JP2011078669A - X線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子、該位相格子を用いた撮像装置、x線コンピューター断層撮影システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】X線を照射してX線位相コントラスト像を撮像する際に用いられる位相格子であって、
前記位相格子が、同一面内の複数の方向に周期構造を備え、該周期構造は互いに異なる周期を有し、
前記X線の照射により前記周期構造によって複数の明暗周期像が同一平面に形成される構成を有する。
【選択図】 図1
Description
しかし、X線の吸収能は軽元素になればなるほど小さくなるため、生体軟組織やソフトマテリアルに対しては十分なコントラストが期待できないという問題がある。
そこで、近年、X線の位相シフトに基づいてコントラストを発生させる撮像方法が検討されている。
この位相コントラストを利用したX線位相コントラスト像の撮像方法(X線位相イメージング法)の一つとして、タルボ干渉法を用いた撮像方法がある。
タルボ干渉法による撮像のためには、空間的な可干渉を持つX線源6、X線の位相を周期的に変調するための位相型回折格子(以下、位相格子と記す)1、検出器9が少なくとも必要である。
空間的に可干渉なX線は、位相格子1を透過した後のX線強度分布が位相格子1の形状を反映したものになる。
前記X線強度分布は、X線のX線源からの距離に応じてコントラストが変化する。
このように、格子の特定の距離において周期的に明暗周期像が形成される現象がタルボ効果である。そして、この明暗周期像を自己像と呼ぶ。
このような明暗周期像が最も高コントラストで形成される場所は、照射されるX線の波長や位相格子1のピッチにより決まる。
それは、図5の位相格子の断面模式図に示されているように、ある格子とそれに隣接する格子との間における、中心部分同士の距離Cでもよいし、それら格子の端面同士の距離C’でもよい。
また、図5において、互いに平行な構造が一定の間隔で周期的に配列された構造を、本明細書では周期構造と呼ぶ。
位相格子の近傍でX線源に近い側に被検体7を配置すると、照射されたX線は被検体7により屈折する。
そのため、被検体7を透過して屈折されたX線により形成された自己像を検出すれば、被検体7のX線位相コントラスト像を得ることができる。
但し、十分なコントラストで発生された自己像を検出するためには、空間分解能の高いX線検出器9が必要となる。
空間分解能の高いX線検出器9を用いない場合、X線を吸収する材料で作製され、十分な厚みを持つ回折格子である吸収格子8を用いることで、X線位相コントラスト像を取得することが出来る。
まず、吸収格子8を、自己像が形成される位置に配置する。自己像と吸収格子8の位置関係によってはモアレ縞が発生する。これにより、タルボ干渉を確認することが出来る。
また、位相格子近傍のX線側に被検体7を設置することによる位相シフトしていることは、吸収格子8を透過するX線量の変化やモアレ縞の変形として検出器9により観察することができる。
ところで、前記手法により得られる被検体の位相像は、0から2πの間で表される。
このため、単波長のX線を用いたX線位相コントラスト像の撮像方法によって、複数の被検体のX線位相像を取得した際、位相変化量の差が2πn(nは0を含まない整数)であった場合には、被検体同士を区別することができない。
このようなことから、特許文献1では、図6に示されるような異なる2波長のX線を用いたX線位相コントラスト像の撮像方法を提案している。
すなわち、特許文献1では、図6に示すようにピッチの異なる位相格子1を2個並べ、同一個所の撮像を2回実施している。
そのため位相格子1、吸収格子8を、撮像エリアよりも大型化させることが必要となり、単波長によるX線位相コントラスト像の撮像方法の場合よりも位相格子のサイズが大きくなる。
本発明の位相格子は、X線を照射してX線位相コントラスト像を撮像する際に用いられる位相格子であって、
前記位相格子が、同一面内の複数の方向に周期構造を備え、該周期構造は互いに異なる周期を有し、
前記X線の照射により前記周期構造によって複数の明暗周期像が同一平面に形成されることを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、上記のX線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子を用い、X線位相コントラスト像の撮像が可能に構成されていることを特徴とする。
また、本発明のX線コンピューター断層撮影システムは、上記のX線位相コントラスト像の撮像装置を有することを特徴とする。
また、本発明によれば、上記位相格子を用いた撮像装置、X線コンピューター断層撮影システムを実現することができる。
図1を用いて、本実施形態におけるX線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子の構成例について説明する。
本実施形態では、位相格子1は同一面内の複数の異なる方向に、図5に示されるような周期構造10を備えている。
この周期構造は互いに異なる周期を有し、X線照射時に周期構造が形成する複数の明暗周期像が同一平面に形成されるように構成される。
本実施形態の位相格子において、周期構造とは、互いに平行な直線状や柱状の構造が一定の間隔で周期的に配列された構造を意味しており、前記構造を透過したX線と透過しないX線で位相差が生じる構造体によって構成される。
周期構造は突起や凹みとして基板の表面に形成しても良いし、基板の中に埋め込んでも良い。
貫通構造であればX線の吸収量を減少できるのでなお好ましい。
黒色部が位相格子1の周期構造である。X、Yの2種類の方向に、図5に示されるような周期構造10が形成されており、図5で説明した格子間におけるピッチ(CまたはC’)において、X方向のピッチ2とY方向のピッチ3が異なる。
例えば、SiやGaAs、Ge、InPといった半導体、ガラスなどを使用することができる。
X線の吸収はSiより大きいが、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)などの樹脂を用いることもできる。また、基板表面に周期構造を形成する場合、コントラストを向上させるために、裏面が鏡面であることが好ましい。
つまり、フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成した後に、ドライエッチングまたはウェットエッチングで基板に加工しても良いし、リフトオフ法で基板上に位相格子1を付与することもできる。
また、ナノインプリント法により基板又は基板上に成膜した材料を加工しても良い。
周期構造によるX線の吸収を最小にするため、X線が周期構造を透過したときの位相差はπおよびπ/2の組み合わせであればなお良い。
位相がπ変化する厚みは、例えばSiであれば、17.7keVのX線に対しては22.6μm、35keVであれば45.3μmである。位相差をπとするために、周期構造により3πや5π位相が変化するような厚みにしても良い。
但し、周期構造の厚みはこれに限定されるものではなく、周期構造の領域に照射したX線が自己像を形成する範囲内であればどのような厚みでも良い。
位相格子1に形成された周期構造を透過した所望のX線は、位相格子1からの距離に応じたコントラストで明暗周期像を形成する。
位相格子1に形成する複数の周期構造は、所望のX線が形成する各自己像が同一平面に形成されるようなピッチとする。
((2m+1)/8)×(d1 2/λ1)
また、位相格子1が波長λ2のX線に対してπ/2格子となるとき、位相格子1を透過したX線は次に示す条件の位置において自己像を形成する。
((2n+1)/2)×(d2 2/λ2)
また、つぎの条件を満たすd1、d2、λ1、λ2、m、nとしたときに、各自己像が同一平面に形成される。
((2m+1)/8)×(d1 2/λ1)=((2n+1)/2)×(d2 2/λ2)
但し、d1およびd2は位相格子1の異なる方向におけるピッチ、λ1およびλ2は異なる2波長のX線におけるそれぞれの波長、mおよびnは整数である。
位相格子1の周期構造は3方向以上に形成されても良いが、X線照射時に得られる自己像が高コントラストであるほど被検体7の位相像を容易に得ることが出来るため、位相格子1に形成される周期構造は2方向に形成されることが好ましい。
また、周期構造が互いに成す角は、2方向であれば90°、3方向であれば60°といったように、360°/(同一平面内に含まれる1次元周期構造の本数)とすることが好ましい。
図2には、照射するX線と垂直な面の位相格子1が示されている。
図中の明部と暗部では透過するX線の位相がπ変化する設定とした。
X方向、Y方向とも明部幅:暗部幅=1:3である。
照射するX線は平行光であり、X線のエネルギーは12.4keVと28.2keVの2種類である。
このとき、位相格子1のX方向およびY方向周期に相当する2種類の1次元位相格子にX線を照射すると、等しい位置に自己像を形成する。同様に、図2に示す位相格子にX線を照射したとき、1次元位相相格子が自己像を形成する位置に、位相格子形状を反映した2次元の明暗周期構造が観察される。
図中で白色に近い部分ほどX線透過量が多いことを示す。
図3より、X方向およびY方向とも、位相格子1に形成されている周期構造の1/2ピッチの明線が形成され、X方向Y方向とも位相格子1に形成された周期構造のピッチに対応する明暗周期像が得られた。
これより、X方向とY方向でピッチの異なる位相格子を用いることで、一組の位相格子1および吸収格子8により、異なるエネルギーのX線により位相像を得ることできることがわかる。
なお、自己像を得るために用いるX線は連続Xを用いても良いが、特性X線を用いることでより高コントラストな自己像を得ることができる。
例えば、MoのKα線の特性X線エネルギーは17.5keV、Rhは20.2keVである。
2種類以上のエネルギーのX線を同時に照射しても良いし、エネルギー毎に照射して別々にX線吸収像を取得しても良い。
このために、自己像の線幅よりも高分解能なX線検出器9を用いる方法と、吸収格子8を用いて従来のX線吸収像撮像装置に用いられるX線検出器9を用いる方法がある。
吸収格子8を用いる場合には、X線が照射される方向と垂直な方向において、位相格子1によって形成される各周期構造が形成するそれぞれの自己像を組み合わせた形状が好ましい。
または、各周期構造が形成するそれぞれの自己像を組み合わせた形状を、拡大・縮小した形状でも良い。
吸収格子8の厚さは、X線のエネルギーと吸収格子の材料によって決まり、遮光部においてはX線透過量を20%以下とすることが好ましい。
縞操作法とは、位相格子1または吸収格子8を周期構造の単ピッチ内で複数回移動し、3枚以上のX線吸収像を取得することで、格子の移動量に対するX線強度変化量をピクセル毎に取得する手法である。
各ピクセル間の位相変化量は微分位相像に相当し、周期構造を移動した方向に積分することで位相コントラスト像を得ることが出来る。
本実施形態においては上記位相格子を、X線位相コントラスト像の撮像装置に用いることにより、単波長を用いた場合と同一サイズの位相格子によりX線位相コントラスト像を取得することが可能となる撮像装置を実現することができる。
また、このようなX線位相コントラスト像の撮像装置を備えたX線コンピューター断層撮影システムを実現することができる。
[実施例1]
実施例1においては、互いに直交する周期構造を形成した位相格子1を用い、放射光にてX線位相コントラスト像を撮像する構成例について説明する。
本実施例においては、まず、4インチ径の両面研磨200μm厚シリコンウェハー表面にレジストコート後、フォトリソグラフィー法により60mm角のエリアにレジストパターンを作製する。
レジストパターンはX方向Y方向でピッチが異なっており、またX方向のパターンとY方向のパターンが直交する網目状の構造とする。
つまり、X方向はレジストパターン幅が幅4μm開口4μmとし、Y方向はレジストパターン幅が幅1.64μm開口1.64μmとする。
次に、ディープ・リアクティブ・イオン・エッチング(Deep Reactive Ion Etching;以下、Deep−RIEと記す)により、レジスト開口部を深さが22.6μmとなるまでSiを除去する。
その後Si表面のレジストを除去する。以上の工程により位相格子1を作製する。
まず、4インチ径の両面研磨200μm厚シリコンウェハー表面にレジストコート後、フォトリソグラフィー法により60mm角のエリアにレジストパターンを作製する。
レジストパターンは互いに平行なライン状パターンとし、レジストパターン幅が幅0.82μm開口2.46μmとする。
次に、Deep−RIEにより、レジスト開口部を深さが50μmとなるまでSiを除去する。
その後蒸着法により、Si表面にTi100nmおよびAu200nmを形成する。
次に、蒸着で形成したAuより、金めっきを行う。めっき液として日本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ株式会社製ミクロファブAu1101を用い、65℃・0.5A/dm2でパドル攪拌しながら85分間めっき行う。
これによりSi基板表面に0.82μm厚の金層が形成される。
前記手法により形成した2枚のAuめっき済Si基板を、互いに形成されたスリットパターンが直交するようにした後、接着剤で2枚の基板を固定することで吸収格子8とする。
前記位相格子1を放射光施設内で入射光に対して垂直に設置した後、位相格子1に対しX線源6から逆方向で、位相格子1から114mm離れた位置に、吸収格子8を設置する。
このとき、吸収格子8も入射光に対して垂直に設置する。また、吸収格子8の周期構造10と位相格子1の周期構造10は、等しいピッチ同士を平行にする。
更に、吸収格子8に対しX線源から逆方向で、吸収格子から5mm離れた位置に、X線検出器9を設置する。
その後、17.7keVのX線を、位相格子1を形成したウェハーの垂直構造から照射する。
これにより、X方向に位相格子1のX方向に形成した8μmピッチ周期構造10に由来する自己像が形成される。また、自己像と吸収格子8により、吸収格子のピッチよりも広い画素ピッチのX線検出器9でモアレ縞を観察することが可能となる。
一方Y方向に形成されるX線明暗周期パターンは、X方向と比較してコントラストが弱い。
次に、35.0keVのX線をウェハーの垂直構造から照射する。これにより、Y方向に位相格子のX方向に形成した3.28μmピッチ周期構造に由来する自己像が形成される。
また、自己像と吸収格子によりX線検出器9で観察することが可能となる。
一方X方向に形成されるX線明暗周期パターンは、Y方向と比較してコントラストが弱い。
Y方向の縞操作手法により、17.7keVの場合と同様に35.0keVのX線においても被検体7のX線位相コントラスト像の観察が実現できる。
実施例2においては、互いに直交する周期構造10を形成した位相格子1を用い、微小な白色X線源6にてX線位相コントラスト像を撮像する構成例について説明する。
位相格子1は実施例1と同様の方法により作製し、X方向はレジストパターン幅が幅4μm開口4μmとし、Y方向はレジストパターン幅が幅1.64μm開口1.64μmとする。X線源サイズは5μmとし、ターゲットはMoとする。
X線源6から1000mm離れた場所に位相格子1を設置する。
位相格子1にX線を照射すると、XとYそれぞれの方向の周期構造10が形成する自己像は、位相格子1から見てX線源と反対方向で位相格子1から128mm離れた位置に形成される。
自己像が形成される位置に実施例1と同様に作製した吸収格子8を設置する。吸収格子8は、X方向は金の格子幅2.26μm開口2.26μmとし、Y方向は金の格子幅0.93μm開口0.93μmとする。
更に、吸収格子8に対しX線源から逆方向で、吸収格子8から5mm離れた位置に、X線検出器9を設置する。
被検体7を設置した後に、実施例1と同様に縞操作法でX線透過像を取得し位相回復することで、X線位相コントラスト像の観察が実現できる。
2:X方向ピッチ
3:Y方向ピッチ
4:位相πシフトする部分
5:自己像
6:X線源
7:被検体
8:吸収格子
9:X線検出器
10:周期構造
Claims (7)
- X線を照射してX線位相コントラスト像を撮像する際に用いられる位相格子であって、
前記位相格子が、同一面内の複数の方向に周期構造を備え、該周期構造は互いに異なる周期を有し、
前記X線の照射により前記周期構造によって複数の明暗周期像が同一平面に形成されることを特徴とするX線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子。 - 前記周期構造は、2方向に互いに直交する周期構造によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載のX線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子。
- 前記周期構造は、該周期構造を前記X線が透過したときに、該周期構造を透過しなかったX線に対する位相差が、
(2a−1)×πまたは(2a−1)×(π/2)[但し、aは1以上の整数]
となる厚さを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のX線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子。 - 前記位相格子が、該位相格子を透過したX線の位相が周期的にπ変化する周期構造を備えている領域に対しては、((2m+1)/8)×(d1 2/λ1)の条件を満たし、
前記位相格子が、該位相格子を透過したX線の位相が周期的にπ/2変化する周期構造を備えている領域に対しては、((2n+1)/2)×(d2 2/λ2)の条件を満たすと共に、
((2m+1)/8)×(d1 2/λ1)=((2n+1)/2)×(d2 2/λ2)
の条件を満たすことを特徴とする請求項3に記載のX線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子。
但し、d:位相格子1のピッチ
λ1、λ2:異なる2波長のX線におけるそれぞれの波長
m、n:整数 - 前記λ1またはλ2が、特性X線の波長であることを特徴とする請求項4に記載のX線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子。
- 請求項1から5のいずれか1項に記載のX線位相コントラスト像の撮像に用いられる位相格子を用い、X線位相コントラスト像の撮像が可能に構成されていることを特徴とするX線位相コントラスト像の撮像装置。
- 請求項6に記載のX線位相コントラスト像の撮像装置を有することを特徴とするX線コンピューター断層撮影システム。
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