JP2011077200A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線パターン層と半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することができる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置300は、絶縁基板9と絶縁基板9の下面に形成された配線パターン層7とを有する回路基板1と、絶縁基板9を貫通して少なくとも1つ形成され内壁面に配線パターン層7と電気的に接続された内壁導体2bを有する接続孔2と、回路基板1の上面の接続孔2の開口部2aの周囲に形成され内壁導体2bと電気的に接続されたランド23と、ランド23の上面から接続孔2の開口部2aを覆うように形成されランド23と電気的に接続されたバンプ24と、回路基板1の上面に搭載されパッド電極4aを有する半導体チップ4と、一端および他端がそれぞれバンプ24およびパッド電極4aにボンディングされたワイヤー5とを備える。
【選択図】図5
【解決手段】半導体装置300は、絶縁基板9と絶縁基板9の下面に形成された配線パターン層7とを有する回路基板1と、絶縁基板9を貫通して少なくとも1つ形成され内壁面に配線パターン層7と電気的に接続された内壁導体2bを有する接続孔2と、回路基板1の上面の接続孔2の開口部2aの周囲に形成され内壁導体2bと電気的に接続されたランド23と、ランド23の上面から接続孔2の開口部2aを覆うように形成されランド23と電気的に接続されたバンプ24と、回路基板1の上面に搭載されパッド電極4aを有する半導体チップ4と、一端および他端がそれぞれバンプ24およびパッド電極4aにボンディングされたワイヤー5とを備える。
【選択図】図5
Description
本発明は半導体用回路基板のランドと半導体素子の電極とを電気的に接続することを特徴とした半導体装置およびその製造方法に関するものである。
近年、半導体装置は電子機器の高性能化に伴い、多ピン化、高精度化、高速化が要求されるようになり、ピン数としては2000ピンを超える半導体装置も出現している。
LGA(Land Grid Array)、BGA(Ball Grid Array)においても、同様に多ピン化が進んでおり、その事によって、半導体用回路基板の配線の引き回しが困難になってきている。
そこで回路基板の貫通孔に注目し、貫通孔内部に導電部材を注入している基板が提案されている(例えば、特許文献1)。
図9を参照しながら貫通孔に導電部材を注入している回路基板を用いた半導体装置の構造の一例について説明する。
図9は貫通孔に導電部材を注入している回路基板を用いた半導体装置500について説明するための断面図であり、貫通孔を有する絶縁基板109と金属配線層107とを備えた回路基板101の作成の際に、貫通孔内部に導電部材115を注入し、導電部材115を注入した貫通孔上部と半導体チップ104のパッド電極(図示せず)とをワイヤー105を用い電気的に接続しており、回路基板101上部と半導体チップ104とワイヤー105の外囲を封止している樹脂層106と、回路基板101の底面の金属配線層107上に設けられた突起電極108を具備している。
前記構造の回路基板101を用いることにより、貫通孔に注入された導電部材115を介して金属配線層107と半導体チップ104のパッド電極がワイヤー105により直接接続されるので、金属配線層107と半導体チップ104のパッド電極を結ぶ配線を回路基板101の上部に引き回して形成しなくてもよいため、回路基板101のパッド配置などの回路設計が容易になる。
しかしながら前記従来方法では、貫通孔に注入した導電部材とワイヤーとの接続が外れやすく、回路基板の下面に形成された金属配線層と回路基板の上面に配置された半導体チップのパッド電極との接続信頼性に問題が発生する可能性がある。
本発明は前記課題を解決し、金属配線層と半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することができる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明の一形態における半導体装置は、絶縁基板と前記絶縁基板の下面に形成された配線パターン層とを有する回路基板と、前記絶縁基板を貫通して少なくとも1つ形成され、内壁面に前記配線パターン層と電気的に接続された内壁導体を有する接続孔と、前記回路基板の上面の前記接続孔の開口部の周囲に形成され、前記内壁導体と電気的に接続されたランドと、前記回路基板の上面に搭載され、パッド電極を有する半導体チップと、一端および他端がそれぞれ前記ランドおよび前記パッド電極にボンディングされたワイヤーとを備える。
また、上記課題を解決するために本発明の一形態における半導体装置の製造方法は、絶縁基板と前記絶縁基板の下面に形成された配線パターン層とを有する回路基板を準備する基板準備工程と、前記絶縁基板を貫通して内壁面に前記配線パターン層と電気的に接続された内壁導体を有する接続孔を少なくとも1つ形成する接続孔形成工程と、前記回路基板の上面の前記接続孔の開口部の周囲に、前記内壁導体と電気的に接続されたランドを形成するランド形成工程と、前記回路基板の上面に、パッド電極を有する半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、ワイヤーの一端および他端をそれぞれ前記ランドおよび前記パッド電極にボンディングするボンディング工程とを含む。
この構成によれば、ランドにワイヤーの一端がボンディングされるので、ランドとワイヤーの接続が外れにくく、接続信頼性を向上することができる。したがって、回路基板の下面に形成された配線パターン層と回路基板の上面に配置された半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することが可能となる。
ここで、前記回路基板の上面に、前記半導体チップ、前記ワイヤーおよび前記ランドを封止する樹脂層をさらに備えるようにしてもよい。また、前記ボンディング工程の後、前記回路基板の上面に、前記半導体チップ、前記ワイヤーおよび前記ランドを封止する樹脂層を形成する樹脂層形成工程をさらに含むようにしてもよい。
この構成によれば、樹脂層により半導体チップ、ワイヤーおよびランドが封止されるので、ワイヤーとランドおよび半導体チップのパッド電極の接続信頼性をより向上することができる。
また、上記課題を解決するために本発明の一形態における半導体装置は、絶縁基板と前記絶縁基板の下面に形成された配線パターン層とを有する回路基板と、前記絶縁基板を貫通して少なくとも1つ形成され、内壁面に前記配線パターン層と電気的に接続された内壁導体を有する接続孔と、前記回路基板の上面の前記接続孔の開口部の周囲に形成され、前記内壁導体と電気的に接続されたランドと、前記ランドの上面から前記接続孔の開口部を覆うように形成され、前記ランドと電気的に接続されたバンプと、前記回路基板の上面に搭載され、パッド電極を有する半導体チップと、一端および他端がそれぞれ前記バンプおよび前記パッド電極にボンディングされたワイヤーとを備える。
また、上記課題を解決するために本発明の一形態における半導体装置の製造方法は、絶縁基板と前記絶縁基板の下面に形成された配線パターン層とを有する回路基板を準備する基板準備工程と、前記絶縁基板を貫通して内壁面に前記配線パターン層と電気的に接続された内壁導体を有する接続孔を少なくとも1つ形成する接続孔形成工程と、前記回路基板の上面の前記接続孔の開口部の周囲に、前記内壁導体と電気的に接続されたランドを形成するランド形成工程と、前記ランドの上面から前記接続孔の開口部を覆うように、前記ランドと電気的に接続されたバンプを形成するバンプ形成工程と、前記回路基板の上面に、パッド電極を有する半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、ワイヤーの一端および他端をそれぞれ前記バンプおよび前記パッド電極にボンディングするボンディング工程とを含む。
この構成によれば、ワイヤーをボンディングするために必要なボンディングの面積をバンプ上に大きくとることができるので、バンプとワイヤーの接続が外れにくく、接続信頼性を向上することができる。したがって、回路基板の下面に形成された配線パターン層と回路基板の上面に配置された半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することが可能となる。
ここで、前記回路基板の上面に、前記半導体チップ、前記ワイヤー、前記ランドおよび前記バンプを封止する樹脂層をさらに備えるようにしてもよい。また、前記ボンディング工程の後、前記回路基板の上面に、前記半導体チップ、前記ワイヤー、前記ランドおよび前記バンプを封止する樹脂層を形成する樹脂層形成工程をさらに含むようにしてもよい。
この構成によれば、樹脂層により半導体チップ、ワイヤー、ランドおよびバンプが封止されるので、ワイヤーとバンプおよび半導体チップのパッド電極の接続信頼性をより向上することができる。
また、前記ランドは、表面に凹凸を有するようにしてもよい。また、前記ランド形成工程の後、前記ランドの表面に凹凸を形成する凹凸形成工程をさらに含むようにしてもよい。
この構成によれば、ランド表面に接続されるワイヤーおよびバンプをより外れにくく接続することができる。
ここで、前記配線パターン層の下面に形成され、前記配線パターン層と電気的に接続された突起電極をさらに備えるようにしてもよい。また、前記回路基板の下面に、前記配線パターン層と電気的に接続された突起電極を形成する突起電極形成工程をさらに含むようにしてもよい。
この構成によれば、半導体装置の配線の構成をより簡単にすることができる。
ここで、前記突起電極は、リフロー工法により金属ボールを加熱溶融して形成されるようにしてもよい。
この構成によれば、半導体装置の配線を容易に形成することができる。
本発明により、金属配線層と半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することができる半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の半導体装置およびその製造方法の実施の形態を図1〜8を用いて説明する。 図1、3、5、7は半導体装置の断面図、図2A〜2E、4A〜4E、6A〜6F、8A〜8Eは、半導体装置の製造工程を示す断面図である。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態では、回路基板の上面の接続孔の開口部の周囲にランドが形成され、回路基板の上面に搭載された半導体チップのパッド電極とランドのそれぞれに、ワイヤーの一端および他端がボンディングされた半導体装置について説明する。これにより、ランドとワイヤーの接続信頼性を向上することができ、回路基板の下面に形成された金属配線層と回路基板の上面に配置された半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することが可能となる。
本発明の第1の実施の形態では、回路基板の上面の接続孔の開口部の周囲にランドが形成され、回路基板の上面に搭載された半導体チップのパッド電極とランドのそれぞれに、ワイヤーの一端および他端がボンディングされた半導体装置について説明する。これにより、ランドとワイヤーの接続信頼性を向上することができ、回路基板の下面に形成された金属配線層と回路基板の上面に配置された半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することが可能となる。
図1は、本実施の形態における半導体装置の構成を説明するための断面図である。
図1に示すように、半導体装置100は回路基板1と、パッド電極4aを有する半導体チップ4と、貫通孔2と、ランド3と、ランド3と半導体チップ4のパッド電極4aとを電気的に接続したワイヤー5と、樹脂層6と、回路基板1の下面に設けられた突起電極8と、回路基板1の下面に形成された基板保護膜10とを具備している。
回路基板1は、例えばポリイイミド樹脂により形成された平板状の基板からなり、絶縁基板9の下面にはAu、Cu、Al等よりなる金属層に配線パターンが形成された金属配線層7を備えている。
貫通孔2は、本発明における接続孔に相当し、絶縁基板9を貫通して形成され、貫通孔2の内壁には金属配線層7と電気的に接続された内壁導体2bが形成されている。
ランド3は、回路基板1の上面の貫通孔2の開口部2aの周囲にAu、Cu、Al等により形成されている。
半導体チップ4は、種々の半導体素子、配線、パッド電極4aを備え、パッド電極4aが上面に配置されるようにフェイスアップの状態で回路基板1の上面に配置されている。
ワイヤー5は、Au、Cu、Al等からなり、一端および他端がそれぞれランド3およびパッド電極4aにボンディングされている。
樹脂層6は、エポキシ等の絶縁性樹脂からなり、回路基板1上に配置されたランド3、半導体チップ4、ワイヤー5の外囲を封止するように設けられている。
突起電極8は、回路基板1の金属配線層7の下面にはんだボールにより形成されている。はんだボールの材質は、従来、Sn−Pbを使用していたが、環境問題などの観点から現在はPbフリー材である例えばSn−Ag−Cuのような材質が使用されている。
次に、本実施の形態における半導体装置100の製造方法について説明する。図2A〜図2Eは、半導体装置100の製造方法を説明するための断面図である。
まず、図2Aに示すように、回路基板1を準備する。回路基板1の絶縁基板9には、レーザー等の方法により基板上面と下面とを貫通して孔が形成され、貫通した孔の内壁にはAu、Cu、Al等が周知のメッキ技術によりメッキされて内壁導体2bが設けられ、貫通孔2が形成される。このとき、貫通孔2は、金属配線層7に当接するように所定の位置に形成される。その後、絶縁基板9の下面にAu、Cu、Al等からなる金属層が形成され、周知のフォトリソ技術でパターニングされた後、エッチング等により配線パターンが形成されて金属配線層7が設けられる。さらに、絶縁基板9と金属配線層7の一部を覆うように、エポキシ等の絶縁性樹脂により基板保護膜10が形成される。基板保護膜10における金属配線層7の下面には、開口部11が形成される。
その後、図2Aに示すように、貫通孔2の開口部2aを囲むように、ランド3が形成される。ランド3は、回路基板1の上面に内壁導体2bと電気的に接続されたAu、Cu、Al等からなる金属層が形成された後、金属層をエッチングすることにより形成される。なお、ランド3は、内壁導体2bと電気的に接続されていれば、貫通孔2の開口部2aを囲んでいなくてもどのような形状に形成されてもよい。また、ランド3は、金属層のエッチングに限らず転写版等にランドのパターンが形成された金属層を印刷転写する方法等で形成されてもよい。
この回路基板1を用いて図2Bに示すように、回路基板1上に半導体チップ4をエポキシ、ポリイイミド等の導電性樹脂または絶縁性樹脂(図示せず)で固着する。
次に、図2Cに示すように、Au、Cu、Al等よりなるワイヤー5を用いてワイヤーボンディング法により半導体チップ4のパッド電極4aと回路基板1のランド3とを電気的に接続する。ワイヤー5の径は10〜30μm程度である。ワイヤーボンディング時の加熱温度は、100〜250℃程度である。この時、ランド3上のボンディングは、1次ボンディング、2次ボンディングを問わない。
次に、図2Dに示すように、回路基板1の上面のランド3および半導体チップ4、ワイヤー5が露出しないように樹脂層6にて封止する。樹脂層6は、エポキシ等の絶縁性樹脂が回路基板1の上面に配置された後、熱硬化され形成される。
次に、図2Eに示すように、回路基板1の半導体チップ4搭載面に対して裏の面に形成されている基板保護膜10の開口部11にて露出している金属配線層7に、金属ボールや印刷転写したはんだペーストなどをリフローにより加熱溶融させることにより、回路基板1の裏面に突起電極8を設ける。リフロー時の加熱温度は、200〜270℃程度である。半導体の形態によっては、突起電極8はなくてもよい。
以上の製造方法により、金属配線層7に形成された突起電極8と半導体チップ4のパッド電極4aが、内壁導体2b、ランド3を介して電気的に接続され、ランド3とワイヤー5との接続信頼性が向上された半導体装置100が形成される。
(第1の実施の形態の変形例)
本変形例が第1の実施の形態と異なる点は、回路基板1の上面に形成されたランドが、表面に凹凸を有する点である。その他の構成については、第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。この構成によれば、ワイヤーをランド表面により外れにくくボンディングすることができる。
本変形例が第1の実施の形態と異なる点は、回路基板1の上面に形成されたランドが、表面に凹凸を有する点である。その他の構成については、第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。この構成によれば、ワイヤーをランド表面により外れにくくボンディングすることができる。
図3は本実施の形態における半導体装置の構成を説明するための断面図である。
図3に示すように、半導体装置200は回路基板1と、パッド電極4aを有する半導体チップ4と、貫通孔2と、表面に凹凸を形成したランド12と、ランド12と半導体チップ4のパッド電極4aとを電気的に接続したワイヤー5と、樹脂層6と、回路基板1の下面に設けられた突起電極8と、回路基板1の下面に形成された基板保護膜10とを具備している。
ランド12は、回路基板1の上面の貫通孔2の開口部2aの周囲にAu、Cu、Al等により形成され、表面には凹凸を有している。
次に、本実施の形態における半導体装置200の製造方法について説明する。図4A〜図4Eは、半導体装置200の製造方法を説明するための断面図である。
まず、図4Aに示すように、回路基板1を準備する。回路基板1は、第1の実施の形態と同様に、絶縁基板9上に接着された金属配線層7と、絶縁基板9と金属配線層7の一部を覆う基板保護膜10と、基板保護膜10における金属配線層7上に形成された開口部11と、基板上部と下部とを電気的に接続させるために形成した貫通孔2とを備えている。
また、図4Aに示すように、回路基板1の上面には、貫通孔2の開口部2aを囲むように、ランド12が形成される。ランド12は、回路基板1の上面に形成されたAu、Cu、Al等からなる金属層をエッチングして、表面に凹凸を有する形状に形成される。
そして、図4Bに示すように、回路基板1上に半導体チップ4がエポキシ、ポリイイミド等の導電性樹脂または絶縁性樹脂(図示せず)で固着される。
次に、図4Cに示すように、Au、Cu、Al等よりなるワイヤー5を用いてワイヤーボンディング法により半導体チップ4の電極4aと回路基板1のランド12の凹凸を有する表面とを電気的に接続する。ワイヤー5の径は10〜30μm程度である。ワイヤーボンディング時の加熱温度は、100〜250℃程度である。この時、ランド12上のボンディングは、1次ボンディング、2次ボンディングを問わない。
次に、図4Dに示すように、第1の実施の形態と同様に、回路基板1の上面のランド12および半導体チップ4、ワイヤー5が露出しないように樹脂層6にて封止する。
次に、図4Eに示すように、回路基板1の半導体チップ4搭載面に対して裏の面に形成されている基板保護膜10の開口部11にて露出している金属配線層7に、金属ボールや印刷転写したはんだペーストなどをリフローにより加熱溶融させることにより、回路基板1の裏面に突起電極8を設ける。リフロー時の加熱温度は、200〜270℃程度である。半導体の形態によっては、突起電極8はなくてもよい。
以上の製造方法により、金属配線層7に形成された突起電極8と半導体チップ4のパッド電極4aが、内壁導体2b、ランド12を介して電気的に接続され、ランド12とワイヤー5との接続信頼性がより向上された半導体装置200が形成される。
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態を説明する。本実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、回路基板の上面の接続孔の開口部の周囲に形成されたランドの上面から、接続孔の開口部を覆うようにバンプが形成され、ワイヤーが回路基板の上面に搭載された半導体チップのパッド電極とバンプとにボンディングされる点である。その他の構成については、第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。これにより、ワイヤーをボンディングするために必要なボンディングの面積をバンプ上に大きくとることができるので、バンプとワイヤーの接続信頼性を向上することができ、回路基板の下面に形成された金属配線層と回路基板の上面に配置された半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することが可能となる。
本発明の第2の実施の形態を説明する。本実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、回路基板の上面の接続孔の開口部の周囲に形成されたランドの上面から、接続孔の開口部を覆うようにバンプが形成され、ワイヤーが回路基板の上面に搭載された半導体チップのパッド電極とバンプとにボンディングされる点である。その他の構成については、第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。これにより、ワイヤーをボンディングするために必要なボンディングの面積をバンプ上に大きくとることができるので、バンプとワイヤーの接続信頼性を向上することができ、回路基板の下面に形成された金属配線層と回路基板の上面に配置された半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することが可能となる。
図5は本実施の形態における半導体装置の構成を説明するための断面図である。
図5に示すように、半導体装置300は回路基板1と、パッド電極4aを有する半導体チップ4と、貫通孔2と、ランド23と、ランド23の上面から貫通孔2の開口部2aを覆うように形成されたバンプ24と、バンプ24と半導体チップ4のパッド電極4aとを電気的に接続したワイヤー5と、樹脂層6と、回路基板1の下面に設けられた突起電極8と、回路基板1の下面に形成された基板保護膜10とを具備している。
バンプ24は、Au、Ag、Sn、Cu等からなり、ランド23の上面から貫通孔2の開口部2aを覆うように形成されている。
次に、本実施の形態における半導体装置300の製造方法について説明する。図6A〜図6Fは、半導体装置300の製造方法を説明するための断面図である。
まず、図6Aに示すように、回路基板1を準備する。回路基板1は、第1の実施の形態と同様に、絶縁基板9上に接着された金属配線層7と、絶縁基板9と金属配線層7の一部を覆う基板保護膜10と、基板保護膜10における金属配線層7上に形成された開口部11と、基板上部と下部とを電気的に接続させるために形成した貫通孔2とを備えている。そして、第1の実施の形態と同様に、回路基板1の上面には、貫通孔2の開口部2aを囲むようにランド23が形成されている。
そして、図6Bに示すように、ランド23の上面から貫通孔2の開口部2aを覆うように、スタッドバンプ工法等により、Au、Ag、Sn、Cu等よりなるバンプ24が形成される。
次に、図6Cに示すように、回路基板1上に半導体チップ4がエポキシ、ポリイイミド等の導電性樹脂または絶縁性樹脂(図示せず)で固着される。
次に、図6Dに示すように、Au、Cu、Al等よりなるワイヤー5を用いてワイヤーボンディング法により半導体チップ4の電極4aとランド23上に形成されたバンプ24とを電気的に接続する。ワイヤー5の径は10〜30μm程度である。ワイヤーボンディング時の加熱温度は、100〜250℃程度である。この時、バンプ24上のボンディングは、1次ボンディング、2次ボンディングを問わない。
次に、図6Eに示すように、回路基板1の上面のランド23、バンプ24、半導体チップ4、ワイヤー5が露出しないように樹脂層6にて封止する。
次に、図6Fに示すように、回路基板1の半導体チップ4搭載面に対して裏の面に形成されている基板保護膜10の開口部11にて露出している金属配線層7に、金属ボールや印刷転写したはんだペーストなどをリフローにより加熱溶融させることにより、回路基板1の裏面に突起電極8を設ける。リフロー時の加熱温度は、200〜270℃程度である。半導体の形態によっては、突起電極8はなくてもよい。
以上の製造方法により、金属配線層7に形成された突起電極8と半導体チップ4のパッド電極4aが、内壁導体2b、ランド23、バンプ24、ワイヤー5を介して電気的に接続され、バンプ24とワイヤー5との接続信頼性が向上された半導体装置300が形成される。
(第2の実施の形態の変形例)
本変形例が第2の実施の形態と異なる点は、回路基板1の上面に形成されたランドが、表面に凹凸を有する点である。その他の構成については、第2の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。この構成によれば、ランド表面に形成されるバンプをランドからより外れにくく形成することができる。
本変形例が第2の実施の形態と異なる点は、回路基板1の上面に形成されたランドが、表面に凹凸を有する点である。その他の構成については、第2の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。この構成によれば、ランド表面に形成されるバンプをランドからより外れにくく形成することができる。
図7は本実施の形態における半導体装置の構成を説明するための断面図である。
図7に示すように、半導体装置400は回路基板1と、パッド電極4aを有する半導体チップ4と、貫通孔2と、表面に凹凸を形成したランド32と、ランド32の上面から貫通孔2の開口部2aを覆うように形成されたバンプ34と、バンプ34と半導体チップ4のパッド電極4aとを電気的に接続したワイヤー5と、樹脂層6と、回路基板1の下面に設けられた突起電極8と、回路基板1の下面に形成された基板保護膜10とを具備している。
ランド32は、回路基板1の上面の貫通孔2の開口部2aの周囲にAu、Cu、Al等により形成され、表面には凹凸を有している。
次に、本実施の形態における半導体装置400の製造方法について説明する。図8は、半導体装置400の製造方法を説明するための断面図である。
まず、図8Aに示すように、回路基板1を準備する。回路基板1は、絶縁基板9上に接着された金属配線層7と、絶縁基板9と金属配線層7の一部を覆う基板保護膜10と、基板保護膜10における金属配線層7上に形成された開口部11と、基板上部と下部とを電気的に接続させるために形成した貫通孔2とを備えている。
また、図8Aに示すように、回路基板1の上面には、貫通孔2の開口部2aを囲むように、ランド32が形成される。ランド32は、回路基板1の上面に形成されたAu、Cu、Al等からなる金属層をエッチングして、表面に凹凸を有する形状に形成される。
そして、図8Bに示すように、ランド32の上面から貫通孔2の開口部2aを覆うように、スタッドバンプ工法等により、Au、Ag、Sn、Cu等よりなるバンプ34が形成される。
次に、図8Cに示すように、回路基板1上に半導体チップ4がエポキシ、ポリイイミド等の導電性樹脂または絶縁性樹脂(図示せず)で固着される。
次に、図8Cに示すように、Au、Cu、Al等よりなるワイヤー5を用いてワイヤーボンディング法により半導体チップ4の電極4aとランド32上に形成されたバンプ34とを電気的に接続する。ワイヤー5の径は10〜30μm程度である。ワイヤーボンディング時の加熱温度は、100〜250℃程度である。この時、バンプ34上のボンディングは、1次ボンディング、2次ボンディングを問わない。
次に、図8Dに示すように、第2の実施の形態と同様に、回路基板1の上面のランド32、バンプ34、半導体チップ4、ワイヤー5が露出しないように樹脂層6にて封止する。
次に、図8Eに示すように、回路基板1の半導体チップ4搭載面に対して裏の面に形成されている基板保護膜10の開口部11にて露出している金属配線層7に、金属ボールや印刷転写したはんだペーストなどをリフローにより加熱溶融させることにより、回路基板1の裏面に突起電極8を設ける。リフロー時の加熱温度は、200〜270℃程度である。半導体の形態によっては、突起電極8はなくてもよい。
以上の製造方法により、金属配線層7に形成された突起電極8と半導体チップ4のパッド電極4aが、内壁導体2b、ランド32、バンプ34、ワイヤー5を介して電気的に接続され、ランド32とバンプ34との接続信頼性がより向上された半導体装置400が形成される。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形を行ってもよい。
例えば、貫通孔2は、絶縁基板9の下面に金属配線層7が形成される前に限らず、金属配線層7が形成された後に形成されてもよい。
また、ワイヤーのボンディング方法は、ワイヤーボンディング法に限らず、フリップチップボンディング法等その他の方法を利用してもよい。
また、突起電極は、樹脂層が形成された後に形成される構成に限らず、あらかじめ回路基板に形成されていてもよいし、突起電極を備えない構成であってもよい。また、突起電極の形成方法も、はんだペーストなどをリフローにより加熱溶融する方法に限らず、その他の方法により形成されてもよい。
また、金属配線層、ランドは、上記したように回路基板上に形成された金属層をエッチングする方法に限らず、その他の方法で形成されてもよい。例えば、あらかじめ所望の金属配線パターンが形成された転写版により、配線パターン層やランドを転写印刷する方法であってもよい。
また、上記したように、ランドの表面に凹凸を形成する構成だけでなく、バンプの表面に凹凸を形成する構成であってもよい。
また、金属配線層、内壁導体、ランド、バンプ、ワイヤーの材質は、上記したものに限らず、導電性を有するものであれば、どのような材料であってもよい。
また、樹脂層の材質はエポキシ、ポリイイミド等に限らずその他の材質であってもよい。また、熱硬化性樹脂に限らず、光硬化性樹脂等、その他の種類のものを使用してもよい。
また、上記した実施の形態では、絶縁基板の下面に配線パターン層が形成され、絶縁基板の上面にランド、半導体チップが配置される構成について説明しているが、例えば、絶縁基板の上面に配線パターン層が形成され、絶縁基板の下面にランド、半導体チップが配置される半導体装置、つまり上記した実施の形態の構成と上下逆に形成された半導体装置も本発明に含まれる。
また、本発明にかかる半導体には、上記した実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明にかかる半導体装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。例えば、本発明にかかる半導体装置を内蔵する電子機器も本発明に含まれる。
本発明の半導体装置は回路基板の貫通孔の開口部の周囲に形成されたランドと半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することによって、回路基板の下面に形成された配線パターン層と回路基板の上面に配置された半導体チップのパッド電極との接続信頼性を向上することができ、回路基板上の配線を不要もしくは削減することが可能であり、それによって、端子数が多い半導体装置の作成が可能であるため、高機能の電子機器などの用途に適している。
1、101 回路基板
2 貫通孔(接続孔)
2a 開口部
2b 内壁導体
3、12、23、32 ランド
4、104 半導体チップ
4a パッド電極
5、105 ワイヤー
6、106 樹脂層
7、107 金属配線層(配線パターン層)
8、108 突起電極
9、109 絶縁基板
24、34 バンプ
100、200、300、400、500 半導体装置
2 貫通孔(接続孔)
2a 開口部
2b 内壁導体
3、12、23、32 ランド
4、104 半導体チップ
4a パッド電極
5、105 ワイヤー
6、106 樹脂層
7、107 金属配線層(配線パターン層)
8、108 突起電極
9、109 絶縁基板
24、34 バンプ
100、200、300、400、500 半導体装置
Claims (13)
- 絶縁基板と前記絶縁基板の下面に形成された配線パターン層とを有する回路基板と、
前記絶縁基板を貫通して少なくとも1つ形成され、内壁面に前記配線パターン層と電気的に接続された内壁導体を有する接続孔と、
前記回路基板の上面の前記接続孔の開口部の周囲に形成され、前記内壁導体と電気的に接続されたランドと、
前記回路基板の上面に搭載され、パッド電極を有する半導体チップと、
一端および他端がそれぞれ前記ランドおよび前記パッド電極にボンディングされたワイヤーと
を備える半導体装置。 - 前記回路基板の上面に、前記半導体チップ、前記ワイヤーおよび前記ランドを封止する樹脂層をさらに備える
請求項1に記載の半導体装置。 - 絶縁基板と前記絶縁基板の下面に形成された配線パターン層とを有する回路基板と、
前記絶縁基板を貫通して少なくとも1つ形成され、内壁面に前記配線パターン層と電気的に接続された内壁導体を有する接続孔と、
前記回路基板の上面の前記接続孔の開口部の周囲に形成され、前記内壁導体と電気的に接続されたランドと、
前記ランドの上面から前記接続孔の開口部を覆うように形成され、前記ランドと電気的に接続されたバンプと、
前記回路基板の上面に搭載され、パッド電極を有する半導体チップと、
一端および他端がそれぞれ前記バンプおよび前記パッド電極にボンディングされたワイヤーと
を備える半導体装置。 - 前記回路基板の上面に、前記半導体チップ、前記ワイヤー、前記ランドおよび前記バンプを封止する樹脂層をさらに備える
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記ランドは、表面に凹凸を有する
請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記配線パターン層の下面に形成され、前記配線パターン層と電気的に接続された突起電極をさらに備える
請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記突起電極は、リフロー工法により金属ボールを加熱溶融して形成される
請求項6に記載の半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置を製造する方法であって、
絶縁基板と前記絶縁基板の下面に形成された配線パターン層とを有する回路基板を準備する基板準備工程と、
前記絶縁基板を貫通して内壁面に前記配線パターン層と電気的に接続された内壁導体を有する接続孔を少なくとも1つ形成する接続孔形成工程と、
前記回路基板の上面の前記接続孔の開口部の周囲に、前記内壁導体と電気的に接続されたランドを形成するランド形成工程と、
前記回路基板の上面に、パッド電極を有する半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
ワイヤーの一端および他端をそれぞれ前記ランドおよび前記パッド電極にボンディングするボンディング工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記ボンディング工程の後、前記回路基板の上面に、前記半導体チップ、前記ワイヤーおよび前記ランドを封止する樹脂層を形成する樹脂層形成工程をさらに含む
請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置を製造する方法であって、
絶縁基板と前記絶縁基板の下面に形成された配線パターン層とを有する回路基板を準備する基板準備工程と、
前記絶縁基板を貫通して内壁面に前記配線パターン層と電気的に接続された内壁導体を有する接続孔を少なくとも1つ形成する接続孔形成工程と、
前記回路基板の上面の前記接続孔の開口部の周囲に、前記内壁導体と電気的に接続されたランドを形成するランド形成工程と、
前記ランドの上面から前記接続孔の開口部を覆うように、前記ランドと電気的に接続されたバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記回路基板の上面に、パッド電極を有する半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
ワイヤーの一端および他端をそれぞれ前記バンプおよび前記パッド電極にボンディングするボンディング工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記ボンディング工程の後、前記回路基板の上面に、前記半導体チップ、前記ワイヤー、前記ランドおよび前記バンプを封止する樹脂層を形成する樹脂層形成工程をさらに含む
請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ランド形成工程の後、前記ランドの表面に凹凸を形成する凹凸形成工程をさらに含む
請求項8〜11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記回路基板の下面に、前記配線パターン層と電気的に接続された突起電極を形成する突起電極形成工程をさらに含む
請求項8〜12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225591A JP2011077200A (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009225591A JP2011077200A (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016103502A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
-
2009
- 2009-09-29 JP JP2009225591A patent/JP2011077200A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016103502A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
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