JP2011018958A - スイッチング素子制御装置およびモータ駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】1個のスイッチング素子を制御して負荷に電流を供給する場合でも、スイッチングノイズおよびスイッチング損失を低減する。
【解決手段】スイッチング素子制御装置(1)は、第1の信号を受けて、低電圧でスイッチング素子(SW1)をオン制御する第1の制御回路(11)と、スイッチング素子(SW1)が低電圧でオン制御されてから第2の信号を出力するオンタイミング制御回路(12)と、第2の信号を受けて、低電圧よりも高い電圧でスイッチング素子(SW1)を引き続きオン制御する第2の制御回路(13)と、を備えている。
【選択図】図1
【解決手段】スイッチング素子制御装置(1)は、第1の信号を受けて、低電圧でスイッチング素子(SW1)をオン制御する第1の制御回路(11)と、スイッチング素子(SW1)が低電圧でオン制御されてから第2の信号を出力するオンタイミング制御回路(12)と、第2の信号を受けて、低電圧よりも高い電圧でスイッチング素子(SW1)を引き続きオン制御する第2の制御回路(13)と、を備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、スイッチング素子制御装置に関し、特に、負荷が接続されるスイッチング素子の制御に関する。
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)やIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのスイッチング素子の駆動回路において、スイッチング素子のスイッチング時に発生するスイッチング損失やスイッチングノイズを低減することが望まれている。スイッチング損失を低減するために、駆動回路からスイッチング素子のゲート端子を高電圧で駆動してスイッチング動作を高速化すると、電源ラインに流れる電流が短時間に大きく変化してノイズが増大する。
このノイズを低減する手段の一つとして、異なる電流駆動能力を有する複数のスイッチング素子を能力の小さい順に駆動させて電源ラインに流れる電流の時間的変化を小さくすることでスイッチングノイズを低減する駆動回路が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
従来の駆動回路では、スイッチング素子が多数必要になる。さらに、複数のスイッチング素子のゲート抵抗やゲート容量はそれぞれ固定的であるため、各スイッチング素子は決まったタイミングで駆動する。そのため、スイッチング素子や負荷の特性等が変化した場合、各スイッチング素子の駆動タイミングにズレが生じてノイズやスイッチング損失が発生するおそれがある。この場合、ノイズやスイッチング損失を低減するためには、全てのスイッチング素子のゲート抵抗やゲート容量を再設定しなければならない。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、1個のスイッチング素子を制御して負荷に電流を供給する場合でも、スイッチング素子のスイッチングノイズおよびスイッチング損失を低減することを課題とする。
上述した課題を解決するため、本発明では、次のような解決手段を講じた。すなわち、電源ラインと接地ラインとの間に接続され、負荷が接続されるスイッチング素子を制御するスイッチング素子制御装置として、第1の信号を受けて、低電圧でスイッチング素子をオン制御する第1の制御回路と、スイッチング素子が低電圧でオン制御されてから第2の信号を出力するオンタイミング制御回路と、第2の信号を受けて、低電圧よりも高い電圧でスイッチング素子を引き続きオン制御する第2の制御回路と、を備えている。
これによると、まず始めにスイッチング素子を低電圧でオン制御することで、スイッチング素子の出力電流の時間的変化を小さくし、引き続き低電圧より高い通常電圧に切り替えてスイッチング素子をオン制御することで、スイッチング期間を短くすることができる。これにより、スイッチングノイズおよびスイッチング損失を低減することができる。
具体的には、オンタイミング制御回路は、低電圧でオン状態となっているスイッチング素子の負荷接続点の出力電圧を検出し、当該出力電圧が所定値よりも大きくなったときに第2の信号を出力する。あるいは、オンタイミング制御回路は、第1の制御回路が第1の信号を受けてからスイッチング素子の負荷接続点の出力電圧が所定値よりも大きくなるまでの時間を記憶するタイミング記憶部を有し、第1の信号を受けてからタイミング記憶部に記録された時間の経過後に第2の信号を出力する。
これらによると、スイッチング素子が低電圧でオン制御される時間をある程度の長さだけ確保することができる。
好ましくは、スイッチング素子は、MOSトランジスタであり、低電圧は、MOSトランジスタから定格電流が供給されるような電圧、より好ましくはそのような電圧のうち最も低いものである。これによると、スイッチング素子を低電圧でオン制御したときに負荷に十分な電流を供給しつつ、MOSトランジスタのゲート破損を防止することができる。
本発明によると、1個のスイッチング素子を制御して負荷に電流を供給する場合でも、スイッチング素子のスイッチングノイズおよびスイッチング損失を低減することができる。
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。
<第1の実施形態>
図1は、第1の実施形態に係るスイッチング素子制御装置1の構成を示す回路図である。スイッチング素子制御装置1は、電源ライン8と接地ライン9との間に直列接続されたスイッチング素子SW1,SW2をスイッチング制御し、誘導性負荷37に電流を供給する。スイッチング素子SW1,SW2は、MOSFET等のMOSトランジスタで構成されている。
図1は、第1の実施形態に係るスイッチング素子制御装置1の構成を示す回路図である。スイッチング素子制御装置1は、電源ライン8と接地ライン9との間に直列接続されたスイッチング素子SW1,SW2をスイッチング制御し、誘導性負荷37に電流を供給する。スイッチング素子SW1,SW2は、MOSFET等のMOSトランジスタで構成されている。
高電圧側制御回路10は、スイッチング素子SW1をスイッチング制御する。具体的に、高電圧側制御回路10は、制御回路11と、オンタイミング制御回路12と、制御回路13とで構成することができる。制御回路11は、入力端子26から信号を受けて、ゲート抵抗41を介して低電圧VL1をスイッチング素子SW1に印加してスイッチング素子SW1をオン制御する。ここで、低電圧VL1は、スイッチング素子SW1を構成するMOSトランジスタから定格電流が供給されるような電圧、そのような中でも最も低い電圧(例えば、8V程度)に設定する。
オンタイミング制御回路12は、低電圧VL1が印加されてオン状態となっているスイッチング素子SW1における負荷接続点の出力電圧VSが所定値よりも大きくなったことを検出したとき信号を出力する。ここで、所定値とは、例えばグランド電位GNDである。
制御回路13は、オンタイミング制御回路12から信号を受けて、ゲート抵抗41を介して通常電圧VHをスイッチング素子SW1に印加して引き続きオン制御する。通常電圧VHは例えば32V程度である。
低電圧側制御回路20は、スイッチング素子SW2をスイッチング制御する。具体的に、低電圧側制御回路20は、入力端子27から信号を受けて、ゲート抵抗42を介して低電圧VL2をスイッチング素子SW2に印加してオン制御する。
図2は、スイッチング素子制御装置1の具体的構成を示す回路図である。低電圧側制御回路20は、例えばバッファ回路20aで構成することができる。また同様に、制御回路11は、バッファ回路11aで構成することができる。
オンタイミング制御回路12は、反転入力端にグランド電位GND、および非反転入力端に出力電圧VSを受けて、これらを比較する比較器12aと、比較器12aの出力と入力端子26の信号とを受けるNAND回路12bとで構成することができる。
制御回路13は、NAND回路12bの出力を受けて、通常電圧VHを導通させるか否かを切り替えるMOSトランジスタで構成することができる。
次に、本実施形態に係るスイッチング素子制御装置1の動作を説明する。図3は、スイッチング素子制御装置1の動作を表すタイミングチャートである。
時刻t1以前において、スイッチング素子SW1,SW2はオフしており、誘導性負荷37には接地ライン9からダイオードD2を介して図1の中矢印の方向に電流Ionが流れている。時刻t1になると、制御回路11は、入力端子26の信号を受けて低電圧VL1を出力する(図3(a),(b)参照)。低電圧VL1の印加によって、ゲート抵抗41を介してゲート電流IGが流れ、スイッチング素子SW1の寄生容量31,32が充電される(図3(c)参照)。これに伴って、スイッチング素子SW1のゲート−ソース間電圧VGSが上昇する(図3(d)参照)。
時刻t2になると、ゲート−ソース間電圧VGSが閾値Vtを超えて(図3(d)参照)、スイッチング素子SW1がオンし、スイッチング素子SW1に電流IDSが流れ始める(図3(f)参照)。このように、まず始めに低電圧VL1でスイッチング素子SW1をオン制御することで、ゲート−ソース間電圧VGSは緩やかに上昇するため(図3(d)参照)、電流IDSの増加は従来よりも緩やかになる(図3(f)参照)。
時刻t2から時刻t3の間、電流Ionの一部は電流IDSから供給され、不足分はダイオードD2を介して供給される。
時刻t3になると、電流IDSが誘導性負荷37に電気エネルギを十分に供給できる大きさとなり、出力電圧VSが上昇し始める(図3(e)参照)。このとき、スイッチング素子SW1のゲート−ソース間電圧VGSは一定電圧で平滑化される(図3(d)参照)。このゲート−ソース間電圧VGSの平滑化はMOSトランジスタの一般的な特性である。
時刻t3から時刻t4の間に、オンタイミング制御回路12は、出力電圧VSがグランド電位GNDよりも大きくなったことを検出し、信号を出力する。制御回路13は、この信号を受けて通常電圧VHでスイッチング素子SW1を引き続きオン制御する(図3(b)参照)。
時刻t3から時刻t5にかけて、出力電圧VSの上昇によってダイオードD2に逆バイアスがかかる。このため、リカバリ電流が発生し、電流IDSのオーバーシュートが発生する(図3(f)参照)。しかし、この期間における出力電圧VSは従来よりも小さいため、電流IDSのオーバーシュートは従来よりも少ない。
時刻t6になると、出力電圧VSはハイレベルとなり、一定であったゲート−ソース間電圧VGSが上昇し始める(図3(d),(e)参照)。これとともに、スイッチング損失は収束する(図3(g)参照)。
電源ライン8のインダクタンス成分によって、電流IDSが特に大きく変化する時刻t2から時刻t3の期間において、スイッチングノイズが発生する。また、スイッチング素子SW1がオン制御される時刻t2以降のスイッチング期間において、スイッチング損失が発生する(図3(g)参照)。
スイッチングノイズは、電流IDSの時間的変化であるdIDS/dtに依存する。ここで、
dIDS/dt=μ・Cox・W/L・(VGS−Vt)・dVGS/dt
で表される。
なお、
Cox:トランジスタのゲート酸化膜容量
μ:電子の移動度
W:ゲート幅
L:ゲート長
Vt:トランジスタの閾値
である。
dIDS/dt=μ・Cox・W/L・(VGS−Vt)・dVGS/dt
で表される。
なお、
Cox:トランジスタのゲート酸化膜容量
μ:電子の移動度
W:ゲート幅
L:ゲート長
Vt:トランジスタの閾値
である。
これによると、dIDS/dtは、ゲート−ソース間電圧VGSの時間的変化であるdVGS/dtに比例する。ここで、
dVGS/dt=IG(t)/CG=(Von−VG(t))/RG・1/CG
で表される。
なお、
IG:ゲート電流
CG:ゲート容量
Von:制御回路の出力電圧
VG:ゲート電圧
RG:ゲート抵抗
である。
dVGS/dt=IG(t)/CG=(Von−VG(t))/RG・1/CG
で表される。
なお、
IG:ゲート電流
CG:ゲート容量
Von:制御回路の出力電圧
VG:ゲート電圧
RG:ゲート抵抗
である。
したがって、スイッチングノイズの低減は、出力電圧Vonを低くすることで実現することができる。一方、スイッチング損失の低減は、スイッチング期間の短縮、すなわち、出力電圧Vonを高くすることで実現することができる。
本実施形態に係るスイッチング素子制御装置1によれば、まず始めに低電圧VL1でスイッチング素子SW1をオン制御することで、時刻t2から時刻t3の期間におけるゲート−ソース間電圧VGSが緩やかに上昇するため、dVGS/dtひいては、dIDS/dtを低減することができる。さらに、時刻t3から時刻t4の期間で通常電圧VHでスイッチング素子SW1を引き続きオン制御することで、その期間以降のdVGS/dtを大きくすることができるため、スイッチング期間を短縮することができる。したがって、スイッチングノイズおよびスイッチング損失の両方を低減することができる。
なお、スイッチング素子SW1,SW2として、IGBT等を用いても良い。また、スイッチング素子制御装置1を、高電圧側制御回路10およびゲート抵抗41で構成しても良い。この場合、接地ライン9にはダイオードD2のみを接続して、スイッチング電源として用いることができる。
また、スイッチング素子SW1,SW2を同一特性としても良い。この場合、低電圧側制御回路20および制御回路11の低電圧VL1,VL2を同一の電位とすることができ、ゲート抵抗41,42の値を容易に設定することができる。
−第1の実施形態の変形例−
図4は、第1の実施形態の変形例に係るスイッチング素子制御装置1Aの構成を示す回路図である。オンタイミング制御回路12Aは、タイミング記憶部14を有している。
図4は、第1の実施形態の変形例に係るスイッチング素子制御装置1Aの構成を示す回路図である。オンタイミング制御回路12Aは、タイミング記憶部14を有している。
オンタイミング制御回路12Aは、スイッチング素子制御装置1Aの動作中において、制御回路11が入力端子26の信号を受けてから出力電圧VSがグランド電位GNDよりも大きくなるまでの時間を測定する。タイミング記憶部14は、その時間を記憶する。
オンタイミング制御回路12Aは、入力端子26の信号を受けて、タイミング記憶部14に記憶された時間を経過すると、信号を出力する。
なお、オンタイミング制御回路12Aは、制御回路11が入力端子26の信号を受けてから出力電圧VSがグランド電位GNDよりも大きくなるまでの時間を測定しなくても良い。この場合、タイミング記憶部14にあらかじめ、制御回路11が入力端子26の信号を受けてから出力電圧VSがグランド電位GNDよりも大きくなるまでの相当時間を記憶させておけば良い。
以上、本変形例によると、スイッチング素子制御装置1Aの動作中に、出力電圧VSがグランド電位GNDよりも大きくなるのを毎回検出しなくても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、負荷は容量性負荷あるいは抵抗性負荷等であっても良い。
<第2の実施形態>
図5は、第2の実施形態に係るモータ駆動装置50の構成を示す回路図である。モータ駆動装置50は、電流供給部55から三相モータ60の各巻線U,V,Wに電流を供給する。電流供給部55は、並列接続された3つのハーフブリッジ56で構成される。各ハーフブリッジ56におけるスイッチング素子SW1,SW2は、各ハーフブリッジ56に対応するスイッチング素子制御装置1,1Aによってスイッチング制御される。スイッチング素子制御装置1,1Aは、図1または図4に示したスイッチング素子制御装置である。本実施形態によると、三相モータ60を高効率で駆動することができる。
図5は、第2の実施形態に係るモータ駆動装置50の構成を示す回路図である。モータ駆動装置50は、電流供給部55から三相モータ60の各巻線U,V,Wに電流を供給する。電流供給部55は、並列接続された3つのハーフブリッジ56で構成される。各ハーフブリッジ56におけるスイッチング素子SW1,SW2は、各ハーフブリッジ56に対応するスイッチング素子制御装置1,1Aによってスイッチング制御される。スイッチング素子制御装置1,1Aは、図1または図4に示したスイッチング素子制御装置である。本実施形態によると、三相モータ60を高効率で駆動することができる。
なお、本実施形態に係るモータ駆動装置50は、例えば、洗濯機、空調機等のモータを備えた家電機器に適用することができる。また、プリンタ、複写機等の事務機器に適用することもできる。さらに、電気自動車等、およそ動力源であるモータを備えた移動体にも適用することができる。
本発明に係るスイッチング素子制御装置は、誘導性負荷に電流を供給するようなスイッチング素子のスイッチングノイズおよびスイッチング損失を低減できるため、高効率なスイッチング電源として有用であり、モータを動力源とする機器や移動体等に有用である。
1,1A スイッチング素子制御装置
8 電源ライン
9 接地ライン
11 制御回路(第1の制御回路)
12,12A オンタイミング制御回路
13 制御回路(第2の制御回路)
14 タイミング記憶部
37 誘導性負荷
50 モータ駆動装置
55 電流供給部
56 ハーフブリッジ
60 三相モータ(モータ)
SW1 スイッチング素子
U,V,W 巻線
8 電源ライン
9 接地ライン
11 制御回路(第1の制御回路)
12,12A オンタイミング制御回路
13 制御回路(第2の制御回路)
14 タイミング記憶部
37 誘導性負荷
50 モータ駆動装置
55 電流供給部
56 ハーフブリッジ
60 三相モータ(モータ)
SW1 スイッチング素子
U,V,W 巻線
Claims (7)
- 電源ラインと接地ラインとの間に接続され、負荷が接続されるスイッチング素子を制御するスイッチング素子制御装置であって、
第1の信号を受けて、低電圧で前記スイッチング素子をオン制御する第1の制御回路と、
前記スイッチング素子が前記低電圧でオン制御されてから第2の信号を出力するオンタイミング制御回路と、
前記第2の信号を受けて、前記低電圧よりも高い電圧で前記スイッチング素子を引き続きオン制御する第2の制御回路と、を備えている
ことを特徴とするスイッチング素子制御装置。 - 請求項1のスイッチング素子制御装置において、
前記オンタイミング制御回路は、前記低電圧でオン状態となっている前記スイッチング素子の負荷接続点の出力電圧を検出し、当該出力電圧が所定値よりも大きくなったときに前記第2の信号を出力する
ことを特徴とするスイッチング素子制御装置。 - 請求項1のスイッチング素子制御装置において、
前記オンタイミング制御回路は、前記第1の制御回路が前記第1の信号を受けてから前記スイッチング素子の負荷接続点の出力電圧が所定値よりも大きくなるまでの時間を記憶するタイミング記憶部を有し、前記第1の信号を受けてから前記タイミング記憶部に記録された前記時間の経過後に前記第2の信号を出力する
ことを特徴とするスイッチング素子制御装置。 - 請求項2および3のうち何れか1つのスイッチング素子制御装置において、
前記所定値は、グランド電位である
ことを特徴とするスイッチング素子制御装置。 - 請求項1のスイッチング素子制御装置において、
前記スイッチング素子は、MOSトランジスタであり、
前記低電圧は、前記MOSトランジスタから定格電流が供給されるような電圧である
ことを特徴とするスイッチング素子制御装置。 - 請求項5のスイッチング素子制御装置において、
前記低電圧は、前記MOSトランジスタから定格電流が供給されるような電圧のうち最も低いものである
ことを特徴とするスイッチング素子制御装置。 - 複数のハーフブリッジが並列接続されてなり、モータの各巻線に電流を供給する電流供給部と、
前記ハーフブリッジにおけるスイッチング素子を制御する請求項1乃至6のうち何れか1つのスイッチング素子制御装置と、を備えている
ことを特徴とするモータ駆動装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009160489A JP2011018958A (ja) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | スイッチング素子制御装置およびモータ駆動装置 |
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ID=43596444
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2011018958A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074996A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | プリドライバ回路、および、駆動回路 |
US9318973B2 (en) | 2012-04-23 | 2016-04-19 | Denso Corporation | Driving device |
JP2019057757A (ja) * | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 制御回路、制御方法、およびプログラム |
CN109756223A (zh) * | 2017-11-03 | 2019-05-14 | 三星电子株式会社 | 接口电路和接口装置 |
JP2019087990A (ja) * | 2017-11-03 | 2019-06-06 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | インタフェース回路及びインタフェース装置 |
-
2009
- 2009-07-07 JP JP2009160489A patent/JP2011018958A/ja active Pending
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