JP2011040635A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011040635A JP2011040635A JP2009187838A JP2009187838A JP2011040635A JP 2011040635 A JP2011040635 A JP 2011040635A JP 2009187838 A JP2009187838 A JP 2009187838A JP 2009187838 A JP2009187838 A JP 2009187838A JP 2011040635 A JP2011040635 A JP 2011040635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas discharge
- discharge tube
- pair
- capillary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78268—Discharge electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01007—Nitrogen [N]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01018—Argon [Ar]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】キャピラリ3の先端を介して開口部13、21が対向し、各々の開口部はキャピラリの先端の貫通可能な切り欠き部13a、21aを有し、該切り欠き部に不活性ガスを排出する一対のガス排出チューブ11、20と、該ガス排出チューブ内に前記キャピラリから繰り出されたワイヤにスパーク放電させてボールを形成することができるよう位置決めされているスパークロッド5と、前記一対のガス排出チューブの各々の開口部間の距離を変更する位置調整手段を備え、一対のガス排出チューブの開口部間の空間の大きさを可変して、不活性ガスにより形成される不活性ガス雰囲気の空間の大きさを可変するようにする。
【選択図】 図3
Description
最初に図1及び図2を参照してワイヤボンディング装置の構成を説明する。図1は、ワイヤボンディング装置の構成を示すブロック図、図2は、図1に示すワイヤボンディング装置のキャピラリ、クランパ、スパークロッド(放電電極)を内蔵したガス排出装置の位置関係を示す説明図である。
ボンディングアーム2をZ方向の上下に駆動するボンディングヘッド6には、ボンディングアーム2の位置を検出する位置検出センサ7を備えており、位置検出センサ7は、ボンディングアーム2の予め設定された原点位置からのボンディングアーム2先端に装着されたキャピラリ3の位置を制御装置63に出力するようになっている。また、ボンディングヘッド6のリニアモータは、制御装置63によってボンディングアーム2を上下に駆動する他に、ボンディング時にキャピラリ3に対して荷重の大きさ、荷重の印加時間の制御がなされる。
次に図3乃至図7を用いてガス排出装置について詳述する。ガス排出装置は、不活性ガスにより形成される酸化防止用ガス雰囲気中でFABを形成する際に、FABの酸化を抑制しつつFABの安定化を図るためのものである。なお、不活性ガスにより酸化防止用雰囲気が形成されるが、以後、不活性ガスにより形成される酸化防止用雰囲気を不活性ガス雰囲気と記す。
最初に、ガス排出装置10の一対のガス排出チューブ11について説明する。図3(a)、(b)に示すように、一対のガス排出チューブ11は、第1のガス排出チューブ12と第2のガス排出チューブ20とから構成されている。最初に、第1のガス排出チューブについて述べる。
次に、一対のガス排出チューブの第2のガス排出チューブについて説明する。第2のガス排出チューブは、第1のガス排出チューブと対をなすものである。図3に示すように、第2のガス排出チューブ20は、角形の外形を有し、第1のガス排出チューブ12の開口部13と対向する位置に設けられている。図5(a)に示すように、第2のガス排出チューブ20は、内部に不活性ガスを導入する中空のガス導入孔24が設けられており、先端に開口部21有している。第2のガス排出チューブ20の開口部21は、キャピラリ3の先端の接触を防止するべく弧状の切り欠き部21aを備えている。また、図5(b)に示すように、開口部21の中心付近には、ガス導入孔24のガス排出口22が位置している。図5(a)に示すように、第2のガス排出チューブ20の側面には、不活性ガスを流入するガス流入口23を有しており、略L字型に形成されたガス導入孔24によって、ガス流入口23と開口部21のガス排出口22とが連通するようになっている。また、ガス流入口23は、不活性ガスを供給するガス供給管31が接続金具26を介して接続されており、ガス供給管31の他端に外部から不活性ガスを供給するようにする。ガス供給管31から供給された不活性ガスは、図5(a)に示す矢印のように、ガス流入口23からガス導入孔24に沿って流れ、ガス排出口22から切り欠き部21aの成す空間に排出される。
次に、一対のガス排出チューブの各々の開口部間の距離を変更する位置調整手段について図6及び図7を用いて詳述する。位置調整手段は、第1のガス排出チューブ及び第2のガス排出チューブから成る一対のガス排出チューブの各々の開口部間の距離を変更するためのものである。図6(a)は、位置調整手段によって一対のガス排出チューブの開口部の距離を長くした例を示す一対のガス排出チューブの断面図、図6(b)は、位置調整手段によって一対のガス排出チューブの開口部の距離を短くした例を示す一対のガス排出チューブの断面図である。図7は、位置調整手段による一対のガス排出チューブの開口部の距離の可変を説明する図である。
次に、ガス排出装置10の一対のガス排出チューブ11及び位置調整手段をボンディングヘッドに取り付けるための構成部品について図3(a)、(b)を用いて説明する。
次に、一対のガス排出チューブ11による不活性ガス雰囲気中でのFABの形成について図1及び図2を参照して説明する。最初に、一対のガス排出チューブ11の位置調整手段により第1のガス排出チューブ12の開口部13と前記第2のガス排出チューブ20の開口部21とのギャップ長d(図7に示す)を設定する。ギャップ長は、放電電流の大きさに基づいた放電空間の大きさ、ワイヤ先端とスパークロッド5との放電ギャップ長等により決定する。また、ボンディング開始前に不活性ガスを第1のガス排出チューブ12及び前記第2のガス排出チューブ20に供給するようにする。これにより、第1のガス排出チューブ12の開口部13と前記第2のガス排出チューブ20の開口部21間の空間に不活性ガス雰囲気が形成される。
以上述べたガス排出チューブは、第1のガス排出チューブ及び第2のガス排出チューブ20から不活性ガスを流出して不活性ガス雰囲気を形成するものであるが、実施例として第1のガス排出チューブから不活性ガスを流出して、対向する第2のガス排出チューブ20からガスを吸引することも可能となっている。図8は、第2のガス排出チューブによる不活性ガスの吸引を説明する図である。
第1のガス排出チューブ12から不活性ガスを流出して、対向する第2のガス排出チューブ20からガスを吸引することにより、不活性ガスの流れが一定となり、安定した不活性ガス雰囲気を形成することができる。また、不活性ガスを効率よく回収することが可能である。
以上説明したガス排出装置10は、第1のガス排出チューブ12及び第2のガス排出チューブ20から成る一対のガス排出チューブ及び位置調整手段から構成されており、第2のガス排出チューブ20の位置をスライドさせることにより、第1のガス排出チューブ12の開口部13と第2のガス排出チューブ20の開口部21が成す空間の大きさを可変するようにしている。位置調整手段は、手動にて第2のガス排出チューブ20の位置をスライドさせているが、位置調整手段にモータ等の動力源を用いることにより、第2のガス排出チューブ20の位置を自動でスライドさせることが可能となる。以下に、第2のガス排出チューブ20の位置の制御を自動で行うことが可能な位置調整手段について図9を用いて説明する。図9は、一対のガス排出チューブの第2のガス排出チューブの位置を制御する機構を有するガス排出装置の平面図である。
直線的に移動するシリンダ又はソレノイドを用いることも可能である。モータは回転数により第2のガス排出チューブ20の位置を連続して可変することができるが、シリンダ、ソレノイドでは、第2のガス排出チューブ20の2カ所の所定位置のどちらかに設定する場合に好適である。なお、シリンダ又はソレノイドを用いる場合には、ねじ軸を用いないでLMガイド51のLMブロック51bとシリンダ又はソレノイドの先端部とを結合するようにする。
次に、位置調整手段にモータを使用した開口部のギャップ調整について、図10に示すフローチャートを用いて説明する。図10は、一対のガス排出チューブの開口部間の距離を調整するための手順を示すフローチャートである。
2 超音波ホーン(ボンディングアーム)
3 キャピラリ(ボンディングツール)
3a キャピラリ先端
4 クランパ
5 スパークロッド(放電電極)
5a スパークロッドの先端
6 ボンディングヘッド
7 位置検出センサ
10 ガス排出装置
11 一対のガス排出チューブ
12 第1のガス排出チューブ
13 開口部
13a 切り欠き部
14 ガス排出口
15 ガス導入孔
16 スライド用溝
20 第2のガス排出チューブ
21 開口部
21a 切り欠き部
22 ガス排出口
23 ガス流入口
24 ガス導入孔
25 スライド用溝
26 接続金具
29 連結板
29a 長穴
29b 突起部
30 ボルト
31 ガス供給管
33 隙間(ギャップ)
35 ガス排出チューブ保持部
35a ガス供給金具
36 スパークロッド接続端子
37 本体取付金具
38 L字金具
50 モータ
51 LMガイド
51a LMレール
51b LMブロック
52 固定金具
53 ねじ軸
55 連結棒
56 LMガイド
56a LMレール
56b LMブロック
60 XYテーブル
61 ヒータ部
62 駆動装置
63 制御装置
65 超音波発振器
66 ボール形成装置
67 キーボード
70 半導体チップ(ICチップ)
72 リードフレーム
74 ワイヤ(銅ワイヤ)
74a 銅ワイヤの先端
75 フリーエアーボール(FAB)
81 83 ガスノズル
85 ガス閉じ込めチューブ
86 上部インラインオリフィス
87 下部インラインオリフィス
Claims (7)
- 先端からワイヤを繰り出すキャピラリと、
該キャピラリの前記先端を介して開口部が対向し、各々の開口部はキャピラリの先端が貫通可能な切り欠き部を有し、該切り欠き部に不活性ガスを排出する一対のガス排出チューブと、
該ガス排出チューブ内に前記キャピラリから繰り出されたワイヤにスパーク放電させてボールを形成することができるよう位置決めされているスパークロッドと、
前記一対のガス排出チューブの各々の開口部間の距離を変更する位置調整手段と、
を備えたことを特徴とするワイヤボンディング装置。 - 前記一対のガス排出チューブは、スパークロッドを内蔵し、開口部の弧状の切り欠き部への不活性ガスの排出及びスパークロッドによるワイヤへのスパーク放電を行う第1のガス排出チューブと、該第1のガス排出チューブの開口部と対向する開口部の弧状の切り欠き部への不活性ガスの排出行う第2のガス排出チューブから成り、前記一対のガス排出チューブの各々の開口部間に不活性ガス雰囲気の空間を形成するようにしたことを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング装置。
- 前記第1のガス排出チューブの開口部と前記第2のガス排出チューブの開口部との間に間隙を有するようにしたことを特徴とする請求項2記載のワイヤボンディング装置。
- 前記第2のガス排出チューブは、開口部の弧状の切り欠き部への不活性ガスの排出に代えて、開口部の弧状の切り欠き部の不活性ガスを吸引することが可能に構成されていることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のワイヤボンディング装置。
- 前記位置調整手段は、一対のガス排出チューブの一方をスライドさせて、各々の開口部間の距離を変更し、一対のガス排出チューブの開口部間の空間の大きさを可変して、不活性ガスにより形成される不活性ガス雰囲気の空間の大きさを可変するようにしたことを特徴とする特徴とする請求項1乃至請求項4いずれか1に記載のワイヤボンディング装置。
- 前記位置調整手段は、一対のガス排出チューブのうちスパークロッドを位置決めしているガス排出チューブをスライドさせて、キャピラリ先端のワイヤとスパークロッドとの放電距離を可変するようにしたことを特徴とする請求項1乃至請求項5いずれか1に記載のワイヤボンディング装置。
- 前記位置調整手段は、前記一対のガス排出チューブの各々の開口部間の距離が所定の長さになるように一対のガス排出チューブの一方の位置を自動で制御するように構成したことを特徴とする請求項1乃至請求項6いずれか1に記載のワイヤボンディング装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009187838A JP4817341B2 (ja) | 2009-08-13 | 2009-08-13 | ワイヤボンディング装置 |
KR1020100069434A KR101062110B1 (ko) | 2009-08-13 | 2010-07-19 | 와이어 본딩장치 |
CN201010252535XA CN101996903B (zh) | 2009-08-13 | 2010-08-10 | 引线接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009187838A JP4817341B2 (ja) | 2009-08-13 | 2009-08-13 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011040635A true JP2011040635A (ja) | 2011-02-24 |
JP4817341B2 JP4817341B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=43768085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009187838A Active JP4817341B2 (ja) | 2009-08-13 | 2009-08-13 | ワイヤボンディング装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4817341B2 (ja) |
KR (1) | KR101062110B1 (ja) |
CN (1) | CN101996903B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012244093A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2014054305A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | 株式会社新川 | 酸化防止ガス吹き出しユニット |
WO2014054306A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | 株式会社新川 | 酸化防止ガス吹き出しユニット |
WO2016021251A1 (ja) * | 2014-08-06 | 2016-02-11 | 株式会社カイジョー | ボンディング方法及びボンディング装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102569111A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-07-11 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 用于引线键合的压板 |
CN104511703B (zh) * | 2013-09-30 | 2017-02-15 | 北京中电科电子装备有限公司 | 陶瓷头以及引线焊线机 |
TWI677068B (zh) * | 2017-05-24 | 2019-11-11 | 日商新川股份有限公司 | 打線接合裝置 |
KR102125086B1 (ko) * | 2018-08-28 | 2020-06-19 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 |
CN112400221B (zh) * | 2019-06-17 | 2024-03-15 | 株式会社海上 | 引线接合方法以及引线接合装置 |
US11239197B2 (en) * | 2019-11-27 | 2022-02-01 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Wire bonding apparatus threading system |
CN114373704B (zh) * | 2022-01-17 | 2022-07-05 | 揭阳市科和电子实业有限公司 | 半导体三极管引线支架氧化保护装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5967644A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Hitachi Ltd | ワイヤボンダ |
JPH03253045A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-12 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング装置 |
JPH05109809A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング装置 |
JPH05129359A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Nec Corp | 銅ワイヤボンデイング装置 |
JP2008130825A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Kaijo Corp | ワイヤボンディング装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63293933A (ja) | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
JP3253045B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2002-02-04 | 本田技研工業株式会社 | 多気筒内燃機関の動弁装置 |
JPH10125714A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンディングにおけるボール形成方法 |
JP2008034811A (ja) | 2006-07-03 | 2008-02-14 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンディング装置におけるボール形成装置及びボンディング装置 |
US7628307B2 (en) | 2006-10-30 | 2009-12-08 | Asm Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus for delivering shielding gas during wire bonding |
-
2009
- 2009-08-13 JP JP2009187838A patent/JP4817341B2/ja active Active
-
2010
- 2010-07-19 KR KR1020100069434A patent/KR101062110B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-08-10 CN CN201010252535XA patent/CN101996903B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5967644A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Hitachi Ltd | ワイヤボンダ |
JPH03253045A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-12 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング装置 |
JPH05109809A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング装置 |
JPH05129359A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Nec Corp | 銅ワイヤボンデイング装置 |
JP2008130825A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Kaijo Corp | ワイヤボンディング装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012244093A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9362251B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-06-07 | Shinkawa Ltd. | Antioxidant gas blow-off unit |
WO2014054306A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | 株式会社新川 | 酸化防止ガス吹き出しユニット |
KR20140129247A (ko) * | 2012-10-05 | 2014-11-06 | 가부시키가이샤 신가와 | 산화 방지 가스 취출 유닛 |
WO2014054305A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | 株式会社新川 | 酸化防止ガス吹き出しユニット |
KR101643244B1 (ko) | 2012-10-05 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 신가와 | 산화 방지 가스 취출 유닛 |
US9415456B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-08-16 | Shinkawa Ltd. | Antioxidant gas blow-off unit |
JPWO2014054305A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-08-25 | 株式会社新川 | 酸化防止ガス吹き出しユニット |
KR101771142B1 (ko) * | 2012-10-05 | 2017-08-24 | 가부시키가이샤 신가와 | 산화 방지 가스 취출 유닛 |
WO2016021251A1 (ja) * | 2014-08-06 | 2016-02-11 | 株式会社カイジョー | ボンディング方法及びボンディング装置 |
JP2016039221A (ja) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | 株式会社カイジョー | ボンディング方法及びボンディング装置 |
KR20160140911A (ko) | 2014-08-06 | 2016-12-07 | 가부시끼가이샤가이죠 | 본딩 방법 및 본딩 장치 |
US10022821B2 (en) | 2014-08-06 | 2018-07-17 | Kaijo Corporation | Bonding method and bonding device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101996903A (zh) | 2011-03-30 |
KR101062110B1 (ko) | 2011-09-02 |
KR20110017340A (ko) | 2011-02-21 |
JP4817341B2 (ja) | 2011-11-16 |
CN101996903B (zh) | 2012-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4817341B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
US10022821B2 (en) | Bonding method and bonding device | |
US7644852B2 (en) | Bonding apparatus, ball forming device in said bonding apparatus, and ball forming method using said bonding apparatus | |
US7893383B2 (en) | Bonding apparatus and method for cleaning tip of a bonding tool | |
JP6408123B2 (ja) | 半田付け装置 | |
JP4392015B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
US5156320A (en) | Wire bonder and wire bonding method | |
US20100078464A1 (en) | Wire bonding apparatus and ball forming method | |
US20080093416A1 (en) | Wire bonding and wire bonding method | |
JP2004319958A (ja) | ボンディング装置 | |
JP2003297872A (ja) | ボンディング装置 | |
JP2018183803A (ja) | ツイン鏝式ハンダ付け装置 | |
JP3767750B2 (ja) | ボンディング装置 | |
JP2018183802A (ja) | ツイン鏝式ハンダ付け装置 | |
JP4259646B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH08139140A (ja) | ワイヤボンディング方法とその装置 | |
JPH03253045A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH10303241A (ja) | ワイヤボンダー | |
JP3478510B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH0587976B2 (ja) | ||
JPH11233551A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH11312707A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP2018029144A (ja) | 半田付け装置 | |
JP2007027155A (ja) | 微小はんだ付けランドへのはんだ供給方法 | |
JPH05226401A (ja) | ワイヤ案内装置及びこれを具備したワイヤボンディング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110816 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110819 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110825 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4817341 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |