 DEG C using a Banbury mixer. This mixture was rolled by a calender roll to obtain a substrate made of vinyl chloride resin having a thickness of 80 mu m.

(점착제층)(Pressure-sensitive adhesive layer)

아크릴산 에스테르 공중합체(2-에틸헥실아크릴레이트:20 질량부, 초산비닐:78 질량부, 아크릴산:1 질량부, 2-히드록시에틸메타크릴레이트:1 질량부로부터 얻어지는 공중합체, 중량 평균 분자량:40만) 100 질량부, 경화제로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물(TOYOCHEM CO., LTD. 제, 상품명:BHS8515) 3.2 질량부, 광중합 개시제로서 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(시바 스페셜티 케미컬즈사제, 상품명: 아르가큐어 184) 2.6 질량부 및 에너지선 경화성 화합물로서 2관능 우레탄아크릴레이트와 6관능 우레탄아크릴레이트와의 비율이 1:1의 혼합물 85.7 질량부를 배합(고형 질량비)하여 에너지선 경화성 점착제 조성물을 얻었다. 이 조성물에 의해 얻어지는 점착제층의 유리 전이 온도는 17℃이다.Acrylic acid ester copolymer (20 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 78 parts by mass of vinyl acetate, 1 part by mass of acrylic acid, and 1 part by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate) 3.2 parts by mass of an organic polyisocyanate compound (TOYOCHEM CO., LTD., Trade name: BHS8515) as a curing agent and 1 part by mass of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (trade name: 2.6 parts by mass of Argacure 184) and 85.7 parts by mass of a mixture of a 1: 1 ratio of bifunctional urethane acrylate and 6-functional urethane acrylate as an energy ray curable compound were blended (solid mass ratio) to obtain an energy radiation curable pressure- . The pressure-sensitive adhesive layer obtained by this composition had a glass transition temperature of 17 캜.

(반도체 웨이퍼 가공용 시트의 작성)(Preparation of a sheet for processing a semiconductor wafer)

상기의 에너지선 경화형 점착제 조성물을 용제로 희석하여 도포량이 10g/m2가 되도록 박리재(SP-PET381031, 린텍사제)에 도포한 후 건조하고, 점착제층면과 상기 기재가 대향하도록 하여 적층하여 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 제작하였다. 또한, 사전에 기재에 코로나 처리를 실시하여 코로나 처리면에 점착제층을 적층하였다.The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition was diluted with a solvent to be applied to a release material (SP-PET381031, manufactured by LINTEC CORPORATION) so as to have a coverage of 10 g / m 2 and then dried to laminate the pressure- To prepare a working sheet. In addition, corona treatment was performed on the base material in advance, and a pressure-sensitive adhesive layer was laminated on the corona-treated surface.

얻어진 반도체 웨이퍼 가공용 시트를 이용한 <풀 잔여의 평가>를 표 1에 나타내며, <점착력 측정>의 측정 결과를 표 2에, <익스펜딩 적성>의 결과를 표 3에 나타낸다.
Table 1 shows the evaluation results of &quot; full residue &quot; using the obtained sheet for semiconductor wafer processing, and Table 3 shows the measurement results of &quot; Adhesive Force Measurement &quot;

비교예Comparative Example 1 One

기재에 배합하는 가소제로서 아디핀산디(2-에틸헥실)를 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
The same procedure as in Example 1 was carried out except that di (2-ethylhexyl) adipate was used as a plasticizer to be mixed with a substrate. The results are shown in Tables 1 and 2.

비교예Comparative Example 2 2

기재에 배합하는 가소제로서 테레프탈산디(2-에틸헥실)를 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
The procedure of Example 1 was repeated except that di (2-ethylhexyl) terephthalate was used as the plasticizer to be mixed with the base material. The results are shown in Tables 1 and 2.

비교예Comparative Example 3 3

기재에 배합하는 가소제로서 프탈산디(2-에틸헥실)를 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
The procedure of Example 1 was repeated except that di (2-ethylhexyl) phthalate was used as the plasticizer to be mixed with the base material. The results are shown in Tables 1 and 2.

표1Table 1 풀 잔여 평가Pool remaining evaluation 40℃ 7일 촉진Promote 7 days at 40 ℃ 40℃ 14일 촉진Promote 14 days at 40 ℃ UV조사전UV cooking dictionary UV조사후After UV irradiation UV조사전UV cooking dictionary UV조사후After UV irradiation 실시예1Example 1 A A A A 비교예1Comparative Example 1 F F F F 비교예2Comparative Example 2 F F F F 비교예3Comparative Example 3 A A A A

표2Table 2 점착력(mN/25mm)Adhesion (mN / 25 mm) 40℃ 7일 촉진Promote 7 days at 40 ℃ 40℃ 14일 촉진Promote 14 days at 40 ℃ UV조사전UV cooking dictionary UV조사후After UV irradiation UV조사전UV cooking dictionary UV조사후After UV irradiation 실시예1Example 1 370370 5050 355355 5050 비교예1Comparative Example 1 350350 6060 300300 6060 비교예2Comparative Example 2 420420 6060 430430 6060 비교예3Comparative Example 3 680680 6060 650650 6060

비교예Comparative Example 4 4

기재로서 두께 80㎛의, 에틸렌·메타크릴산 공중합체 필름을 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하였다. <익스펜딩 적성>의 결과를 표 3에 나타낸다. 비교예 4의 반도체 가공용 시트를 이용하였을 경우에는, X방향과 Y방향의 확장이 균일하지 않고 익스펜딩 적성에 뒤떨어졌다.
The same procedure as in Example 1 was carried out except that an ethylene-methacrylic acid copolymer film having a thickness of 80 占 퐉 was used. Table 3 shows the results of &lt; expansion ability &gt;. When the semiconductor processing sheet of Comparative Example 4 was used, the expansion in the X direction and the Y direction was not uniform and was inferior to the expansion ability.

표3Table 3 칩 간격(㎛)Chip spacing (㎛) X방향X direction Y방향Y direction 실시예1Example 1 135135 138138 비교예4Comparative Example 4 130130 101101

Claims (23)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 지환족 에스테르 화합물을 가소제로서 함유하는 염화비닐제 기재의 적어도 편면에, 접착성 수지층을 갖는 반도체 웨이퍼 가공용 시트로서,
상기 지환족 에스테르 화합물이 1,2-시클로헥산디카르본산과 이소노닐알코올과의 디에스테르이며,
상기 접착성 수지층이 아크릴계 점착제를 포함하는 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
A sheet for processing a semiconductor wafer having an adhesive resin layer on at least one side of a substrate made of vinyl chloride containing an alicyclic ester compound as a plasticizer,
Wherein the alicyclic ester compound is a diester of 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid and isononyl alcohol,
Wherein the adhesive resin layer comprises an acrylic pressure-sensitive adhesive.
제 14항에 있어서,
염화비닐제 기재에 있어서의 지환족 에스테르 화합물의 함유량이, 염화비닐 100 질량부에 대해서 5∼100 질량부인 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
15. The method of claim 14,
Wherein the content of the aliphatic ester compound in the vinyl chloride base material is 5 to 100 parts by mass based on 100 parts by mass of vinyl chloride.
제 14항에 있어서,
접착성 수지층이 감압 접착성을 갖는 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
15. The method of claim 14,
Wherein the adhesive resin layer has a pressure-sensitive adhesive property.
제 16항에 있어서,
접착성 수지층이 에너지선 경화형 점착제로 이루어지는 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
17. The method of claim 16,
Wherein the adhesive resin layer comprises an energy radiation curable pressure sensitive adhesive.
제 14항에 있어서,
아크릴계 점착제가 함유하는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체의 유리 전이 온도가 -50∼30℃인 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
15. The method of claim 14,
Wherein the (meth) acrylic acid ester copolymer contained in the acrylic pressure-sensitive adhesive has a glass transition temperature of -50 to 30 占 폚.
제 14항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,
반도체 웨이퍼의 다이싱을 실시할 때에, 반도체 웨이퍼 및 다이싱 후의 칩을 보유하기 위하여 사용되는 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
19. The method according to any one of claims 14 to 18,
A semiconductor wafer processing sheet used for holding a semiconductor wafer and a chip after dicing when dicing a semiconductor wafer.
제 14항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,
접착성 수지층이, 에폭시계 접착제 또는 폴리이미드계 접착제를 함유하는 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
19. The method according to any one of claims 14 to 18,
Wherein the adhesive resin layer contains an epoxy adhesive or a polyimide adhesive.
제 19항에 있어서,
접착성 수지층이, 에폭시계 접착제 또는 폴리이미드계 접착제를 함유하는 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
20. The method of claim 19,
Wherein the adhesive resin layer contains an epoxy adhesive or a polyimide adhesive.
제 19항에 있어서,
반도체 웨이퍼 및 다이싱 후의 칩에, 접착성 수지층을 전사하기 위한 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
20. The method of claim 19,
A sheet for processing a semiconductor wafer for transferring an adhesive resin layer onto a semiconductor wafer and a chip after dicing.
제 20항에 있어서,
반도체 웨이퍼 및 다이싱 후의 칩에, 접착성 수지층을 전사하기 위한 반도체 웨이퍼 가공용 시트.
21. The method of claim 20,
A sheet for processing a semiconductor wafer for transferring an adhesive resin layer onto a semiconductor wafer and a chip after dicing.
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