JP2011040692A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】針傷を防止し、有効チップ数の減少を抑える半導体装置を提供すること。
【解決手段】対象チップ２−１は、ウェハ１に設けられている。隣接チップ２−２は、ウェハ１に設けられ、対象チップ２−１に隣接する。ボンディングパッド３は、対象チップ２−１の表面に設けられている。スクライブ領域４は、ウェハ１の対象チップ２−１と隣接チップ２−２との間に設けられ、ウェハ１の検査後にダイシングされる。貫通ビア５は、対象チップ２−１又は隣接チップ２−２に設けられている。表面配線６は、ボンディングパッド３からスクライブ領域４を介して対象チップ２−１又は隣接チップ２−２の表面の貫通ビア５に接続されている。検査用パッド７は、対象チップ２−１又は隣接チップ２−２の裏面に設けられている。裏面配線８は、対象チップ２−１又は隣接チップ２−２の裏面の貫通ビア５から検査用パッド７に接続されている。
【選択図】図２Ｃ

Description

本発明は、ウェハの検査を実施するためのボンディングパッドがチップに設けられた半導体装置に関する。

半導体装置は、複数のチップと、ボンディングパッドとを具備している。

複数のチップは、ウェハ上に設けられている。複数のチップの各々の内部には、トランジスタを含む回路素子が形成されている。複数のチップのうちの、対象とするチップを対象チップと称する。

ボンディングパッドは、対象チップの表面に設けられている。

ウェハの検査では、ウェハ測定用冶工具の針をボンディングパッドにコンタクト（プローピング）することにより、対象チップの検査が実施される。この場合に、ウェハ測定用冶工具の針によるボンディングパッドへの傷（以下、針傷と称する）が生じる。

ボンディングパッドは、ウェハの検査及びボンディングで共用される。針傷の面積が大きい場合、ボンディング時の接合強度を低下させてしまう。また、ウェハの検査においては、個々のウェハ測定用冶工具の性能や環境などによりコンタクト位置にぶれが生じる。これにより、ウェハ測定用冶工具の針をボンディングパッド内に確実にコンタクトするためには、ボンディングパッドの小型化が制限されたり、ウェハ測定用冶工具の性能を上げるために、ウェハ測定用冶工具を高価な構造や素材で構成したりする必要がある。

そこで、針傷を防止するための第１従来例の半導体装置が特開平２−１４４９３１号公報に記載されている。

第１従来例の半導体装置では、更に、スクライブ線（スクライブ領域）と、検査用パッドとを具備している。

ここで、複数のチップのうちの、対象チップに隣接するチップを隣接チップと称する。

スクライブ領域は、ウェハの対象チップと隣接チップとの間に設けられ、ウェハの検査後にダイシングされる。

検査用パッドは、スクライブ領域の表面に設けられている。

ウェハの検査では、ウェハ測定用冶工具の針をスクライブ領域の表面の検査用パッドにコンタクトすることにより、対象チップの検査が実施される。ウェハの検査後において、スクライブ領域がダイシングされることにより、スクライブ領域の表面の表面配線が切断されると共に、スクライブ領域の表面の検査用パッドが切り落とされる。これにより、ボンディング時には、針傷の無いボンディングパッドを用いることができる。

また、針傷を防止するための第２従来例の半導体装置が特開平６−２４４４３７号公報に記載されている。

第２従来例の半導体装置では、第１従来例に対して、更に、貫通ビアと、表面配線とを具備している。また、第２従来例の半導体装置では、第１従来例におけるスクライブ領域に代えて、検査領域を具備している。

貫通ビアは、検査領域に設けられている。

表面配線は、対象チップの表面のボンディングパッドから検査領域の表面の貫通ビアに接続されている。

検査用パッドは、検査領域の裏面に設けられている。

ウェハの検査では、ウェハ測定用冶工具の針を検査領域の裏面の検査用パッドにコンタクトすることにより、対象チップの検査が実施される。ウェハの検査後において、検査領域がダイシングされることにより、検査領域の表面の表面配線が切断されると共に、貫通ビアと、検査領域の裏面の検査用パッドとが切り落とされる。

特開平２−１４４９３１号公報 特開平６−２４４４３７号公報

第１従来例の半導体装置では、検査用パッドがスクライブ領域の表面に配置されている。このため、スクライブ領域の幅を固定した場合、検査用パッドの大きさはスクライブ領域の幅より小さくする必要がある。また、スクライブ領域の幅が小さい場合は検査用パッドも小さくなり、ウェハの検査時にウェハ測定用冶工具の針を検査用パッドにコンタクトすることが困難になる。逆に、検査用パッドを大きくした場合はそれに伴ってスクライブ領域の幅も拡げることになるため、ウェハ全体の有効面積が減り、ウェハ１枚あたりの有効チップ数が減ってしまう。その結果、チップ単価の上昇につながる。

第２従来例の半導体装置では、検査用パッドが検査領域の裏面に配置されている。このため、検査領域の大きさを固定した場合、検査用パッドの大きさは、検査領域の面積を検査用パッド数で割った面積に制限される。また、検査領域を小さくした場合は検査用パッドも小さくなり、ウェハの検査時にウェハ測定用冶工具の針を検査用パッドにコンタクトすることが困難になる。逆に、検査用パッドを大きくした場合はそれに伴って検査領域も拡げることになる。検査領域はダイシング時に切り捨てられてしまうことから、ウェハ全体の有効面積が減り、ウェハ１枚あたりの有効チップ数が減ってしまう。その結果、チップ単価の上昇につながる。

以下に、発明を実施するための形態で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。

本発明の半導体装置は、対象チップ（２；２−１）と、隣接チップ（２；２−２）と、ボンディングパッド（３）と、スクライブ領域（４）と、貫通ビア（５）と、表面配線（６）と、検査用パッド（７）と、裏面配線（８）とを具備している。対象チップ（２−１）は、ウェハ（１）に設けられている。隣接チップ（２−２）は、ウェハ（１）に設けられ、対象チップ（２−１）に隣接する。ボンディングパッド（３）は、対象チップ（２−１）の表面に設けられている。スクライブ領域（４）は、ウェハ（１）の対象チップ（２−１）と隣接チップ（２−２）との間に設けられ、ウェハ（１）の検査後にダイシングされる。貫通ビア（５）は、対象チップ（２−１）又は隣接チップ（２−２）に設けられている。表面配線（６）は、ボンディングパッド（３）からスクライブ領域（４）を介して対象チップ（２−１）又は隣接チップ（２−２）の表面の貫通ビア（５）に接続されている。検査用パッド（７）は、対象チップ（２−１）又は隣接チップ（２−２）の裏面に設けられている。裏面配線（８）は、対象チップ（２−１）又は隣接チップ（２−２）の裏面の貫通ビア（５）から検査用パッド（７）に接続されている。

以上により、本発明の半導体装置では、貫通ビア（５）、検査用パッド（７）が対象チップ（２−１）又は隣接チップ（２−２）に設けられ、対象チップ（２−１）の表面のボンディングパッド（３）は、表面配線（６）、貫通ビア（５）、裏面配線（８）を介して対象チップ（２−１）又は隣接チップ（２−２）の裏面の検査用パッド（７）に電気的に接続されている。このため、対象チップ（２−１）の検査が実施されるときにウェハ測定用冶工具の針によるボンディングパッド（３）への傷（針傷）を防止することができる。

また、本発明の半導体装置では、検査用パッド（７）が対象チップ（２−１）又は隣接チップ（２−２）の裏面に配置されているため、検査用パッド（７）をチップ（隣接チップ（２−２））の有効（能動）領域下に自由に配置することができる。その結果、検査用パッド（７）の大きさを自由に設定することができる。チップの有効領域はボンディングパッド（３）やスクライブ領域（４）が占める割合に比べて広い範囲を占めるため、有効領域下の範囲内であれば検査用パッド（７）をボンディングパッド（３）やスクライブ領域（４）より大きくしても、チップサイズの増大を抑えられる。即ち、ウェハ（１）全体の有効面積の減少を抑えることができ、ウェハ１枚あたりの有効チップ数の減少を抑えることができる。

本発明の半導体装置によれば、針傷を防止し、有効チップ数の減少を抑えることができる。

図１は、本発明の第１実施形態による半導体装置として、ウェハ１の裏面を示している。 図２Ａは、図１の半導体装置として、ダイシング前におけるウェハ１の表面を示している。 図２Ｂは、図２Ａの裏面を示している。 図２Ｃは、図２Ａ、２ＢのＡ−Ａ’断面を示している。 図３Ａは、図１の半導体装置として、ダイシング後におけるウェハ１の表面を示している。 図３Ｂは、図３Ａの裏面を示している。 図３Ｃは、図３Ａ、３ＢのＡ−Ａ’断面を示している。 図４は、本発明の第２実施形態による半導体装置として、ウェハ１の裏面を示している。 図５Ａは、図４の半導体装置として、ダイシング前におけるウェハ１の表面を示している。 図５Ｂは、図５ＡのＢ−Ｂ’断面を示している。 図６は、本発明の第３実施形態による半導体装置として、ウェハ１の裏面を示している。 図７Ａは、図６の半導体装置として、ダイシング前におけるウェハ１の表面を示している。 図７Ｂは、図７ＡのＣ−Ｃ’断面を示している。 図８は、本発明の第４実施形態による半導体装置として、ウェハ１の裏面を示している。 図９Ａは、図８の半導体装置として、ダイシング前におけるウェハ１の表面を示している。 図９Ｂ−１は、図９ＡのＤ−Ｄ’断面を示している。 図９Ｂ−２は、図９ＡのＥ−Ｅ’断面を示している。 図１０は、図８の半導体装置として、ダイシング後におけるウェハ１の表面を示している。

以下に添付図面を参照して、本発明の実施形態による半導体装置について詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半導体装置として、ウェハ１の裏面を示している。図２Ａ、２Ｂは、それぞれ、図１の半導体装置として、ダイシング前におけるウェハ１の表面、裏面を示している。図２Ｃは、図２Ａ、２ＢのＡ−Ａ’断面を示している。図３Ａ、３Ｂは、それぞれ、図１の半導体装置として、ダイシング後におけるウェハ１の表面、裏面を示している。図３Ｃは、図３Ａ、３ＢのＡ−Ａ’断面を示している。

本発明の第１実施形態による半導体装置は、複数のチップ２と、ボンディングパッド３と、スクライブ領域４と、貫通ビア５と、表面配線６と、検査用パッド７と、裏面配線８と、カバー９とを具備している。表面配線６、裏面配線８の材料として、例えば、アルミニウムが用いられる。

複数のチップ２は、ウェハ１上に設けられている。複数のチップ２の各々の内部には、トランジスタを含む回路素子が形成されている。複数のチップ２のうちの、対象とするチップを対象チップ２−１と称する。複数のチップ２のうちの、対象チップ２−１に隣接するチップを隣接チップ２−２と称する。

ボンディングパッド３は、対象チップ２−１の表面に設けられている。

スクライブ領域４は、ウェハ１の対象チップ２−１と隣接チップ２−２との間に設けられ、ウェハ１の検査後にダイシングされる。

貫通ビア５は、隣接チップ２−２に設けられている。

表面配線６は、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３からスクライブ領域４を介して隣接チップ２−２の表面の貫通ビア５に接続されている。貫通ビア５と表面配線６とが配置された後、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３の周辺には、カバー９が設けられる。

検査用パッド７は、隣接チップ２−２の裏面に設けられている。

裏面配線８は、隣接チップ２−２の裏面の貫通ビア５から検査用パッド７に接続されている。

ウェハ１の検査では、ウェハ測定用冶工具の針を隣接チップ２−２の裏面の検査用パッド７にコンタクトすることにより、対象チップ２−１の検査が実施される。ウェハ１の検査後において、スクライブ領域４がダイシングされることにより、スクライブ領域４上（スクライブ領域４の表面、裏面）の表面配線６が切断される。この場合、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３と、隣接チップ２−２の貫通ビア５との接続が解除され、結果的に、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３と、隣接チップ２−２の裏面の検査用パッド７との接続が解除される。

以上の説明により、本発明の第１実施形態による半導体装置では、貫通ビア５、検査用パッド７が隣接チップ２−２に設けられ、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３は、表面配線６、貫通ビア５、裏面配線８を介して隣接チップ２−２の裏面の検査用パッド７に電気的に接続されている。このため、対象チップ２−１の検査が実施されるときにウェハ測定用冶工具の針によるボンディングパッド３への傷（針傷）を防止することができる。

また、本発明の第１実施形態による半導体装置では、検査用パッド７が隣接チップ２−２の裏面に配置されているため、検査用パッド７をチップ（隣接チップ２−２）の有効（能動）領域下に自由に配置することができる。その結果、検査用パッド７の大きさを自由に設定することができる。チップの有効領域はボンディングパッド３やスクライブ領域４が占める割合に比べて広い範囲を占めるため、有効領域下の範囲内であれば検査用パッド７をボンディングパッド３やスクライブ領域４より大きくしても、チップサイズの増大を抑えられる。即ち、ウェハ１全体の有効面積の減少を抑えることができ、ウェハ１枚あたりの有効チップ数の減少を抑えることができる。

本発明の第１実施形態による半導体装置によれば、針傷を防止し、有効チップ数の減少を抑えることができる。

第１実施形態では、複数のチップ２のうちの、対象チップ、隣接チップをそれぞれ対象チップ２−１、隣接チップ２−２としているが、隣接チップ２−２、対象チップ２−１をそれぞれ対象チップ、隣接チップとした場合でも、上述の構成や配置と同じである。

（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態による半導体装置として、ウェハ１の裏面を示している。図５Ａは、図４の半導体装置として、ダイシング前におけるウェハ１の表面を示している。図５Ｂは、図５ＡのＢ−Ｂ’断面を示している。ダイシング後における図面については省略する。

本発明の第２実施形態による半導体装置は、複数のチップ２と、ボンディングパッド３と、スクライブ領域４と、貫通ビア５と、表面配線６と、検査用パッド７と、裏面配線８と、カバー９とを具備している。表面配線６、裏面配線８の材料として、例えば、アルミニウムが用いられる。

第１実施形態と同様に、複数のチップ２のうちの、対象チップ、隣接チップをそれぞれ対象チップ２−１、隣接チップ２−２と称する。

ボンディングパッド３は、対象チップ２−１の表面に設けられている。

スクライブ領域４は、ウェハ１の対象チップ２−１と隣接チップ２−２との間に設けられ、ウェハ１の検査後にダイシングされる。

貫通ビア５は、隣接チップ２−２に設けられている。

表面配線６は、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３からスクライブ領域４を介して隣接チップ２−２の表面の貫通ビア５に接続されている。貫通ビア５と表面配線６とが配置された後、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３の周辺には、カバー９が設けられる。

検査用パッド７は、対象チップ２−１の裏面に設けられている。

裏面配線８は、隣接チップ２−２の裏面の貫通ビア５からスクライブ領域４を介して対象チップ２−１の裏面の検査用パッド７に接続されている。

ウェハ１の検査では、ウェハ測定用冶工具の針を対象チップ２−１の裏面の検査用パッド７にコンタクトすることにより、対象チップ２−１の検査が実施される。ウェハ１の検査後において、スクライブ領域４がダイシングされることにより、スクライブ領域４上（スクライブ領域４の表面、裏面）の表面配線６及び裏面配線８が切断される。この場合、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３と、隣接チップ２−２の貫通ビア５との接続が解除され、結果的に、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３と、対象チップ２−１の裏面の検査用パッド７との接続が解除される。

以上の説明により、本発明の第２実施形態による半導体装置では、貫通ビア５、検査用パッド７がそれぞれ隣接チップ２−２、対象チップ２−１に設けられ、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３は、表面配線６、貫通ビア５、裏面配線８を介して対象チップ２−１の裏面の検査用パッド７に電気的に接続されている。このため、対象チップ２−１の検査が実施されるときにウェハ測定用冶工具の針によるボンディングパッド３への傷（針傷）を防止することができる。

また、本発明の第２実施形態による半導体装置では、検査用パッド７が対象チップ２−１の裏面に配置されているため、検査用パッド７をチップ（対象チップ２−１）の有効（能動）領域下に自由に配置することができる。その結果、検査用パッド７の大きさを自由に設定することができる。チップの有効領域はボンディングパッド３やスクライブ領域４が占める割合に比べて広い範囲を占めるため、有効領域下の範囲内であれば検査用パッド７をボンディングパッド３やスクライブ領域４より大きくしても、チップサイズの増大を抑えられる。即ち、ウェハ１全体の有効面積の減少を抑えることができ、ウェハ１枚あたりの有効チップ数の減少を抑えることができる。

また、本発明の第２実施形態による半導体装置では、ボンディングパッド３に電気的に接続された検査用パッド７が対象チップ２−１の裏面に配置されているため、同じチップ（対象チップ２−１）内でボンディングパッド３に対応して検査用パッド７を配置することができる。例えば、図４に示されるように、ボンディングパッド３の配置に合わせて、検査用パッド７を１列あるいは２列などにまとめると、ウェハ測定用冶工具の針の方向や長さを統一することができる。その方向や長さが統一できると、複数のチップ２の測定を実施する場合に針立ての混雑が緩和でき、また針の高さや長さのばらつきも抑えることができるため、並列測定可能なウェハ測定用冶工具を作製することが容易になる。このように、同じチップ内でボンディングパッド３に対応して検査用パッド７を配置することにより、ボンディングパッド３ではウェハ１での並列測定が困難な製品においても並列測定が可能となり、測定効率を向上することができる。

本発明の第２実施形態による半導体装置によれば、針傷を防止し、有効チップ数の減少を抑え、測定効率を向上することができる。

第２実施形態では、複数のチップ２のうちの、対象チップ、隣接チップをそれぞれ対象チップ２−１、隣接チップ２−２としているが、隣接チップ２−２、対象チップ２−１をそれぞれ対象チップ、隣接チップとした場合でも、上述の構成や配置と同じである。

（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態による半導体装置として、ウェハ１の裏面を示している。図７Ａは、図６の半導体装置として、ダイシング前におけるウェハ１の表面を示している。図７Ｂは、図７ＡのＣ−Ｃ’断面を示している。ダイシング後における図面については省略する。

本発明の第３実施形態による半導体装置は、複数のチップ２と、ボンディングパッド３と、スクライブ領域４と、貫通ビア５と、表面配線６と、検査用パッド７と、裏面配線８と、カバー９とを具備している。表面配線６、裏面配線８の材料として、例えば、アルミニウムが用いられる。

第１実施形態と同様に、複数のチップ２のうちの、対象チップ、隣接チップをそれぞれ対象チップ２−１、隣接チップ２−２と称する。隣接チップ２−２は、対象チップ２−１に隣接する第１隣接チップ２−２ａ、第２隣接チップ２−２ｂを含んでいる。第２隣接チップ２−２ｂは、第１隣接チップ２−２ａとは異なる位置に配置されている。例えば、第１隣接チップ２−２ａに対して対称的な位置に配置されている。

ボンディングパッド３は、対象チップ２−１の表面に設けられている。

スクライブ領域４は、第１スクライブ領域４ａと第２スクライブ領域４ｂとを含んでいる。第１スクライブ領域４ａは、ウェハ１の対象チップ２−１と第１隣接チップ２−２ａとの間に設けられている。第２スクライブ領域４ｂは、ウェハ１の対象チップ２−１と第２隣接チップ２−２ｂとの間に設けられている。スクライブ領域４は、ウェハ１の検査後にダイシングされる。

貫通ビア５は、第１隣接チップ２−２ａに設けられている。

表面配線６は、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３から第１スクライブ領域４ａを介して第１隣接チップ２−２ａの表面の貫通ビア５に接続されている。貫通ビア５と表面配線６とが配置された後、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３の周辺には、カバー９が設けられる。

検査用パッド７は、第２隣接チップ２−２ｂの裏面に設けられている。

裏面配線８は、第１隣接チップ２−２ａの裏面の貫通ビア５から第１スクライブ領域４ａ、対象チップ２−１及び第２スクライブ領域４ｂを介して第２隣接チップ２−２ｂの裏面の検査用パッド７に接続されている。

ウェハ１の検査では、ウェハ測定用冶工具の針を第２隣接チップ２−２ｂの裏面の検査用パッド７にコンタクトすることにより、対象チップ２−１の検査が実施される。ウェハ１の検査後において、スクライブ領域４がダイシングされることにより、第１スクライブ領域４ａ（第１スクライブ領域４ａの表面、裏面）上の表面配線６及び裏面配線８と、第２スクライブ領域４ｂ（第２スクライブ領域４ｂの表面、裏面）上の表面配線６及び裏面配線８とが切断される。この場合、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３と、第１隣接チップ２−２ａの貫通ビア５との接続が解除され、結果的に、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３と、第２隣接チップ２−２ｂの裏面の検査用パッド７との接続が解除される。

以上の説明により、本発明の第３実施形態による半導体装置では、貫通ビア５、検査用パッド７がそれぞれ第１隣接チップ２−２ａ、第２隣接チップ２−２ｂに設けられ、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３は、表面配線６、貫通ビア５、裏面配線８を介して第２隣接チップ２−２ｂの裏面の検査用パッド７に電気的に接続されている。このため、対象チップ２−１の検査が実施されるときにウェハ測定用冶工具の針によるボンディングパッド３への傷（針傷）を防止することができる。

また、本発明の第３実施形態による半導体装置では、検査用パッド７が第２隣接チップ２−２ｂの裏面に配置されているため、検査用パッド７をチップ（第２隣接チップ２−２ｂ）の有効（能動）領域下に自由に配置することができる。その結果、検査用パッド７の大きさを自由に設定することができる。チップの有効領域はボンディングパッド３やスクライブ領域４が占める割合に比べて広い範囲を占めるため、有効領域下の範囲内であれば検査用パッド７をボンディングパッド３やスクライブ領域４より大きくしても、チップサイズの増大を抑えられる。即ち、ウェハ１全体の有効面積の減少を抑えることができ、ウェハ１枚あたりの有効チップ数の減少を抑えることができる。

また、本発明の第３実施形態による半導体装置では、ボンディングパッド３に電気的に接続された検査用パッド７が第２隣接チップ２−２ｂの裏面に配置されているため、特定のチップ（第２隣接チップ２−２ｂ）内に検査用パッド７を集約することができる。例えば、図６に示されるように、検査用パッド７を特定のチップの有効領域下に集めることで、ウェハ測定用冶工具の針立ての範囲を減らすことができる。チップサイズが大きい製品において、ウェハ１の並列測定を行うためにウェハ測定用冶工具の針立ての範囲が足りない場合でも、針立て可能な範囲として特定チップに検査用パッド７を集約することにより、並列測定可能なウェハ測定用冶工具を作製することが容易になる。このように、特定のチップ内に検査用パッド７を集約することにより、針立て可能な範囲内で並列測定が可能となり、測定効率を向上することができる。

本発明の第３実施形態による半導体装置によれば、針傷を防止し、有効チップ数の減少を抑え、測定効率を向上することができる。

第３実施形態では、複数のチップ２のうちの、対象チップ、隣接チップをそれぞれ対象チップ２−１、隣接チップ２−２としているが、隣接チップ２−２、対象チップ２−１をそれぞれ対象チップ、隣接チップとした場合でも、上述の構成や配置と同じである。

（第４実施形態）
図８は、本発明の第４実施形態による半導体装置として、ウェハ１の裏面を示している。図９Ａは、図８の半導体装置として、ダイシング前におけるウェハ１の表面を示している。図９Ｂ−１は、図９ＡのＤ−Ｄ’断面を示している。図９Ｂ−２は、図９ＡのＥ−Ｅ’断面を示している。図１０は、図８の半導体装置として、ダイシング後におけるウェハ１の表面を示している。

本発明の第４実施形態による半導体装置は、複数のチップ２と、ボンディングパッド３と、スクライブ領域４と、貫通ビア５と、表面配線６と、検査用パッド７と、裏面配線８と、カバー９とを具備している。表面配線６、裏面配線８の材料として、例えば、アルミニウムが用いられる。

第１実施形態と同様に、複数のチップ２のうちの、対象チップ、隣接チップをそれぞれ対象チップ２−１、隣接チップ２−２と称する。

ボンディングパッド３は、対象チップ２−１の表面に設けられている。

スクライブ領域４は、ウェハ１の対象チップ２−１と隣接チップ２−２との間に設けられ、ウェハ１の検査後にダイシングされる。

貫通ビア５は、対象チップ２−１に設けられている。

表面配線６は、第１表面配線部６ａと第２表面配線部６ｂと第３表面配線部６ｃとを含んでいる。第１表面配線部６ａは、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３からスクライブ領域４に延びる。第２表面配線部６ｂは、対象チップ２−１の表面の貫通ビア５からスクライブ領域４に延びる。第３表面配線部６ｃは、スクライブ領域４で第１表面配線部６ａと第２表面配線部６ｂとに接続されている。即ち、表面配線６は、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３からスクライブ領域４に延び、スクライブ領域４で折り返されて、対象チップ２−１の表面の貫通ビア５に接続されている。貫通ビア５と表面配線６とが配置された後、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３の周辺には、カバー９が設けられる。

検査用パッド７は、対象チップ２−１の裏面に設けられている。

裏面配線８は、対象チップ２−１の裏面の貫通ビア５から検査用パッド７に接続されている。

ウェハ１の検査では、ウェハ測定用冶工具の針を対象チップ２−１の裏面の検査用パッド７にコンタクトすることにより、対象チップ２−１の検査が実施される。ウェハ１の検査後において、スクライブ領域４がダイシングされることにより、スクライブ領域４（スクライブ領域４の表面、裏面）上の表面配線６が切断される。この場合、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３と、隣接チップ２−２の貫通ビア５との接続が解除され、結果的に、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３と、対象チップ２−１の裏面の検査用パッド７との接続が解除される。

以上の説明により、本発明の第４実施形態による半導体装置では、貫通ビア５、検査用パッド７が対象チップ２−１に設けられ、表面配線６は、対象チップ２−１からスクライブ領域４に引き出され、スクライブ領域４から対象チップ２−１に引き戻される。これにより、対象チップ２−１の表面のボンディングパッド３は、表面配線６、貫通ビア５、裏面配線８を介して対象チップ２−１の裏面の検査用パッド７に電気的に接続されている。このため、対象チップ２−１の検査が実施されるときにウェハ測定用冶工具の針によるボンディングパッド３への傷（針傷）を防止することができる。

また、本発明の第４実施形態による半導体装置では、検査用パッド７が対象チップ２−１の裏面に配置されているため、検査用パッド７をチップ（対象チップ２−１）の有効（能動）領域下に自由に配置することができる。その結果、検査用パッド７の大きさを自由に設定することができる。チップの有効領域はボンディングパッド３やスクライブ領域４が占める割合に比べて広い範囲を占めるため、有効領域下の範囲内であれば検査用パッド７をボンディングパッド３やスクライブ領域４より大きくしても、チップサイズの増大を抑えられる。即ち、ウェハ１全体の有効面積の減少を抑えることができ、ウェハ１枚あたりの有効チップ数の減少を抑えることができる。

また、本発明の第４実施形態による半導体装置では、ボンディングパッド３に電気的に接続された検査用パッド７が対象チップ２−１の裏面に配置されているため、同じチップ（対象チップ２−１）内でボンディングパッド３に対応して検査用パッド７を配置することができる。例えば、図８に示されるように、ボンディングパッド３の配置に合わせて、検査用パッド７を１列あるいは２列などにまとめると、ウェハ測定用冶工具の針の方向や長さを統一することができる。その方向や長さが統一できると、複数のチップ２の測定を実施する場合に針立ての混雑が緩和でき、また針の高さや長さのばらつきも抑えることができるため、並列測定可能なウェハ測定用冶工具を作製することが容易になる。このように、同じチップ内でボンディングパッド３に対応して検査用パッド７を配置することにより、ボンディングパッド３ではウェハ１での並列測定が困難な製品においても並列測定が可能となり、測定効率を向上することができる。

また、本発明の第４実施形態による半導体装置では、貫通ビア５が必ずしも隣接チップ２−２に配置される必要はない。この場合、第２、３実施形態における裏面配線８に比べて、裏面配線８の配線長を短くすることができる。このため、検査用パッド７までの間隔に余裕ができ、裏面配線８や他の構成の配置が容易になり、裏面配線８の混雑を緩和することができる。

本発明の第４実施形態による半導体装置によれば、針傷を防止し、有効チップ数の減少を抑え、測定効率を向上し、配線の混雑を緩和することができる。

第４実施形態では、複数のチップ２のうちの、対象チップ、隣接チップをそれぞれ対象チップ２−１、隣接チップ２−２としているが、隣接チップ２−２、対象チップ２−１をそれぞれ対象チップ、隣接チップとした場合でも、上述の構成や配置と同じである。

１ ウェハ、
２ チップ、
２−１ 対象チップ、
２−２ 隣接チップ、
２−２ａ 第１隣接チップ、
２−２ｂ 第２隣接チップ、
３ ボンディングパッド、
４ スクライブ領域、
４ａ 第１スクライブ領域、
４ｂ 第２スクライブ領域、
５ 貫通ビア、
６ 表面配線、
６ａ 第１表面配線部、
６ｂ 第２表面配線部、
６ｃ 第３表面配線部、
７ 検査用パッド、
８ 裏面配線、
９ カバー

Claims (5)

1. ウェハに設けられた対象チップと、
   前記ウェハに設けられ、前記対象チップに隣接する隣接チップと、
   前記対象チップの表面に設けられたボンディングパッドと、
   前記ウェハの前記対象チップと前記隣接チップとの間に設けられ、前記ウェハの検査後にダイシングされるスクライブ領域と、
   前記対象チップ又は前記隣接チップに設けられた貫通ビアと、
   前記ボンディングパッドから前記スクライブ領域を介して前記対象チップ又は前記隣接チップの表面の前記貫通ビアに接続された表面配線と、
   前記対象チップ又は前記隣接チップの裏面に設けられた検査用パッドと、
   前記対象チップ又は前記隣接チップの裏面の前記貫通ビアから前記検査用パッドに接続された裏面配線と
   を具備する半導体装置。
2. 前記貫通ビアは、前記隣接チップに設けられ、
   前記表面配線は、前記対象チップの表面の前記ボンディングパッドから前記スクライブ領域を介して前記隣接チップの表面の前記貫通ビアに接続され、
   前記検査用パッドは、前記隣接チップの裏面に設けられ、
   前記裏面配線は、前記隣接チップの裏面の前記貫通ビアから前記検査用パッドに接続され、
   前記ウェハの検査後において、前記スクライブ領域がダイシングされることにより、前記スクライブ領域上の前記表面配線が切断される
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記貫通ビアは、前記隣接チップに設けられ、
   前記表面配線は、前記対象チップの表面の前記ボンディングパッドから前記スクライブ領域を介して前記隣接チップの表面の前記貫通ビアに接続され、
   前記検査用パッドは、前記対象チップの裏面に設けられ、
   前記裏面配線は、前記隣接チップの裏面の前記貫通ビアから前記スクライブ領域を介して前記対象チップの裏面の前記検査用パッドに接続され、
   前記ウェハの検査後において、前記スクライブ領域がダイシングされることにより、前記スクライブ領域上の前記表面配線及び前記裏面配線が切断される
   請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記隣接チップは、
   前記対象チップに隣接する第１隣接チップと、
   前記第１隣接チップとは異なる位置に配置され、前記対象チップに隣接する第２隣接チップと
   を含み、
   前記スクライブ領域は、
   前記ウェハの前記対象チップと前記第１隣接チップとの間に設けられた第１スクライブ領域と、
   前記ウェハの前記対象チップと前記第２隣接チップとの間に設けられた第２スクライブ領域と
   を含み、
   前記貫通ビアは、前記第１隣接チップに設けられ、
   前記表面配線は、前記対象チップの表面の前記ボンディングパッドから前記第１スクライブ領域を介して前記第１隣接チップの表面の前記貫通ビアに接続され、
   前記検査用パッドは、前記第２隣接チップの裏面に設けられ、
   前記裏面配線は、前記第１隣接チップの裏面の前記貫通ビアから前記第１スクライブ領域、前記対象チップ及び前記第２スクライブ領域を介して前記第２隣接チップの裏面の前記検査用パッドに接続され、
   前記ウェハの検査後において、前記スクライブ領域がダイシングされることにより、前記スクライブ領域上の前記表面配線及び前記裏面配線が切断される
   請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記貫通ビアは、前記対象チップに設けられ、
   前記表面配線は、
   前記対象チップの表面の前記ボンディングパッドから前記スクライブ領域に延びる第１表面配線部と、
   前記対象チップの表面の前記貫通ビアから前記スクライブ領域に延びる第２表面配線部と、
   前記スクライブ領域で前記第１表面配線部と前記第２表面配線部とに接続された第３表面配線部と
   を含み、
   前記検査用パッドは、前記対象チップの裏面に設けられ、
   前記裏面配線は、前記対象チップの裏面の前記貫通ビアから前記検査用パッドに接続され、
   前記ウェハの検査後において、前記スクライブ領域がダイシングされることにより、前記スクライブ領域上の前記表面配線が切断される
   請求項１に記載の半導体装置。

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