JP2011094216A - Al基合金スパッタリングターゲット - Google Patents
Al基合金スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011094216A JP2011094216A JP2009251398A JP2009251398A JP2011094216A JP 2011094216 A JP2011094216 A JP 2011094216A JP 2009251398 A JP2009251398 A JP 2009251398A JP 2009251398 A JP2009251398 A JP 2009251398A JP 2011094216 A JP2011094216 A JP 2011094216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- target
- thin film
- present
- based alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のAl基合金スパッタリングターゲットは、Feを0.0010〜0.4質量%と、Siを0.0010〜0.50質量%含有することを特徴とする。
【選択図】なし
Description
(1)成膜過程(150〜180℃近傍)で過飽和に固溶していた合金元素の後工程での析出、および
(2)結晶粒成長による粒径の粗大化
という膜組織の変化によってもたらされ、このうち特に(1)の固溶元素の析出(固溶状態にある元素の総固溶量の低減)の影響が大きいことが知られている。
本発明のターゲットに含まれるSiは、上述の通り、結晶粒の成長を抑制して、他の固溶元素(Feや、後述するMn等)の析出を促す働きがあるが、Siの含有率を0.0010〜0.50質量%とすることによって、上記作用を効果的に発揮することができる。また、FeがFeSi系複合物を形成して析出するのを防ぐことができる。
本発明のターゲットは、硬度(Hv)が26以上であることが好ましい。これにより、スパッタリング時のスプラッシュを抑制することができる。
本発明のターゲットの製造方法としては、特に限定されず、例えばスプレイフォーミング法や溶解鋳造法等が挙げられるが、特に硬度(Hv)が26以上のターゲットを作製するために、また、製造コスト低減のため、溶解鋳造法で作製することが好ましい。
溶解鋳造工程は特に限定されず、ターゲットの製造に通常用いられる工程を適宜採用することができる。例えば鋳造方法として、代表的にはDC(半連続)鋳造、薄板連続鋳造(双ロール式、ベルトキャスター式、プロペルチ式、ブロックキャスター式など)などが挙げられる。
均熱工程では、硬度確保のために、均熱温度を350〜500℃程度にすることが好ましく、上限を450℃とすることがより好ましい。また、均熱時間は、1〜8時間程度に制御することが好ましい。
上記の均熱を行なった後、粗熱間圧延を行なう。硬度確保のために、粗熱間圧延開始温度を350〜500℃程度にすることが好ましく、上限を450℃にすることがより好ましい。また、総圧下率を50〜95%程度に制御することが好ましい。
本発明では、粗熱間圧延の後、仕上熱間圧延を行う。硬度確保のために、仕上熱間圧延開始温度を200〜500℃程度にすることが好ましく、上限を400℃にすることがより好ましい。また、総圧下率を50〜90%程度に制御することが好ましい。
本発明では、仕上熱間圧延の後、必要に応じて巻き取り、及び巻き戻し作業を行ってもよい。巻き取り温度は200〜450℃程度にすることが好ましく、上限を400℃にすることがより好ましい。
本発明では、仕上熱間圧延の後(あるいは巻き取り工程、及び巻き戻し工程の後)、必要に応じてストレッチャーを行ってもよい。ストレッチャーは室温で行えばよい。また加工率は1%以上にすることが好ましい。
本発明では、上記工程を経て得られたターゲットを適度な大きさに切断した後、硬度確保のために、必要に応じて冷間加工を行ってもよい。加工率は5〜50%に制御することが好ましい。
スパッタリングターゲットの硬度(ビッカース硬さ:Hv)は、ビッカース硬度計(株式会社明石製作所製、AVK−G2)を用いて測定した。
スパッタリングターゲットを用い、Siウェーハ基板(サイズ:直径100.0mm×厚さ0.50mm)に対し、株式会社島津製作所製「スパッタリングシステムHSR−542S」のスパッタリング装置によってDCマグネトロンスパッタリングを行った。スパッタリング条件は、以下の通りである。
背圧:3.0×10-6Torr以下
Arガス圧:2.25×10-3Torr
Arガス流量:30sccm、スパッタリングパワー:150W
極間距離:51.6mm
基板温度:室温
上記ヒロック耐性測定用サンプルの作製法と同様の方法で、線幅100μmのストライプパターン形状に加工した後、ウェットエッチングにより、線幅100μm、線長10mmの配線抵抗測定用パターン状に加工した。ウェットエッチングにはH3PO4:HNO3:H2O=75:5:20の混合液を用いた。これに熱履歴を与えるため、前記エッチング処理後に、ヒロック測定と同じくCVD装置内の減圧窒素雰囲気(圧力:1Pa)で、上記薄膜に270℃で15分、あるいは320℃で30分保持する熱処理を行なった。その後、4探針法により比抵抗値を室温にて測定した。
上記条件でスパッタリングを行なったときに発生するスプラッシュ(初期スプラッシュ)の個数を測定した。
表1に示す種々のAl基合金(残部がAl及び不可避不純物)を用意し、厚み500mmの鋳塊をDC鋳造法によって造塊した後、450℃で2時間均熱処理し、次いで450℃、圧下量90%で粗熱間熱延し、続いて400℃、圧下量70%で仕上圧延し、350℃でコイルに巻き取った。その後、巻き戻し、ストレチャーで3%加工し、切断後、スパッタリングターゲット(圧延板)を作製した。なお、実験例6については、冷間加工を行った。その際、圧下率は20%に制御した。
Claims (3)
- Feを0.0010〜0.4質量%と、Siを0.0010〜0.50質量%含有することを特徴とするAl基合金スパッタリングターゲット。
- 硬度(Hv)が26以上である請求項1に記載のAl基合金スパッタリングターゲット。
- Mn,Cr,Mo,およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を0.001〜0.1質量%含む請求項1または2に記載のAl基合金スパッタリングターゲット。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009251398A JP5457794B2 (ja) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | Al基合金スパッタリングターゲット |
CN2010105295275A CN102051504A (zh) | 2009-10-30 | 2010-10-28 | Ai基合金溅射靶 |
TW99137240A TWI470100B (zh) | 2009-10-30 | 2010-10-29 | Aluminum alloy sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009251398A JP5457794B2 (ja) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | Al基合金スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011094216A true JP2011094216A (ja) | 2011-05-12 |
JP5457794B2 JP5457794B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=43956298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009251398A Expired - Fee Related JP5457794B2 (ja) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | Al基合金スパッタリングターゲット |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5457794B2 (ja) |
CN (1) | CN102051504A (ja) |
TW (1) | TWI470100B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015046144A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-03-09 | 日本軽金属株式会社 | 半導体素子、スパッタリングターゲット材及び半導体装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07268617A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-17 | Tdk Corp | Al合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法 |
JPH07300667A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルミニウム合金単結晶ターゲットおよびその製造方法 |
JP2000235961A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線 |
JP2002069624A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
JP2004103695A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Kobe Steel Ltd | フラットパネルディスプレイ用Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2004204284A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、Al合金膜および電子部品 |
JP2007063621A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Showa Denko Kk | スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット材用アルミニウム材の製造方法及びスパッタリングターゲット材用アルミニウム材 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0676360A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Nippon Light Metal Co Ltd | 光ディスク用アルミニウム合金反射膜およびそのターゲット材 |
JP3355995B2 (ja) * | 1997-05-08 | 2002-12-09 | 日本軽金属株式会社 | ドローレス成形および複合成形性に優れたクロスフィン用アルミニウム合金薄板およびその製造方法 |
JP3830301B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2006-10-04 | 株式会社神戸製鋼所 | アルミニウム合金板及びその製造方法 |
CN101395296B (zh) * | 2006-03-06 | 2012-03-28 | 陶斯摩有限公司 | 溅射靶 |
JP5432550B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-03-05 | 株式会社コベルコ科研 | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
-
2009
- 2009-10-30 JP JP2009251398A patent/JP5457794B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-28 CN CN2010105295275A patent/CN102051504A/zh active Pending
- 2010-10-29 TW TW99137240A patent/TWI470100B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07268617A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-17 | Tdk Corp | Al合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法 |
JPH07300667A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルミニウム合金単結晶ターゲットおよびその製造方法 |
JP2000235961A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線 |
JP2002069624A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
JP2004103695A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Kobe Steel Ltd | フラットパネルディスプレイ用Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2004204284A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、Al合金膜および電子部品 |
JP2007063621A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Showa Denko Kk | スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット材用アルミニウム材の製造方法及びスパッタリングターゲット材用アルミニウム材 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015046144A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-03-09 | 日本軽金属株式会社 | 半導体素子、スパッタリングターゲット材及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201126001A (en) | 2011-08-01 |
CN102051504A (zh) | 2011-05-11 |
TWI470100B (zh) | 2015-01-21 |
JP5457794B2 (ja) | 2014-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5681368B2 (ja) | Al基合金スパッタリングターゲット | |
JP5044509B2 (ja) | Al配線膜の製造方法 | |
JP5723171B2 (ja) | Al基合金スパッタリングターゲット | |
JP4237742B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
TWI444491B (zh) | Pure aluminum or aluminum alloy sputtering target | |
KR101621671B1 (ko) | Cu 합금 박막 형성용 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
WO2018100932A1 (ja) | アルミニウム合金スパッタリングターゲット | |
JP4237743B2 (ja) | スパッタリングターゲット用インゴットの製造方法 | |
JP5547574B2 (ja) | Al基合金スパッタリングターゲット | |
JP5457794B2 (ja) | Al基合金スパッタリングターゲット | |
JP6043413B1 (ja) | アルミニウムスパッタリングターゲット | |
JP5406753B2 (ja) | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP4009165B2 (ja) | フラットパネルディスプレイ用Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット | |
JP4213699B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPH10183337A (ja) | Al合金薄膜およびAl合金スパッタリングターゲット | |
JP2016074958A (ja) | スパッタリングターゲット材及び配線積層体 | |
JP3430123B2 (ja) | エッチング穿孔性に優れたFe−Ni系合金シャドウマスク用素材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130918 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5457794 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |