KR101750756B1 - Coating agent and method of forming a coating layer using thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 코팅 조성물 및 이를 이용한 코팅 필름의 형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 액상으로 이루어져 반도체 웨이퍼나 강화유리와 같은 대상물의 가공 중 임시로 표면을 코팅하여 보호하고, 가공 후 쉽게 박리될 수 있는 코팅 조성물, 이를 이용하여 형성된 코팅 필름, 이의 제조방법 및 상기 코팅 조성물을 이용한 반도체 칩의 제조공정에 관한 것이다. The present invention relates to a coating composition and a method of forming a coating film using the same. More particularly, the present invention relates to a coating composition which is in the form of a liquid and which is capable of temporarily coating and protecting the surface during processing of objects such as semiconductor wafers and tempered glass, and being easily peeled off after processing, a coating film formed using the same, And a manufacturing process of a semiconductor chip using the composition.

Description

코팅제 및 이를 이용한 코팅층의 형성방법{COATING AGENT AND METHOD OF FORMING A COATING LAYER USING THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a coating agent and a method for forming a coating layer using the coating agent.

본 발명은 코팅 조성물 및 이를 이용한 코팅 필름의 형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 액상으로 이루어져 반도체 웨이퍼나 강화유리와 같은 대상물의 가공 중 임시로 표면을 코팅하여 보호하고, 가공 후 쉽게 박리될 수 있는 코팅 조성물, 이를 이용하여 형성된 코팅 필름, 이의 제조방법 및 상기 코팅 조성물을 이용한 반도체 칩의 제조공정에 관한 것이다.The present invention relates to a coating composition and a method of forming a coating film using the same. More particularly, the present invention relates to a coating composition which is in the form of a liquid and which is capable of temporarily coating and protecting the surface during processing of objects such as semiconductor wafers and tempered glass, and being easily peeled off after processing, a coating film formed using the same, And a manufacturing process of a semiconductor chip using the composition.

최근 IT 산업의 발달로 IT 기기의 주요 부품인 반도체, 각종 터치스크린, 회로기판 등의 디스플레이 소재인 반도체 웨이퍼 및 강화유리의 사용이 증대되고 있다. Recently, with the development of IT industry, the use of semiconductor wafers and tempered glass, which are display materials of semiconductors, various touch screens and circuit boards, which are the main components of IT devices, are increasing.

특히, 제품의 경량화, 박막화와 함께 반도체 칩의 고집적화에 따라 이들 부품의 가공에 따른 불량률을 감소하고 신뢰성을 향상시키는 등의 요구가 많아지고 있다. 또한, 이에 대응하여 반도체 웨이퍼나 강화유리의 가공 공정 중 재료의 손상을 방지하기 위해 표면에 임시로 형성하는 보호막에 대한 사용도 증가하고 있다.Particularly, there are increasing demands for decreasing the defect rate due to the processing of these parts and improving the reliability, as the products become lighter and thinner and semiconductor chips become more highly integrated. Correspondingly, in order to prevent the damage of the material during the processing of the semiconductor wafer or tempered glass, the use of a protective film temporarily formed on the surface is also increasing.

예로서, 반도체 웨이퍼의 가공에서 연마공정인 백그라인딩(back grinding) 및 다이싱(dicing) 공정 중 웨이퍼 오염 및 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있으며, 특히 반도체 웨이퍼 가공 개선 공정의 일부인, 웨이퍼를 하프컷 다이싱(Half cut dicing) 후 그라인딩하는 DBG(Dicing Before Grinding) 공정에서 배면 치핑(Back Side Chipping) 및 크랙(Crack), 칩 표면으로의 증류수(DI Water)의 침투, 다이(Die)가 분리되어 칩 모서리 깨짐 등 불량 유형이 많이 발생하고 있다. 또한, 기존 공정인, 웨이퍼를 그라인딩 후 풀컷 다이싱(Full cut dicing) 공정에서도 상기 서술된 불량 유형이 많이 발생한다.For example, wafer damage such as wafer contamination and cracking during backgrinding and dicing processes, which are polishing processes in the processing of semiconductor wafers, frequently occurs, and in particular, Backside chipping and cracking in a DBG (dicing before grinding) process in which a wafer is subjected to half-cut dicing, grinding, and infiltration of DI water into the chip surface, ) Are separated and chip type is broken and many defect types are occurring. Further, in the full cut dicing process after grinding the wafer, which is an existing process, many of the above-described defect types occur.

또한, 디스플레이에 사용되는 강화유리의 가공공정을 살펴보면 유리를 적용 제품에 맞는 크기로 워터제트 방식 등으로 절단한 후, 측면부에 대한 그라인딩의 면취 가공을 수행하게 된다. 이때 유리의 절단 및 면취 가공공정에서 유리표면의 파손 및 스크래치가 발생하게 되면 강화유리의 파손, 난반사, 글자 흐림 등의 불량률이 현저히 높아진다.In addition, as for the processing of the tempered glass used for the display, the glass is cut into a size suitable for the applicable product by a water jet method, and then chamfering of the side portion is performed. At this time, when the glass surface is broken or scratched during the cutting and chamfering process of the glass, the defective rate of the tempered glass such as breakage, diffuse reflection, letter blurring is remarkably increased.

특히, 강화유리를 적용하여 레이저 가공 후 슬림화(Slimming)를 위해 강산인 불산(HF, hydrofluoric acid)에 에칭(etching) 작업을 수행하게 되면, 표면의 손상, 치수 불안정 등 불량 유형이 많이 발생한다.Especially, when etching is performed on HF (hydrofluoric acid) for slimming after laser processing by applying tempered glass, many types of defects such as surface damage and dimensional instability occur.

이와 같은 문제를 해결하기 위해 대부분의 현장에서는 임시로 보호층을 형성하고 가공공정 후 박리하여 제거할 수 있는 보호용 점착필름을 사용하고 있으며, 이를 통해 가공 중 증류수나 연삭수의 침투를 막고 높은 점착력 유지로 인해 대상물을 강하게 고정하여 파손 방지 효과를 볼 수 있다.In order to solve this problem, most of the sites use a protective adhesive film which can form a temporary protective layer and can be peeled off after processing. Through this, it is possible to prevent penetration of distilled water or grinding water during processing, So that the object can be firmly fixed to prevent the breakage.

하지만, 이러한 보호용 필름은 비용이 높고, 접착 공정에서 먼지를 비롯한 다양한 이물질의 유입과 접착 상태 불균형을 비롯하여 박리 과정에서 점착성분이 잔류하는 등의 문제를 일으키고, 이에 따른 별도의 공정이 요구되는 등 문제점이 많다. 도 1은 상술한 문제점을 보여주는 것으로, 종래의 보호용 점착필름 사용에 따른 가공물 표면 상태에 있어 테이핑 또는 연마 시 이물질(도 1의 a,b,f) 또는 실리콘 먼지(c,d)가 묻거나 라미네이션 필름이 고르게 접착되지 못하고(도 1의 e), 배면 치핑(Back Side Chipping)(도 1의 h)이 불량하다. However, such a protective film has a high cost, and there is a problem such that the adhesive component remains in the peeling process including the inflow of various foreign substances including the dust and the imbalance of the adhesion state in the bonding process, many. FIG. 1 shows the above-described problems. In the conventional state of the surface of the workpiece due to the use of the protective adhesive film, the foreign matter (a, b, f in FIG. 1) or silicone dust (c, The film is not evenly adhered (e in FIG. 1) and the back side chipping (h in FIG. 1) is poor.

또한, 가공 중 필름이 탈락하는 것을 방지하기 위해서 재료 표면에 대한 충분한 접착성과, 가공 후 쉽게 제거되어야 하는 특성이 다소 상반되는 것이어서 이를 동시에 만족시키기 어렵고, 패키지 신뢰성 향상을 위하여 표면 보호막이 구비된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭하는 경우, 상기 점착필름의 높은 점착력으로 인해 오히려 표면 보호막이 손상되어 점착필름의 사용이 제한되기도 한다.Further, in order to prevent the film from falling off during processing, sufficient adhesion to the surface of the material is somewhat contradictory to the characteristics to be easily removed after processing. It is therefore difficult to simultaneously satisfy these requirements. In order to improve the package reliability, The surface protective film may be damaged due to the high adhesive force of the adhesive film, which may limit the use of the adhesive film.

이로 인해 액상의 코팅제를 통해 임시 코팅층을 형성하는 방안이 고려되었으나 UV 활용 등의 경화방식에 의해 박리가 어려울 뿐만 아니라, 원형의 코팅면적이나 코팅 두께에 대한 두께 편차로 인해 고도의 평탄도를 요구하는 반도체 웨이퍼 가공공정에 실질적으로 적용이 어려운 문제점이 있다.As a result, a method of forming a temporary coating layer through a liquid coating agent has been considered, but it is difficult to peel off due to a curing method such as UV application, and a high degree of flatness is required due to a thickness variation of a circular coating area or coating thickness There is a problem that it is difficult to be practically applied to a semiconductor wafer processing process.

한국등록특허 제10-1393895호(2014.05.13)Korean Patent No. 10-1393895 (Apr. 13, 2014)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 가공 중 기재의 표면을 보호하기 위한 임시 보호층을 형성하되 고도의 평탄도를 구현할 수 있으며, 반도체 웨이퍼 또는 강화유리와 같은 기재 대상물을 가공 시 굴곡지거나 복합한 형상을 갖더라도 침투가 용이하여 밀착력이 높고, 인장강도 등의 기계적 물성을 향상시켜 가공에 따른 변형 또는 손상을 방지할 수 있는 코팅 조성물 및 이를 이용하여 형성되는 코팅 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the problems as described above, and it is an object of the present invention to provide a temporary protection layer for protecting the surface of a substrate during processing, The present invention provides a coating composition capable of preventing deformation or damage due to processing by enhancing the mechanical properties such as tensile strength and the like and easily adhering even when having a curved shape or a complex shape, and a coating film formed using the coating composition .

또한, 본 발명은 기포가 발생되지 않고 낮은 수축률을 구현할 수 있으며, 공정 불량률을 현저히 낮출 수 있는 코팅 조성물 및 이를 이용하여 형성되는 코팅 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a coating composition capable of realizing a low shrinkage ratio without generating bubbles and significantly lowering a process failure rate and a coating film formed using the coating composition.

또한, 본 발명은 가공 후 용이하게 필름 형태로 완전 박리가 가능한 코팅 조성물, 이를 이용하여 형성되는 코팅 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a coating composition which can be easily peeled off completely in the form of a film after processing and a coating film formed using the coating composition.

또한, 본 발명은 상술한 코팅 조성물을 이용하여 공정을 단순화하면서 정밀하고 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 칩 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a semiconductor chip manufacturing method which can improve precision and productivity while simplifying a process using the above-described coating composition.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 양태는 To achieve these and other advantages and in accordance with the purpose of the present invention, as embodied and broadly described herein,

뉴턴 유체(Newtonian fluid) 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트 및 가소제를 포함하는 코팅 조성물에 관한 것이다. To a coating composition comprising a polyvinyl chloride resin paste having a Newtonian fluid behavior and a plasticizer.

또한, 본 발명의 일 양태는 뉴턴 유체(Newtonian fluid) 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트 및 가소제를 포함하는 코팅 조성물을 도포하여 형성된 것인 코팅 필름에 관한 것이다. Further, one aspect of the present invention relates to a coating film formed by applying a coating composition comprising a polyvinyl chloride resin paste having a Newtonian fluid behavior and a plasticizer.

본 발명의 또 다른 양태는Another aspect of the present invention is

상기 코팅 조성물을 기재 대상물의 상부면에 도포하는 도포단계, An application step of applying the coating composition to the upper surface of a substrate object,

열압착하는 코팅층 형성단계 및A thermosetting coating layer forming step and

열처리하는 경화단계Heat-curing curing step

를 포함하는 코팅 필름의 제조방법에 관한 것이다.To a method for producing a coating film.

본 발명의 또 다른 양태는Another aspect of the present invention is

상기 코팅 조성물을 기재 대상물 상부면에 도포하여 코팅층을 형성하는 코팅단계,A coating step of applying the coating composition to a top surface of a substrate object to form a coating layer,

열처리하는 단계,A heat treatment step,

백그라이딩을 실시하는 단계 및Performing a backgrounding step and

코팅층을 박리하는 단계The step of peeling the coating layer

를 포함하는 반도체 칩의 제조방법에 관한 것이다.And a method of manufacturing the semiconductor chip.

본 발명은 종래 값비싼 코팅 필름과 비교하여 저렴하면서도 기재 보호 성능이 뛰어난 코팅제를 제공할 수 있는 장점이 있다. 특히, DBG(Dicing before grinding), 다이싱(Dicing), 소잉(Sawing)과 같은 반도체 웨이퍼 가공공정과, 디스플레이용 강화유리의 절단 및 면취가공, 불산(HF) 에칭(Etching) 등의 공정 시 기재를 효과적으로 보호할 수 있다.The present invention has the advantage that it is possible to provide a coating material that is inexpensive and has excellent substrate protective performance as compared with conventional costly coating films. In particular, the present invention relates to a semiconductor wafer processing process such as dicing before grinding (DBG), dicing, and sawing, a process of cutting, chamfering, hydrofluoric acid (HF) Can be effectively protected.

또한, 본 발명에 따른 코팅 조성물은 일액형, 무용제 형태로 사용이 간편하고, 상온에서 휘발되지 않으며, 경시 변화가 적고, 어떠한 형상을 갖는 기재라도 침투가 용이하게 적용 가능하며, 가공 시 반도체 웨이퍼 또는 강화유리와의 밀착력이 우수하여 백그라인딩 또는 불산 에칭, 고압의 워터젯과 고속의 면취 가공에서도 대상물에 대한 변형 또는 손상을 방지할 수 있고, 불량률을 현저히 낮출 수 있는 장점이 있다. In addition, the coating composition according to the present invention is easy to use in the form of a one-pack type or solvent-free form, does not volatilize at room temperature, has little change with time and can easily penetrate a substrate having any shape, It is possible to prevent deformation or damage to the object and to significantly reduce the defect rate even in back grinding or hydrofluoric acid etching, high-pressure water jetting and high-speed chamfering.

또한, 본 발명에 따른 코팅 필름은 가공 공정 후 화학약품을 사용하지 않고도 간편하면서도 잔여물이 남지 않도록 박리가 이루어질 수 있으며, 특히 고도의 정밀도를 요구하는 반도체 웨이퍼에 코팅층 형성시 뛰어난 평탄도를 나타낼 수 있는 장점이 있다. In addition, the coating film according to the present invention can be peeled easily and without leaving residues without using chemicals after the processing, and it can exhibit excellent flatness when a coating layer is formed on a semiconductor wafer requiring high precision There is an advantage.

또한, 본 발명의 코팅 조성물을 적용한 반도체 칩 제조방법은 공정을 간단하게 하면서도 불량률을 현저히 낮출 수 있어 신뢰성을 높일 수 있으며, 생산성을 극대화할 수 있는 장점이 있다. In addition, the method of manufacturing a semiconductor chip to which the coating composition of the present invention is applied can remarkably reduce the defective rate while simplifying the process, thereby improving the reliability and maximizing the productivity.

도 1은 종래 보호용 점착필름 사용에 따른 가공물 표면상태를 나타낸 것이다.
도 2는 테이프를 사용한 종래 웨이퍼 백그라인딩 공정과 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물을 적용하여 개선된 공정을 비교한 공정도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물을 적용한 도막 형성 모습을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물을 사용한 코팅 필름의 형성방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅층 형성 전후의 가공물 상태를 나타낸 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅층의 박리 모습을 나타낸 사진이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅제의 겔링 온도 분석결과를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅제의 150℃ 및 160℃ 온도조건에서의 겔링 속도 분석결과를 나타낸 그래프이다.
도 9는 폴리염화비닐 수지 페이스트들의 저장탄성률을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 10은 필름 두께편차를 측정하기 위한 측정 포인트를 일예로 나타낸 것이다. FIG. 1 shows the surface state of a workpiece according to the conventional use of a protective adhesive film.
2 schematically illustrates a process of comparing a conventional wafer back grinding process using a tape and an improved process using a coating composition according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view illustrating a state of forming a coating film to which a coating composition according to an embodiment of the present invention is applied.
4 is a flowchart schematically showing a method of forming a coating film using a coating composition according to an embodiment of the present invention.
5 is a photograph showing the state of a workpiece before and after the formation of a coating layer according to an embodiment of the present invention.
6 is a photograph showing a peeling state of a coating layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a graph showing the results of analysis of gelling temperature of a coating agent according to an embodiment of the present invention.
8 is a graph showing the results of analysis of the gelling rate of the coating agent at 150 ° C and 160 ° C temperature conditions according to an embodiment of the present invention.
9 is a graph comparing storage elastic moduli of polyvinyl chloride resin pastes.
Fig. 10 shows an example of measurement points for measuring the film thickness deviation.

이하, 본 발명의 코팅 조성물 및 이를 이용한 코팅 필름 및 이의 제조방법과 상기 코팅 조성물을 이용하여 반도체 칩을 제조하는 방법에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 하기의 실시예에 의해 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이고, 첨부된 특허 청구범위에 의해 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다. 이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어는 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가진다. Hereinafter, a coating composition of the present invention, a coating film using the same, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a semiconductor chip using the coating composition will be described in detail. The present invention may be better understood by the following examples, which are for the purpose of illustration only and are not intended to limit the scope of protection defined by the appended claims. The technical terms and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless otherwise defined.

본 발명에 따른 코팅 조성물은 특정의 유체 거동을 갖는 염화비닐계 수지 페이스트와 가소제를 포함함으로써, 기재의 임시 보호층을 형성함에 있어서 고도의 평탄도를 구현할 수 있으며, 기재 대상물의 형상이 복잡하더라도 액상이므로 용이하게 침투가 가능하고, 코팅층으로 형성된 이후 기재와의 밀착력이 높아 이물질이 기재와 코팅층 사이로 유입되지 않고, 인장강도 등의 기계적 물성이 뛰어나 기재 대상물이 외부의 물리적 힘에 의해 변형 또는 손상되는 일 없이 가공 공정을 수행할 수 있도록 한다. 이와 동시에, 가공 공정 후 형성된 코팅층을 제거기를 이용하여 박리 시 잔여물이 남지 않고 용이하게 박리가 되는 특성을 가지고 있다. 이에 상기 코팅 조성물을 반도체 칩 가공공정에 적용 시 공정을 단순화하면서도 정밀하고 우수한 생산성 및 신뢰성을 구현할 수 있다. Since the coating composition according to the present invention includes a vinyl chloride resin paste having a specific fluid behavior and a plasticizer, a high degree of flatness can be realized in forming the temporary protective layer of the substrate. Even if the shape of the substrate object is complicated, It is possible to easily penetrate the substrate and to prevent the foreign matter from flowing between the substrate and the coating layer due to the high adhesiveness to the substrate after being formed of the coating layer and to have excellent mechanical properties such as tensile strength and so that the substrate object is deformed or damaged by external physical force So that the machining process can be performed. At the same time, the coating layer formed after the processing step has a characteristic of being easily peeled off without leaving any residue when peeling off using a remover. Accordingly, when the coating composition is applied to a semiconductor chip processing process, it is possible to simplify the process and realize precise, excellent productivity and reliability.

본 발명에서 “코팅층”은 코팅 조성물을 열처리하여 형성한 것으로, 코팅 필름과 동일한 의미로 사용된다. In the present invention, " coating layer " is formed by heat-treating a coating composition, and is used in the same sense as coating film.

본 발명의 코팅 조성물은 액상의 코팅제로, 뉴턴 유체(Newtonian fluid) 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트 및 가소제를 포함한다. The coating composition of the present invention is a liquid coating agent, and includes a polyvinyl chloride resin paste and a plasticizer having Newtonian fluid behavior.

이때, 폴리염화비닐계 수지 페이스트는 뉴턴 유체 거동을 갖거나, 가소성(pseudo plastic) 유체 거동 또는 팽창성(dilatant) 유체 거동의 비-뉴턴 유체 거동을 갖는 것으로 구분될 수 있는데, 본 발명에서는 뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트를 포함하는 것을 특징으로 한다. In this case, the polyvinyl chloride resin paste may be classified as having Newtonian fluid behavior or having non-Newtonian fluid behavior of pseudo plastic fluid behavior or dilatant fluid behavior. In the present invention, the Newtonian fluid behavior And a polyvinyl chloride resin paste.

상기 뉴턴 유체는 점성 거동(rheological behavior)이 뉴턴의 점성법칙에 의해 설명되는 유체를 의미하는 것으로, 전단응력과 전단변형률의 관계가 선형적인 관계를 나타낸다. 이는 전단력이 증가함에 따라 점도가 감소하는 가소성(pseudoplastic) 유체 또는 전단력이 증가함에 따라 점도가 증가하는 팽창성(dilatant) 유체와 다른 것으로, 전단력에 따른 일정비의 점도를 가짐으로써, 높은 온도 범위에서 코팅 조성물의 기재에 대한 침투성이 뛰어나고, 형성되는 코팅 필름의 균일성 및 평활성 그리고 가공 공정 이후에 박리 시 잔여물 없이 완전한 박리 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트를 사용함으로써 코팅 조성물이 열처리를 통해 코팅 필름으로 된 후 인장강도, 박리강도, 표면 경도 등의 기계적 물성이 향상되고 동시에 낮은 수축률을 구현할 수 있어 우수한 치수안정성을 구현할 수 있어 보호 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있어 더욱 좋다. 이와 달리, 비뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트를 사용하는 경우 가소제와의 혼화성이 떨어져 가소제의 이행성이 나타날 수 있으며, 기포나 수축이 발생할 수 있다. 또한, 비뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트를 사용하는 경우 인장강도 등의 기계적 물성이 현저히 떨어져 기재 대상물을 보호하는 임시 보호 필름으로 사용이 어렵다. The Newtonian fluid refers to a fluid whose rheological behavior is explained by Newton's law of viscosity. The relationship between shear stress and shear strain is linear. This is different from a pseudoplastic fluid whose viscosity decreases with an increase in shear force or a dilatant fluid whose viscosity increases with an increase in shearing force and has a viscosity for daily maintenance according to shear force, The permeability of the composition to the substrate is excellent, the uniformity and smoothness of the coating film to be formed and the peeling property without peeling after peeling can be improved. Particularly, by using a polyvinyl chloride resin paste having Newtonian fluid behavior, the coating composition can be improved in mechanical properties such as tensile strength, peel strength, and surface hardness, which are formed into a coating film through heat treatment, Dimensional stability can be realized, and the protection performance can be remarkably improved. On the contrary, when a polyvinyl chloride resin paste having a non-Newtonian fluid behavior is used, miscibility with a plasticizer is deteriorated, and the plasticizer may exhibit transitivity and foam or shrinkage may occur. In addition, when a polyvinyl chloride resin paste having a non-Newtonian fluid behavior is used, mechanical properties such as tensile strength are remarkably reduced and it is difficult to use as a temporary protective film for protecting a substrate object.

더구나, 본 발명에 따른 뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트는 비-뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트와 달리, 가소제와의 상용성이 뛰어나며, 가소제의 내이행성을 부여하고, 휘발되는 것을 방지하며, 점도 경시변화를 낮춰 안정적인 점도특성을 구현할 수 있도록 한다. In addition, the polyvinyl chloride resin paste having Newtonian fluid behavior according to the present invention is excellent in compatibility with plasticizer, unlike polyvinyl chloride resin paste having non-Newtonian fluid behavior, imparts anti- Thereby preventing volatilization and lowering viscosity change over time so that stable viscosity characteristics can be realized.

일 적용예로, 본 발명의 일 실시예에 따른 뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트 및 가소제를 함유한 코팅 조성물은 약 150℃의 고온에서 몰드 내 도포된 후 가압 및 열처리에 의해 코팅층으로 형성될 경우 안정적인 점성을 유지할 수 있어 코팅층의 평활도가 뛰어나며 코팅층 전반의 두께 편차를 획기적으로 낮출 수 있다. 또한, 코팅층을 안정적으로 유지하면서 동시에 후가공에 따른 물리적 압력이 전달되는 경우에도 우수한 기계적 강도로 보호 성능을 극대화할 수 있다. In one application, a coating composition containing a polyvinyl chloride resin paste and a plasticizer having a Newtonian fluid behavior according to an embodiment of the present invention is applied in a mold at a high temperature of about 150 DEG C, followed by pressing and heat treatment to form a coating layer It is possible to maintain a stable viscosity so that the smoothness of the coating layer is excellent and the thickness variation across the coating layer can be drastically reduced. In addition, even when the coating layer is stably maintained and physical pressure due to post-processing is transferred, the protection performance can be maximized with excellent mechanical strength.

특히, 상기 뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트는 가소제와의 조합으로 열가소성을 증대시켜 고온에서의 성형 가공을 용이하게 하며, 특정 온도범위에서 열처리에 의한 겔화 특성 및 작업성이 우수한 이점이 있다. Particularly, the polyvinyl chloride resin paste having the Newtonian fluid behavior increases the thermoplasticity in combination with a plasticizer to facilitate molding at a high temperature, and has an advantage of excellent gelation characteristics and workability by heat treatment in a specific temperature range have.

상기 폴리염화비닐계 수지 페이스트는 폴리염화비닐계 수지에 통상의 용매, 일예로 물을 혼합한 것으로, 마이크로 현탁액(micro suspension) 또는 에멀젼(emulsion)일 수 있으며, 분산체의 형태라면 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. The polyvinyl chloride resin paste may be a micro suspension or an emulsion obtained by mixing a polyvinyl chloride resin with a common solvent such as water, It is not.

상기 뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트는 평균입경이 1 내지 10㎛인 분말상인 폴리염화비닐계 수지를 포함할 수 있다. 바람직하게는 2 내지 8㎛인 분말상의 폴리염화비닐계 수지를 포함할 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 가소제와의 상용성을 향상시킴으로써 균일한 조성물을 제조할 수 있고, 도포에 따른 코팅층 형성 시 물성 편차가 거의 발생되지 않고, 가공 후 박리에도 유리하여 더욱 좋다.The polyvinyl chloride resin paste having the Newtonian fluid behavior may include a powdered polyvinyl chloride resin having an average particle diameter of 1 to 10 mu m. And preferably 2 to 8 占 퐉. When the above range is satisfied, it is possible to produce a uniform composition by improving compatibility with a plasticizer, hardly cause a variation in physical properties upon formation of a coating layer upon application, and is advantageous for delamination after processing.

상기 폴리염화비닐계 수지는 내수성, 내산성, 절연성이 양호하고 난연성을 갖는 열가소성 수지인 것으로, 크게 제한되는 것은 아니지만, [-CH2-CHCl-]의 반복단위를 포함하는 단독중합체일 수 있으며, 또는 [-CH2-CHCl-]로 표시되는 주사슬에 올레핀계 단량체 또는 초산비닐 단량체가 공중합된 폴리염화비닐 공중합체로서 뉴톤 유체 거동을 가지는 공중합체일 수 있다.The polyvinyl chloride resin is a thermoplastic resin which is excellent in water resistance, acid resistance and insulation and has flame retardancy, and is not particularly limited, but may be a homopolymer containing a repeating unit of [-CH 2 -CHCl-] A polyvinyl chloride copolymer in which an olefin-based monomer or a vinyl acetate monomer is copolymerized with a main chain represented by [-CH 2 -CHCl-] and can be a copolymer having Newtonian fluid behavior.

또한, 상기 폴리염화비닐계 수지의 중합도는 바람직하게는 500 내지 2,000인 것이, 바람직하게는 800 내지 1,700인 것이, 보다 바람직하게는 900 내지 1,200인 것을 사용하는 것이 기재 대상물의 임시 보호 역할에 적합한 기계적 물성을 가질 수 있고, 열처리 후에도 변형되지 않고, 필름을 박리하는데 용이하여 작업성을 향상시킬 수 있어 더욱 좋다.The degree of polymerization of the polyvinyl chloride resin is preferably 500 to 2,000, preferably 800 to 1,700, and more preferably 900 to 1,200, in view of the mechanical protection The film can be easily peeled off, and workability can be improved, which is more preferable.

상기 가소제의 종류는 프탈레이트(phthalates)계, 아디페이트(adipates)계, 트리멜리테이트(trimellitates)계 가소제 등을 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 트리멜리테이트계 가소제를 사용하는 것이 더욱 좋다. Examples of the plasticizer include phthalates, adipates, trimellitates, and the like, and the plasticizer is not limited thereto. It is more preferable to use a trimellitate plasticizer.

구체적인 일예로, 디옥틸프탈레이트(DOP), 디이소노닐프탈레이트(DINP), 디이소데실프탈레이트(DIDP), 디부틸프탈레이트(DBP), 디옥틸테레프탈레이트(DOTP), 트리-2-에틸헥실트리멜리테이트(TOTM) 및 디옥틸아디페이트(DOA) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것일 수 있다. Specific examples thereof include diethyl phthalate (DOP), diisononyl phthalate (DINP), diisodecyl phthalate (DIDP), dibutyl phthalate (DBP), dioctyl terephthalate (DOTP) (TOTM), and dioctyl adipate (DOA).

보다 바람직하게는 트리멜리테이트계 가소제 중 트리-2-에틸헥실트리멜리테이트(TOTM)을 사용하는 것이 겔링화 단계에서의 균일성 및 분산성이 뛰어나 기재 대상물에 대한 침투가 뛰어나고 밀착력이 우수함과 동시에 박리가 용이하여 더욱 좋다. More preferably, the use of tri-2-ethylhexyl trimellitate (TOTM) among the trimellitate plasticizers is excellent in uniformity and dispersibility in the gel-ringing step, so that the infiltration to substrate objects is excellent and the adhesion is excellent It is better because it is easy to peel off.

상기 가소제는 코팅 조성물 전체 중량에 대하여 10 내지 40중량% 포함될 수 있다. 바람직하게는 10 내지 30중량%, 보다 바람직하게는 15 내지 25중량% 포함될 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우 폴리염화비닐계 수지 페이스트와의 상용성을 극대화할 수 있으면서 고온 안정성 및 우수한 작업성을 구현하는 데 더욱 좋다. The plasticizer may be contained in an amount of 10 to 40% by weight based on the total weight of the coating composition. Preferably 10 to 30% by weight, more preferably 15 to 25% by weight. When the above range is satisfied, it is possible to maximize the compatibility with the polyvinyl chloride resin paste, and to realize high temperature stability and excellent workability.

본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물은 하기 관계식 1을 만족하는 것일 수 있다. The coating composition according to one embodiment of the present invention may satisfy the following relational expression (1).

[관계식 1][Relation 1]

5× 102 ≤ G′100 / G′70 ≤ 103 5 10 2 ? G'100 / G'70? 10 3

(식 1에서, G′100 및 G′70은 각각 100℃ 및 70℃에서의 저장탄성률(storage modulus)을 나타낸 것이다.)(In Equation 1, G'100 And G'70 represents the storage modulus at 100 ° C and 70 ° C, respectively.)

상기 관계식 1의 범위를 만족하는 경우 두께 편차가 거의 없는 코팅층을 형성하기 용이하며, 겔화 상태에서 기재 대상물의 형상에 관계없이 침투가 용이하다. 또한, 열처리를 통해 밀착력을 증대시킬 수 있으며, 이와 반대로 박리가 요구되는 경우 쉽게 박리되는 특성을 갖는다. When the range of the above-described relational expression 1 is satisfied, it is easy to form a coating layer having little thickness variation, and penetration is easy regardless of the shape of the substrate object in the gelated state. In addition, the adhesive force can be increased through heat treatment, and on the contrary, when the peeling is required, it is easily peeled off.

본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물은 25 내지 30℃의 온도범위에서 점도가 5,000 내지 20,000cps인 것일 수 있다. 보다 바람직하게는 가공 시 온도범위를 고려하여 25℃에서 10,000 내지 15,000cps 점도가 더욱 좋다. 상기 범위를 초과하는 경우, 몰드 장비 내 일정량을 토출 후 상하부 금형이 닫히면서 경화가 진행될 때, 웨이퍼 전체적으로 액이 퍼지기 전에 경화가 이루어져 필름 도막 형성 후 도막 두께의 불균일성을 초래할 수 있고, 상기 범위 미만인 경우 겔링속도가 빠르게 이루어져 도막의 불균일성을 초래할 수 있다.The coating composition according to an embodiment of the present invention may have a viscosity of 5,000 to 20,000 cps in a temperature range of 25 to 30 占 폚. More preferably, the viscosity is 10,000 to 15,000 cps at 25 占 폚 in consideration of the temperature range during processing. If the amount exceeds the above range, hardening may occur before the liquid spreads over the entire wafer when the upper and lower dies are closed and the upper and lower dies are closed after discharging a certain amount in the mold equipment. This may result in unevenness of the film thickness after film film formation, The gelling speed can be made fast, resulting in nonuniformity of the coating film.

본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물은 레벨링제, 소포제, 점도조절제, 대전방지제, 침강방지제 및 열안정제로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. The coating composition according to an embodiment of the present invention may further include at least one additive selected from the group consisting of a leveling agent, an antifoaming agent, a viscosity controlling agent, an antistatic agent, an anti-settling agent, and a heat stabilizer .

상기 레벨링제는 조성물의 표면장력을 저하시키고, 습윤 및 레벨링을 향상시키기 위하여 사용되는 것으로, 가소제와의 조합으로 박리강도를 증진시킬 수 있다. 상기 레벨링제로는 실리콘계 또는 불소계 레벨링제를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 실리콘계 레벨링제를 사용하는 것이 더욱 좋다. 상기 실리콘계 레벨링제로는 폴리에스터 변성 실리콘계 화합물 또는 폴리에테르 변성 실리콘계 화합물 등을 사용할 수 있으며, 구체적인 일예로 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산, 폴리에스테르 변성 폴리디메틸실록산과 같은 토로이사의 EX-570, 570FL, 486CFL 등을 들 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 레벨링제는 크게 제한되는 것은 아니지만, 폴리염화비닐계 수지 및 가소제의 혼합 중량부인 100중량부에 대하여 0.2 내지 5중량부, 바람직하게는 0.5 내지 3중량부 포함될 수 있다. The leveling agent is used for lowering the surface tension of the composition and for improving the wetting and leveling, and can improve the peel strength in combination with a plasticizer. As the leveling agent, a silicone-based or fluorine-based leveling agent may be used, and it is more preferable to use a silicon-based leveling agent. As the silicone leveling agent, for example, a polyester-modified silicone compound or a polyether-modified silicone compound can be used. Specific examples of the silicone leveling agent include EX-570, 570FL, 486CFL such as polyether-modified polydimethylsiloxane and polyester-modified polydimethylsiloxane And the like, but the present invention is not limited thereto. The leveling agent may be included in an amount of 0.2 to 5 parts by weight, preferably 0.5 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyvinyl chloride resin and the plasticizer.

상기 소포제는 코팅층에 발생할 수 있는 기포를 제거하는 것으로 코팅층의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다. 상기 소포제로는 실리콘계 소포제, 광유계 소포제, 비실리콘계 소포제, 알코올계 소포제 등을 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 구체적인 일예로, 실리콘계 소포제로서 폴리디메틸실록산 (Polydimethylsiloxane) 또는 그 유도체를 사용할 수 있으며, 비실리콘계 소포제로는 코그니스사 (Cognis)의 Foamstar A-10 제품을 사용할 수 있다. 상기 소포제는 크게 제한되는 것은 아니지만, 폴리염화비닐계 수지 및 가소제의 혼합 중량부인 100중량부에 대하여 0.2 내지 5중량부, 바람직하게는 0.5 내지 2중량부 포함될 수 있다. The defoaming agent can remove the air bubbles that may occur in the coating layer, thereby improving the mechanical strength of the coating layer. Examples of the defoaming agent include silicone defoaming agents, mineral oil defoaming agents, non-silicone defoaming agents, alcohol defoaming agents, and the like. For example, polydimethylsiloxane or a derivative thereof may be used as the silicone antifoaming agent, and Foamstar A-10 product of Cognis may be used as the non-silicone antifoaming agent. The antifoaming agent may be included in an amount of 0.2 to 5 parts by weight, preferably 0.5 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total weight of the polyvinyl chloride resin and the plasticizer.

상기 점도조절제는 조성물의 점도를 용이하게 조절할 수 있도록 하는 것으로, 크게 제한되는 것은 아니지만 셀룰로오스계 화합물을 사용할 수 있다. 일예로, 하이드록시에틸셀룰로오스, 하이드록시메틸셀룰로오스, 카르복실메틸셀룰로오스 등을 들 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 점도조절제는 크게 제한되는 것은 아니지만, 폴리염화비닐계 수지 및 가소제의 혼합 중량부인 100중량부에 대하여 2 내지 10중량부, 바람직하게는 5 내지 8중량부 포함될 수 있다. The viscosity modifier allows easy control of the viscosity of the composition, and is not particularly limited, but a cellulose compound may be used. For example, hydroxyethylcellulose, hydroxymethylcellulose, carboxymethylcellulose, and the like can be mentioned, but not always limited thereto. The viscosity modifier is not particularly limited but may be added in an amount of 2 to 10 parts by weight, preferably 5 to 8 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyvinyl chloride resin and the plasticizer.

상기 대전방지제는 정전기에 의해 반도체와 같은 기재 대상물이 손상되는 것을 방지할 수 있는 것이라면 제한없이 사용할 수 있다. 일예로, 비이온 아민계 대전방지제, 다가알코올의 지방산 에스테르 대전방지제, 비이온 아미노계 대전방지제, 지방족 아미드계 대전방지제, 이온계 대전방지제, 이온폴리머계 대전방지제, 4급 암모늄계 대전방지제 등을 들 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 대전방지제는 크게 제한되는 것은 아니지만, 폴리염화비닐계 수지 및 가소제의 혼합 중량부인 100중량부에 대하여 0.2 내지 5중량부, 바람직하게는 0.5 내지 3중량부 포함될 수 있다. The antistatic agent can be used without limitation as long as it can prevent damage to a substrate object such as a semiconductor by static electricity. For example, a nonionic amine antistatic agent, a fatty acid ester antistatic agent of a polyhydric alcohol, a nonionic amino antistatic agent, an aliphatic amide antistatic agent, an ionic antistatic agent, an ionic polymer antistatic agent, a quaternary ammonium antistatic agent, And the present invention is not limited thereto. The antistatic agent is not particularly limited but may be added in an amount of 0.2 to 5 parts by weight, preferably 0.5 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the mixed weight of the polyvinyl chloride resin and the plasticizer.

상기 침강방지제는 분말상의 폴리염화비닐계 수지의 침강을 방지하여 분산성을 향상시킬 수 있는 것이라면 제한되지 않고 사용할 수 있다. 구체적인 일예로, 에치에스켐의 MONORAL, BYK의 BYK-405 등을 사용할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 침강방지제는 크게 제한되는 것은 아니지만, 폴리염화비닐계 수지 및 가소제의 혼합 중량부인 100중량부에 대하여 0.2 내지 5중량부, 바람직하게는 0.5 내지 2중량부 포함될 수 있다. The anti-settling agent can be used without limitation as long as it can prevent precipitation of powdery polyvinyl chloride resin to improve dispersibility. As a specific example, MONORAL from ECHECHEM, BYK-405 from BYK, and the like can be used, but the present invention is not limited thereto. The anti-settling agent is not particularly limited but may be added in an amount of 0.2 to 5 parts by weight, preferably 0.5 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyvinyl chloride resin and the plasticizer.

상기 열안정제는 조성물을 고온에서 경화시키는 경우 열분해에 따른 황변 등이 발생하는 것을 방지하기 위한 것으로, 바람직하게는 Ba-Zn계, Cd-Ba-Zn계, Cd-Ba계, Ba-Zn계, Ca-Zn계, Na-Zn계, Sn계, Pb계, Cd계 또는 Zn계 열안정제를 사용할 수 있다. 일예로, 송원산업의 BZ-806P, MT800 등을 사용할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 열안정제는 크게 제한되는 것은 아니지만, 폴리염화비닐계 수지 및 가소제의 혼합 중량부인 100중량부에 대하여 0.2 내지 5중량부, 바람직하게는 0.5 내지 2중량부 포함될 수 있다. The heat stabilizer is preferably a Ba-Zn based, Cd-Ba-Zn based, Cd-Ba based, Ba-Zn based, or Ba-Zn based compound for preventing yellowing due to pyrolysis when the composition is cured at a high temperature. Ca-Zn-based, Na-Zn-based, Sn-based, Pb-based, Cd-based or Zn-based heat stabilizers. For example, BZ-806P, MT800 from Songwon Industry can be used, but the present invention is not limited thereto. The heat stabilizer is not particularly limited but may be added in an amount of 0.2 to 5 parts by weight, preferably 0.5 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyvinyl chloride resin and the plasticizer.

상술한 첨가제는 필요에 따라 선택될 수 있으며, 크게 제한되는 것은 아니지만 바람직하게는 가소제와 먼저 혼합하여 교반시킨 다음 폴리염화비닐계 수지를 혼합하는 방법으로 첨가되는 것이 좋다. 보다 바람직하게는 가소제와 첨가제를 혼합하여 교반한 후, 폴리염화비닐계 수지를 서서히 투입한 다음 1,000rpm 이상의 고속교반기를 이용하여 상온에서 균일하게 분산시켜 조성물을 제조하는 것이 더욱 좋다.The above-mentioned additives may be selected as needed, and they are preferably added by a method of mixing the plasticizer with the plasticizer, stirring the plasticizer, and then mixing the polyvinyl chloride resin. More preferably, the plasticizer and the additive are mixed and stirred, then the polyvinyl chloride resin is gradually added, and then the composition is uniformly dispersed at room temperature using a high-speed stirrer at 1,000 rpm or higher.

본 발명에서 상술한 코팅 조성물은 반도체 칩 가공용 코팅 조성물인 것을 특징으로 할 수 있다. 이는 반도체 칩 제조공정 상 반도체 칩을 보호하는 것과 동시에 쉽게 박리되면서 잔사가 발생하지 않는 보호용 코팅 필름으로의 적용이 가능하다. The coating composition according to the present invention may be a coating composition for semiconductor chip processing. This makes it possible to protect the semiconductor chip in the semiconductor chip manufacturing process and to apply it as a protective coating film which does not generate residues easily while being peeled off.

본 발명은 상술한 코팅 조성물을 기재 대상물에 도포하여 형성된 코팅 필름을 제공한다. The present invention provides a coating film formed by applying the above-described coating composition to a substrate object.

상기 코팅 필름은 기재 대상물에 도포된 후 열처리를 통해 필름으로 형성되고, 그 과정에서 기재 대상물과의 밀착력이 상승된다. 이때, 밀착력은 JIS 2107 규정에 의거한 박리강도로 확인할 수 있으며, 본 발명에 따른 코팅 필름은 바람직하게는 0.1 내지 1.0 kgf/25㎜인, 보다 바람직하게는 0.2 내지 0.8 kgf/25㎜인 것이 더욱 좋다. The coating film is formed into a film through heat treatment after being applied to a base material object, and the adhesion strength with the base material object is increased in the course of the heat treatment. At this time, the adhesion can be confirmed by the peel strength according to JIS 2107, and the coating film according to the present invention is preferably 0.1 to 1.0 kgf / 25 mm, more preferably 0.2 to 0.8 kgf / 25 mm good.

또한, 상기 코팅 필름은 두께 편차가 10㎛ 이하인, 바람직하게는 7 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 상기 범위를 만족하는 경우 평활성이 뛰어나고, 우수한 가공성 및 작업성을 구현할 수 있어 더욱 좋다.The coating film is characterized in that the thickness deviation is 10 탆 or less, preferably 7 탆 or less. When the above range is satisfied, the smoothness is excellent, and excellent workability and workability can be realized, which is even better.

본 발명에서 상기 코팅 필름은 상술한 코팅 조성물을 기재 대상물의 상부면에 도포하는 도포단계, 기재 대상물의 상부면을 열압착하여 코팅층을 형성하는 코팅층 형성단계 및 열처리하는 경화단계를 포함하여 제조된다. In the present invention, the coating film is prepared by coating the above-mentioned coating composition on the upper surface of the substrate, forming a coating layer by thermocompression bonding the upper surface of the substrate, and curing by heat.

본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 필름의 제조방법에 있어서, 상기 도포단계는 기재 대상물의 상부면의 온도범위가 150 내지 180℃인 것을 특징으로 한다. 상기 온도범위를 만족하는 경우, 필름의 투명성 및 인장강도 등의 우수한 기계적 강도를 구현할 수 있다. In the method for manufacturing a coating film according to an embodiment of the present invention, the coating step is characterized in that the temperature range of the upper surface of the substrate object is 150 to 180 ° C. When the above temperature range is satisfied, excellent mechanical strength such as transparency and tensile strength of the film can be realized.

또한, 상기 코팅층 형성단계는 150 내지 160℃에서 20 내지 60 TONf/㎠의 압력 조건으로 열압착하는 것을 특징으로 한다.Also, the coating layer forming step is performed by thermocompression under a pressure of 20 to 60 TONf / cm 2 at 150 to 160 ° C.

또한, 상기 열처리 단계는 150 내지 160℃에서 5 내지 10분 동안 실시하는 것을 특징으로 한다. Also, the heat treatment step is performed at 150 to 160 ° C for 5 to 10 minutes.

본 발명의 일 실시에에 따른 코팅 필름은 두께 200㎛를 기준으로 JIS 2107의 규정에 의거하여 측정된 박리강도가 0.1 내지 1.0kgf/25㎜인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 필름은 ASTM D 638의 규정에 의거하여 측정된 인장강도가 10 내지 20kgf/15mm인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 필름은 25℃, 상대습도 85%의 조건에서 6시간 동안 방치한 후 수축률이 0.1% 이하인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 필름은 쇼어 A 경도가 60 내지 80, 바람직하게는 65 내지 75인 것일 수 있다. The coating film according to one embodiment of the present invention is characterized in that the peel strength measured in accordance with JIS 2107 is 0.1 to 1.0 kgf / 25 mm on the basis of a thickness of 200 mu m. The film has a tensile strength of 10 to 20 kgf / 15 mm as measured according to ASTM D 638. The film is characterized by having a shrinkage ratio of 0.1% or less after being left for 6 hours under conditions of 25 캜 and 85% relative humidity. Further, the film may have a Shore A hardness of 60 to 80, preferably 65 to 75.

본 발명은 상술한 코팅 조성물을 기재 대상물 상부면에 도포하여 코팅층을 형성하는 코팅단계,The present invention relates to a coating step of applying the above-mentioned coating composition to the upper surface of a substrate object to form a coating layer,

열처리하는 단계,A heat treatment step,

백그라이딩을 실시하는 단계 및Performing a backgrounding step and

코팅층을 박리하는 단계The step of peeling the coating layer

를 포함하는 반도체 칩의 제조방법을 제공한다. The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor chip.

이때, 상기 코팅단계는 도포 후 150 내지 160℃에서 20 내지 60 TONf/㎠의 압력으로 열압착하는 것을 더 포함할 수 있다. At this time, the coating step may further include thermocompression at a temperature of 150 to 160 DEG C and a pressure of 20 to 60 TONf / cm < 2 >

또한, 상기 열처리단계는 150 내지 160℃에서 5 내지 10분 동안 실시하는 것일 수 있다. In addition, the heat treatment may be performed at 150 to 160 ° C for 5 to 10 minutes.

도 2는 테이프를 사용한 종래의 웨이퍼 Back grinding 공정(a)과 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물을 사용하여 개선된 공정(b)을 비교한 공정도인 것이다. FIG. 2 is a process chart comparing a conventional wafer back grinding process (a) using a tape and an improved process (b) using a coating composition according to an embodiment of the present invention.

도 2(a)에서 볼 수 있는 바와 같이, 종래 공정은 웨이퍼 상에 보호필름을 라미네이션하고(Wafer Loading→Tape lamination), 보호테이프의 양 끝단을 절단한(Round Cut) 다음 백그라인딩(Back grinding)을 실시한 후 자외선 조사를 이용한 박리(UV Peeling) 및 테이프를 제거(De-taping)하는 순으로 실시되었다. 이러한 공정은 하프 소잉(Half sawing)이 이루어진 웨이퍼 상에 보호 테이프를 붙이고 라미네이션(Lamination)을 진행하는 경우, 라미네이션 공정에서 보호 테이프가 절단부 홈(Saw street) 내 침투될 수 없고, 다이(Die)와 다이가 일정 거리를 유지하기가 어렵거나 칩 간 부딪힘이 발생하여 불량률이 높다. 또한, 웨이퍼 크기에 맞춰 원형의 라미네이션이 이루어질 수 없어 고가의 필름 손실이 불가피하고, 범프 폴(Bump Ball)로 패턴 형성된 웨이퍼의 데드 존(Dead Zone) 내 범프 볼(Bump Ball)의 손실 및 백그라인딩 시 필름 단차가 발생으로 웨이퍼 선단 부분이 깨지는 문제가 있어왔다.As shown in FIG. 2 (a), in the conventional process, a protective film is laminated on a wafer (Wafer Loading → Tape lamination), and both ends of the protective tape are cut (Round Cut) Followed by UV peeling using ultraviolet ray irradiation and de-taping. In this process, when the protective tape is attached on the half-sawed wafer and lamination is performed, the protective tape can not penetrate into the cut groove in the lamination process, It is difficult for the die to maintain a certain distance, or the chip ratio is high due to the bump between the chips. In addition, since circular lamination can not be performed in accordance with the wafer size, an expensive film loss is inevitable, loss of a bump ball in a dead zone of a wafer patterned with a bump ball and back grinding There has been a problem that the tip of the wafer is broken due to the occurrence of the film step.

반면, 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물을 사용한 공정은 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 크기에 맞게 원형의 라미네이션이 이루어질 수 있으므로, 라미네이션이 불필요할 뿐만 아니라 코팅제가 절단부 홈 내에 완전히 침투하기 때문에 칩 간 부딪힘을 원천적으로 방지할 수 있다. 이에, 웨이퍼를 로딩(Wafer Loading)한 다음 코팅 조성물을 이용하여 코팅하여(Coating) 코팅층을 형성한 후, 백그라인딩 및 테이프 제거(De-taping)로 공정이 단순화되고 생산성을 증대시킬 수 있다. On the other hand, in the process using the coating composition according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2 (b), since circular lamination can be performed according to the wafer size, lamination is unnecessary, So that it is possible to prevent chip collision at the source. Thus, after the wafer is loaded and then coated with a coating composition to form a coating layer, back-grinding and tape de-taping are performed to simplify the process and increase the productivity.

즉, 도 3에서 볼 수 있는 바와 같은 웨이퍼 데드 존(Wafer Dead Zone)이 발생하지 않아 범프 볼(Bump Ball) 미사용에 대한 재료비의 절감이 가능하며, 코팅 시 기재형상에 맞는 코팅층의 형성이 가능하여 기존 방식에서의 백그라인딩 시 필름 단차로 인한 선단부분의 깨짐을 해소할 수 있다.That is, since the wafer dead zone does not occur as shown in FIG. 3, it is possible to reduce the material cost for the bump ball unused, and it is possible to form a coating layer suitable for the substrate shape at the time of coating It is possible to eliminate the breakage of the leading end portion due to the film step difference in the back grinding in the conventional method.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 필름의 형성방법을 개략적으로 나타낸 순서도로, 이를 이용하여, 앞서 상술한 코팅 조성물을 사용하되 코팅층에 대한 고도의 평탄도가 요구되는 반도체 웨이퍼 가공공정에 적용을 예로 필름을 형성하는 방법을 설명한다. 4 is a flowchart schematically showing a method of forming a coating film according to an embodiment of the present invention. Using the coating composition as described above, a semiconductor wafer processing process requiring a high degree of flatness to a coating layer A method of forming a film by using the application as an example will be described.

본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 필름의 제조방법 상 첫 번째 단계(S 110)는 코팅 조성물을 기재 대상물의 상부면에 코팅하는 단계이다. 코팅 조성물을 이용한 코팅 단계는 기재 대상물의 상부면에 코팅 조성물을 도포하는 것보다 바람직하게는 몰드를 사용하여 몰드 내 코팅층을 형성할 수 있도록 할 수 있다. 이는 형성된 코팅층이 기재 대상물 상부면을 벗어나 잉여 부분이 발생되지 않도록 하여 더욱 좋다. 즉, 몰드 내에 코팅층의 두께를 고려하여 적정량의 코팅 조성물을 넣어 코팅할 수 있도록 한다. 상기 몰드는 일예로, 압축 몰드 장비(Compressing Mold Machine) 또는 자동 시트 압축 장비(Auto Sheet Press Machine)를 이용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 몰드는 상부판 및 하부판을 포함하며, 각각은 바람직하게는 150 내지 180℃로 유지되는 것이 좋다. 상기 범위 미만인 경우에는 미경화로 인해 필름의 투명성 및 인장강도가 저하되며, 박리 과정에서 필름이 끊어질 수 있고, 박리 후 잔사가 발생할 수 있다. 또한, 상기 범위를 초과하면 초과하면 필름의 황변이 발생하며, 탄화된 잔사가 남을 수 있다. 상기 하부판은 웨이퍼를 진공 흡착시켜 수평 고정하면서 동시에, 코팅 조성물을 펌프를 이용하여 기재 대상물의 표면에 코팅두께 또는 코팅면적을 고려하여 정량 토출되도록 한다. The first step (S 110) of the method of producing a coating film according to an embodiment of the present invention is a step of coating the coating composition on the upper surface of the substrate object. The coating step using the coating composition may allow the coating layer in the mold to be formed using a mold, rather than applying the coating composition to the upper surface of the substrate object. This is further advantageous in that the formed coating layer does not leave excess portions from the upper surface of the substrate object. That is, a proper amount of the coating composition can be coated in the mold considering the thickness of the coating layer. The mold may be, for example, a compression molding machine or an automatic sheet press machine, but is not limited thereto. The mold includes an upper plate and a lower plate, each of which is preferably maintained at 150 to 180 캜. If it is less than the above range, the transparency and tensile strength of the film are lowered due to uncured film, the film may be broken during peeling, and residue may be formed after peeling. If it exceeds the above range, yellowing of the film occurs and carbonized residue may remain. The bottom plate allows the wafer to be vacuum-adsorbed and horizontally fixed, and at the same time, the coating composition is discharged on a surface of a base material object by a pump by a pump in consideration of the coating thickness or the coating area.

다음 두 번째 단계(S 120)에서는 상기 기재 대상물의 상부면인 표면으로부터 요구되는 코팅층의 두께에 대응하는 높이로 가압판인 상부판이 열압착을 실시하는 단계이다. 이때, 열압착에 따른 압축시간, 압착강도, 겔링 시간 또는 경화 시간은 적절히 조절될 수 있다. 바람직하게는 가압판을 이용한 열압착 조건은 150 내지 180℃에서 20 내지 60 TONf/㎠인 것이, 보다 바람직하게는 150 내지 160℃에서 20 내지 30 TONf/㎠인 것이 좋다. 상기 범위를 만족하는 경우 토출된 코팅 조성물이 균일하게 도포되는데 더욱 좋다.In the next second step (S 120), the top plate, which is a platen, is thermally pressed at a height corresponding to the thickness of the coating layer required from the upper surface of the substrate. At this time, the compression time, compression strength, gelling time or curing time according to the thermocompression bonding can be appropriately adjusted. Preferably, the thermocompression condition using the pressure plate is 20 to 60 TONf / cm 2 at 150 to 180 ° C, more preferably 20 to 30 TONf / cm 2 at 150 to 160 ° C. When the above range is satisfied, it is better that the discharged coating composition is uniformly applied.

다음으로, 세 번째 단계(S 130)는 몰드 내 열처리를 한 후, 가압판의 압착(pressing)을 해제하는 단계이다. 이때, 상기 열처리는 160 ~ 180℃의 온도 범위에서 1 ~ 2분 동안 한번에 열처리하거나, 150 · 160℃의 온도 범위에서 1 ~ 2분 동안 1차 열처리한 후, 기재 대상물을 같은 온도 범위에서 5 ~ 10분 동안 2차 열처리할 수 있다. 바람직하게는 150 내지 160℃에서 5 내지 10분 동안 실시하는 것이 좋다. 이를 통해 코팅층은 경화되며 기재 대상물의 표면에 밀착된 필름으로 성형된다. Next, the third step (S 130) is a step of releasing the pressing of the pressure plate after the heat treatment in the mold. The heat treatment may be performed at a temperature ranging from 160 to 180 ° C. for one to two minutes at a time or a heat treatment for one to two minutes at a temperature ranging from 150 to 160 ° C., Second heat treatment can be performed for 10 minutes. Preferably at 150 to 160 DEG C for 5 to 10 minutes. Whereby the coating layer is cured and formed into a film adhered to the surface of the substrate object.

본 발명은 상술한 코팅 조성물을 이용하여 반도체 칩을 제조하는 방법을 제공한다. The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor chip using the above-described coating composition.

본 발명의 반도체 칩 제조방법은 상기 코팅 조성물을 반도체 웨이퍼와 같은 기재 대상물 상부면에 도포하여 코팅을 형성하는 코팅단계 및 열처리하는 단계를 포함하여 상술한 바와 같이 코팅 필름을 형성한 다음, 백그라인딩을 실시한 이후 상기 코팅 필름을 박리하는 단계를 포함한다. The method of manufacturing a semiconductor chip according to the present invention includes forming a coating film as described above including a coating step of applying the coating composition to a top surface of a substrate such as a semiconductor wafer to form a coating and a heat treatment step, And then peeling off the coating film after the coating.

이때, 상기 코팅단계는 도포 후 코팅 필름 형성 시와 같은 조건으로 열압착 및 열처리를 실시할 수 있다. At this time, the coating step may be performed by thermocompression and heat treatment under the same conditions as in forming the coating film after coating.

즉, 코팅 필름이 형성되면, 기재 대상물인 반도체 웨이퍼의 2차 가공인 백그라인딩이 진행된다. That is, when a coating film is formed, back grinding, which is a secondary processing of the semiconductor wafer as a substrate object, proceeds.

본 발명에 따른 코팅 필름은 반도체 칩 간 침투가 잘 되어 있고 웨이퍼와의 밀착력이 뛰어나고, 백그라인딩과 같은 후가공에서 발생할 수 있는 칩의 물리적 변형 또는 손상의 위험이 없다. 백그라인딩 이후에는 필름을 제거하는 공정이 실시된다. 필름 제거 공정은 제거기(remover)를 이용하여 실시된다. The coating film according to the present invention is well penetrated between semiconductor chips and is excellent in adhesion to a wafer, and there is no risk of physical deformation or damage of a chip which may occur in post-processing such as back grinding. After back grinding, a process of removing the film is carried out. The film removal process is carried out using a remover.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅층의 형성 전후의 가공물 상태를 나타낸 것이다. 구체적으로, 도 5의 (a)는 코팅층이 형성되기 전 백그라인딩이 진행되지 않은 상태에서 반도체 웨이퍼의 하프소잉의 선 진행이 이루어진 상태의 단면도를 나타낸 것이며, 도 5의 (b)는 앞서 상술한 바와 같이 코팅층을 형성한 후의 단면사진으로 하프소잉 깊이는 300㎛에 대해 완전한 코팅이 이루어졌으며, 코팅막의 두께는 400㎛에 코팅층의 평탄도는 7㎛ 이내인 것으로 확인되었다. 이후, 가공 공정을 실시한 다음 도 6과 같이 코팅 필름이 용이하게 박리될 수 있음을 확인하였다. 도 5의 (c)는 코팅층의 박리가 이루어진 후의 단면사진으로, 소잉 홈(Sawing Line) 내 잔여물의 미존재 및 코팅층 제거에 따른 특이사항 없이 깨끗한 표면상태를 유지하고 있음을 확인하였다.FIG. 5 shows the state of a workpiece before and after the formation of a coating layer according to an embodiment of the present invention. 5 (a) is a cross-sectional view of the semiconductor wafer in a state in which the semiconductor wafer has undergone half-sowing before the coating layer is formed, and FIG. 5 (b) As a result, it was confirmed that the half-sowing depth was 300 탆, the thickness of the coating layer was 400 탆, and the flatness of the coating layer was within 7 탆. Thereafter, it was confirmed that the coating film can be easily peeled off as shown in FIG. 6 after the processing step. FIG. 5 (c) is a cross-sectional photograph of the coated layer after peeling, showing that a clean surface state was maintained without any unevenness of residue in the sowing line and removal of the coating layer.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물의 겔링(Gelling) 온도 분석결과를 나타낸 그래프이다. 코팅 조성물의 겔링은 약 80℃에서 시작되어, 약 100℃ 부근에서 종료되었다. 이때, 종료는 해당온도에서 겔링이 끝난 것을 의미하는 것이 아니라 용융이 시작되는, 즉 겔링에서 용융으로 넘어가는 것을 의미한다. 또한, 100 내지 120℃ 영역에서 용융이 시작되어 점도가 감소하는 등의 변화가 없는 것으로 나타났다.7 is a graph showing the results of gelling temperature analysis of a coating composition according to an embodiment of the present invention. The gelling of the coating composition started at about 80 캜 and was terminated at about 100 캜. At this time, the termination does not mean that the gelling is finished at the temperature, but means that the melting starts, that is, the gelling goes to the melting. Further, it was found that there was no change such as a decrease in viscosity since melting started in the range of 100 to 120 캜.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물의 150℃ 및 160℃ 온도조건에서의 겔링 속도분석결과를 나타낸 그래프이다. 상기 코팅 조성물은 겔링 시작 시간이 약 20초이며, 종료시간은 약 100 내지 150초인 것으로 나타났다. 겔링에 대한 시간은 압축 몰드 장비(Comprssing Mold Machine)에 의한 열압착에 의한 코팅층 형성 시 중요하다. 즉, 하부판의 온도는 이미 열처리를 통한 경화단계의 온도범위를 갖고 있기 때문에 겔링이 진행되어 균일한 액의 퍼짐이 이루어지지 않을 수 있으므로, 겔링 시간은 바람직하게는 30초 내지 120초, 보다 바람직하게는 40초 내지 80초 이내인 것이 더욱 좋다. FIG. 8 is a graph showing the results of analysis of gelling speed at 150 ° C. and 160 ° C. temperature conditions of the coating composition according to an embodiment of the present invention. The coating composition was found to have a gelling start time of about 20 seconds and an end time of about 100 to 150 seconds. The time for gelling is important in forming a coating layer by thermal compression by a compression molding machine. That is, since the temperature of the lower plate already has the temperature range of the curing step through the heat treatment, the gelling may proceed and the spread of the uniform liquid may not be achieved, so that the gelling time is preferably 30 seconds to 120 seconds, Is preferably within 40 seconds to 80 seconds.

이하 본 발명에 따른 코팅 조성물 및 이를 이용한 코팅 필름에 대한 일예를 들어 설명하는 바, 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the coating composition according to the present invention and the coating film using the same will be described. However, the present invention is not limited to the following examples.

(평가)(evaluation)

(1) 박리 후 잔사(1) Residue after peeling

3파장 램프를 사용하여 육안으로 잔여물이 있는지 확인하였다. 잔여물이 없으면 ○, 잔여물이 있으면 × 로 표기하였다. A three-wavelength lamp was used to visually inspect for any residue. When there is no residue, it is marked with & cir &

(2) 기포발생(2) Bubble generation

실시예 및 비교예에 따른 조성물을 이용하여 웨이퍼 상에 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착한 후 제조된 필름에 대하여 육안으로 기포발생이 있는지 확인하였다. 기포가 발생되지 않으면○, 기포가 발생되면 × 로 표기하였다.The composition according to Examples and Comparative Examples was thermocompression-bonded on a wafer at 150 ° C at 25 TONf / cm 2, and the film was visually inspected for bubbles. When bubbles were not generated, the symbol was marked with & cir &

(3) 박리강도(단위:kgf/25㎜)(3) Peel strength (unit: kgf / 25 mm)

실시예 및 비교예에 따른 조성물을 이용하여 웨이퍼 상에 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착한 후 150℃에서 10분 동안 열처리하여 제조된 필름을 JIS 2107의 규정에 의거하여 25mm x 200mm(가로 X 세로)로 절단한 다음, 인장시험 측정기(texture analyzer)를 사용하여 30 kgf 로드 셀(load cell)에서 상기 필름과 유리 기판을 상하 지그(zig)에 연결한 후 인장속도 300 mm/min의 속도, 180˚ 박리하여 박리 시 하중을 측정하였다.The film was thermocompression-bonded on a wafer at 150 ° C at 25 TONf / cm 2 using a composition according to Examples and Comparative Examples, and then heat-treated at 150 ° C for 10 minutes. Then, the film was stretched to a width of 25 mm x 200 mm X length), and then the film and the glass substrate were connected to the upper and lower jig in a 30 kgf load cell using a texture analyzer, and then the film was cut at a speed of 300 mm / min , 180 ° peeled off, and the load was measured when peeling off.

(4) 인장강도(단위:kgf/15㎜)(4) Tensile strength (unit: kgf / 15 mm)

실시예 및 비교예에 따른 조성물을 이용하여 유리기판 상에 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착한 후 150℃에서 10분 동안 열처리하여 제조된 필름(두께 200㎛)을 ASTM D 638에 따라 측정하였다. The film (200 μm in thickness) prepared by thermocompression of the composition according to Examples and Comparative Examples on a glass substrate at 150 ° C at 25 TONf / cm 2 and then at 150 ° C for 10 minutes was measured according to ASTM D 638 Respectively.

(5) 쇼어 경도(shore hardness)(5) Shore hardness

실시예 및 비교예에 따른 조성물을 이용하여 유리기판 상에 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착한 후 150℃에서 10분 동안 열처리하여 제조된 필름을 JIS K 6301(스프링 타입 A형) 규격에 따라 측정하였으며, 시험 스프링 하중은 539 내지 8,379 mN이다Using a composition according to Examples and Comparative Examples, the film was thermocompression-bonded to a glass substrate at 150 ° C at 25 TONf / cm 2, and then heat-treated at 150 ° C for 10 minutes. The film was measured according to JIS K 6301 (spring type A type) And the test spring load was 539 to 8,379 mN

(6) 수축률(단위;%)(6) Shrinkage (unit:%)

실시예 및 비교예에 따른 조성물을 이용하여 유리기판 상에 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착한 후 150℃에서 10분 동안 열처리하여 제조된 필름(25mm× 200mm× 20㎛)을 25℃, 상대습도 85%의 조건에서 6시간 동안 방치한 후 수축률을 측정하였다. (25 mm × 200 mm × 20 μm) prepared by thermocompression of the composition according to Examples and Comparative Examples on a glass substrate at 150 ° C. at 25 TONf / cm 2 and then at 150 ° C. for 10 minutes, The shrinkage percentage was measured after standing for 6 hours under a relative humidity of 85%.

(7) 투명도(단위:%)(7) Transparency (Unit:%)

실시예 및 비교예에 따른 조성물을 이용하여 유리기판 상에 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착한 후 150℃에서 10분 동안 열처리하여 제조된 필름(두께 200㎛)을 JIS K 7361 규정에 의거하여 Murakami Color Research laboratory사의 HM-150을 사용하여 측정하였다. Using a composition according to Examples and Comparative Examples, a film (200 μm in thickness) prepared by thermocompression at 150 ° C. and 25 ° TONf / cm 2 on a glass substrate and then heat-treated at 150 ° C. for 10 minutes was measured according to JIS K 7361 And measured by HM-150 of Murakami Color Research Laboratory.

(8) 이행성(8) Transitability

실시예 및 비교예에 따른 조성물을 이용하여 유리기판 상에 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착한 후 150℃에서 10분 동안 열처리하여 제조된 필름(두께 200㎛) 2장 사이에 기름 종이를 놓고, 일정한 무게 5kg을 가한 후, 40내지 50℃에서 3시간 후 기름종이의 전후 무게를 측정하였다. 이행성이 발생되지 않으면○, 이행성이 발생되면 × 로 표기하였다.The composition according to Examples and Comparative Examples was used to thermocompression on a glass substrate at 150 占 폚 at 25 TONf / cm2 and then heat-treated at 150 占 폚 for 10 minutes to prepare two sheets of oil film (thickness 200 占 퐉) , And a constant weight of 5 kg was added. After 3 hours at 40 to 50 캜, the weight of the oil paper was measured. When no transitivity occurred, the symbol was marked with " o "

(9) 두께편차(9) Thickness variation

실시예 및 비교예에 따른 조성물을 이용하여 유리기판 상에 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착한 후 150℃에서 10분 동안 열처리하여 제조된 필름(두께 200㎛)에 대하여, 코팅된 웨이퍼를 진공으로 흡착한 후, 웨이퍼 도막 두께 측정기를 이용하여 원점에서 일정 거리로 도 10에서와 같이 9포인트를 측정 후 최대 도막 두께와 최소 도막 두께의 차로 정의되는 두께편차(TTV;Total Thickness Variation)를 기록한다. Using a composition according to Examples and Comparative Examples, a film (thickness 200 μm) prepared by thermocompression of a glass substrate at 150 ° C. at a pressure of 25 TONf / cm 2 and a heat treatment at 150 ° C. for 10 minutes was coated on a coated wafer After being adsorbed by vacuum, 9 points were measured at a distance from the origin at a distance from the origin using a wafer film thickness meter, and then a total thickness variation (TTV) defined as a difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness was recorded do.

(실시예 1) (Example 1)

뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐 페이스트 수지(한화케미칼의 EL103) 65 중량% 및 트리-2-에틸헥실트리멜리테이트(TOTM) 35중량%로 이루어진 조성물(1)을 정량 토출 펌프를 이용하여 반도체 웨이퍼 표면에 토출시킨 후, 몰드 내 상부판을 하강시켜 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착시킨 후 150℃에서 10분 동안 열처리를 실시한 다음 압착을 해제한 후 제거기를 이용하여 형성된 필름을 제거하였다. 이때, 상기 폴리염화비닐 페이스트 수지는 평균입경이 2.98㎛이며, 중합도가 900인 폴리염화비닐 수지를 사용하였으며, 30℃에서 점도가 20,000 cps인 것을 사용하였다. A composition (1) consisting of 65% by weight of a polyvinyl chloride paste resin having Newtonian fluid behavior (EL103 from Hanwha Chemical) and 35% by weight of tri-2-ethylhexyltrimellitate (TOTM) The top plate in the mold was lowered and thermocompression was performed at 150 ° C at 25 TONf / cm 2, followed by heat treatment at 150 ° C for 10 minutes. Then, the film was removed by using a remover after removing the pressure. The polyvinyl chloride paste resin used was a polyvinyl chloride resin having an average particle diameter of 2.98 μm and a degree of polymerization of 900 and a viscosity of 20,000 cps at 30 ° C. was used.

(실시예 2)(Example 2)

뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐 페이스트 수지 65 중량% 및 트리-2-에틸헥실트리멜리테이트(TOTM) 35중량%의 혼합물 100중량부에 대하여, 레벨링제로 트로이사의 EX-570, 소포제로 코그니스사의 Foamstar A-10, 점도조절제로 하이드록시메틸셀룰로오스를 각각 1.0, 0.5 및 4.0중량부 혼합하여 이루어진 조성물(2)을 정량 토출 펌프를 이용하여 반도체 웨이퍼 표면에 토출시킨 후, 몰드 내 상부판을 하강시켜 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착시킨 후 150℃에서 10분 동안 열처리를 실시한 다음 압착을 해제한 후 제거기를 이용하여 형성된 필름을 제거하였다.(100 parts by weight) of a mixture of 65% by weight of a polyvinyl chloride paste resin having Newtonian fluid behavior and 35% by weight of tri-2-ethylhexyl trimellitate (TOTM) Foamstar A-10, and hydroxymethylcellulose as a viscosity modifier, 1.0, 0.5 and 4.0 parts by weight, respectively, were dispensed onto the surface of the semiconductor wafer using a constant-volume dispensing pump, and then the upper plate in the mold was lowered After thermocompression at 150 ° C at 25 TONf / cm 2, the film was heat-treated at 150 ° C for 10 minutes, and then the film was removed by using a remover.

(실시예 3)(Example 3)

뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐 페이스트 수지 65 중량% 및 트리-2-에틸헥실트리멜리테이트(TOTM) 35중량%의 혼합물 100중량부에 대하여, 레벨링제로 트로이사의 EX-570, 소포제로 코그니스사의 Foamstar A-10, 점도조절제로 하이드록시메틸셀룰로오스, 침강방지제로 BYK사의 BYK-405, 열안정제로 송원산업의 BZ-806P, 대전방지제로 롯데케미칼사의 폴리에틸렌글리콜 800(PEG-800)을 각각 1.0, 0.5, 4.0, 0.5, 1.0 및 2.0중량부 혼합하여 이루어진 조성물(3)을 정량 토출 펌프를 이용하여 반도체 웨이퍼 표면에 토출시킨 후, 몰드 내 상부판을 하강시켜 150℃에서 25 TONf/㎠으로 열압착시킨 후 160℃에서 10분 동안 열처리를 실시한 다음 압착을 해제한 후 제거기를 이용하여 형성된 필름을 제거하였다.(100 parts by weight) of a mixture of 65% by weight of a polyvinyl chloride paste resin having Newtonian fluid behavior and 35% by weight of tri-2-ethylhexyl trimellitate (TOTM) (BYK-405 manufactured by BYK Corp., BZ-806P manufactured by Songwon Industrial Co., Ltd.) and polyethylene glycol 800 (PEG-800 manufactured by Lotte Chemical Co., Ltd.) as an antistatic agent were dissolved in water, 0.5, 1.0, 2.0, and 2.0 parts by weight were mixed and discharged onto the surface of a semiconductor wafer using a constant-volume dispensing pump. Then, the upper plate in the mold was lowered and thermocompression was carried out at 150 ° C at 25 TONf / After heat treatment at 160 ° C for 10 minutes, the film was removed by using a remover.

(실시예 4)(Example 4)

실시예 3에서 트리-2-에틸헥실트리멜리테이트(TOTM) 대신에 디옥틸프탈레이트(DOP)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 실시하였다. The procedure of Example 3 was repeated, except that dioctyl phthalate (DOP) was used instead of tri-2-ethylhexyl trimellitate (TOTM) in Example 3.

(실시예 5)(Example 5)

실시예 3에서 트리-2-에틸헥실트리멜리테이트(TOTM) 대신에 디옥틸아디페이트(DOA)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 실시하였다. The procedure of Example 3 was repeated except that dioctyl adipate (DOA) was used instead of tri-2-ethylhexyl trimellitate (TOTM) in Example 3.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

실시예 3에서 뉴턴 유체 거동을 갖는 PVC 페이스트 수지를 사용하는 것을 대신하여, 가소성 유체(pseudo plastic) 거동을 갖는 PVC 페이스트 수지(한화케미칼의 EM2070)를 사용하여 실시예 3과 동일한 방법으로 실시하였다. 이때, 비-뉴턴 유체 거동을 갖는 PVC 페이스트 수지는 평균입경이 2.98㎛이며, 중합도가 1,150인 폴리염화비닐 수지를 사용하였으며, 30℃에서 점도가 6,000cps인 것을 사용하였다. .Example 3 was carried out in the same manner as in Example 3 except that PVC paste resin having pseudo plastic behavior (EM2070 of Hanwha Chemical) was used instead of PVC paste resin having Newton fluid behavior in Example 3. [ The PVC paste resin having a non-Newtonian fluid behavior had a mean particle size of 2.98 탆 and a polyvinyl chloride resin with a degree of polymerization of 1,150 and a viscosity of 6,000 cps at 30 캜 was used. .

(비교예 2)(Comparative Example 2)

실시예 3에서 뉴턴 유체 거동을 갖는 PVC 페이스트 수지를 사용하는 것을 대신하여, 팽창성 유체(dilitant) 거동을 갖는 PVC 페이스트 수지(한화케미칼의 KM60)를 사용하여 실시예 3과 동일한 방법으로 실시하였다. 이때, 비-뉴턴 유체 거동을 갖는 PVC 페이스트 수지는 평균입경이 2.98㎛이며, 중합도가 1,250인 폴리염화비닐 수지를 사용하였으며, 30℃에서 점도가 20,000 cps인 것을 사용하였다. In place of using PVC paste resin having Newton fluid behavior in Example 3, the same procedure as in Example 3 was carried out using a PVC paste resin having an expanding fluid behavior (KM60 from Hanwha Chemical). The PVC paste resin having a non-Newtonian fluid behavior had a mean particle diameter of 2.98 μm and a polyvinyl chloride resin having a polymerization degree of 1,250, and a viscosity of 20,000 cps at 30 ° C. was used.

(비교예 3) (Comparative Example 3)

실시예 3에서 관계식 1을 만족하는 PVC 페이스트 수지를 사용하는 것을 대신하여, G'100/G'70이 1,683인 PVC 페이스트 수지를 사용하여 실시예 3과 동일한 방법으로 실시하였다. 이때, 사용된 PVC 페이스트 수지는 평균입경이 2.98㎛이며, 중합도가 1,100인 폴리염화비닐 수지를 사용하였으며, 30℃에서 점도가 5,600cps인 것을 사용하였다.Instead of using the PVC paste resin satisfying the relational expression 1 in Example 3, a PVC paste resin having G'100 / G'70 of 1,683 was used in the same manner as in Example 3. The PVC paste resin used herein was a polyvinyl chloride resin having an average particle diameter of 2.98 μm and a polymerization degree of 1,100, and a resin having a viscosity of 5,600 cps at 30 ° C. was used.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

실시예 3에서 관계식 1을 만족하는 PVC 페이스트 수지를 사용하는 것을 대신하여, G'100/G'70이 6,467인 PVC 페이스트 수지를 사용하여 실시예 3과 동일한 방법으로 실시하였다. 이때, 사용된 PVC 페이스트 수지는 평균입경이 2.98㎛이며, 중합도가 1,200인 폴리염화비닐 수지를 사용하였으며, 30℃에서 점도가 18,500cps인 것을 사용하였다.Instead of using the PVC paste resin satisfying the relational expression 1 in Example 3, a PVC paste resin having G'100 / G'70 of 6,467 was used in the same manner as in Example 3. The PVC paste resin used herein was a polyvinyl chloride resin having an average particle diameter of 2.98 mu m and a polymerization degree of 1,200 and a viscosity of 18,500 cps at 30 DEG C was used.

[표 1][Table 1]

Figure 112016057609233-pat00001
Figure 112016057609233-pat00001

상기 표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 5는 높은 박리강도를 가져 기재 대상물에 대한 밀착력이 우수하고, 인장강도 및 쇼어경도가 높고 낮은 수축률을 나타내어 공정상 요구되는 탁월한 기재 보호 성능을 구현할 수 있다. 더구나, 박리 후 잔사되는 부분이 전혀 없음을 확인할 수 있었으며, 기포가 발생하거나, 가소제의 이행성을 나타내지 않았다. 또한, 높은 투명도를 가져 가공 공정에 적용시 작업성이 용이하고, 평활도가 우수하였다. 반면, 비교예 1은 실시예에 비하여 박리강도가 낮아 밀착력이 현저히 떨어질 뿐만 아니라 인장강도, 쇼어경도가 낮았으며, 수축률 및 두께 편차가 높게 나타남을 확인하였다. 또한, 비교예 2는 박리 후 잔사가 남고, 기포가 발생하였으며, 인장강도가 낮고, 가소제의 이행성을 보이고 낮은 투명도를 나타내었다.As can be seen from Table 1, Examples 1 to 5 according to the present invention have high peel strength, excellent adhesion to substrate objects, high tensile strength and shore hardness, and low shrinkage, Substrate protection performance can be realized. In addition, it was confirmed that no residue remained after peeling, and no bubbles were generated or exhibited no migration of the plasticizer. In addition, it has high transparency and is easy to work when applied to a processing step and has excellent smoothness. On the other hand, in Comparative Example 1, the peel strength was low as compared with the Examples, so that the adhesion was remarkably lowered, the tensile strength and the Shore hardness were low, and the shrinkage percentage and the thickness deviation were high. In Comparative Example 2, the residue remained after peeling, air bubbles were generated, the tensile strength was low, the plasticizer was migrated, and the transparency was low.

또한, 도 9는 폴리염화비닐 페이스트 수지의 저장탄성률의 여러 양태를 나타낸 것으로, 실시예 1(100)은 저장탄성률(G′)이 상술한 관계식 1의 범위를 만족하는 경우로, 반도체 칩을 보호하는 필름화 공정상 가공온도 범위 내 몰드를 이용하여 코팅액을 넣고 가압 후 경화하는 과정에서 상기 코팅액 전반에 걸쳐 동시에 고르게 경화시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 경화된 필름은 두께 균일성이 탁월할 뿐만 아니라, 우수한 밀착력, 인장강도, 표면강도, 투명성 등을 구현할 수 있었고, 박리 후에도 잔사가 발생하지 않았다. 반면, 저장탄성률(G′)이 상술한 관계식 1의 범위를 벗어나는 비교예 3(100)과 비교예 4(300)는 필름화 공정 상 두께 균일성이 불량으로 나타났고, 박리강도와 인장강도가 낮은 값을 나타내어 박리 후 잔사가 다수 발생하였다.In addition, FIG. 9 shows various aspects of the storage elastic modulus of the polyvinyl chloride paste resin. In Example 1 (100), the storage elastic modulus (G ') satisfies the relationship of the above- It is confirmed that the coating liquid can be uniformly cured at the same time throughout the coating liquid during the process of curing after putting the coating liquid into the mold using the mold within the processing temperature range. In addition, not only the thickness uniformity of the cured film is excellent, but also excellent adhesion, tensile strength, surface strength, transparency and the like can be realized, and no residue is generated even after peeling. On the other hand, in Comparative Example 3 (100) and Comparative Example 4 (300) in which the storage elastic modulus (G ') deviates from the range of the above-mentioned relational expression 1, the thickness uniformity was poor in the filming process, and peeling strength and tensile strength And a large number of residues occurred after peeling.

이상과 같이 본 발명에서는 한정된 실시예에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Various modifications and variations are possible in light of the above teachings.

따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Accordingly, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, belong to the scope of the present invention .

Claims (19)

뉴턴 유체 거동을 갖는 폴리염화비닐계 수지 페이스트 및 가소제를 포함하는 반도체 칩 가공용 액상 코팅제 조성물.
A liquid coating composition for processing a semiconductor chip, comprising a polyvinyl chloride resin paste having a Newtonian fluid behavior and a plasticizer.
제1항에 있어서,
상기 조성물은 25 내지 30℃의 온도범위에서 점도가 5,000 내지 20,000cps 인 반도체 칩 가공용 액상 코팅제 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the composition has a viscosity of 5,000 to 20,000 cps at a temperature range of 25 to 30 占 폚.
제1항에 있어서,
상기 조성물은 하기 관계식 1을 만족하는 반도체 칩 가공용 액상 코팅제 조성물.
[관계식 1]
5× 102 ≤ G′100 / G′70 ≤ 103
(식 1에서, G′100 및 G′70은 각각 100℃ 및 70℃에서의 저장탄성률을 나타낸 것이다.)
The method according to claim 1,
Wherein the composition satisfies the following relational expression (1).
[Relation 1]
5 10 2 ? G'100 / G'70? 10 3
(In Equation 1, G'100 And G ' 70 represents the storage elastic modulus at 100 DEG C and 70 DEG C, respectively.)
제1항에 있어서,
상기 폴리염화비닐계 수지 페이스트는 평균입경이 1 내지 10㎛인 분말상이고, 중합도가 500 내지 2,000인 폴리염화비닐 수지를 포함하는 반도체 칩 가공용 액상 코팅제 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the polyvinyl chloride resin paste comprises a polyvinyl chloride resin having a particle size of 1 to 10 占 퐉 and a degree of polymerization of 500 to 2,000.
제1항에 있어서,
상기 가소제는 트리멜리테이트계 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 가공용 액상 코팅제 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the plasticizer is a trimellitate compound.
제1항에 있어서,
상기 가소제는 전체 조성물 내 10 내지 40중량% 포함되는 반도체 칩 가공용 액상 코팅제 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the plasticizer is contained in an amount of 10 to 40% by weight in the total composition.
제1항에 있어서,
상기 조성물은 레벨링제, 소포제, 점도조절제, 대전방지제, 침강방지제 및 열안정제로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는 반도체 칩 가공용 액상 코팅제 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the composition further comprises at least one additive selected from the group consisting of a leveling agent, an antifoaming agent, a viscosity adjusting agent, an antistatic agent, an anti-settling agent and a heat stabilizer.
삭제delete 제1항 내지 제7항 중에서 선택되는 어느 한 항의 액상 코팅제 조성물을 도포하여 형성된 반도체 칩 가공용 코팅 필름.
A coating film for processing semiconductor chips formed by applying a liquid coating composition according to any one of claims 1 to 7.
제9항에 있어서,
상기 필름은 두께 200㎛를 기준으로 JIS 2107의 규정에 의거하여 측정된 박리강도가 0.1 내지 1.0 kgf/25㎜이며, ASTM D 638의 규정에 의거하여 측정된 인장강도가 10 내지 20kgf/15㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 가공용 코팅 필름.
10. The method of claim 9,
The film had a peel strength of 0.1 to 1.0 kgf / 25 mm measured on the basis of a thickness of 200 占 퐉 in accordance with JIS 2107, a tensile strength of 10 to 20 kgf / 15 mm as measured according to ASTM D 638 And a coating film for processing a semiconductor chip.
제9항에 있어서,
상기 필름은 25℃, 상대습도 85%의 조건에서 6시간 동안 방치한 후 수축률이 0.1% 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 가공용 코팅 필름.
10. The method of claim 9,
Wherein said film has a shrinkage ratio of 0.1% or less after being left for 6 hours under conditions of 25 캜 and 85% relative humidity.
제1항 내지 제7항 중에서 선택되는 어느 한 항의 액상 코팅제 조성물을 기재 대상물의 상부면에 도포하는 도포단계,
열압착하는 코팅층 형성단계 및
열처리하는 경화단계
를 포함하는 반도체 칩 가공용 코팅 필름의 제조방법.
A method for coating a liquid coating composition comprising a coating step of applying a liquid coating composition according to any one of claims 1 to 7 to a top surface of a substrate object,
A thermosetting coating layer forming step and
Heat-curing curing step
Wherein the coating film is formed on the surface of the semiconductor chip.
제12항에 있어서,
상기 도포단계에서 기재 대상물의 상부면은 150 내지 180℃의 온도범위인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 가공용 코팅 필름의 제조방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the upper surface of the object to be coated in the coating step is in a temperature range of 150 to 180 占 폚.
제12항에 있어서,
상기 코팅층 형성단계는 150 내지 180℃에서 20 내지 60 TONf/c㎠의 압력 조건으로 열압착하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 가공용 코팅 필름의 제조방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the coating layer forming step is thermocompression bonding at a temperature of 150 to 180 DEG C under a pressure of 20 to 60 TONf / cm2.
제12항에 있어서,
상기 열처리 단계는 150 내지 160℃에서 5 내지 10분 동안 실시하는 것인 반도체 칩 가공용 코팅 필름의 제조방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the heat treatment is performed at 150 to 160 DEG C for 5 to 10 minutes.
제1항 내지 제7항 중에서 선택되는 어느 한 항의 액상 코팅제 조성물을 기재 대상물의 상부면에 도포한 후 열압착하여 코팅층을 형성하는 코팅단계,
열처리하는 단계,
백그라이딩을 실시하는 단계 및
코팅층을 박리하는 단계
를 포함하는 반도체 칩의 제조방법.
Coating a liquid coating composition according to any one of claims 1 to 7 on a top surface of a substrate to form a coating layer by thermocompression,
A heat treatment step,
Performing a backgrounding step and
The step of peeling the coating layer
And forming a semiconductor chip on the semiconductor chip.
제16항에 있어서,
상기 코팅단계는 도포 후 150 내지 180℃에서 20 내지 60 TONf/㎠의 압력으로 열압착하는 것을 더 포함하는 반도체 칩의 제조방법.
17. The method of claim 16,
Wherein the coating step further comprises thermocompression bonding at a pressure of 20 to 60 TONf / cm < 2 > at 150 to 180 DEG C after application.
제16항에 있어서,
상기 코팅단계는 코팅 조성물을 기재 대상물 상부면에 몰드를 사용하여 코팅층을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 칩의 제조방법.
17. The method of claim 16,
Wherein the coating step further comprises forming a coating layer on the upper surface of the substrate object using the coating composition.
제16항에 있어서,
상기 열처리단계는 150 내지 180℃에서 5 내지 10분 동안 실시하는 것인 반도체 칩의 제조방법. 17. The method of claim 16,
Wherein the heat treatment is performed at 150 to 180 DEG C for 5 to 10 minutes.
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