JP2011095570A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置1において、第1の基板11と、第1の基板11上に配設され、第1の膜内部層211の結晶欠陥密度に比べて第1の膜表面層212の結晶欠陥密度が高い第1の液晶配向膜21と、第1の液晶配向膜21の第1の膜表面層212上に配設された液晶4と、液晶4上に配設され、第2の膜内部層331の結晶欠陥密度に比べて液晶4側の第2の膜表面層332の結晶欠陥密度が高い第2の液晶配向膜33と、第2の液晶配向膜33の第2の膜内部層332上に配設され、第1の基板11に対向して配置された第2の基板31とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施例は、液晶プロジェクタに使用される反射型液晶表示装置に本発明を適用した例について説明する。
図2に示すように、実施例に係る液晶表示装置1においては、ゲート走査線Lgとそれに交差するソース走査線(又はドレイン走査線)Lsとの交差部に画素Pが配設されている。ゲート走査線Lgは、図2中、横方向に延在し、図示しないが縦方向に一定間隔において複数本配列されている。ソース走査線Lsは、ここではゲート走査線Lgに対して直交し、図2中、縦方向に延在し、図示しないが横方向に一定間隔において複数本配列されている。画素Pは、ゲート走査線Lgとソース走査線Lsとの各交差部に各々配設され、横方向並びに縦方向に行列状に配列されている。つまり、画素Pはアクティブマトリックスを構築する。
図1に示すように、実施例に係る液晶表示装置(反射型液晶表示装置)1は、第1の基板11と、第1の基板11上に配設され、第1の膜内部層211の結晶欠陥密度に比べて第1の膜表面層212の結晶欠陥密度が高い第1の液晶配向膜21と、第1の液晶配向膜21の第1の膜表面層212上に配設された液晶4と、液晶4上に配設され、第2の膜内部層331の結晶欠陥密度に比べて液晶4側の第2の膜表面層332の結晶欠陥密度が高い第2の液晶配向膜33と、第2の液晶配向膜33の第2の膜内部層331上に配設され、第1の基板11に対向して配置された第2の基板31とを備えている。
実施例に係る液晶表示装置1において、第1の液晶配向膜21は第1の基板11側の第1の膜内部層(バルク)211と、この第1の膜内部層211上であって液晶4側に配設され結晶欠陥密度が高い第1の膜表面層212との2層構造を備えている。第1の膜表面層212の厚さは第1の膜内部層211の厚さよりも薄く設定されている。同様に、第2の液晶配向膜33は第2の基板31側の第2の膜内部層(バルク)331と、この第2の膜内部層331上であって液晶4側に配設され結晶欠陥密度が高い第2の膜表面層332との2層構造を備えている。第2の膜表面層332の厚さは第2の膜内部層331の厚さよりも薄く設定されている。第1の液晶配向膜21、第2の液晶配向膜33はいずれも無機配向膜であるシリコン系絶縁膜により形成されている。実施例において、シリコン系絶縁膜にはシリコン酸化(SiO2)膜の斜方蒸着配向膜が使用される。そして、第1の膜表面層212、第2の膜表面層332にはいずれも長鎖アルキル基を持たない界面活性剤によって表面修飾された(疎水処理された)斜方蒸着配向膜が使用される。
前述の実施例に係る液晶表示装置1の製造方法は、図9に示すように、以下の工程を備えている。
上記のように、本発明を実施例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。例えば、前述の実施例においては、反射型液晶表示装置について述べたが、本発明は、透過型液晶表示装置やその他無機配向膜を用いた液晶表示装置に適用可能である。
Claims (7)
- 第1の基板と、
前記第1の基板上に配設され、第1の結晶欠陥密度を有する第1の膜内部層、及び前記第1の膜内部層上に形成され前記第1の結晶欠陥密度より高い第2の結晶欠陥密度を有する第1の膜表面層を備える第1の液晶配向膜と、
前記第1の液晶配向膜の前記第1の膜表面層上に配設された液晶と、
前記液晶上に配設され、第3の結晶欠陥密度を有する第2の膜表面層、及び前記第2の膜表面層上に形成され前記第3の結晶欠陥密度より低い第4の欠陥密度を有する第2の膜内部層を備える第2の液晶配向膜と、
前記第2の膜内部層上に配設され、前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1の液晶配向膜の前記第1の膜表面層の厚さは、前記第1の膜内部層の厚さに比べて薄く設定され、
前記第2の液晶配向膜の前記第2の膜表面層の厚さは、前記第2の膜内部層の厚さに比べて薄く設定されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1の液晶配向膜の前記第1の膜表面層、前記第2の液晶配向膜の前記第2の膜表面層のそれぞれの厚さは、20nm以上に設定されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記第1の液晶配向膜の前記第1の膜表面層、前記第2の液晶配向膜の前記第2の膜表面層のそれぞれの厚さは、40nm以下に設定されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記第1の液晶配向膜、前記第2の液晶配向膜は、いずれも珪素を含む絶縁体の斜方蒸着配向膜であり、前記第1の膜表面層、前記第2の膜表面層はいずれも長鎖アルキル基を持たない界面活性剤によって表面修飾された前記斜方蒸着配向膜であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 基板上に、珪素を含む絶縁体から構成され、第1の結晶欠陥密度を有する膜内部層を形成する膜内部層形成工程と、
前記膜内部層上に、珪素を含む絶縁体から構成され、前記第1の結晶欠陥密度より高い第2の結晶欠陥密度を有する膜表面層を形成する膜表面層形成工程と、を有する液晶配向膜を形成する液晶配向膜形成工程と、
前記液晶配向膜の前記膜表面層の疎水処理を行う工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記膜内部層形成工程は、前記基板を加熱し真空蒸着法を用いて斜方蒸着配向膜である前記膜内部層を形成し、前記膜表面層形成工程は、前記膜内部層上にイオンアシスト蒸着法を用いて斜方蒸着配向膜である前記膜表面層を形成することを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011095570A true JP2011095570A (ja) | 2011-05-12 |
JP5515631B2 JP5515631B2 (ja) | 2014-06-11 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5515631B2 (ja) |
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