JP2011014916A - 金属ナノ粒子のエアロゾルを用いたフォトレジスト積層基板の形成方法、絶縁基板のメッキ方法、回路基板の金属層の表面処理方法、及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
金属ナノ粒子のエアロゾルを用いたフォトレジスト積層基板の形成方法、絶縁基板のメッキ方法、回路基板の金属層の表面処理方法、及び積層セラミックコンデンサの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明によるフォトレジスト積層基板の形成方法は、絶縁基板310と金属層330とを備えた積層基板を用意する段階と、前記金属層330上に金属ナノ粒子のエアロゾル350を塗布する段階と、前記金属ナノ粒子のエアロゾルが塗布された前記金属層上にフォトレジストフィルム370を積層する段階とを含む。
【選択図】図3
Description
Claims (28)
- 絶縁基板と金属層とを備えた積層基板を用意する段階と、
前記金属層上に金属ナノ粒子のエアロゾルを塗布する段階と、
前記エアロゾルが塗布された前記金属層上にフォトレジストフィルムを積層する段階と、
を含むことを特徴とするフォトレジスト積層基板の形成方法。 - 前記金属ナノ粒子の直径が0.001〜10μmであることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト積層基板の形成方法。
- 前記塗布されたエアロゾルの金属ナノ粒子間のピッチが、0.001〜20μmであることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト積層基板の形成方法。
- 前記金属ナノ粒子が、銅、アルミニウム、ニッケル、錫、白金、パラジウム、銀、金、チタン、タンタル、タングステン及びこれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属粒子であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト積層基板の形成方法。
- 前記エアロゾルを塗布する段階において、金属ナノ粒子を均一に塗布するために電場を印加することを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト積層基板の形成方法。
- 前記エアロゾルを塗布する段階が、ホットサーマルスプレー及びコールドサーマルスプレーの中から一つの方式を用いてエアロゾルを生成し塗布することを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト積層基板の形成方法。
- 絶縁基板を用意する段階と、
前記絶縁基板の一側面に第1金属ナノ粒子のエアロゾルを塗布して金属シード層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする絶縁基板のメッキ方法。 - 前記絶縁基板が、セラミック材質及び半導体材質の中のいずれか一つであることを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記第1金属ナノ粒子の直径が0.001〜10μmであることを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記金属シード層の厚さが、0.01〜200μmであることを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記第1金属ナノ粒子が、銅、アルミニウム、ニッケル、錫、白金、パラジウム、銀、金、チタン、タンタル、タングステン及びこれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属粒子であることを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記エアロゾルを塗布する段階において、前記第1金属ナノ粒子を均一に塗布するために電場を印加することを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記エアロゾルを塗布する段階が、ホットサーマルスプレー及びコールドサーマルスプレーの中の一つの方式を用いることを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記金属シード層上に電気メッキを用いて金属メッキ層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記金属シード層上に回路パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記回路パターンを形成する段階が、フォトレジストフィルムの積層、露光、現像、電気メッキ、剥離、及びエッチングの段階を含むことを特徴とする、請求項15に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記金属シード層上に第2金属ナノ粒子のエアロゾルを更に塗布して厚膜を形成する段階及び回路パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 前記回路パターンを形成する段階が、フォトレジストフィルムの積層、露光、現像、エッチング、及び剥離段階を含むことを特徴とする、請求項17に記載の絶縁基板のメッキ方法。
- 絶縁基板及び前記絶縁基板上に積層された金属層を備えた回路基板を用意する段階と、
前記金属層上に第1金属ナノ粒子のエアロゾルを塗布して第1金属層を形成する段階と、
前記第1金属層上に第2金属ナノ粒子のエアロゾルを塗布して第2金属層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする回路基板の金属層の表面処理方法。 - 前記金属層が銅層または銅合金層であることを特徴とする、請求項19に記載の回路基板の金属層の表面処理方法。
- 前記第1金属ナノ粒子及び第2金属ナノ粒子が、それぞれ独立的に銅、アルミニウム、ニッケル、錫、白金、パラジウム、銀、金、チタン、タンタル、タングステン及びこれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属粒子であり、それぞれ互いに異なる金属粒子からなることを特徴とする、請求項19に記載の回路基板の金属層の表面処理方法。
- 前記第1金属ナノ粒子が、ニッケルナノ粒子であり、前記第2金属ナノ粒子が、金ナノ粒子であることを特徴とする、請求項19に記載の回路基板の金属層の表面処理方法。
- 前記第1金属ナノ粒子の直径が、0.001〜2μmであり、前記第1金属層の厚さが0.01〜20μmであることを特徴とする、請求項19に記載の回路基板の金属層の表面処理方法。
- 前記第2金属ナノ粒子の直径が、0.001〜1μmであり、前記第2金属層の厚さが0.003〜1μmであることを特徴とする、請求項19に記載の回路基板の金属層の表面処理方法。
- 誘電体及び内部電極を含む積層基板を用意する段階と、
前記積層基板の外部に金属ナノ粒子のエアロゾルを塗布して外部電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記金属ナノ粒子が、銅、アルミニウム、ニッケル、錫、白金、パラジウム、銀、金、チタン、タンタル、タングステン及びこれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属粒子であることを特徴とする、請求項25に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記金属ナノ粒子の直径が、0.001〜10μmであることを特徴とする、請求項25に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記外部電極を形成する段階が、マスクを用いて前記金属ナノ粒子を塗布することにより前記外部電極を形成する段階であることを特徴とする、請求項25に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070022563A KR100834515B1 (ko) | 2007-03-07 | 2007-03-07 | 금속 나노입자 에어로졸을 이용한 포토레지스트 적층기판의형성방법, 절연기판의 도금방법, 회로기판의 금속층의표면처리방법 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008055050A Division JP4741616B2 (ja) | 2007-03-07 | 2008-03-05 | フォトレジスト積層基板の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011014916A true JP2011014916A (ja) | 2011-01-20 |
Family
ID=39742006
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008055050A Active JP4741616B2 (ja) | 2007-03-07 | 2008-03-05 | フォトレジスト積層基板の形成方法 |
JP2010182261A Pending JP2011014916A (ja) | 2007-03-07 | 2010-08-17 | 金属ナノ粒子のエアロゾルを用いたフォトレジスト積層基板の形成方法、絶縁基板のメッキ方法、回路基板の金属層の表面処理方法、及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008055050A Active JP4741616B2 (ja) | 2007-03-07 | 2008-03-05 | フォトレジスト積層基板の形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8003173B2 (ja) |
JP (2) | JP4741616B2 (ja) |
KR (1) | KR100834515B1 (ja) |
CN (1) | CN101262743B (ja) |
TW (1) | TWI362234B (ja) |
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- 2008-03-06 CN CN2008100065443A patent/CN101262743B/zh not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|---|
WO2023058656A1 (ja) * | 2021-10-06 | 2023-04-13 | 昭栄化学工業株式会社 | インク、インクの製造方法および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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US8003173B2 (en) | 2011-08-23 |
JP4741616B2 (ja) | 2011-08-03 |
KR100834515B1 (ko) | 2008-06-02 |
TW200843569A (en) | 2008-11-01 |
TWI362234B (en) | 2012-04-11 |
US20080220373A1 (en) | 2008-09-11 |
CN101262743A (zh) | 2008-09-10 |
JP2008219018A (ja) | 2008-09-18 |
CN101262743B (zh) | 2010-07-14 |
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