JP2011040548A5 - - Google Patents
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上記目的を達成するために、本発明の一側面としての計測装置は、被計測面の高さを計測する計測装置であって、光源からの広帯域波長の光を計測光と参照光とに分離して、前記広帯域波長の前記計測光を前記被計測面の表面に入射させ、前記広帯域波長の前記参照光を参照面に入射させる光学系と、前記被計測面の計測点で反射した計測光と前記計測点に対応する前記参照面の参照点で反射した参照光によって形成される干渉光の強度を検出する複数の領域が第1の方向に配列された撮像素子と、前記撮像素子の複数の領域で検出される干渉光の強度に基づいて、前記計測点における前記被計測面の高さを算出する処理部と、を有し、前記参照面は、前記複数の領域のそれぞれに入射する計測光又は参照光の間に異なる光路長差が生じるように配置され、前記第1の方向に沿って前記被計測面を移動しながら前記計測光と前記参照光との干渉光の強度を、前記撮像素子の前記複数の領域で検出し、前記処理部は、前記撮像素子の前記複数の領域において検出された前記干渉光の強度を用いて、前記複数の領域において干渉光強度信号のピーク位置を特定し、特定したピーク位置に対応する前記被計測面の高さを算出することを特徴とする。
従って、基板SBのY軸方向への駆動による参照光と計測光との光路長差が生じるように参照面40を傾斜して配置し、従来の白色干渉信号方式で干渉信号を取得した際の計測点数に相当する撮像素子24の各領域(画素)で干渉光の強度を検出する。この際、参照光と計測光によって形成される干渉光の強度を検出する複数の領域がY軸方向(第1の方向)に配列された撮像素子24において、計測光及び参照光が複数の領域のそれぞれに順次入射するようにY軸方向に沿って基板SBを駆動する。これにより、基板SB上の計測点(xx1、yy1)で反射した計測光が撮像素子24の異なる領域で検出されることになる。従って、基板SBのY軸方向の座標に対応した撮像素子24の領域で干渉光の強度を検出すれば、従来の白色干渉信号方式で得られる干渉信号と同等の信号(強度信号)を得ることが可能となる。
以下、図4を参照して、本実施形態の計測装置1において、コストを抑えながら、被計測面の表面形状を短時間で計測することができる理由について説明する。図2では、基板SB上の計測点(xx1、yy1)のみに注目して基板SBの表面形状の計測について説明した。図4では、計測点(xx1、yy1)に加えて、計測点(xx1、yy1)からY軸方向に−δyだけ離れた計測点(xx1、yy2)にも注目して基板SBの表面形状の計測について説明する。図4(a)は時刻t2における状態を、図4(b)は時刻t3における状態を、図4(c)は時刻t4における状態を示している。また、基板SBは、時刻t2から時刻t3の間に+δyだけ駆動され、時刻t3から時刻t4の間にδyだけ駆動されるものとする。なお、計測点(xx1、yy1)を第1の計測点、計測点(xx1、yy2)を第2の計測点とする。
本実施形態では、基板SB上のY軸方向に配列された複数の計測点のそれぞれに対応する強度信号を得る際に、基板SBのZ軸方向への駆動が不要であり、基板SBをY軸方向だけに駆動すればよい。
Claims (8)
- 被計測面の高さを計測する計測装置であって、
光源からの広帯域波長の光を計測光と参照光とに分離して、前記広帯域波長の前記計測光を前記被計測面の表面に入射させ、前記広帯域波長の前記参照光を参照面に入射させる光学系と、
前記被計測面の計測点で反射した計測光と前記計測点に対応する前記参照面の参照点で反射した参照光によって形成される干渉光の強度を検出する複数の領域が第1の方向に配列された撮像素子と、
前記撮像素子の複数の領域で検出される干渉光の強度に基づいて、前記計測点における前記被計測面の高さを算出する処理部と、
を有し、
前記参照面は、前記複数の領域のそれぞれに入射する計測光又は参照光の間に異なる光路長差が生じるように配置され、
前記第1の方向に沿って前記被計測面を移動しながら前記計測光と前記参照光との干渉光の強度を、前記撮像素子の前記複数の領域で検出し、
前記処理部は、前記撮像素子の前記複数の領域において検出された前記干渉光の強度を用いて、前記複数の領域において干渉光強度信号のピーク位置を特定し、特定したピーク位置に対応する前記被計測面の高さを算出することを特徴とする計測装置。 - 被計測面の高さを計測する計測装置であって、
光源からの広帯域波長の光を計測光と参照光とに分離して、前記広帯域波長の前記計測光を前記被計測面の表面に入射させ、前記広帯域波長の前記参照光を参照面に入射させる光学系と、
前記被計測面の計測点で反射した計測光と前記計測点に対応する前記参照面の参照点で反射した参照光によって形成される干渉光の強度を検出する複数の領域が第1の方向に配列された撮像素子と、
前記撮像素子の複数の領域で検出される干渉光の強度に基づいて、前記計測点における前記被計測面の高さを算出する処理部と、
を有し、
前記参照面は、前記複数の領域のそれぞれに入射する参照光の間に異なる光路長差が生じるように構成された非平面形状を有し、
前記第1の方向に沿って前記被計測面を移動しながら前記計測光と前記参照光との干渉光の強度を、前記撮像素子の前記複数の領域で検出し、
前記処理部は、前記撮像素子の前記複数の領域において検出された前記干渉光の強度を用いて、前記複数の領域において干渉光強度信号のピーク位置を特定し、特定したピーク位置に対応する前記被計測面の高さを算出することを特徴とする計測装置。 - 前記処理部は、
前記特定したピーク位置に対応する前記参照光と前記計測光との光路長差と、基準光路長差との差分を算出し、
前記撮像素子に入射する前記参照光と前記計測光との光路長差の差分が生じないように前記参照面を配置して、前記被計測面を高さ方向に移動させながら前記参照光と前記計測光との干渉光の強度信号を取得し、前記強度信号のピーク位置を特定し、当該ピーク位置に対応する前記参照光と前記計測光との光路長差を前記基準光路長差として算出することを特徴とする請求項1又は2に記載の計測装置。 - 前記非平面形状は、前記複数の領域のそれぞれに対応した段差を有する階段形状を含むことを特徴とする請求項2に記載の計測装置。
- 前記被計測面の駆動誤差に起因する前記計測点で反射した計測光と前記参照点で反射した参照光との光路長差の変化を検出する検出部を更に有し、
前記処理部は、前記検出部で検出された光路長差の変化に基づいて、前記干渉光強度信号を補正することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の計測装置。 - 1つの計測点で反射した計測光が前記複数の領域のうち2つの領域間を移動する時間と前記複数の領域のそれぞれで干渉光の強度を検出する検出タイミングとが一致するように、前記被計測面を移動することを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記基板の高さを計測する計測装置と、
前記計測装置によって計測された前記基板の高さに基づいて、前記基板の位置を調整するステージと、
を有し、
前記計測装置は、請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の計測装置であることを特徴とする露光装置。 - 請求項7に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009186143A JP5406623B2 (ja) | 2009-08-10 | 2009-08-10 | 計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US12/840,553 US8593615B2 (en) | 2009-08-10 | 2010-07-21 | Height measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method |
TW099125098A TWI427433B (zh) | 2009-08-10 | 2010-07-29 | 測量設備、曝光設備,以及裝置製造方法 |
KR1020100074657A KR20110016400A (ko) | 2009-08-10 | 2010-08-02 | 측정 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009186143A JP5406623B2 (ja) | 2009-08-10 | 2009-08-10 | 計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011040548A JP2011040548A (ja) | 2011-02-24 |
JP2011040548A5 true JP2011040548A5 (ja) | 2012-09-13 |
JP5406623B2 JP5406623B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=43534614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009186143A Active JP5406623B2 (ja) | 2009-08-10 | 2009-08-10 | 計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8593615B2 (ja) |
JP (1) | JP5406623B2 (ja) |
KR (1) | KR20110016400A (ja) |
TW (1) | TWI427433B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5971965B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2016-08-17 | キヤノン株式会社 | 面形状計測方法、面形状計測装置、プログラム、および、光学素子の製造方法 |
CN103309163B (zh) * | 2012-03-07 | 2015-08-26 | 上海微电子装备有限公司 | 外参考干涉硅片对准系统 |
CN103207532B (zh) * | 2013-04-21 | 2014-10-22 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种同轴检焦测量系统及其测量方法 |
US10152998B2 (en) * | 2014-04-07 | 2018-12-11 | Seagate Technology Llc | Features maps of articles with polarized light |
JP6412710B2 (ja) * | 2014-04-08 | 2018-10-24 | 株式会社ミツトヨ | 光干渉測定装置 |
WO2016084194A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 株式会社東京精密 | 形状測定装置 |
JP6685741B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2020-04-22 | キヤノン株式会社 | 形状計測方法、形状計測装置、プログラム、記録媒体及び光学素子の製造方法 |
JP2017090395A (ja) * | 2015-11-17 | 2017-05-25 | 株式会社ミツトヨ | 干渉対物レンズ及び参照面ユニットセット |
JP6704813B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 |
CN107966453B (zh) | 2016-10-20 | 2020-08-04 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种芯片缺陷检测装置及检测方法 |
US10794688B2 (en) * | 2018-03-07 | 2020-10-06 | Mitutoyo Corporation | Optical interference measuring device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4340306A (en) * | 1980-02-04 | 1982-07-20 | Balasubramanian N | Optical system for surface topography measurement |
US6560299B1 (en) * | 1999-07-30 | 2003-05-06 | Christopher H Strolle | Diversity receiver with joint signal processing |
DE10039239A1 (de) * | 2000-08-11 | 2002-03-07 | Bosch Gmbh Robert | Optische Messvorrichtung |
US7057742B2 (en) * | 2002-07-01 | 2006-06-06 | Lightgage, Inc. | Frequency-scanning interferometer with non-specular reference surface |
KR100641885B1 (ko) | 2004-06-15 | 2006-11-02 | 주식회사 나노시스템 | 수평 방향 스캐닝 방식의 광위상 간섭측정방법 및 장치 |
JP4554385B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2010-09-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面形状計測方法及び計測装置 |
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WO2007088789A1 (ja) | 2006-02-01 | 2007-08-09 | Tokyo Institute Of Technology | 表面形状の測定方法およびこれを用いた装置 |
JP4987359B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-07-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面形状計測装置 |
JP4884850B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-02-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 干渉測定装置 |
US7916284B2 (en) | 2006-07-18 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
JP4512627B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2010-07-28 | キヤノン株式会社 | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2009
- 2009-08-10 JP JP2009186143A patent/JP5406623B2/ja active Active
-
2010
- 2010-07-21 US US12/840,553 patent/US8593615B2/en active Active
- 2010-07-29 TW TW099125098A patent/TWI427433B/zh active
- 2010-08-02 KR KR1020100074657A patent/KR20110016400A/ko not_active Application Discontinuation
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