JP2012122840A - 放射線画像撮影用グリッド及びその製造方法、並びに、放射線画像撮影システム - Google Patents

Abstract

【課題】高アスペクト比で、かつ幅が均一な放射線画像撮影用グリッドを提供する。
【解決手段】透光性基板２１上にシード層２２をパターン形成し、この上にネガ型のレジスト層３４を形成する。次いで、透光性基板２１の下側から露光光を照射し、シード層２２をフォトマスクとしてレジスト層３４を露光する。次いで、現像処理によりシード層２２上に溝部３５を形成し、この溝部３５を覆うように反射防止膜３６を形成する。そして、メッキ法により溝部３５にＸ線吸収材３７を埋め込み、ＣＭＰ法により表面全体を研摩して平坦化する。この後、平坦化された表面に、新たにネガ型のレジスト層を形成し、上記工程を繰り返す。以下の工程では、シード層２２及びＸ線吸収材３７がフォトマスクとしてレジスト層の露光が行われるが、反射防止膜３６が露光光の反射を防止することにより、該レジスト層は、直進性の高い露光光で露光される。
【選択図】図５

Description

本発明は、Ｘ線等の放射線を用いた放射線画像撮影用グリッド及びその製造方法、並びに、放射線画像撮影システムに関する。

Ｘ線は、物体に入射したとき、相互作用により強度及び位相が変化し、位相変化（角度変化）が強度変化よりも大きいことが知られている。このＸ線の性質を利用し、被検体によるＸ線の位相変化に基づいて、Ｘ線吸収能が低い被検体から高コントラストの画像（以下、位相コントラスト画像と称する）を得るＸ線位相イメージングの研究が盛んに行われている。

Ｘ線位相イメージングの一種として、２枚の透過型の回折格子（グリッド）によるタルボ干渉効果を用いたＸ線画像撮影システムが考案されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。このＸ線画像撮影システムは、Ｘ線源から見て、被検体の背後に第１のグリッドを配置し、第１のグリッドからタルボ干渉距離だけ下流に第２のグリッドを配置している。第２のグリッドの背後には、Ｘ線を検出して画像を生成するＸ線画像検出器が配置されている。第１及び第２のグリッドは、一方向に延伸されたＸ線吸収部及びＸ線透過部を、延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配列した縞状のグリッドである。タルボ干渉距離とは、第１のグリッドを通過したＸ線が、タルボ干渉効果によって自己像を形成する距離である。タルボ干渉効果によって形成された自己像は、被検体とＸ線との相互作用（位相変化）により変調を受けている。

上記Ｘ線画像撮影システムでは、第１のグリッドの自己像と第２のグリッドとの重ね合わせ（強度変調）により生じる縞画像を、縞走査法により検出し、被検体による縞画像の変化から被検体の位相情報を取得する。この縞走査法とは、第１のグリッドに対して第２のグリッドを、第１のグリッドの面にほぼ平行で、かつ第１のグリッドの格子方向（条帯方向）にほぼ垂直な方向に、格子ピッチを等分割した走査ピッチで並進移動させながら複数回の撮影を行い、Ｘ線画像検出器で得られる各画素値の強度変化から、被検体で屈折したＸ線の角度分布（位相シフトの微分像）を取得する方法であり、この角度分布に基づいて被検体の位相コントラスト画像を得る。この縞走査法は、レーザ光を利用した撮影装置においても用いられている（例えば、非特許文献２参照）。

第１及び第２のグリッドのＸ線吸収部は、高いＸ線吸収性が求められる。特に第２のグリッドは、縞画像を確実に強度変調させるため、第１のグリッドよりも高いＸ線吸収性を必要とする。そのため、第１及び第２のグリッドのＸ線吸収部は、原子量の重い金（Ａｕ）で形成され、第２のグリッドのＸ線吸収部は、Ｘ線の進行方向に対して比較的大きな厚みを有すること（高アスペクト比であること）が必要とされている。このような第２のグリッドは、例えば、Ｘ線吸収部のピッチが数μｍ、Ｘ線の進行方向の厚みが数十〜百数十μｍという微細な構造を有する。

上記のような高アスペクト比のグリッドの製造方法が種々提案されている。このうち、製造効率のよい方法として、基板上にグリッドのパターンを有するＸ線吸収層を形成し、このＸ線吸収層をマスクとしてフォトリソグラフィを繰り返すことにより、該Ｘ線吸収層上に自己整合的に複数のＸ線吸収層が積層されてなる高アスペクト比のグリッドを製造する方法が知られている（特許文献２、３参照）。

この従来のグリッド製造方法を具体的に説明する。まず、透光性基板上にグリッドのパターンを有するシード層を形成し、この上にネガ型のレジスト層を形成する。次いで、透光性基板の下側からシード層をフォトマスクとして該レジスト層を露光し、シード層上の未感光部を現像により除去することにより、シード層上に溝部を形成する。次いで、この溝部に、メッキ法を用いてＸ線吸収材を埋め込む。そして、残存したレジスト層と溝部に埋め込まれたＸ線吸収材とを覆うように、新たにネガ型のレジスト層を形成し、同様の露光・現像処理、及びＸ線吸収材の埋め込みを行なう。以上の工程を繰り返すことにより、高アスペクト比のグリッドが形成される。

特許第４４４５３９７号公報 特開２００９−０３７０２３号公報 特開２００９−２８２３２２号公報

C. David, et al., Applied Physics Letters, Vol.81, No.17, 2002年10月，3287頁 Hector Canabal, et al., Applied Optics, Vol.37, No.26, 1998年9月，6227頁

しかしながら、上記従来の製造方法では、２層目以上のレジスト層を露光する際には、その下層に形成されたシード層及びＸ線吸収材がフォトマスクとして機能するが、このＸ線吸収材の側壁により露光光の一部が乱反射され、乱反射された光により露光対象のレジスト層が露光されてしまうといった問題がある。Ｘ線吸収材の側壁で乱反射された光は、透光性基板に対して垂直な露光方向に対して斜めに伝搬するため、パターンニング精度が劣化し、現像後に形成される溝部の壁部の垂直性が劣化する。すなわち、上下に積層されるＸ線吸収材の自己整合が劣化する。したがって、上記従来の製造方法で製造されたグリッドの幅は不均一となる。

特許文献２には、金や白金等のＸ線吸収材にチタンを混ぜることが記載されており、チタン自体は露光光（紫外線）に対して反射防止性を有するものであるが、Ｘ線吸収材にチタンを混入させているため、露光光の乱反射を防止する効果は得られない。

本発明の目的は、Ｘ線等の放射線を用いた放射線画像撮影用グリッドに関し、高アスペクト比で、かつ幅が均一な放射線画像撮影用グリッド及びその製造方法、並びに、この放射線画像撮影用グリッドを用いた放射線画像撮影システムを提供することにある。

本発明の放射線画像撮影用グリッドは、放射線吸収材からなる複数の放射線吸収部と、放射線透過材からなり、前記放射線吸収部と交互に配置された複数の放射線透過部と、前記放射線吸収部の側壁に形成されたチタン、ニッケル、クロムから選択された１又は２以上の組み合わせからなる膜と、を備えることを特徴とする。

なお、前記放射線吸収部及び前記放射線透過部は、それぞれ一方向に延伸されかつ前記延伸方向に直交する方向に沿って交互に配置されていることが好ましい。

また、本発明の放射線画像撮影用グリッドの製造方法は、透光性基板の上側に形成された金属パターン層を覆うようにネガ型の感光性樹脂層を形成する第１の工程と、前記透光性基板の下側から露光光を照射し、前記金属パターン層をフォトマスクとして前記感光性樹脂層を露光する第２の工程と、現像処理により前記金属パターン層上に溝部を形成する第３の工程と、前記溝部の少なくとも側壁を覆うように、前記露光光の反射を防止する反射防止膜を形成する第４の工程と、前記溝部に放射線吸収材を埋め込む第５の工程と、を有し、前記第１の工程から第５の工程を２回以上繰り返すことを特徴とする。ここで、金属パターン層とは、透光性基板上に形成されたシード層、または上記第５の工程で形成された放射線吸収材による放射線吸収パターン層である。

前記露光光は、紫外線であることが好ましい。前記反射防止膜は、チタン、ニッケル、クロムから選択された１又は２以上の組み合わせからなることが好ましい。

前記第５の工程では、メッキ法により前記溝部に放射線吸収材を埋め込むことが好ましい。また、前記第５の工程で前記溝部に放射線吸収材を埋め込んだ後、表面全体を研摩して平坦化することが好ましい。

さらに、本発明の放射線画像撮影システムは、放射線源から放射された放射線を通過させて第１の周期パターン像を生成する第１のグリッドと、前記第１の周期パターン像を部分的に遮蔽して第２の周期パターン像を生成する第２のグリッドとを有する放射線画像撮影システムであって、前記第１及び第２のグリッドの少なくとも一方に、請求項１または２に記載の放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする放射線画像撮影システム。

本発明の製造方法によれば、溝部の少なくとも側壁を覆うように、露光光の反射を防止する反射防止膜を設けるので、高アスペクト比で、かつ幅が均一な放射線画像撮影用グリッドを製造することができる。

また、本発明の放射線画像撮影用グリッドは、チタン、ニッケル、クロムから選択された１又は２以上の組み合わせからなる膜が、放射線吸収部と放射線透過部とを密着させる密着性膜として機能するため、耐久性を向上させることができる。

第１実施形態のＸ線画像撮影システムの構成を示す模式図である。 第２のグリッドの構成を示す平面図である。 第２のグリッドの構成を示す断面図である。 第２のグリッドの製造工程を示す断面図である。 第２のグリッドの製造工程を示す断面図である。 第２のグリッドの製造工程を示す断面図である。

図１において、Ｘ線画像撮影システム１０は、Ｘ線源１１、第１のグリッド１３、第２のグリッド１４、及びＸ線画像検出器１５を備えている。Ｘ線源１１は、例えば、回転陽極型のＸ線管と、Ｘ線の照射野を制限するコリメータとを有し、被検体ＨにＸ線を放射する。第１のグリッド１３及び第２のグリッド１４は、Ｘ線を吸収する吸収型グリッドであり、Ｘ線照射方向であるｚ方向においてＸ線源１１に対向配置されている。Ｘ線源１１と第１のグリッド１３との間には、被検体Ｈが配置可能な間隔が設けられている。Ｘ線画像検出器１５は、例えば、半導体回路を用いたフラットパネル検出器（ＦＰＤ：Flat Panel Detector）であり、第２のグリッド１４の背後に配置されている。

第１のグリッド１３は、ｚ方向に直交する面内の一方向であるｙ方向に延伸された複数のＸ線吸収部１３ａ及びＸ線透過部１３ｂを備えている。Ｘ線吸収部１３ａ及びＸ線透過部１３ｂは、ｚ方向及びｙ方向に直交するｘ方向に沿って交互に配列されており、縞状のグリッドを構成している。第２のグリッド１４は、第１のグリッド１３と同様にｙ方向に延伸され、かつｘ方向に沿って交互に配列された複数のＸ線吸収部１４ａ及びＸ線透過部１４ｂを備えている。

以下、第２のグリッド１４を例にして、グリッドの構成を説明する。なお、第１のグリッド１３は、Ｘ線吸収部１３ａのｘ方向の幅及びピッチと、ｚ方向の厚さ等が異なる以外は第２のグリッド１４とほぼ同様の構成である。そのため、第１のグリッド１３についての詳しい説明は省略する。

図２は、第２のグリッド１４をＸ線源１１の側から見た平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ断面を表している。第２のグリッド１４は、主としてＸ線吸収部１４ａ及びＸ線透過部１４ｂからなるグリッド層２０と、グリッド層２０を支持する透光性基板２１とからなる。Ｘ線吸収部１４ａは、金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等のＸ線吸収性を有する金属からなる。Ｘ線透過部１４ｂは、Ｘ線透過性を有する樹脂材からなる。

透光性基板２１は、露光光（紫外線）を透過させるガラス、石英、水晶等の材料からなる。Ｘ線吸収部１４ａは、透光性基板２１上にパターン形成されたシード層２２上に積層されている。シード層２２は、クロム（Ｃｒ）等の導電性材料からなる。また、Ｘ線吸収部１４ａの側壁には、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）等からなる反射防止膜２３が形成されている。反射防止膜２３は、露光光の反射を防止する。

Ｘ線吸収部１４ａのｘ方向の幅Ｗ_２及び配列ピッチＰ_２は、Ｘ線源１１と第１のグリッド１３との間の距離、第１のグリッド１３と第２のグリッド１４との距離、及び第１のグリッド１３のＸ線吸収部１３ａのピッチ等に応じて決定される。例えば、幅Ｗ_２は、およそ２〜２０μｍであり、ピッチＰ_２はその倍の４〜４０μｍ程度である。Ｘ線吸収部１４ａのｚ方向の厚みＴ_２は、Ｘ線源１１から放射されるコーンビーム状のＸ線のケラレを考慮して、例えば１００μｍ程度となっている。本実施形態の第２のグリッド１４は、例えば幅Ｗ_２が２．５μｍ、ピッチＰ_２が５μｍ、厚みＴ_２が１００μｍとなっている。

次に、Ｘ線画像撮影システム１０の作用について説明する。Ｘ線源１１から放射されたＸ線は、被検体Ｈを通過することにより位相差が生じ、このＸ線が第１のグリッド１３を通過することにより、被検体Ｈの屈折率と透過光路長とから決定される被検体Ｈの透過位相情報を反映した第１の周期パターン像が形成される。

第１の周期パターン像は、第２のグリッド１４により部分的に遮蔽されることにより強度変調され、第２の周期パターン像となる。本実施形態では縞走査法に従い、第１のグリッド１３に対し第２のグリッド１４を、Ｘ線焦点を中心としてグリッド面に沿ったｘ方向にグリッドピッチを等分割（例えば、５分割）した走査ピッチで並進移動させながら、並進移動を行なうたびにＸ線源１１から被検体ＨにＸ線を照射してＸ線画像検出器１５により第２の周期パターン像を撮影する。そして、Ｘ線画像検出器１５の各画素の強度変調信号（並進移動に対する画素データの強度変調を表す波形信号）の位相ズレ量を算出することにより位相微分像（被検体で屈折したＸ線の角度分布に対応）を取得する。この位相微分像を上記の縞走査方向に沿って積分することにより、被検体Ｈの位相コントラスト画像を得ることができる。

次に、第２のグリッド１４の製造方法について説明する。なお、第１のグリッド１３は、第２のグリッド１４と同様に製造されるので、詳しい説明は省略する。図４〜図６は、第２のグリッド１４の製造手順を示しており、前述のｘ方向及びｚ方向で規定されるｘｚ面に沿う断面図である。

まず、図４（ａ）に示すように、ガラス等からなる透光性基板２１の表面に、スパッタリングやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりクロム等からなる導電性層３０が蒸着される。次いで、図４（ｂ）に示すように、導電性層３０の表面に、感光性樹脂材料からなるレジスト層３１が形成される。レジスト層３１は、例えば、液状レジストをスピンコート等の塗布方法によって導電性層３０の表面に塗布する工程と、塗布された液状レジストから有機溶剤を蒸発させるプリベーク等の工程を経て形成される。

次いで、図４（ｃ）に示すように、ピッチＰ_２のラインパターンを有する縞模様の露光マスク３２がレジスト層３１の上方に配置され、露光マスク３２を介して紫外線等の露光光がレジスト層３１に照射される。次いで、図４（ｄ）に示すように、現像液によってレジスト層３１の露光部分が除去され、ポストベークが行なわれる。これにより、レジスト層３１上には、ｙ方向に延伸されかつｘ方向に沿って配列されたラインパターンを有する縞模様のエッチングマスク３３が形成される。エッチングマスク３３の各ラインパターンの幅及び開口部分の幅は、例えばそれぞれ２．５μｍである。なお、上記レジスト層３１は、ポジ型レジストであるが、ネガ型レジストを用いることも可能である。また、レジスト層によるエッチングマスクに代えて、金属などからなるエッチングマスクを用いることも可能である。

次いで、図４（ｅ）に示すように、エッチングマスク３３に基づき、ドライエッチングまたはウェットエッチングで導電性層３０がエッチングされ、前述のシード層２２が形成される。そして、図４（ｆ）に示すように、アッシングや有機溶剤による溶融除去等の方法により、シード層２２上のエッチングマスク３３が除去される。

次いで、図５（ａ）に示すように、シード層２２上を覆うように、ネガ型の感光性樹脂材料からなるレジスト層３４が形成される。このレジスト層３４は、液状レジストや板状のドライフィルムによって形成される。レジスト層３４を液状レジストで形成する場合には、塗布後、ベークを実施する。レジスト層３４はＸ線透過性である。

次いで、図５（ｂ）に示すように、透光性基板２１の裏面（シード層２２の形成面とは反対の面）側から紫外線等の露光光が照射される。この露光光は、透光性基板２１を透過し、レジスト層３４を感光させるが、シード層２２によって一部が遮られ、レジスト層３４のうちシード層２２上の部分が未感光のまま残る。すなわち、シード層２２がフォトマスクとしての役割を果たす。この後、図５（ｃ）に示すように、現像液で現像が行なわれることにより、レジスト層３４の未感光部が除去され、シード層２２上に溝部３５が形成される。

次いで、図５（ｄ）に示すように、スパッタリングやＣＶＤ法により、チタン、ニッケル、クロム等からなる反射防止膜３６が、溝部３５内を覆うように表面全体に形成される。そして、上記各層が形成された透光性基板２１の全体がメッキ液に浸され、図５（ｅ）に示すように、メッキ法により、金等のＸ線吸収材３７が析出され、溝部３５内にＸ線吸収材３７が埋め込まれる。なお、本実施形態では、反射防止膜３６が導電性であるため、Ｘ線吸収材３７が溝部３５外の表面にも形成される。

この後、図５（ｆ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により、レジスト層３４の表面が露呈するまで表面全体が研摩され、表面全体が平坦化される。以上で、Ｘ線吸収材３７による第１層目のパターン層が完成する。

次いで、図６（ａ）に示すように、Ｘ線吸収材３７及びレジスト層３４の表面を覆うように、ネガ型の感光性樹脂材料からなるレジスト層３８が形成され、透光性基板２１の裏面側から露光光が照射される。このレジスト層３８は、レジスト層３４と同様の材料で形成されている。この工程では、シード層２２及びＸ線吸収材３７をフォトマスクとしてレジスト層３８が露光される。Ｘ線吸収材３７の側壁には反射防止膜３６が形成されており、反射防止膜３６に入射した露光光は吸収され反射が防止されるため、レジスト層３８には、直進性の高い露光光が入射する。

次いで、図６（ｂ）に示すように、現像液で現像が行なわれることにより、レジスト層３８の未感光部が除去され、Ｘ線吸収材３７上に溝部３９が形成される。この溝部３９には、上記の直進性の高い露光光による露光により、垂直性の高い壁部が形成される。次いで、図６（ｃ）に示すように、チタン等からなる反射防止膜４０が、溝部３９内を覆うように表面全体に形成され、図６（ｄ）に示すように、メッキ法により、溝部３９内に金等のＸ線吸収材４１が埋め込まれる。

この後、図６（ｅ）に示すように、ＣＭＰ法により、レジスト層３８の表面が露呈するまで表面全体が研摩され、表面全体が平坦化される。以上により、Ｘ線吸収材４１による第２層目のパターン層が、第１層目のパターン層と高い自己整合性を有して形成される。図６（ａ）〜（ｅ）のパターン層の積層工程は、所望とする第２のグリッド１４の厚さＴ_２に応じた回数だけ繰り返される。

以上の工程により、図２及び図３に示した均一な幅Ｗ_２を有する第２のグリッド１４が完成する。Ｘ線吸収材３７，４１がＸ線吸収部１４ａ、レジスト層３４，３８がＸ線透過部１４ｂ、反射防止膜３６，４０が反射防止膜２３に対応する。

反射防止膜２３は、上記のように露光光の反射を防止する機能のほかに、Ｘ線吸収部１４ａをＸ線透過部１４ｂに密着させる機能を有するため、グリッド構造が強固となり耐久性が向上する。また、反射防止膜２３は、チタン、ニッケル、クロムのうちの１種の材料に限られず、複数種の材料により形成してもよい。

なお、上記製造方法では、溝部３５，３９の底部に反射防止膜３６，４０が残存する。この残存部は第２のグリッド１４の性能において特に問題はないが、図５（ｄ）の工程の後、及び図６（ｃ）の工程の後に、全体に異方性エッチングを行なうことにより、溝部３５，３９の底部及びレジスト層３４，３８の表面に位置する反射防止膜３６，４０を除去してもよい。

上記実施形態では、第１及び第２のグリッドを例に本発明を説明したが、本発明は、Ｘ線源１１の射出側に線源グリッド（マルチスリット）を設けた場合に、その線源グリッドに適用することも可能である。

また、上記実施形態では、第１及び第２のグリッドを、そのＸ線透過部を通過したＸ線を線形的に投影するように構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、Ｘ線透過部でＸ線を回折することにより、いわゆるタルボ干渉効果が生じる構成（特許第４４４５３９７号公報等に記載の構成）としてもよい。ただし、この場合には、第１及び第２のグリッドの間の距離をタルボ干渉距離に設定する必要がある。また、この場合には、第１のグリッドを吸収型グリッドに代えて、位相型グリッドを用いることが可能であり、第１のグリッドに代えて用いた位相型グリッドは、タルボ干渉により生じる縞画像（自己像）を、第２のグリッドの位置に形成する。

また、上記実施形態では、第１及び第２のグリッドの相対位置を変化させて複数回の撮影を行うことにより位相コントラスト画像を生成する例を示しているが、第１及び第２のグリッドを固定したまま１回の撮影を行うことにより位相コントラスト画像を生成することも可能である。例えば、国際公開ＷＯ２０１０／０５０４８３号公報に記載のＸ線画像撮影システムでは、第１及び第２のグリッドにより生成されたモアレ縞をＸ線画像検出器により検出し、この検出されたモアレ縞の強度分布をフーリエ変換することによって空間周波数スペクトルを取得し、この空間周波数スペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトルを分離して逆フーリエ変換を行なうことにより微分位相像を得ている。このようなＸ線画像撮影システムにも、本発明のグリッドは好適である。

さらに、上記実施形態では、被検体ＨをＸ線源と第１のグリッドとの間に配置しているが、被検体Ｈを第１のグリッドと第２のグリッドとの間に配置してもよい。この場合にも同様に位相コントラスト画像の生成が可能である。

以上説明した実施形態は、医療診断用の放射線画像撮影システムのほか、工業用や、非破壊検査等のその他の放射線撮影システムに適用することが可能である。また、本発明は、Ｘ線撮影において散乱線を除去する散乱線除去用グリッドにも適用可能である。更に、本発明は、放射線として、Ｘ線以外にガンマ線等を用いることも可能である。

１０ Ｘ線画像撮影システム
１１ Ｘ線源
１３ 第１のグリッド
１４ 第２のグリッド
１４ａ Ｘ線吸収部
１４ｂ Ｘ線透過部
１５ Ｘ線画像検出器
２１ 透光性基板
２２ シード層
２３，３６，４０ 反射防止膜
３１，３４，３８ レジスト層（感光性樹脂層）

Claims (8)

1. 放射線吸収材からなる複数の放射線吸収部と、
   放射線透過材からなり、前記放射線吸収部と交互に配置された複数の放射線透過部と、
   前記放射線吸収部の側壁に形成されたチタン、ニッケル、クロムから選択された１又は２以上の組み合わせからなる膜と、
   を備えることを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。
2. 前記放射線吸収部及び前記放射線透過部は、それぞれ一方向に延伸されかつ前記延伸方向に直交する方向に沿って交互に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影用グリッド。
3. 透光性基板の上側に形成された金属パターン層を覆うようにネガ型の感光性樹脂層を形成する第１の工程と、
   前記透光性基板の下側から露光光を照射し、前記金属パターン層をフォトマスクとして前記感光性樹脂層を露光する第２の工程と、
   現像処理により前記金属パターン層上に溝部を形成する第３の工程と、
   前記溝部の少なくとも側壁を覆うように、前記露光光の反射を防止する反射防止膜を形成する第４の工程と、
   前記溝部に放射線吸収材を埋め込む第５の工程と、
   を有し、
   前記第１の工程から第５の工程を２回以上繰り返すことを特徴とする放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
4. 前記露光光は、紫外線であることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
5. 前記反射防止膜は、チタン、ニッケル、クロムから選択された１又は２以上の組み合わせからなることを特徴とする請求項３または４に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
6. 前記第５の工程では、メッキ法により前記溝部に放射線吸収材を埋め込むことを特徴とする請求項１から５いずれか１項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
7. 前記第５の工程で前記溝部に放射線吸収材を埋め込んだ後、表面全体を研摩して平坦化することを特徴とする請求項１から６いずれか１項に記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。
8. 放射線源から放射された放射線を通過させて第１の周期パターン像を生成する第１のグリッドと、前記第１の周期パターン像を部分的に遮蔽して第２の周期パターン像を生成する第２のグリッドとを有する放射線画像撮影システムであって、
   前記第１及び第２のグリッドの少なくとも一方に、請求項１または２に記載の放射線画像撮影用グリッドを用いたことを特徴とする放射線画像撮影システム。

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