JPH06291380A - 誘電体積層部品とその製造方法 - Google Patents

誘電体積層部品とその製造方法

Info

Publication number
JPH06291380A
JPH06291380A JP9874293A JP9874293A JPH06291380A JP H06291380 A JPH06291380 A JP H06291380A JP 9874293 A JP9874293 A JP 9874293A JP 9874293 A JP9874293 A JP 9874293A JP H06291380 A JPH06291380 A JP H06291380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
electrode
laminated component
laminated
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9874293A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3352140B2 (ja
Inventor
Hideo Adachi
日出夫 安達
Katsuhiro Wakabayashi
勝裕 若林
Takenao Fujimura
毅直 藤村
Yukihiko Sawada
之彦 沢田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP9874293A priority Critical patent/JP3352140B2/ja
Publication of JPH06291380A publication Critical patent/JPH06291380A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3352140B2 publication Critical patent/JP3352140B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 バインダー等の有機材料を用いることなく、
積層型セラミックス誘電体を作製する。 【構成】 出射端形状の異なる複数のノズルによってそ
れぞれ内部電極材料、誘電体材料、外部電極材料に対応
した超微粒子を一定の順序で噴射堆積することを繰り返
し、内部電極、誘電体層の積層及び外部電極の形成して
積層体を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体積層部品、特に
微細な構造を高い信頼性で実現できる誘電体積層部品と
その製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、積層型セラミックス誘電体は、セ
ラミックコンデンサ、積層型圧電・電歪素子に代表され
るように幅広く用いられている。例えば、積層型圧電・
電歪素子は、高精度位置決め等の積層型アクチュエータ
として必要性が急増しており、その変位量、発生力等の
目標仕様に応じて種々の寸法、構造のものが利用されて
いる。
【0003】この積層型セラミックスは、内部に数十〜
数百μmの間隔で層状に埋め込まれた電極膜が交互に外
部電極に接続された構造となっている。そして、この製
造方法はテープキャスティング法と呼ばれるもので、そ
の製造プロセスを図17のフローチャート、積層型セラ
ミックアクチュエータの構造の断面図および斜視図を図
18および図19に示す。その方法としては、特開昭5
8−196068号公報のようにして、積層型セラミッ
クスが製造されている。以下にこの製造方法についてそ
の概略を説明する。
【0004】先ず、セラミックスの仮焼粉末に少量の有
機バインダーと有機可塑剤を加えて、有機溶剤中に分
散,混合させて泥奨を得る。この泥奨はテープキャステ
ィング法により、厚さ数十〜数百μmの膜となる。この
膜を適当な寸法に切断した後、その片面上に金属ペース
ト膜を印刷塗布し内部電極21とする。これらを数十〜
数百枚積み重ねて、熱圧着積層化する。この積層体を電
気炉内で、先ず数百度の温度で加熱し、含有している有
機成分を飛散させた後、更に1000℃〜1300℃の
温度で加熱焼成する。そして、焼結した電歪材料22の
積層体の内部電極21の露出部に一層おきに絶縁材料に
より絶縁部23を設けた後、外部電極24を付与し、適
当な大きさに切断して図に示したような、数十μmの間
隔で層状の内部電極21を有する積層型アクチュエータ
を製造する。尚、積層体の耐久性向上のため、図19の
ように積層体の量端部に厚めの圧電体層25を設けるこ
とが一般的に行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術における積層型セラミックス誘電体の製造方法で
は、有機バインダーと有機可塑剤を加えて有機溶剤中に
分散・混合して泥奨を作製し、テープキャスティング法
により厚さ数十〜数百μmのグリーンシートを得て、有
機材料を含んだ電極材を内部電極21として印刷後、積
層して焼成するために、バインダー等有機材料の飛散時
に発生するポアの抑制に限界があり、機械的強度が弱
く、耐圧強度にも充分な信頼性が得られていなかった。
【0006】また、使用する誘電体仮焼成粉末に超微粒
子粉末を用いることにより、セラミックスの焼結後の緻
密性は幾らか向上し、これに依って信頼性が向上する
が、有機材料を使うことには違いはなく、根本的な解決
にはならなかった。一方、有機材料を使わない方法とし
ては、電極薄膜と誘電体薄膜をスパッタ等で交互に積層
する方法も提案されているが、実際には耐圧が充分な薄
膜を多数積層することは極めて困難で、この方法による
薄膜積層体は実現していない。
【0007】本発明では、上記従来の問題点を鑑みてな
されたもので、信頼性の低下の原因となるバインダー等
の有機材料を使用せずに、セラミックの超微粒子から積
層型セラミック誘電体を安価に作製した誘電体積層部品
とその製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記内部電極は、同一誘
電体膜上で部分的もしくは全てを分割電極に形成しても
よい。さらに、上記誘電体材料は、ジルコン酸チタン酸
鉛系((pb1-x x )(Zr1-y Tiy )O3 +αM
eO、M:Sr,Ba,Ca,Mg,x:0〜0.3,
y:0〜1.0,Me:Ta,Nb,W,Mo,Cr,
Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Y,Bi,Sb,S
m,Nd,Si,Ge,B)の圧電材料を用いて構成し
てもよい。
【0009】また、上記誘電体材料は、(Pb
1-x x )((Mg1/3 Nb2/3 1-y Tiy )O3
αMeO、M:Sr,Ba,Ca,La,x:0〜0.
4,y:0〜1.0,Me:Zr,Ta,Nb,W,M
o,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Y,Bi,
Sb,Sm,Si,Ge,B)の電歪材料を用いてもよ
い。
【0010】さらに、上記誘電体材料は、チタン酸バリ
ウム系((Ba1-x x )(Ti1-y Mey )O3 +α
MeO、M:Sr,Ca,Mg,Pb,x:0〜0.
5,y:0〜0.5,Me:Zn,Nb,W,Co,N
i,Zr,Mo,Cr,Mn,Fe,Y,Bi,Sb,
Ta,Sm,Nd,Si,Li,Ho,B)の誘電体材
料を用いてもよい。
【0011】さらに、複数の内部電極と、誘電体及び外
部電極からなる誘電体積層部品の製造方法において、出
射端形状の異なる複数のノズルから、それぞれ内部電極
材料、誘電体材料、外部電極材料に対応した超微粒子を
一定の順序で噴射堆積することを繰り返し積層して内部
電極、誘電体層の積層及び外部電極からなる積層体を得
るように構成した。
【0012】そして、上記積層体は、積層後に熱処理に
よって焼結してもよい。また、上記内部電極に白金、パ
ラジウム、銀、ニッケルのうちいずれか、またはこれら
の合金を用いて製造してもよい。さらに、白金、パラジ
ウム、銀、ニッケルのうちいずれか、またはこれらの合
金からなる内部電極材料と誘電体材料の微粒子を、同時
に噴射堆積して、この混合膜を内部電極として製造して
もよい。
【0013】
【作用】上記構成にあっては、信頼性の低下の原因とな
るバインダー等の有機材料を使用せずに、積層型セラミ
ック誘電体を安価に作製することができる。詳細には、
複数の出射端形状の異なるノズルを準備し、これらのノ
ズルを用いて電極金属材料、圧電材料の超微粉を基板に
一定の順序で噴射堆積し、かかる後、必要に応じて熱処
理により焼結させるという方法である。このような成膜
方法については、特開平4−188503号公報にて提
案されている。
【0014】この方法の概略を以下に説明する。図5
(A),(B),図6は装置の原理図である。He等の
キャリアガスで搬送された金属材料や誘電体材料の超微
粒子は、搬送管31を経て、ノズル32を通じて基板3
3に向けジェット噴射され、ノズル出射端形状に対応し
た形状,寸法の膜が形成される。なお、図5(A)は厚
膜の形成、図5(B)は小さい塊の形成を示している。
この方法の特徴は、 (1)異種、多元素の均一混合膜の形成が容易である。 (2)マスク不使用でもパターン形成が可能である。 (3)膜形成速度が大きい。 (4)低温でも膜形成が可能である。 という点が挙げられている。
【0015】この方法によれば10μm前後の比較的厚
い膜が有機バインダーを一切用いず均一にできる。それ
ぞれの超微粒子の準備は、金属の場合、金属材質に応じ
て抵抗加熱法、誘導加熱法、アーク加熱法、誘導プラズ
マ加熱法、アーク加熱法、レーザ加熱法を用い、金属ガ
スを発生させて超微粒子化させる。又、誘電体超微粒子
は良く知られたアルコキシド法によって混合含有機金属
超微粒子を作製し、これを熱分解した酸化物微粒子を図
5のような超微粒子/エアロゾル化室34に入れ、これ
に搬送ガスとしてのN2 ,He,Ar,H2 等のガスで
舞いあがらせ、搬送管31を経て、ノズルに導入する。
以上が成膜法の基本的な原理である。上記と同様な方法
で、基板33の同じ位置に対して異なるノズル32を一
定の順序で噴射堆積させることによって積層構造が得ら
れることになる。
【0016】
【実施例1】図1〜図4を用いて本実施例の積層型圧電
アクチュエータの製造方法を説明する。図1は、下部電
極形成から外部電極形成までの各1層を全て形成する手
順を示す平面図、図2は、下部電極形成から2層目の圧
電体層を形成した状態の断面図で、図1のa〜d工程と
図2のa〜d工程とはそれぞれ対応して示してある。図
3は、本発明により積層型圧電アクチュエータの製造に
用いる、図5のノズル32の出射端形状7を示した図で
ある。a,cは内部電極堆積用、dは外部電極堆積用で
ある。そして、a,cのノズルからは、内部電極材料と
なる、例えばPt,Ni、Ag−Pd等の超微粒子が、
bのノズルからは、圧電材料、例えばジルコン酸チタン
酸鉛(PZT)の仮焼粉の超微粉が、またdのノズルか
らは外部電極用材料、例えばPt,Ni、Ag−Pd等
の超微粒子を噴射させることが出来る。図中のP点は、
基板の中心位置で、図1,2に示したp点と一致するよ
うに基板を位置決めし積層していく。
【0017】先ず、例えば基板として、MgO,Al2
3 や表面を酸化したSi等の表面が絶縁性を有した基
板1の上に下部電極2を、例えばPt/Tiをスパッタ
等の手段で図1および図に示すa工程のように形成し、
基板1との密着性を高めるために700℃で熱処理し、
その後、PZT等の圧電膜3を図1および図2のb工程
のように基板1の位置p点とノズルP点が重なるように
し、且つ300℃〜500℃に基板1を加熱しながら噴
射堆積する。次いで、図1および図2のc工程のよう
に、上部電極4としてPtを同様に基板加熱しながら噴
射堆積形成する。更に、2層目の圧電体層形成時に、段
切れを起こさないよう、段差低減と外部電極形成目的と
して、図1および図2のd工程のようにPt,Ni,A
g−Pb等の金属材料5a,5bを噴射堆積する。以上
が下部電極、上部電極、圧電体層、外部電極の1層分と
なる。次いで、2層目の圧電体層3を形成する。
【0018】以上、最下層電極の成膜を別にして、使用
ノズルの順序は、図3のb→c→d→b→a→b→d→
c→b→d→a→b→d→c→b→d→a→b→d→c
・・・のように積層成膜していくことにより、図4に示
した積層体構造6が得られる。尚、他のノズルの手順と
して、b→d→c→b→d→a→b→d→c→b→d→
a→b→d→c→b→d→a→b→d→c・・・のよう
に積層成膜してもよいし、最下層電極もaのノズルを用
いれば、a→b→d→c→b→d→b→d→a→b→d
→c→b→d→a→b→d→c→b→d→a→b→d→
c・・・のように積層成膜手順の規制性がさらに高まり
成膜の時間的効率が良くなる。
【0019】このように積層成膜した後、500℃〜1
100℃の範囲で空気中、または酸化鉛ガス雰囲気中で
熱処理する。熱処理による焼結後、2〜5KV/mmの
電圧を印加し分極を行い、積層型圧電アクチュエータを
得る。
【0020】また、このような構造において基板1に前
もって配線パターンも形成してあれば、従来構造のよう
に後でリード線を取り付けるという煩わしさから解放さ
れることになる。尚、誘電体材料としては、ジルコン酸
チタン酸鉛系((Pb1-x x )(Zr1-y Tiy )O
3 +αMeO、M:Sr,Ba,Ca,Mg,x:0〜
0.3,y:0〜1.0,Me:Ta,Nb,W,M
o,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Y,Bi,
Sb,Sm,Nd,Si,Ge,B)の圧電材料であれ
ば同様な作用,効果が得られる。
【0021】上述した電極金属や圧電体酸化物の超微粒
子を交互に噴射堆積することにより、積層体を作製する
と、バインダー等の有機材料を使用せずとも積層体が作
れる。また、外部電極も絶縁処理を含め同時に形成がで
きるため、従来のように、電気泳動によりガラスを絶縁
材として付与し焼付ける必要もなく積層型圧電アクチュ
エータが作製できる。
【0022】上述したように、電極金属や圧電体酸化物
の超微粒子を交互に噴射堆積することにより、バインダ
ー等の有機材料を用いざるを得ない従来の製法が持って
いた欠点、即ち、緻密さに劣る点の改善、内部電極、圧
電体層、外部電極形成を別々の装置で行う必要も無くノ
ズルの出射端形状によって非常に小さな寸法で、変位量
が大きく、信頼性の高い積層圧電アクチュエータを低コ
ストで製造出来ることができる。
【0023】上述したように、電極金属や圧電体酸化物
の超微粒子を交互に噴射堆積することにより、積層体を
作製すると、バインダー等の有機材料を使用せずとも積
層体が作れる。また、外部電極も絶縁処理を含め同時に
形成ができるため、従来のように、電気泳動によりガラ
スを絶縁材として付与し焼付ける必要もなく積層型圧電
アクチュエータが作製できる。
【0024】
【実施例2】図7および図8は、本発明の実施例2の工
程図を示し、図7のa〜hはそれぞれ各工程におけるア
クチュエータの基準点p(この場合は中心点)を通るX
方向の断面図、図8のa〜fは、図7のa〜hの工程と
対応するY方向の断面図を示したものである。図10
は、最終的な電歪アクチュエータの平面図、図11,図
12は、図10におけるX方向、Y方向の断面図を示し
たものである。本実施例の基本的な構成は、前記実施例
1と同様であり、同一な構成部分には同一番号を付すと
ともに、相違点についてのみ述べる。
【0025】本実施例では、Pb((Mg1/3
2/3 0.9 Ti0.1 )O3 の電歪セラミックスの仮焼
粉を粉砕して、0.5μm以下の微粒子を原料とした。
まず、吹き付けられる超微粉の付着力を上げるために、
基板1を200〜350℃に加熱する。図9のaのよう
な出射端形状7をしたノズルで電極材2の微粒子を堆積
させ、図7および図8に示すa工程でp点を通るx方
向、Y方向への成膜を行う。ここで、ノズルの基準点P
と基板1側の基準点pは、一致した状態で各物質を噴射
堆積していくものとする。
【0026】次いで、図7のbのような出射端形状7の
ノズルで、図7および図8のb工程に示すように電極材
2の上に、前記電歪材料8を堆積に成膜する。そして、
2つに電極を分割するために、図9のcのような出射端
形状7のノズルで、図7および図8のc工程に示すよう
に分割電極9a,9bとしてAg−Pdを電極材料8の
上に噴射堆積させ、その後、図9のdのような出射端形
状7のノズルで絶縁材として分割電極9a,9b間に前
記電歪材8を堆積させる。ついで、電極間の導通を確実
にするために、図9のeのような出射端形状7のノズル
で、導電材料を外部電極10a,10b,10gとし
て、Ag−Pdを噴射堆積させる。そして、図9のノズ
ルeのように、bと同じノズルを使用して、電歪材料8
を堆積させ、図9のノズルgのようにaと同じノズルを
使用して、電極材2の微粒子を堆積させ、図9のhのよ
うにeと同じノズルを使用し、外部電極10a,10
b,10gとして、Ag−Pdを噴射堆積させる。
【0027】以降、図9のb→c→d→e→f→g→h
→を繰り返し、図10〜12に示す電歪セラミックの積
層体11を作製する。この電歪積層体11を100℃/
hの昇温速度で1000℃、60分間保持し、100℃
/hの降温速度で500℃冷却し、自然放冷し積層体を
得た。尚、誘電体材料は、((Pb1-x x )((Mg
1/3 Nb2/3 1-y Tiy )O3 +αMeO、M:S
r,Ba,Ca,La,x:0〜0.4,y:0〜1.
0,Me:Zr,Ta,Nb,W,Mo,Cr,Mn,
Fe,Co,Ni,Zn,Y,Bi,Sb,Sm,S
i,Ge,B)の電歪材料であれば同様な作用,効果を
得ることができる。
【0028】上述したように、電極金属や電歪材料の超
微粒子を交互に噴射堆積することにより、バインダー等
の有機材料を使用することなく、分割電極を有する積層
体を作製することができる。また、外部電極も絶縁処理
を含め同時に形成ができるため、従来のように、電気泳
動によりガラスを絶縁材として付与し焼付ける必要もな
く積層型圧電アクチュエータが作製できる。尚、熱処理
後にエポキシ樹脂等により露出した電極部を、絶縁処理
してアクチュエータが完成する。
【0029】本実施例によれば、積層方向の変位の他、
外部電極10a,10bに異なる電圧を印加することに
より図8でいうY軸方向への変位が調節可能な、言い換
えると2軸の変位が可能な高い信頼性を有した積層アク
チュエータが作製できる。また、従来法のテープキャス
ティング法(ドクターブレード法)で作製するよりも、
一層の厚さが精度良く薄くできるので、低電圧による駆
動が可能となる。例えば、一層の厚さが10μmの積層
体の場合、駆動電圧は5V程度であり、トランスがなく
ても使用できるものとなる。尚、本実施例では電極の分
割数は2つであるが、複数個に分割することもノズルを
替えることで可能であり、XYZの3軸方向の変位が可
能な積層体を作製することが可能である。また、形状は
ノズル端の形状を変化させることで、任意の形で製造す
ることができる。
【0030】
【実施例3】13は、実施例2の製造方法における一工
程を示す斜視図、図14は、本実施例の積層型セラミッ
クコンデンサを示す断面図である。本実施例の基本的な
構成は前記実施例1と同様であり、同一な構成部分には
同一番号を付すとともに相違点について述べる。
【0031】本実施例は、超微粒子を噴射堆積するノズ
ル32が細長い形状で、前実施例とはことなり、それぞ
れの部材を噴射堆積させながら、図示しない駆動装置に
より、アルミナ等の耐熱・絶縁基板1を移動させて積層
体を製造するものである。具体的には、誘電体材料とし
てチタン酸バリウム系のセラミック超微粒子を使用し、
積層型セラミックコンデンサを作製した。まず、絶縁体
基板1の上に、ノズル32を位置決めし電極材2とし
て、Ag−Pdの超微粒子を噴射堆積させながら、基板
1をある一定速度で動かし、電極膜2を作製する。つい
で、ノズル32を変え誘電体材料14を同様に噴射堆積
させる。この動作を繰り返して、図14に示すような断
面形状の誘電体積層体15を作製した。
【0032】その後、1000〜1300℃で熱処理を
行い、より緻密に焼結させた後、露出した電極部の封
止、裁断を行い、積層型コンデンサを作製した。尚、誘
電体材料が、チタン酸バリウム系((Ba1-x x
(Ti1-y Mey)O3 +αMeO、M:Sr,Ca,
Mg,Pb,x:0〜0.5,y:0〜0.5,Me:
Zn,Nb,W,Co,Ni,Zr,Mo,Cr,M
n,Fe,Y,Bi,Sb,Ta,Sm,Nd,Si,
Li,Ho,B)の誘電体材料であれば同様な作用,効
果が得られる。
【0033】このように、電極材と誘電体材料を交互に
噴射堆積させることで、一層当たりの厚さが非常に薄
い、誘電体セラミックコンデンサが容易にできる。尚、
本実施例では、熱処理を行うために基板1にはアルミナ
を使用し電極材には、Ag−Pdを使用したが、熱処理
を行わない場合は、基板1にはガラエポ等の樹脂系のも
のを使用することができる。また、高価なAg−Pd電
極から、Ni等の安価な電極の選択もできる。また、基
板として水溶性樹脂を使用して、積層体を得た後、水に
浸し基板を除去することも可能である。
【0034】本実施例によれば、電極間の厚みが薄いた
め、小さい形状で高容量のコンデンサが得られる。さら
に、本実施例の本方法では、グリーンシートという有機
物を含んだ工程を踏まないために、気泡が少なく信頼性
のものが得られる。また、基板1、ノズル32とも移動
させない成膜法では、ノズル出射端形状7を大きくし
て、大面積のものを作製しようとした場合、各層内で厚
みのバラツキが生じやすいが、本実施例では長さのある
ものも作製が可能である。そのため、長いコンデンサ部
品作製後、裁断、端子取付、そして絶縁処理することに
より、さらに安価にコンデンサを製造できる。
【0035】
【実施例4】図15は、本実施例4んおける製造方法の
一工程を示す断面図、図16は図15におけるA部の拡
大断面図です。本実施例の基本的な構成は、前記実施例
2と同様であり、同一な構成部分いは同一番号を付すと
ともに、相違点についてのみ述べる。本実施例は、実施
例2で挙げた分割電極9を有する積層型電歪セラミック
スの作製方法の変形例である。具体的には電歪材料の超
微粒子を噴射堆積するノズル32が、細長い形状をして
おり、ノズル32を移動させて積層体20を作製してい
く。そして、分割電極9の分割部は、それぞれ別のエア
ゾル化室12から供給される、セラミック8と電極材1
4の超微粒子の量を制御し、噴射堆積させる。そして、
同時に電極と絶縁部材としての電歪材料8を噴射堆積さ
せて分割電極層9を成膜する。また、本実施例では、電
極とセラミックの密着性を高めることを目的とし、各エ
アロゾル化室12から超微粒子を搬送する際、電極材1
4に対しセラミック8が約10%添加となるように制御
し、両電極2.4を成膜形成した。
【0036】実施例2と同様に、信頼性の高い積層型ア
クチュエータが作製できまた、大きなものもこの方法に
より作製可能である。さらに、電極中にセラミックが少
量添加されていることで、密着力耐熱衝撃力等が向上
し、更に高い信頼性の積層部品が作製できる。図16の
拡大断面図は、分割電極9の電極境界部付近を拡大、概
念化したもので、電歪体層19は、電歪15からのみか
らなるが、電極層18は、電極分割部が絶縁体としての
電歪材料15のみからなり、その他の電極部は電歪体材
料15が電極材料14中に混入している様子を示したも
のである。
【0037】基板1,ノズル32とも移動させない成膜
法では、ノズル出射端形状7を大きくして、大面積のも
のを作製しようとした場合、各層内で厚みのバラツキが
生じやすいが、本実施例の方法では長さのあるものも作
製が可能である。さらに、電極材14とセラミック8の
ように、異種、多元素の任意の割合での、均一混合膜の
形成が容易となる。なお、異種の物質の噴射堆積では、
堆積スピードに差があるため、センサーを取付けてフィ
ードバックを掛けながら、ノズルもしくは基板を移動さ
せ積層体を形成すると、さらに高精度の積層型誘電体部
品が作製できる。
【0038】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、超微粒
子のみが搬送ガスにより浮遊し、噴射堆積するために粒
径にも大きなバラツキはなく、低温での焼結が可能であ
る。そして、従来テープキャスティング法ではグリーン
シートを薄くするのには限界があったが、本方法では数
μmレベルの厚さのものを積層することが可能であり、
圧電・電歪セラミック積層体では駆動電圧を低くするこ
とができ、積層コンデンサにおいては、小型で、高容
量、高精度のものが作製可能である。その他にも本発明
の方法では、異種、多元素の任意の割合での均一混合膜
の形成が容易であり、また、マスク不使用でもパターン
形成が可能であるとともに、スパッタや真空蒸着法とい
った従来の成膜法と比較し、膜形成速度が大きいことを
利用して、信頼性の高い誘電体積層部品を安価に作製す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の製造工程を示す説明図であ
る。
【図2】本発明の実施例1の製造工程を示す断面図であ
る。
【図3】本発明の実施例1の製造方法に用いるノズルの
出射端形状を示す説明図である。
【図4】本発明の実施例1の積層型圧電アクチュエータ
を示す断面図である。
【図5】従来の製造方法を示す説明図である。
【図6】従来の製造方法を示す説明図である。
【図7】本発明の実施例2の製造工程を示す断面図であ
る。
【図8】本発明の実施例2の製造工程を示す断面図であ
る。
【図9】本発明の実施例2の製造方法に用いるノズルの
出射端形状を示す説明図である。
【図10】本発明の実施例2の積層型圧電アクチュエー
タの平面図である。
【図11】本発明の実施例2の積層型圧電アクチュエー
タの断面図である。
【図12】本発明の実施例2の積層型圧電アクチュエー
タの断面図である。
【図13】本発明の実施例3の製造方法の一工程を示す
斜視図である。
【図14】本発明の実施例3の積層型コンデンサを示す
断面図である。
【図15】本発明の実施例4の製造方法の一工程を示す
断面図である。
【図16】図15のA部を示す拡大断面図である。
【図17】従来の製造方法を示すフローチャートであ
る。
【図18】従来の積層型セラミックアクチュエータを示
す断面図である。
【図19】従来の積層型セラミックアクチュエータを示
す斜視図である。
【符号の説明】
1 基板 2 下部電極 3 圧電体 4 上部電極 5 金属材料 6 絶縁体 7 ノズル出射端形状 8 電歪材料 9a,9b 分割電極 10 外部電極 11 電歪積層体 32 ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢田 之彦 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の内部電極と誘電体及び外部電極か
    らなる誘電体積層部品において、出射端形状の異なる複
    数のノズルから、それぞれ内部電極材料、誘電体材料、
    外部電極材料に対応した超微粒子を一定の順序で噴射堆
    積することを繰り返して内部電極、誘電体層の積層及び
    外部電極を形成したことを特徴とする誘電体積層部品。
  2. 【請求項2】 内部電極が同一誘電体膜上で部分的もし
    くは全てを分割電極に形成したことを特徴とする請求項
    1記載の誘電体積層部品。
  3. 【請求項3】 誘電体材料がジルコン酸チタン酸鉛系
    ((pb1-x x )(Zr1-y Tiy )O3 +αMe
    O、M:Sr,Ba,Ca,Mg,x:0〜0.3,
    y:0〜1.0,Me:Ta,Nb,W,Mo,Cr,
    Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Y,Bi,Sb,S
    m,Nd,Si,Ge,B)の圧電材料であることを特
    徴とする請求項1に記載した誘電体積層部品。
  4. 【請求項4】 誘電体材料が(Pb1-x x )((Mg
    1/3 Nb2/3 1-yTiy )O3 +αMeO、M:S
    r,Ba,Ca,La,x:0〜0.4,y:0〜1.
    0,Me:Zr,Ta,Nb,W,Mo,Cr,Mn,
    Fe,Co,Ni,Zn,Y,Bi,Sb,Sm,S
    i,Ge,B)の電歪材料であることを特徴とする請求
    項1に記載した誘電体積層部品。
  5. 【請求項5】 誘電体材料がチタン酸バリウム系((B
    1-x x )(Ti1-y Mey )O3 +αMeO、M:
    Sr,Ca,Mg,Pb,x:0〜0.5,y:0〜
    0.5,Me:Zn,Nb,W,Co,Ni,Zr,M
    o,Cr,Mn,Fe,Y,Bi,Sb,Ta,Sm,
    Nd,Si,Li,Ho,B)の誘電体材料であること
    を特徴とする請求項1に記載した誘電体積層部品。
  6. 【請求項6】 複数の内部電極と、誘電体及び外部電極
    からなる誘電体積層部品の製造方法において、出射端形
    状の異なる複数のノズルから、それぞれ内部電極材料、
    誘電体材料、外部電極材料に対応した超微粒子を一定の
    順序で噴射堆積することを繰り返し積層して内部電極、
    誘電体層の積層及び外部電極からなる積層体を得ること
    を特徴とした誘電体積層部品の製造方法。
  7. 【請求項7】 積層体を積層後に熱処理によって焼結す
    ることを特徴とする請求項6記載の誘電体積層部品の製
    造方法。
  8. 【請求項8】 内部電極材料が白金、パラジウム、銀、
    ニッケルのうちいずれか、またはこれらの合金であるこ
    とを特徴とする請求項7記載の誘電体積層部品の製造方
    法。
  9. 【請求項9】 請求項8記載の内部電極材料と誘電体材
    料の微粒子を、同時に噴射堆積して、この混合膜を内部
    電極とすることを特徴とする請求項6記載の誘電体積層
    部品の製造方法。
JP9874293A 1993-03-31 1993-03-31 誘電体積層部品とその製造方法 Expired - Fee Related JP3352140B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9874293A JP3352140B2 (ja) 1993-03-31 1993-03-31 誘電体積層部品とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9874293A JP3352140B2 (ja) 1993-03-31 1993-03-31 誘電体積層部品とその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06291380A true JPH06291380A (ja) 1994-10-18
JP3352140B2 JP3352140B2 (ja) 2002-12-03

Family

ID=14227939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9874293A Expired - Fee Related JP3352140B2 (ja) 1993-03-31 1993-03-31 誘電体積層部品とその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3352140B2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093449A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 積層構造体及び積層構造体アレイ、並びに、それらの製造方法
JP2007042740A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Hitachi Cable Ltd 圧電薄膜素子
US7199509B2 (en) 2004-01-09 2007-04-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Multilayered structure and method of manufacturing the same, and ultrasonic transducer
JP2007088449A (ja) * 2005-08-24 2007-04-05 Brother Ind Ltd 複合材料膜、圧電アクチュエータ、およびインクジェットヘッドの製造方法、並びに圧電アクチュエータ
US7355327B2 (en) * 2005-06-10 2008-04-08 Ngk Insulators, Ltd. Laminated piezoelectric/electrostrictive element
US7579251B2 (en) 2003-05-15 2009-08-25 Fujitsu Limited Aerosol deposition process
JP2010103556A (ja) * 2009-12-28 2010-05-06 Fujitsu Ltd 回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法
JP2011014916A (ja) * 2007-03-07 2011-01-20 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 金属ナノ粒子のエアロゾルを用いたフォトレジスト積層基板の形成方法、絶縁基板のメッキ方法、回路基板の金属層の表面処理方法、及び積層セラミックコンデンサの製造方法
JP4748291B2 (ja) * 2001-01-10 2011-08-17 Tdk株式会社 積層体変位素子
WO2013171916A1 (ja) * 2012-05-14 2013-11-21 京セラ株式会社 圧電アクチュエータ、圧電振動装置および携帯端末
CN103534827A (zh) * 2012-05-12 2014-01-22 京瓷株式会社 压电促动器、压电振动装置及便携终端
WO2022168768A1 (ja) * 2021-02-02 2022-08-11 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4748291B2 (ja) * 2001-01-10 2011-08-17 Tdk株式会社 積層体変位素子
US7579251B2 (en) 2003-05-15 2009-08-25 Fujitsu Limited Aerosol deposition process
US7199509B2 (en) 2004-01-09 2007-04-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Multilayered structure and method of manufacturing the same, and ultrasonic transducer
JP2006093449A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 積層構造体及び積層構造体アレイ、並びに、それらの製造方法
US7355327B2 (en) * 2005-06-10 2008-04-08 Ngk Insulators, Ltd. Laminated piezoelectric/electrostrictive element
JP2007042740A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Hitachi Cable Ltd 圧電薄膜素子
JP2007088449A (ja) * 2005-08-24 2007-04-05 Brother Ind Ltd 複合材料膜、圧電アクチュエータ、およびインクジェットヘッドの製造方法、並びに圧電アクチュエータ
JP2011014916A (ja) * 2007-03-07 2011-01-20 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 金属ナノ粒子のエアロゾルを用いたフォトレジスト積層基板の形成方法、絶縁基板のメッキ方法、回路基板の金属層の表面処理方法、及び積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2010103556A (ja) * 2009-12-28 2010-05-06 Fujitsu Ltd 回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法
CN103534827A (zh) * 2012-05-12 2014-01-22 京瓷株式会社 压电促动器、压电振动装置及便携终端
WO2013171916A1 (ja) * 2012-05-14 2013-11-21 京セラ株式会社 圧電アクチュエータ、圧電振動装置および携帯端末
CN103534828A (zh) * 2012-05-14 2014-01-22 京瓷株式会社 压电促动器、压电振动装置及便携式终端
JP5537733B2 (ja) * 2012-05-14 2014-07-02 京セラ株式会社 圧電アクチュエータ、圧電振動装置および携帯端末
KR20140099564A (ko) * 2012-05-14 2014-08-13 쿄세라 코포레이션 압전 액추에이터, 압전 진동 장치 및 휴대 단말
US8994247B2 (en) 2012-05-14 2015-03-31 Kyocera Corporation Piezoelectric actuator, piezoelectric vibration apparatus, and portable terminal
WO2022168768A1 (ja) * 2021-02-02 2022-08-11 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3352140B2 (ja) 2002-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4490171B2 (ja) 圧電/電歪膜型素子及び製造方法
JP5420619B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
US11342122B2 (en) Electronic component assembly and method for manufacturing the same
JP2007300071A (ja) 圧電素子及びその製造方法、電子デバイス、インクジェット装置
JPH06291380A (ja) 誘電体積層部品とその製造方法
JP2017212272A (ja) 積層セラミックコンデンサ
US11610734B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same
WO2003067673A1 (fr) Element piezoelectrique multicouche et son procede de fabrication
CN106340385A (zh) 多层陶瓷电子组件
JP2005191049A (ja) 積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置
JP4138421B2 (ja) 液滴吐出ヘッド
US11538634B2 (en) Multilayer ceramic electronic component including an insulating layer
JPH05335173A (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP3592057B2 (ja) 圧電ユニットの製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法
JP3883062B2 (ja) 積層型圧電セラミックス素子およびその製造方法
JP4185379B2 (ja) 画像形成装置
JP2004328973A (ja) 高集積型圧電アクチュエータおよびこれを備えたインクジェット記録ヘッド
JP4989019B2 (ja) セラミックス基板、圧電アクチュエータ基板、圧電アクチュエータおよびこれらの製造方法
JP7484046B2 (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
CN217881193U (zh) 层叠陶瓷电容器
JP2005191046A (ja) 積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置
JPH02132870A (ja) 積層圧電素子
JPH09148638A (ja) 積層圧電アクチュエータおよびその製造方法
JPH11135850A (ja) 薄膜積層圧電素子およびその製造方法
JP2024055284A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020903

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090920

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees