JP2011040434A5 - 表面検査装置および表面検査方法 - Google Patents

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本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、露光装置のフォーカスの状態を短時間で精度よく計測可能な装置および方法を提供することを目的とする。
このような目的達成のため、本発明に係る表面検査装置は、露光により形成されたパターンを有する基板に照明光を照射する照明部と、前記パターンで反射した照明光を検出して検出信号を出力する検出部と、パターンを形成する時のフォーカスオフセットと前記検出信号の強度との第1の相関関係と、判定対象のパターンで検出した検出信号とに基づいて、判定対象のパターンの露光状態を判定する判定部とを備えて構成される。
なお、前記判定部は、判定対象のパターンを形成する時のフォーカスオフセットと該判定対象のパターンの検出信号の強度との第2の相関関係と、前記第1の相関関係とに基づいて、前記判定対象のパターンの露光状態を判定してもよい。
また、前記判定部は、前記第1の相関関係と前記第2の相関関係との乖離に基づいて、前記判定対象のパターンの露光状態を判定してもよい。
また、前記照明部は、前記基板の前記パターンで回折光が発生するように、前記照明光を前記基板の表面に照射し、前記検出部は、前記基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出して前記検出信号を出力してもよい。
また、前記照明部は、前記照明光として略直線偏光を前記基板の表面に照射し、前記検出部は、前記略直線偏光の偏光状態の変化を検出して前記検出信号を出力してもよい。
また、前記照明光として紫外光を用いてもよい。
また、前記第1の相関関係が関数近似を用いて求められていてもよい。
また、前記判定部は、前記露光状態としてフォーカス状態と露光量との少なくとも一方を判定してもよい。
また、前記判定部は、1回の露光で形成されるパターン内の複数の部分からの検出信号の強度に基づいて、前記1回の露光での露光状態を判定してもよい。
また、前記判定部は、前記1回の露光での露光状態として像面傾斜を判定してもよい。
また、前記判定部により判定された前記露光状態を、該露光を行った露光装置に入力可能な信号に変換して出力する信号出力部をさらに備えてもよい。
また、前記照明部は、前記照明光として略平行な光束を用いて、前記基板の前記パターンが形成された面の全面を一括照明し、前記検出部は、前記全面からの光を一括して検出してもよい。
また、本発明に係る表面検査方法は、露光により形成されたパターンを有する基板に照明光を照射し、前記パターンで反射した照明光を検出して検出信号を出力し、パターンを形成する時のフォーカスオフセットと前記検出信号の強度との第1の相関関係と、判定対象のパターンで検出した検出信号とに基づいて、判定対象のパターンの露光状態を判定する。
なお、判定対象のパターンを形成する時のフォーカスオフセットと該判定対象のパターンの検出信号の強度との第2の相関関係と、前記第1の相関関係とに基づいて、前記判定対象のパターンの露光状態を判定してもよい。
また、前記第1の相関関係と前記第2の相関関係との乖離に基づいて、前記判定対象のパターンの露光状態を判定してもよい。
また、前記基板の前記パターンで回折光が発生するように照明光を照射し、前記基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出して前記検出信号を出力してもよい。
また、前記照明光として略直線偏光を前記基板の表面に照射し、前記略直線偏光の偏光状態の変化を検出して前記検出信号を出力してもよい。
また、前記照明光として紫外光を用いてもよい。
また、関数近似を利用して前記第1の相関関係を求めてもよい。
また、前記露光状態としてフォーカス状態と露光量との少なくとも一方を判定してもよい。
また、1回の露光で形成されるパターン内の複数の部分からの検出強度に基づいて、前記1回の露光での露光状態を判定してもよい。
また、前記1回の露光での露光状態として像面傾斜を判定してもよい。
また、前記判定した前記露光状態を、該露光を行った露光装置に入力可能な信号に変換して出力してもよい。
また、前記照明光として略平行な光束を用いて、前記基板の前記パターンが形成された面の全面を一括照明し、前記全面からの光を一括して検出してもよい。

Claims (24)

  1. 露光により形成されたパターンを有する基板に照明光を照射する照明部と、
    前記パターンで反射した照明光を検出して検出信号を出力する検出部と、
    パターンを形成する時のフォーカスオフセットと前記検出信号の強度との第1の相関関係と、判定対象のパターンで検出した検出信号とに基づいて、判定対象のパターンの露光状態を判定する判定部とを備えて構成されることを特徴とする表面検査装置。
  2. 前記判定部は、判定対象のパターンを形成する時のフォーカスオフセットと該判定対象のパターンの検出信号の強度との第2の相関関係と、前記第1の相関関係とに基づいて、前記判定対象のパターンの露光状態を判定することを特徴とする請求項1に記載の表面検査装置。
  3. 前記判定部は、前記第1の相関関係と前記第2の相関関係との乖離に基づいて、前記判定対象のパターンの露光状態を判定することを特徴とする請求項2に記載の表面検査装置。
  4. 前記照明部は、前記基板の前記パターンで回折光が発生するように、前記照明光を前記基板の表面に照射し、
    前記検出部は、前記基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出して前記検出信号を出力することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の表面検査装置。
  5. 前記照明部は、前記照明光として略直線偏光を前記基板の表面に照射し、
    前記検出部は、前記略直線偏光の偏光状態の変化を検出して前記検出信号を出力することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の表面検査装置。
  6. 前記照明光として紫外光を用いることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の表面検査装置。
  7. 前記第1の相関関係が関数近似を用いて求められていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の表面検査装置。
  8. 前記判定部は、前記露光状態としてフォーカス状態と露光量との少なくとも一方を判定することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の表面検査装置。
  9. 前記判定部は、1回の露光で形成されるパターン内の複数の部分からの検出信号の強度に基づいて、前記1回の露光での露光状態を判定することを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の表面検査装置。
  10. 前記判定部は、前記1回の露光での露光状態として像面傾斜を判定することを特徴とする請求項9に記載の表面検査装置。
  11. 前記判定部により判定された前記露光状態を、該露光を行った露光装置に入力可能な信号に変換して出力する信号出力部をさらに備えることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の表面検査装置。
  12. 前記照明部は、前記照明光として略平行な光束を用いて、前記基板の前記パターンが形成された面の全面を一括照明し、
    前記検出部は、前記全面からの光を一括して検出することを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の表面検査装置。
  13. 露光により形成されたパターンを有する基板に照明光を照射し、
    前記パターンで反射した照明光を検出して検出信号を出力し、
    パターンを形成する時のフォーカスオフセットと前記検出信号の強度との第1の相関関係と、判定対象のパターンで検出した検出信号とに基づいて、判定対象のパターンの露光状態を判定することを特徴とする表面検査方法。
  14. 判定対象のパターンを形成する時のフォーカスオフセットと該判定対象のパターンの検出信号の強度との第2の相関関係と、前記第1の相関関係とに基づいて、前記判定対象のパターンの露光状態を判定することを特徴とする請求項13に記載の表面検査方法。
  15. 前記第1の相関関係と前記第2の相関関係との乖離に基づいて、前記判定対象のパターンの露光状態を判定することを特徴とする請求項14に記載の表面検査方法。
  16. 前記基板の前記パターンで回折光が発生するように照明光を照射し、
    前記基板の前記パターンで発生した前記回折光を検出して前記検出信号を出力することを特徴とする請求項13から請求項15のいずれか一項に記載の表面検査方法。
  17. 前記照明光として略直線偏光を前記基板の表面に照射し、
    前記略直線偏光の偏光状態の変化を検出して前記検出信号を出力することを特徴とする請求項13から16のいずれか一項に記載の表面検査方法。
  18. 前記照明光として紫外光を用いることを特徴とする請求項13から17のいずれか一項に記載の表面検査方法。
  19. 関数近似を利用して前記第1の相関関係を求めることを特徴とする請求項13から18のいずれか一項に記載の表面検査方法。
  20. 前記露光状態としてフォーカス状態と露光量との少なくとも一方を判定することを特徴とする請求項13から19のいずれか一項に記載の表面検査方法。
  21. 1回の露光で形成されるパターン内の複数の部分からの検出強度に基づいて、前記1回の露光での露光状態を判定することを特徴とする請求項13から20のいずれか一項に記載の表面検査方法。
  22. 前記1回の露光での露光状態として像面傾斜を判定することを特徴とする請求項21に記載の表面検査方法。
  23. 前記判定した前記露光状態を、該露光を行った露光装置に入力可能な信号に変換して出力することを特徴とする請求項13から22のいずれか一項に記載の表面検査方法。
  24. 前記照明光として略平行な光束を用いて、前記基板の前記パターンが形成された面の全面を一括照明し、
    前記全面からの光を一括して検出することを特徴とする請求項13から請求項23のいずれか一項に記載の表面検査方法。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5765345B2 (ja) 2010-10-26 2015-08-19 株式会社ニコン 検査装置、検査方法、露光方法、および半導体デバイスの製造方法
JP5924267B2 (ja) * 2010-12-14 2016-05-25 株式会社ニコン 検査方法、検査装置、露光管理方法、露光システムおよび半導体デバイスの製造方法
JP5640943B2 (ja) * 2011-10-07 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 露光装置の設定方法、基板撮像装置及び記憶媒体
JP2013108779A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Nikon Corp 表面検査装置、表面検査方法、および露光システム
JPWO2013081072A1 (ja) * 2011-11-29 2015-04-27 株式会社ニコン 測定装置、測定方法および半導体デバイス製造方法
JP2015062207A (ja) * 2012-01-18 2015-04-02 株式会社ニコン 光学装置および収差測定方法
JP2015088496A (ja) * 2012-02-23 2015-05-07 株式会社ニコン 評価装置、評価方法、およびデバイス製造方法
JP6367021B2 (ja) 2014-07-02 2018-08-01 東芝メモリ株式会社 露光条件解析方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0502679B1 (en) * 1991-03-04 2001-03-07 AT&T Corp. Semiconductor integrated circuit fabrication utilizing latent imagery
JP3271348B2 (ja) * 1993-01-14 2002-04-02 株式会社ニコン レベリング合わせ面計測方法及び露光装置
JP3624528B2 (ja) * 1996-03-25 2005-03-02 株式会社ニコン 投影光学系の結像特性評価方法及び該方法を使用する投影露光装置
JP3900601B2 (ja) * 1997-07-18 2007-04-04 株式会社ニコン 露光条件選択方法、及び該方法で使用される検査装置
EP0985977A1 (en) * 1998-09-11 2000-03-15 Lucent Technologies Inc. Integrated circuit device fabrication utilizing latent imagery
JP2002075815A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Sony Corp パターン検査装置及びこれを用いた露光装置制御システム
JP4591802B2 (ja) * 2000-09-13 2010-12-01 株式会社ニコン 表面検査装置および方法
JP4802481B2 (ja) * 2004-11-09 2011-10-26 株式会社ニコン 表面検査装置および表面検査方法および露光システム
JP4516826B2 (ja) * 2004-11-15 2010-08-04 Okiセミコンダクタ株式会社 フォ−カスモニタ方法
JPWO2007043535A1 (ja) * 2005-10-07 2009-04-16 株式会社ニコン 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法
WO2009091034A1 (ja) * 2008-01-18 2009-07-23 Nikon Corporation 表面検査装置および表面検査方法
JP2009088554A (ja) * 2008-12-04 2009-04-23 Spansion Llc 半導体装置の製造方法

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