JP2011082151A - 蓄電デバイス及びその作製方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】活物質に出入り可能なイオンの量を増大させ、非水電解質二次電池の容量を増大させる。
【解決手段】少なくともアルカリ金属と遷移金属を含有する複合酸化物でなる正極活物質を有する蓄電デバイスの作製方法であって、支持基板101上に下地層102を形成し、当該下地層上にリン酸鉄リチウム層又はリン酸鉄ナトリウム層103を形成し、ヒター105による熱処理で、当該リン酸鉄リチウム層又はリン酸鉄ナトリウム層を単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄リチウム層又はオリビン型リン酸鉄ナトリウム層108に変成することで正極活物質とする蓄電デバイスの作製方法。
【選択図】図2

Description

開示される発明の一態様は、蓄電デバイス及びその作製方法に関する。
近年、環境技術の高まりにより、従来の発電方式よりも環境への負荷が小さい発電技術(例えば、太陽光発電)の開発が盛んに行われている。発電技術の開発と並行して蓄電技術の開発も進められている。
蓄電技術の一つとして、例えばリチウムイオン二次電池などの蓄電デバイス(蓄電装置)が挙げられる。リチウムイオン二次電池は、エネルギー密度が高いため、小型化に適しているため広く普及している。
リチウムイオン二次電池の正極活物質として、例えば、少なくともアルカリ金属と遷移金属を含有する複合酸化物、あるいは少なくともアルカリ土類金属と遷移金属を含有する複合酸化物が挙げられる。さらに例えばオリビン型構造のリン酸鉄化合物(AFePO(Aはアルカリ金属(例えばリチウム(Li)、ナトリウム(Na))又はアルカリ土類金属(例えばマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca))))が挙げられる。
例えばオリビン型構造のリン酸鉄リチウム(LiFePO)は、リチウムイオンが<010>、<001>、<101>方向に一次元鎖的に並んでいる構造を有する。オリビン型構造のリン酸鉄リチウムにおいて、これらの方向へリチウムイオンが移動し、出入りすることで充放電が行われる。この3つの経路の内<010>方向が最もリチウムイオンが動きやすいとされる。このようにオリビン型構造のリン酸鉄リチウム(LiFePO)は、一次元的に並んだリチウムにより良好な特性を有し、且つ350℃を超えても酸素放出が起こらず、安全性に優れることが知られている。
活物質としてオリビン型構造のリン酸鉄化合物(AFePO)を有する正極活物質層は、例えばリン酸鉄リチウムの粒子を導電助剤(カーボンなど)及びバインダと混合し、混合したものを集電体上で成形することにより作製される(例えば特許文献1参照)。一般的に活物質層は、同じ体積であれば、イオンの出入りが可能な材料、すなわち活物質(ここではリン酸鉄リチウム)の割合が多いほど、出入り可能なイオンの量が増えるため、電池としての容量を増大させることができる。
特開2004−079276号公報
開示される発明の一態様では、活物質に出入り可能なイオンの量を増大させ、電池としての容量を増大させることを課題の一つとする。
開示される発明の一態様は、少なくともアルカリ金属と遷移金属を含有する複合酸化物でなる正極活物質を有する蓄電デバイスの作製方法に関する。当該蓄電デバイスの作製方法において、支持基板上に下地層を形成し、前記下地層上にリン酸鉄ナトリウム層を形成し、熱処理により前記リン酸鉄ナトリウム層を、単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄ナトリウム層に変成することで正極活物質とすることを特徴とする。
開示される発明の一態様は、少なくともアルカリ金属と遷移金属を含有する複合酸化物でなる正極活物質を有する蓄電デバイスの作製方法に関する。当該蓄電デバイスの作製方法において、支持基板上に下地層を形成し、前記下地層上にリン酸鉄リチウム層を形成し、熱処理により前記リン酸鉄リチウム層を、単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄リチウム層に変成することで正極活物質とすることを特徴とする。
開示される発明の一態様は、支持基板上の下地層に接して設けられた、前記下地層の材料と同様の格子定数を有する単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄ナトリウムでなる正極活物質と、正極集電体とを有する正極と、負極活物質と、負極集電体を有する負極と、前記正極と負極との間に設けられたセパレータと、電解液とを有することを特徴とする蓄電デバイスに関する。
開示される発明の一態様は、支持基板上の下地層に接して設けられた、前記下地層の材料と同様の格子定数を有する単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄リチウムでなる正極活物質と、正極集電体とを有する正極と、負極活物質と、負極集電体を有する負極と、前記正極と負極との間に設けられたセパレータと、電解液とを有することを特徴とする蓄電デバイスに関する。
開示される発明の一態様において、前記下地層は、β−Ta、Cu[Cd0.79Fe0.17Mn0.04]GeS、CuFeGeS、CuFeS、CuGaS、Cu[As0.644Sb0.356]S、CuFe16、CaV、WO・HO、FeSiO、MgSiO、LiPO、CuFe[VO、[Fe0.292Mg0.708SiO、NaSiO、LiAlSiO・HOから選ばれた一の材料で形成される。
開示される発明の一態様により、活物質に出入り可能なイオンを増大させることができる。そのため、電池としての容量を増大させることができる。
蓄電デバイスの断面図。 蓄電デバイスの作製工程を示す図。 蓄電デバイスの作製工程を示す図。 蓄電デバイスの作製工程を示す図。 オリビン型LiFePO及びオリビン型NaFePOの単位格子を示す図。 Liの移動における活性化エネルギーの変化を表す模式図及びLiイオンの拡散経路を示す図。 蓄電デバイスの断面図。 蓄電デバイスの断面図。
以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、正極の作製方法、蓄電デバイス及びその作製方法について、図1、図2(A)〜図2(D)、図3(A)〜図3(C)、図4(A)〜図4(D)、図7、及び図8を用いて説明する。
本実施の形態の二次電池130の構造を図1に示す。二次電池130は、筐体141と、正極集電体142および正極活物質層143を含む正極148と、負極集電体144および負極活物質層145を含む負極149と、正極148および負極149の間に配置されたセパレータ146と、電解液147を有する。
より具体的には、正極活物質層143として、図7又は図8に示す単結晶活物質層108を用いる。単結晶活物質層108は、支持基板101上の下地層102に接して設けられた、下地層102の材料と同様の格子定数を有する単結晶であって、且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄ナトリウム層又はオリビン型リン酸鉄リチウム層である。
下地層102は、β−Ta、Cu[Cd0.79Fe0.17Mn0.04]GeS、CuFeGeS、CuFeS、CuGaS、Cu[As0.644Sb0.356]S、CuFe16、CaV、WO・HO、FeSiO、MgSiO、LiPO、CuFe[VO、[Fe0.292Mg0.708SiO、NaSiO、LiAlSiO・HOから選ばれた一の材料である。
当該材料は、オリビン型リン酸鉄リチウム又はオリビン型リン酸鉄ナトリウムと同様の格子定数を有している。下地層102の特定の格子面を反映して、下地層102上に形成されたリン酸鉄リチウム層又はリン酸鉄ナトリウム層が、単結晶のオリビン型リン酸鉄リチウム層又はオリビン型リン酸鉄ナトリウム層となるようにエピタキシャル成長する。
単結晶のオリビン型リン酸鉄リチウム層又はオリビン型リン酸鉄ナトリウム層は、リチウムイオン或いはナトリウムイオンが<010>、<001>、<101>方向に一次元鎖的に並んでいる構造を有する。
以上のようにして下地層102の材料と同様の格子定数を有し、単結晶であって、且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄ナトリウム層又はオリビン型リン酸鉄リチウム層が得られる。
以下に、当該単結晶のオリビン型リン酸鉄ナトリウム層又はオリビン型リン酸鉄リチウム層の形成方法、及び蓄電デバイスの作製方法について説明する。
まず、支持基板101上に下地層102を形成する(図2(A)参照)。支持基板101として、下地層102を形成する面が、特定の格子面であるような材料を支持基板101として用いてもよい。当該特定の格子面とは、後の工程で単結晶活物質層108となる材料層103が単結晶に成長(エピタキシャル成長)可能となる面である。このような支持基板101として、シリコン基板、サファイア基板等が挙げられる。
本実施の形態では、支持基板101としてシリコン基板を用い、下地層102が形成される表面が(100)面であるように配置する。
ただし、支持基板101に関係なく、材料層103が単結晶となるように結晶成長できる下地層102が形成されるのであれば、支持基板101は上述の材料のものに限定されない。このような場合の支持基板101として、ガラス基板、セラミック基板等が挙げられる。
下地層102として、上述の材料を用いた層を形成する。
これらの材料は、後の工程で単結晶活物質層108となる材料層103が、単結晶に結晶成長(エピタキシャル成長)するための材料である。下地層102の材料が、単結晶活物質層108と同様の格子定数を有しているので、材料層103が単結晶活物質層108に結晶成長することができる。
本実施の形態では、下地層102の材料としてβ−Ta(タンタル)を用いる。タンタル薄膜には、バルクと同一構造である安定相の立方晶α−Taと、準安定相である正方晶β−Taの2種類の結晶相の存在が知られている。本実施の形態では、下地層102としてβ−Ta膜を形成する。
より具体的には、UHV DCマグネトロンスパッタ装置を使用し、スパッタ装置のチャンバ内を3.9×10−6Pa以下まで排気した後、スパッタガスとしてアルゴン(Ar)を用い、ガス圧0.26Pa、基板温度は室温として、シリコン基板の(100)面上に、β−Ta膜を形成する。
β−Taの格子定数は、a:1.0211(nm)、b:1.0211(nm)、c:0.53064(nm)である。当該β−Taの格子定数は、単結晶活物質層108として用いられる、オリビン型リン酸鉄リチウム(LiFePO)あるいはオリビン型リン酸鉄ナトリウム(NaFePO)の格子定数のa軸とc軸と近い値である。そのため、より容易に、材料層103(後述)がエピタキシャル成長し、オリビン型リン酸鉄リチウム(LiFePO)層あるいはオリビン型リン酸鉄ナトリウム(NaFePO)層を得ることができる。
なお、オリビン型リン酸鉄リチウムの格子定数は、a:1.0371(nm)、b:0.6047(nm)、c:0.4739(nm)、オリビン型リン酸鉄ナトリウムの格子定数は、a:1.0415(nm)、b:0.6243(nm)、c:0.4738(nm)である。
次いで、下地層102上に、スパッタ法にて材料層103を形成する(図2(B)参照)。
材料層103として、アモルファス材料層、微結晶材料層、多結晶材料層等を成膜する。後述の工程において、材料層103にエネルギーを与えることによって、単結晶に変成させる。
アモルファス材料層、微結晶材料層、或いは多結晶材料層等の材料層103を、単結晶活物質層108に変成させる方法を、以下に述べる。アモルファス材料層、微結晶材料層、或いは多結晶材料層等の材料層103を形成後、材料層103にエネルギーを与える。材料層103にエネルギーを与えると、材料層103と接している下地層102の界面を反映して、材料層103がエピタキシャル成長する。当該エピタキシャル成長は、結晶軸が<010>方向となるように進行する。以上により、材料層103から結晶軸が<010>方向の単結晶活物質層108を得ることができる。
なお、最初から単結晶活物質層108を形成することが可能であれば、アモルファス材料層、微結晶材料層、或いは多結晶材料層の形成及び変成を経ずともよい。その場合は、下地層102上に単結晶活物質層108を成膜する。
本実施の形態では、材料層103としてスパッタ法により多結晶材料層を形成し、加熱によって単結晶に変成する方法について以下に説明する。
本実施の形態では、材料層103として、スパッタ法によりリン酸鉄リチウム層を成膜する。
以下に、スパッタ法において用いられるリン酸鉄リチウムターゲットの作製方法について説明する。
リン酸鉄リチウムの原材料として、分解生成物の腐食性が低いLiCOとFeCとNHPOを用いる。化学量論比がリチウム(Li):鉄(Fe):リン(P)=1:1:1となるように混合比を決定する。混合比を決定した後、φ3mm以下のジルコニアボールを用い、遊星ボールミルにて300rpm以上回転させ、微粉化かつ均一に混合された混合原料を得ることができる。微粉化かつ均一に混合された混合原料を得ることにより、均一なリン酸鉄リチウム焼結体を得ることができる。
固相反応をより促進させるために、混合原料をペレット成型し、アルゴン雰囲気中で350℃、10時間で仮焼成を行う。仮焼成を行うことで、分解ガスの脱気及び固相反応を促す。仮焼成後、反応物を乳鉢で解砕し、仮焼成で生じた分解生成物及び固相反応が起こった比較的結晶性が悪いリン酸鉄リチウムを、ボールミルにより微粉化及び均一に混合する。
この仮焼成材料を300kgf以上の圧力でプレスすることでペレット成型する。得られたペレットを、アルゴン雰囲気中及び温度600℃〜800℃で、固相反応の促進と焼結を行う。これにより、リン酸鉄リチウム焼成物が得られる。なお600℃以下でも単結晶LiFePOが得られるが、焼結が不十分となり好ましくない。また、800℃以上で焼結するとLiPOなどの副生成物が析出してしまう。
このリン酸鉄リチウム焼成物をホットプレス装置を用いて、アルゴン雰囲気中及び温度600℃〜800℃で高圧プレス及び焼成し、固相反応と焼結を行う。以上によりターゲット焼結体が得られる。
得られたターゲット焼結体、及び、下地層102が形成された支持基板101を、真空チャンバ内に設置し、例えばアルゴンをスパッタガスとして用いて、スパッタ法により、下地層102上に材料層103を形成する。
次いで、材料層103を線状(帯状)に溶融し、その溶融領域を移動させる。これにより、多結晶材料層である材料層103を溶融及び固化させる。材料層103を溶融及び固化させることにより、単結晶活物質層108を形成する(図2(C)、図2(D)、図3(C)、図4(A)参照)。
材料層103を溶融させて、単結晶活物質層108を形成する方法を以下に述べる。
まず材料層103上に、保護膜104を形成する。保護膜104は、材料層103を加熱する工程で、溶融した材料層103が表面張力により丸まることを抑制する。保護膜104として例えば酸化珪素膜を用いればよい。また保護膜104は必要なければ形成しなくてもよい。
材料層103を線状に溶融する方法としては、例えばカーボンの細長い棒に電流を流し熱源とするストリップヒータ法、線状のランプを使用するランプ法等が挙げられる。本実施の形態では、線状のヒータ105として、電流を流したカーボンの細長い棒を用いる(図2(C)及び図2(D)参照)。
支持基板101の一端側よりヒータ105で帯状に加熱し、材料層103を帯状に加熱する。そしてヒータ105を矢印に示すように他端側にゆっくり移動させる。加熱により材料層103の一部が溶融して溶融領域106となる。材料層103が、溶融及び固化することにより単結晶活物質層108となる。
或いは、上記ストリップヒータ法やランプ法等で、材料層103を線状(帯状)に加熱し、固相成長(固相エピタキシャル成長)させることによって、単結晶活物質層108を形成することも可能である。
またヒータ105による加熱に代えて、レーザビーム107を照射してもよい(図3(A)及び図3(B)参照)。レーザビーム107は連続発振レーザ(以下、「CWレーザ」と記す。CW:continuous−wave)や繰り返し周波数が10MHz以上と高いパルスレーザを用いてもよい。レーザビーム107を照射することにより、加熱により材料層103の一部が溶融し溶融領域106となり、溶融、固化することにより単結晶活物質層108となる。
以上により、下地層102上の単結晶活物質層108を得ることができる(図3(C)参照)。
単結晶活物質層108は、オリビン型構造を有する単結晶層であるので、リチウム原子あるいはナトリウム原子が一次元的に並んでいる。そのため、リチウムイオンやナトリウムイオンのようなイオンの出入りが容易である。このようなイオンの出入りが容易であるオリビン型構造を有する単結晶層を活物質層として用いるので、活物質層に出入り可能なイオンを増大させることができる。このため、単結晶活物質層108を正極活物質に用いた場合の二次電池としての容量を増大させることができる。
また、非晶質材料層、微結晶材料層、多結晶材料層を活物質層として用いると、充放電によって、結晶粒界に歪みが生じる。本実施の形態では、単結晶活物質層108を活物質層として用いているので、結晶粒界での歪みが低減される。このため結晶構造の破壊が抑制される。また単結晶活物質層108を用いると、電解質による表面の変質などを抑制することができる。そのため、単結晶活物質層108を活物質層として用いると、容量低下などの劣化を抑制することができる。
次いで保護膜104を除去する(図4(A)参照)。また保護膜104は必要なければ最初から形成しなくてもよい。
次いで、単結晶活物質層108の一部を除去し、一部が除去された単結晶活物質層108と接して、集電体111を形成する例を、図4(B)に示す。
集電体111は、イオン(例えばリチウムイオンやナトリウムイオン)のイオンパスが存在する、単結晶活物質層108の面が覆われないように形成する。すなわち、単結晶活物質層108のイオンのイオンパスが露出するように、集電体111を形成すればよい。図4(B)において、集電体111は、支持基板101、下地層102、及び、単結晶活物質層108の一部を覆うように形成されているが、この構造に限定されない。図4(B)に示す集電体111は、例えばメッキ法やディップ法で形成すればよい。
集電体111の材料としては、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)等の単体あるいはこれらの化合物を用いればよい。
また、下地層102を集電体として用いることが可能な場合には、図4(C)及び図4(D)に示すように、集電体である下地層102の一部を露出させ、他の配線に接続できるようにすればよい。図4(C)は、図4(A)及び図4(D)の上面図である。図4(C)において、A−A’の断面図は図4(A)となり、B−B’の断面は図4(D)となる。図4(C)及び図4(D)に示す構造では、単結晶活物質層108を形成後、単結晶活物質層108の一部を除去してもよいし、図2(B)に示す作製工程の際に、材料層103を、下地層102の一部が露出するように形成してもよい。
以上の作製工程により、正極活物質である単結晶活物質層108及び集電体を有する、二次電池の正極を作製することが可能である。
次いで、上述した単結晶活物質層108を正極活物質として用いた二次電池について、以下に説明する。
上述のように、二次電池130は、筐体141と、正極集電体142および正極活物質層143を含む正極148と、負極集電体144および負極活物質層145を含む負極149と、正極148および負極149の間に配置されたセパレータ146と、電解液147を有する(図1参照)。
二次電池130の正極集電体142としては、上述したように、集電体111を用いてもよいし、下地層102を用いてもよい。
二次電池130の正極活物質層143としては、単結晶活物質層108を用いる。
二次電池130の負極集電体144の材料としては、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)等の単体あるいはこれらの化合物を用いればよい。
二次電池130の負極活物質層145の材料としては、アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンの吸蔵と放出が可能な材料及びアルカリ金属の化合物、又は、アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンの吸蔵と放出が可能な材料及びアルカリ土類金属の化合物を用いればよい。アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンの吸蔵と放出が可能な材料としては、炭素、シリコン、シリコン合金等がある。アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンの吸蔵と放出が可能な炭素としては、粉末状または繊維状の黒鉛やグラファイト等の炭素材が挙げられる。
また二次電池130の負極活物質層145の材料としてシリコン材料を用いる場合、微結晶シリコン(マイクロクリスタルシリコン)を成膜し、微結晶シリコン中に存在する非結晶シリコンをエッチングにより除去したものを用いてもよい。微結晶シリコン中に存在する非結晶シリコンを除去すると、残った微結晶シリコンの表面積が大きくなる。
さらに二次電池130の負極活物質層145の材料として、スズ(Sn)を含む合金を用いることも可能である。
上記したアルカリ金属イオン又はアルカリ土類イオンの出入りが可能な材料で形成される層に、アルカリ金属イオン又はアルカリ土類イオンが入ることにより反応して、負極活物質層145が形成される。
セパレータ146として、紙、不織布、ガラス繊維、あるいは、ナイロン(ポリアミド)、ビニロン(ビナロンともいう)(ポリビニルアルコール系繊維)、ポリエステル、アクリル、ポリオレフィン、ポリウレタンといった合成繊維等を用いればよい。ただし、後述する電解液147に溶解しない材料を選ぶ必要がある。
より具体的には、セパレータ146の材料として、例えば、フッ素系ポリマ、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等のポリエーテル、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリビニルアルコール、ポリメタクリロニトリル、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリブタジエン、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリウレタン系高分子およびこれらの誘導体、セルロース、紙、不織布から選ばれる一種を単独で、または二種以上を組み合せて用いることができる。
また二次電池130の電解液147は、アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンを含み、このアルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンが電気伝導を担っている。電解液147は、例えば溶媒と、その溶媒に溶解するアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩とから構成されている。アルカリ金属塩としては、例えば、塩化リチウム、弗化リチウム、硼弗化リチウム、塩化ナトリウム、弗化ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、硼弗化ナトリウム等を挙げることができ、アルカリ土類金属塩としては、塩化マグネシウム、弗化マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、硼弗化マグネシウム、塩化カルシウム、弗化カルシウム、過塩素酸カルシウム、硼弗化カルシウム等を挙げることができ、これらを使用する電解液147に単独、または二種以上を組み合わせて使用することができる。なお、本実施の形態では、溶媒とアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩から構成される電解液を用いるが、必要に応じて固体電解質を用いてもよい。
電解液147の溶媒として、例えば、エチレンカーボネート(以下、ECと略す)、プロピレンカーボネート(PC)、ブチレンカーボネート(BC)、およびビニレンカーボネート(VC)などの環状カーボネート類、ジメチルカーボネート(DMC)、ジエチルカーボネート(DEC)、エチルメチルカーボネート(EMC)、メチルプロピルカーボネート(MPC)、メチルイソブチルカーボネート(MIBC)、およびジプロピルカーボネート(DPC)などの非環状カーボネート類、ギ酸メチル、酢酸メチル、プロピオン酸メチル、およびプロピオン酸エチルなどの脂肪族カルボン酸エステル類、γ−ブチロラクトン等のγ−ラクトン類、1,2−ジメトキシエタン(DME)、1,2−ジエトキシエタン(DEE)、およびエトキシメトキシエタン(EME)等の非環状エーテル類、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン等の環状エーテル類、ジメチルスルホキシド、1,3−ジオキソラン等やリン酸トリメチル、リン酸トリエチル、およびリン酸トリオクチルなどのアルキルリン酸エステルやそのフッ化物を挙げることができ、これらの一種または二種以上を混合して使用する。
以上のように、本実施の形態の正極活物質を用いて二次電池を構成することができる。
本実施の形態では、単結晶活物質層を正極活物質層として用いるため、活物質層に出入り可能なイオンを増大させることができる。これにより二次電池としての容量を増大させることができる。
また本実施の形態では、正極活物質層として単結晶活物質層を用いるので、充放電による結晶粒界での歪みが低減される。そのため結晶構造の破壊が抑制され、また電解質による表面の変質などを抑制することができる。以上により、二次電池の容量低下などの劣化を抑制することができる。
本実施例を、図5(A)〜図5(B)、図6(A)〜図6(B)を用いて説明する。
図5(A)はオリビン型リン酸鉄リチウム(LiFePO)の単位格子、図5(B)はオリビン型リン酸鉄ナトリウム(NaFePO)の単位格子を示す。
オリビン型リン酸鉄リチウム(LiFePO)に関する計算では、リチウム(Li)イオンが<010>方向(図5(A)おける矢印の方向)が最も動きやすいという結果が得られている。上記の結果から本実施例では、オリビン型リン酸鉄ナトリウム(NaFePO)においても、ナトリウム(Na)イオンは、<010>方向(図5(B)おける矢印の方向)が最も動きやすいとして計算を行った。
オリビン型リン酸鉄リチウム(LiFePO)及びオリビン型リン酸鉄ナトリウム(NaFePO)において、それぞれリチウム(Li)イオン及びナトリウム(Na)イオンが<010>方向に移動した場合の、活性化エネルギーの計算結果を表1に示す。
リチウム(Li)イオン及びナトリウム(Na)イオン拡散の活性化エネルギーはNEB法(Nudged Elastic Band Method)を用いて求めた。例えば、リン酸鉄リチウム(LiFePO)の場合は、基本単位格子をc軸方向に2倍したスーパーセルを考え、スーパーセルに含まれるリチウム(Li)イオン8個のうち、任意の1個を取り除いた状態を、始状態とする。
終状態は、始状態のリチウム(Li)空孔に最隣接した任意のリチウム(Li)サイトから、リチウム(Li)が1個移動した状態とする(図6(A)参照)。NEB法とは、始状態と終状態の間の遷移状態の電子状態計算(エネルギー計算)の際に、任意の遷移状態間に弾性バネを仮想し、その力やエネルギーを考慮することで活性化エネルギーEを求める。
また図6(B)に示すように、リチウム(Li)イオンの拡散経路は直線ではなく、蛇行していることが分かった。リチウム(Li)イオンは陽イオンである鉄(Fe)を避け、かつ電気陰性度の大きい酸素(O)に近寄りながらエネルギー的に低い位置を移動していく。
また、オリビン型リン酸鉄リチウム(LiFePO)での電池電圧、及びオリビン型リン酸鉄ナトリウム(NaFePO)での電池電圧を計算した。
リン酸鉄リチウム(LiFePO)を正極材料に、金属リチウムを負極材料に用いた場合のリチウムイオンバッテリの反応式は数1となる。
充放電が完全に行われたとする、すなわち、数1においてx=1の場合、電池電圧は正極中および負極中でのリチウム(Li)イオンの化学ポテンシャルの差から、数2で表現できる。これにより各材料のエネルギーEを求め、さらに求められたエネルギーEを用いて電池電圧Vを計算することができる。
電池電圧の計算において、始状態として、活物質であるリン酸鉄リチウム(LiFePO)中にリチウム(Li)が全て充填された状態を想定する。そしてその状態の系が持つ全エネルギーを算出する。
一方、終状態として、活物質であるリン酸鉄リチウム(LiFePO)中のリチウム(Li)が全て放出された状態で、負極である金属リチウム(Li)に入った状態を想定する。そしてその状態で系が持つ全エネルギーを算出する。
終状態と始状態のエネルギー差を、数1に示す化学式単位当たりで算出することで、電池電圧Vが計算できる。
リチウムよりもクラーク数のより大きなナトリウムを有するオリビン型リン酸鉄ナトリウム(NaFePO)を正極活物質として用いることができれば、二次電池の作製においてコストを抑制することができる。
なお本実施例における計算において、負極活物質として金属リチウムを想定しているが、実施の形態で述べたように、負極活物質として、炭素、シリコン、シリコン合金等を用いることも可能である。
特に、炭素材料は標準水素電位に対して、金属リチウムと同等の卑な電位を有しているので、負極活物質として好適である。
以下に、より具体的に説明する。
黒鉛のvs.Li/Li(リチウムの標準電極電位に対する電位差)は0.01V以上0.23V以下、好ましくは0.07V以上0.23V以下である。
負極活物質として金属リチウム、及び正極活物質としてリン酸鉄リチウムを用いた場合の電池電圧Vの計算値が、3.4918Vである(表2参照)。負極活物質として金属リチウム、及び正極活物質としてリン酸鉄リチウムを用いた場合の電池電圧の計算値を基にすると、負極活物質として黒鉛及び正極活物質としてリン酸鉄リチウムを用いた場合の電池電圧は、3.2618〜3.4218Vである。
以上から、負極活物質として金属リチウムに代えて炭素材料を用いても、算出した電池電圧はほぼ同等とみなすことができる。
101 支持基板
102 下地層
103 材料層
104 保護膜
105 ヒータ
106 溶融領域
108 単結晶活物質層
111 集電体
130 二次電池
141 筐体
142 正極集電体
143 正極活物質層
144 負極集電体
145 負極活物質層
146 セパレータ
147 電解液
148 正極
149 負極

Claims (6)

  1. 少なくともアルカリ金属と遷移金属を含有する複合酸化物でなる正極活物質を有する蓄電デバイスの作製方法であって、
    支持基板上に下地層を形成し、
    前記下地層上にリン酸鉄ナトリウム層を形成し、
    熱処理により前記リン酸鉄ナトリウム層を、単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄ナトリウム層に変成することで正極活物質とすることを特徴とする蓄電デバイスの作製方法。
  2. 少なくともアルカリ金属と遷移金属を含有する複合酸化物でなる正極活物質を有する蓄電デバイスの作製方法であって、
    支持基板上に下地層を形成し、
    前記下地層上にリン酸鉄リチウム層を形成し、
    熱処理により前記リン酸鉄ナトリウム層を、単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄リチウム層に変成することで正極活物質とすることを特徴とする蓄電デバイスの作製方法。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    前記下地層は、β−Ta、Cu[Cd0.79Fe0.17Mn0.04]GeS、CuFeGeS、CuFeS、CuGaS、Cu[As0.644Sb0.356]S、CuFe16、CaV、WO・HO、FeSiO、MgSiO、LiPO、CuFe[VO、[Fe0.292Mg0.708SiO、NaSiO、LiAlSiO・HOから選ばれた一の材料で形成されることを特徴とする蓄電デバイスの作製方法。
  4. 支持基板上の下地層に接して設けられた、前記下地層の材料と同様の格子定数を有する単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄ナトリウムでなる正極活物質と、正極集電体とを有する正極と、
    負極活物質と、負極集電体を有する負極と、
    前記正極と負極との間に設けられたセパレータと、
    電解液と
    を有することを特徴とする蓄電デバイス。
  5. 支持基板上の下地層に接して設けられた、前記下地層の材料と同様の格子定数を有する単結晶であって且つ結晶軸が<010>方向のオリビン型リン酸鉄リチウムでなる正極活物質と、正極集電体とを有する正極と、
    負極活物質と、負極集電体を有する負極と、
    前記正極と負極との間に設けられたセパレータと、
    電解液と
    を有することを特徴とする蓄電デバイス。
  6. 請求項4又は請求項5において、
    前記下地層は、β−Ta、Cu[Cd0.79Fe0.17Mn0.04]GeS、CuFeGeS、CuFeS、CuGaS、Cu[As0.644Sb0.356]S、CuFe16、CaV、WO・HO、FeSiO、MgSiO、LiPO、CuFe[VO、[Fe0.292Mg0.708SiO、NaSiO、LiAlSiO・HOから選ばれた一の材料で形成されることを特徴とする蓄電デバイス。
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