JP2011052843A - 熱処理用冶具 - Google Patents

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Abstract

【課題】繰り返し電子部品焼成の用に供しても、セッター表面の変質や、反り変形を抑制可能であると同時にセッターを薄肉化して熱容量を小さくすることが可能な熱処理用冶具を提供する。
【解決手段】構成元素としてBa、Alを含有し、BaをBaO換算で55〜75質量%、AlをAl換算で20〜40質量%の範囲で含有する緻密質焼結体からなる。熱処理用冶具として構成することにより、繰り返し電子部品焼成の用に供しても、セッター表面の変質や、反り変形を抑制可能であると同時にセッターを薄肉化して熱容量を小さくすることを可能とする。
【選択図】なし

Description

本発明は熱処理用冶具に関するものである。
電子部品の熱処理に用いる熱処理用冶具としては、耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しないことが要求される。従来、このような特性を備える熱処理用冶具として、アルミナ・ムライト系基材の表面に、アルミナからなる中間層を形成し、更にその表面にジルコニアを被覆したものが用いられてきた(特許文献1)。
従来の熱処理用冶具は、基材・中間層・表層からなる3層構造を有し、5mm程度の板厚を有するものが一般的であったが、近年、セラミックコンデンサー等の電子部品が小型軽量化に伴い、該小型電子部品の焼成に用いる熱処理用冶具の薄肉化への需要がある。また、省エネルギーや焼成窯効率改善といった観点からも、熱処理用冶具の薄肉化への需要が高まっている。
熱処理用冶具を薄肉化する技術に関し、本願出願人は、純度が99%以上のアルミナを構成成分とし、気孔率が1%以下となるまで焼結させることにより、曲げ強度を高めて熱処理用冶具を薄肉化する技術を出願済みである。しかし、当該薄肉化技術による高純度アルミナを構成成分とする熱処理用冶具を用いて繰り返し電子部品の焼成を行うと、該高純度アルミナ製の熱処理用冶具の表面が変質し、次第に該熱処理用冶具に反り変形が生じる問題があった。
特開2007−15882号公報
本発明の目的は前記問題を解決し、繰り返し電子部品焼成の用に供しても、熱処理用冶具表面の変質や、反り変形を抑制可能であると同時に、熱処理用冶具を薄肉化して熱容量を小さくすることが可能な熱処理用冶具を提供することである。
上記課題を解決するためになされた本発明の熱処理用冶具は、構成元素としてBa、Alを含有し、BaをBaO換算で55〜75質量%、AlをAl換算で20〜40質量%の範囲で含有する緻密質焼結体からなることを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載熱処理用冶具において、鉱物組成として主にBaAlで表記されるスピネル型結晶構造を有することを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の熱処理用冶具において、TiをTiO換算で0.05〜1質量%の範囲で含有することを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載の熱処理用冶具において、気孔率15%以下、室温曲げ強度40MPa以上であることを特徴とするものである。
請求項5記載の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の熱処理用冶具において、セラミックまたは金属からなる被焼成物の搬送および熱処理のために用いられることを特徴とするものである。
請求項6記載の発明は、請求項1〜5のいずれかに記載の熱処理用冶具において、被焼成物が電子部品であることを特徴とするものである。
請求項7記載の発明は、請求項1〜6のいずれかに記載の熱処理用冶具において、該緻密質焼結体の肉厚が2mm以下であることを特徴とするものである。
本発明に係る熱処理用冶具は、構成元素としてBa、Alを含有し、BaをBaO換算で55〜75質量%、AlをAl換算で20〜40質量%の範囲で含有する緻密質焼結体からなる構成を有する。当該構成によれば、繰り返し電子部品焼成の用に供しても、セッター表面の変質や、反り変形を抑制することができると同時にセッターを薄肉化して熱容量を小さくすることができる。
以下、本発明の構成について詳細に説明する。
本発明の焼成用セッターは、BaAlで表記されるスピネル型結晶構造(Baスピネル)を有する緻密質単層構造の焼成用セッターである。
該緻密質Baスピネル(BaAl)セッターは、以下の方法により製造される。
Al粉末とBaCO粉末の混合粉末をポットミルで12時間乾式混合する。次に、混合粉末を1400〜1450℃で3時間仮焼し、Baスピネルを合成する。次に、合成したBaスピネルをジェットミルで粉砕し、平均粒径2〜5μmとする。次に、平均粒径2〜5μmのBaスピネルと、バインダーと水の混合粉末を0.5〜1.5t/cmでプレス成形する。最後に、上記のようにして得た成形物を、60℃〜100℃程度の温度で2時間乾燥し、乾燥後の成形物を1600〜1800℃(酸化雰囲気下)で焼成する。このようにして得られた焼結体には、BaがBaO換算で55〜75質量%、AlがAl換算で20〜40質量%の範囲で含有されることが好ましい。
本発明では、上記のように、予めAl粉末とBaCO粉末の混合粉末を仮焼することによって、スピネル型結晶構造を有する固溶体(以下、Baスピネルという)を得た後、該Baスピネルを平均粒径2〜5μmに粉砕したものを原料とすることにより、2mm程度まで薄肉化した緻密質セッターを得ることができる。
更に、Baスピネルでは、各元素が互いに溶けあい、全体が均一の固相となっているため、該Baスピネルを粉砕したものを原料としてセッターを製造することにより、電子部品(被焼成物)焼成時、被焼成物由来のBaO等の金属酸化物がセッター内部に拡散して、セッターの結晶構造の変化を引き起こす問題を回避し、結晶構造の変化に起因するセッターのソリの発生を効果的に防止することができる。
なお、本発明のセッターを更に緻密化する手段としては、平均粒径2〜5μmのBaスピネルと、バインダーと水の混合粉末に、更に焼結助剤(TiO)を加える方法や、プレス成形に代えてCIPやラバープレス、緻密質の成形に最適な成形方法を採用することもできる。
以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1では、Al粉末1molとBaCO粉末1molをポットミルで12時間乾式混合し、該混合粉末を1440℃で3時間仮焼し、Baスピネルを合成し、該Baスピネルをジェットミルで粉砕し、平均粒径2μmとした。その後、該平均粒径2μmのBaスピネルと、バインダーと水の混合体を1t/cmでプレス成形して、縦150mm×横150mm×厚さ2mmの板状成形体を得た。得られた成形体を乾燥させ、1650℃、5時間保持で焼成を行い、テストピースを作製した。
実施例2〜5および比較例1では、出発原料となるBaCO粉末を、各々表1に示す量に変更した。他の条件は実施例1と同様とした。
実施例6〜7および比較例2では、Al粉末1molとBaCO粉末1molをポットミルで12時間乾式混合し、該混合粉末を1440℃で3時間仮焼し、Baスピネルを合成し、該Baスピネルをジェットミルで粉砕する際の平均粒径を、各々表1に示す量に変更した。他の条件は実施例1と同様とした。
実施例8では、プレス成形に代えて、CIP成形を採用した。他の条件は実施例1と同様とした。
実施例9〜10および比較例3〜4では、平均粒径3μmのBaスピネルと、バインダーと水の混合粉末に、更に焼結助剤(TiO)を加えてプレス成形を行った。焼結助剤(TiO)の添加量は、各々表1に示す量とした。他の条件は実施例1と同様とした。
比較例5は、形成材料に、平均粒径1μmの高純度アルミナ粉末(純度99.99%)を用いて、気孔率が1%以下となるまで焼結させることにより、曲げ強度を高めた薄肉(2mm厚)の単層構造からなるテストピースを作製した。
比較例6〜7は、従来技術により作製された、4mm厚のテストピースである。
Figure 2011052843
上記の作製方法で得られたテストピースを、以下の方法で評価を行った。その結果も併せて表1に示している。
(テストピースの評価方法1:チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末との反応性)
反応性の評価:反応剤としてチタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末を基材上に散布し、1400℃×5hで焼成を行ない、焼成後、反応剤が基材との反応により溶融し、基材へ浸透するかどうかを確認した。浸透量はSEM画像観察により、浸透層の厚みを測定した。
評価の基準:
○;反応剤の全量溶融が認められず、浸透層が100μm以下
△;反応剤の全量溶融は認められないが、浸透層が100μm以上
×;反応剤が溶融し、浸透層が100μm以上
以下、表1に基づく考察を行う。
(Al粉末とBaCO粉末の混合比に関する考察:実施例1〜5、比較例1)
実施例1〜5に示すように、Al粉末1molに対し、当量以上のBaCO粉末を用いた場合、AlがすべてBaスピネルとなり、該Baスピネル結晶と反応剤(チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末)との反応による結晶構造の変化が起きないため、反応が抑制されていると考えられる。これに対し、比較例1に示すように、Al粉末1molに対し、BaCO粉末が0.5molに留まる場合には、BaスピネルとならないAlが残っているため、該Alの結晶と反応剤(チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末)との反応が生じていると考えられる。
(Baスピネルの平均粒径に関する考察:実施例1、実施例6〜7、比較例2)
実施例1および実施例6〜7に示すように、Baスピネルの平均粒径が2〜5μmの場合には、焼結体が十分に緻密化しており、該焼結体中に反応剤(チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末)は浸透できないと考えられる。これに対し、比較例2に示すように、Baスピネルの平均粒径が8μm程度まで大きくなると、焼結体中に反応剤(チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末)が浸透できるようになると考えられる。
(成形方法に関する考察:実施例1、8)
実施例8に示すように、プレス成形に代えてCIP成形を採用することにより、更に緻密な焼結体が得られる。
(焼結助剤の添加に関する考察::実施例1、実施例9〜10、比較例3〜4)
実施例9〜10に示すように、焼結助剤を0.1〜1%添加することにより、更に緻密な焼結体が得られる。ただし、比較例3〜4に示すように、焼結助剤の添加量を5%程度にまで増加させると、新たにクリープの問題が生じてしまうため、好ましくない。
(比較例5に関する考察)
比較例5に示すように、焼結体中にAlの結晶が存在する場合、該Alの結晶と反応剤(チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末)との反応が生じてしまう。
(比較例6〜7に関する考察)
比較例6〜7に示すように、従来技術によると、薄厚のテストピースは得られない。
表2には、本発明のセッターの反応性を、従来セッターと比較して示している。
実施例11は、実施例1と同様に、Al粉末1molとBaCO粉末1molをポットミルで12時間乾式混合し、該混合粉末を1440℃で3時間仮焼し、Baスピネルを合成し、該Baスピネルをジェットミルで粉砕し、平均粒径2μmとした。その後、該平均粒径2μmのBaスピネルと、バインダーと水の混合体を1t/cmでプレス成形して、縦150mm×横150mm×厚さ2mmの板状成形体を得た。得られた成形体を乾燥させ、1650℃、5時間保持で焼成を行い、テストピース用基材を作製した。
比較例8は、比較例5と同様に、形成材料に、平均粒径1μmの高純度アルミナ粉末(純度99.99%)を用いて、気孔率が1%以下となるまで焼結させることにより、曲げ強度を高めた薄肉(2mm厚)の単層構造からなるテストピースを作製した。
比較例9は、特許文献1と同様の製法を用いて、基材・中間層・表層からなるテストピースを作製した。該表層としては、ジルコニアコート層が形成されている。
Figure 2011052843
上記の作製方法で得られたテストピースを、以下の方法で評価を行った。その結果も併せて表2に示している。
(テストピースの評価方法2:チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末との反応に起因する反り変形)
反り変形の評価:反応剤としてチタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末を水に分散させたスラリーを、テストピース(120×20)の被焼成物積載面に塗布し、1400℃×5hで繰り返し焼成を行ない、焼成後、テストピースの反り量を測定した。
評価の基準:
○;反り量0.5mm以下
△;反り量0.5mm以上、1mm以下
×;反り量1mm以上
(テストピースの評価方法3:表層剥離が起こるまでの焼成回数)
剥離性の評価:反応性の評価と同様の条件で繰り返し焼成を行ない、焼成後、表面コート層の剥離の有無を確認した。ノンコート品については基材表層の剥離の有無を確認した。
評価の基準:
○;20回以上でも剥離が認められない
△;15回以上20回以下で剥離が認められた
×;15回以下で剥離が認められた
以下、表2に基づく考察を行う。
比較例8では、薄肉の焼結体は得られるものの、焼結体中にAlの結晶が存在するため、該Alの結晶と反応剤(チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末)との反応が生じている。一方、比較例9では、表層としてジルコニアコート層が形成されているため、反応剤(チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末)との反応は抑制されるが、薄肉の焼結体は得られない。これに対し、実施例11によれば、反応剤(チタン酸バリウムと炭酸バリウムの混合粉末)との反応も抑制されていると同時に薄肉の焼結体が得られる。

Claims (7)

  1. 構成元素としてBa、Alを含有し、BaをBaO換算で55〜75質量%、AlをAl換算で20〜40質量%の範囲で含有する緻密質焼結体からなることを特徴とする熱処理用冶具。
  2. 鉱物組成として主にBaAlで表記されるスピネル型結晶構造を有することを特徴とする請求項1記載の熱処理用冶具。
  3. TiをTiO換算で0.05〜1質量%の範囲で含有することを特徴とする請求項1または2記載の熱処理用冶具。
  4. 気孔率15%以下、室温曲げ強度40MPa以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の熱処理用冶具。
  5. セラミックまたは金属からなる被焼成物の搬送および熱処理のために用いられることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の熱処理用冶具。
  6. 被焼成物が電子部品であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の熱処理用冶具。
  7. 該緻密質焼結体の肉厚が2mm以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の熱処理用冶具。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5988368A (ja) * 1982-07-28 1984-05-22 ドウルトン・インダストリアル・プロダクツ・リミテツド 焼成セラミツク加圧成形体
JP2003020292A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Toshiba Ceramics Co Ltd 焼成用道具材
JP2004091245A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 電子部品焼成用治具
WO2008129834A1 (ja) * 2007-03-27 2008-10-30 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 電子部品焼成用窯道具

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5988368A (ja) * 1982-07-28 1984-05-22 ドウルトン・インダストリアル・プロダクツ・リミテツド 焼成セラミツク加圧成形体
JP2003020292A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Toshiba Ceramics Co Ltd 焼成用道具材
JP2004091245A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 電子部品焼成用治具
WO2008129834A1 (ja) * 2007-03-27 2008-10-30 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 電子部品焼成用窯道具

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