JP2011071219A5 - - Google Patents

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本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面の上に、炭素を含んだ炭素層を形成する工程と、前記炭素層に電磁波を照射して、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。また、前記炭素層に電磁波を照射して、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程は、前記炭素層に電磁波を照射することにより加熱する工程を含むことを特徴とする。
本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、
前記炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
本発明の他の半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面上に、炭素を含んだ炭素層を形成する工程と、
前記炭素層を選択的に加熱し、炭化珪素からなる炭化緩衝層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。

Claims (8)

  1. 少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面上に、炭素を含んだ炭素層を形成する工程と、
    前記炭素層に電磁波を照射して、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
  2. 前記炭素層に電磁波を照射して、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程は、前記炭素層に電磁波を照射することにより加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体基板の製造方法。
  3. 前記電磁波が、レーザーであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体基板の製造方法。
  4. 前記レーザーが、エキシマレーザーであることを特徴とする請求項記載の半導体基板の製造方法。
  5. 少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板の前記一面上に、炭素を含んだ炭素層を形成する工程と、
    前記炭素層を選択的に加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
  6. レーザー照射を用いて前記炭素層を選択的に加熱することを特徴とする請求項記載の半導体基板の製造方法。
  7. 前記レーザー照射は、エキシマレーザーを用いることを特徴とする請求項記載の半導体基板の製造方法。
  8. 前記炭化珪素を含む炭化緩衝層を形成する工程では、前記炭素層の温度を、1300℃以上2300℃以下にすることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
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