JP2011009795A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】比誘電率が3.5未満の低誘電率膜を含む半導体装置であって、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁であるシールリング123を1本以上備え、シールリング123のうち少なくとも1本は、チップコーナー4近傍においてシールリング凸形部10を含み、シールリング凸形部10は前記閉ループ形の内側に凸形状となっており、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁でありかつシールリング123を取り囲む外部シールリング25をさらに備え、シールリング123と外部シールリング25とは平面的に見て分離されている。
【選択図】図12
Description
が盛んに検討されている。しかし、比誘電率kが小さくなると、絶縁膜の機械的強度が劣る。特に比誘電率kが3.5より小さくなると十分な機械的強度が確保できなくなるため問題となっていた。以下、本発明においては、比誘電率kが3.5より小さい膜を「低誘電率膜」と呼ぶものとする。
(実施の形態1)
(構成)
図5、図6を参照して、本発明に基づく実施の形態1における半導体装置について説明する。この半導体装置は、比誘電率が3.5未満の低誘電率膜105a,105b,105cを含む半導体装置であって、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁であるシールリング123を1本以上備え、シールリング123のうち少なくとも1本は、チップコーナー4近傍において内向きに凸形状になるシールリング凸形部10を含む。シールリング凸形部10は、チップコーナー4近傍において内向きに凸形状となっているだけでも一応の効果は得られるが、ここではより好ましい構成として、チップコーナー4を挟む2つのチップ端面5,6に対してほぼ等しい角度をなしかつチップコーナー4に対向するシールリング斜辺9を有する。シールリング凸形部10は、シールリング斜辺9を有するだけでも一応の効果は得られるが、ここではより好ましい構成として、チップコーナー4を挟む2つのチップ端面5,6にそれぞれ平行な第1辺7および第2辺8を有する。
本実施の形態では、シールリング123のうち少なくとも1本は、チップコーナー4近傍において内向きに凸形状になるシールリング凸形部10を含む形となっているので、チップコーナー4を起点として進行するクラックに対して実際のクラック先端が描く形状により近い形でシールリングがぶつかることとなり、その結果、より効率良くクラックの進行を妨げることが可能となる。さらに、本実施の形態では、シールリング凸形部10がシールリング斜辺9を有するので、進行するクラック先端の中央の斜辺部分に対して平行にシールリング123が立ちはだかることとなる。したがって、シールリング123がクラックによって破壊されにくくなる。さらに、本実施の形態では、シールリング凸形部10が第1辺7および第2辺8を有するので、シールリング123は図2に示した折れ線24a,24bのように進行するクラックに対して各所で平行に配置されていることとなり、クラックに対してより強固となる。
この場合、進展するクラックの先端が描く線と犠牲パタンの形状とは必ずしも完全には一致しないが、進行するクラックに対して複数の犠牲パタン13が次々とたちはだかることによって進行を妨げるという効果は得られる上、設計が容易になるというメリットがある。犠牲パタン13も犠牲パタン斜辺11を有している。
(構成)
図9を参照して、本発明に基づく実施の形態2における半導体装置について説明する。この半導体装置では、チップ中心から見てシールリング凸形部10より外側の領域内に複数の犠牲パタンからなる犠牲パタン群12が配置されている。犠牲パタン群12は、閉ループ状の犠牲パタン23を含む。図9に示した例では、特に好ましいことに、犠牲パタン群12は複数の閉ループ状の犠牲パタン23を含み、これら複数の閉ループ状の犠牲パタン23は同心状に配置されている。犠牲パタン群12に含まれる犠牲パタンは、シールリング123の近くではシールリング123と平行になっている。犠牲パタン群12に含まれる複数の犠牲パタンのうちチップコーナー4に近い部分のものは、直線状の犠牲パタン13となっている。他の部分の構成は、実施の形態1で説明したものと同様である。
本実施の形態では、閉ループ状の犠牲パタン23が含まれているので、犠牲パタン23に取り囲まれた領域への水分の浸入を防止することができる。低誘電率膜は酸化珪素膜などに比べれば水分を非常に浸透させやすい。低誘電率膜はもし水分が浸入すれば機械的強度がさらに劣化するが、閉ループ状の犠牲パタン23の内部では犠牲パタン23が破壊されない限り水分が浸入しないので、低誘電率膜の機械的強度の劣化を防ぐことができ、クラックの進行を抑えることができる。特に複数の閉ループ状の犠牲パタン23が同心状に配置されている場合、最も外側の犠牲パタン23によって一括して広い範囲を水分の浸入しない領域とすることができるので好ましい。仮に、外側の閉ループ状の犠牲パタンが破壊されたとしても内側に閉ループ状の犠牲パタンが1つ以上残っていれば一部の領域については水分浸入を防ぐことができる。
(構成)
図10を参照して、本発明に基づく実施の形態3における半導体装置について説明する。この半導体装置は、実施の形態1で図8に示した例においてシールリングを2重にしたものに相当する。すなわち、この半導体装置は、シールリング123aとシールリング123bを備える。チップ中心から見てシールリング123aの外側には直線状の犠牲パタン13を平行に複数配置した犠牲パタン群14が配置されている。各犠牲パタン13は、チップコーナー4を挟む2つのチップ端面5,6にほぼ等しい角度をなしかつチップコーナー4に対向するように配置されている。
本実施の形態では、シールリングが多重になっているのでクラックが進行したときに最もチップ中心に近い側のシールリングが破壊されてデバイスの動作に支障をきたす確率を低く抑えることができる。
(構成)
図11を参照して、本発明に基づく実施の形態4における半導体装置について説明する。この半導体装置は、複数の犠牲パタンからなる犠牲パタン群17を備える。犠牲パタン群17は、チップコーナー4を挟む2つのチップ端面5,6にほぼ等しい角度をなしかつチップコーナー4に対向する犠牲パタン斜辺11を含む複数の犠牲パタン13からなる内部犠牲パタン群16と、内部犠牲パタン群16を外側から取り囲むように配置され、チップコーナー4を挟む2つのチップ端面5,6にそれぞれ平行な2辺を含み略L字形のL字形犠牲パタン15とを含む。
本実施の形態では、L字形犠牲パタン15を備えているので、ウエハをダイシングする際にチップ端面5,6で初期クラックが発生したとしてもL字形犠牲パタン15によってある程度抑えることができる。もしその初期クラックが起点となって、熱サイクル試験中にチップ中心に向かってクラックが進行した場合、内部犠牲パタン群16に含まれる複数の犠牲パタン13がクラックの進行を抑制する。このようにL字形犠牲パタン15と内部犠牲パタン群16との組合せによってクラックの進行抑制に有効となる。なお、図11の例では、L字形犠牲パタン15を1本としたが、L字形犠牲パタン15は2重以上としてもよい。また、図11の例は、図8の例にL字形犠牲パタン15を組み合わせたような構成となっているが、他の実施の形態に対してL字形犠牲パタンを組み合わせてもよい。
(構成)
図12を参照して、本発明に基づく実施の形態5における半導体装置について説明する。この半導体装置は、実施の形態1で図8に示した例において外部シールリング25を追加した構成に相当する。すなわち、この半導体装置は、複数の犠牲パタン13からなる犠牲パタン群14を備えるが、この犠牲パタン群14より外側から犠牲パタン群14およびシールリング123を取り囲むように、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁である外部シールリング25を備える。図12では半導体装置の一部分しか表示していないが、外部シールリング25は図示しない部分においてもつながっており、半導体装置全体の外形線に沿って閉ループ形に配置されている。
本実施の形態では、外部シールリング25を備えるので、ウエハをダイシングする際にチップ端面5,6で初期クラックが発生したとしても外部シールリング25によってある程度抑えることができる。そのため、実施の形態4と同様な効果を得ることができる。さらに、外部シールリング25は、その内側の領域を水分浸入から守る役割も果たすので、外部シールリング25よりも内側の領域の機械的強度が水分浸入によって低下することを防止することもできる。
(構成)
図13を参照して、本発明に基づく実施の形態6における半導体装置について説明する。この半導体装置は、犠牲パタン群19を備える。この半導体装置は、図12の例において犠牲パタン群14を犠牲パタン群19に置き換えたものに相当する。犠牲パタン群19は、犠牲パタン群14と似ているが、互いに接続されている連結層18を含む。犠牲パタン群19も基本的には個々の犠牲パタンの集まりである。図13の例では犠牲パタン群19は直線状の犠牲パタン26が複数集まったものである。犠牲パタン26は厚み方向に見て複数の配線層を含んでいるが、図13の例ではそのように複数存在する配線層のうちの少なくとも1つの層において犠牲パタン26同士が連結されている。このように犠牲パタン同士が接続されている層を「連結層」18と呼ぶものとする。犠牲パタン群19は連結層18を介して相互に連結した状態の複数の犠牲パタン26の集合体であるといえる。
本実施の形態では、犠牲パタン26同士が連結層18によって互いに接続されているので、犠牲パタン群19全体としては強度を上げることができ、クラックの進行に対抗する能力がさらに向上する。
Claims (34)
- 比誘電率が3.5未満の低誘電率膜を含む半導体装置であって、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁であるシールリングを1本以上備え、
前記シールリングのうち少なくとも1本は、チップコーナー近傍においてシールリング凸形部を含み、前記シールリング凸形部は前記閉ループ形の内側に凸形状となっており、 平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁でありかつ前記シールリングを取り囲む外部シールリングをさらに備え、
前記シールリングと前記外部シールリングとは平面的に見て分離されている、半導体装置。 - 前記シールリング凸形部は、前記チップコーナーを挟む2つのチップ端面に対してほぼ等しい角度をなしかつ前記チップコーナーに対向するシールリング斜辺を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記シールリング凸形部は、前記チップコーナーを挟む2つのチップ端面にそれぞれ平行な第1辺および第2辺を有する、請求項2に記載の半導体装置。
- チップ中心から見て前記シールリング凸形部よりも外側に、クラックの進展を防止するための壁状構造物である犠牲パタンを備え、前記シールリングと前記外部シールリングとの間に前記犠牲パタンが形成されている、請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記犠牲パタンは、前記チップコーナーを挟む2つのチップ端面にほぼ等しい角度をなしかつ前記チップコーナーに対向する犠牲パタン斜辺を有する、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記犠牲パタンを複数含む犠牲パタン群を備える、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記犠牲パタン群に含まれる複数の犠牲パタンが、前記チップコーナーを挟む2つのチップ端面にほぼ等しい角度をなしかつ前記チップコーナーに対向する犠牲パタン斜辺をそれぞれ有する、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記複数の犠牲パタンのうち少なくとも一部については、チップ中心に近い前記犠牲パタンほど前記犠牲パタン斜辺が長くなるように配置されている、請求項7に記載の半導体装置。
- 前記犠牲パタンは閉ループ状の犠牲パタンである、請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記犠牲パタン群は閉ループ状の犠牲パタンを含む、請求項6または7に記載の半導体装置。
- 前記犠牲パタン群は複数の閉ループ状の犠牲パタンを含み、前記複数の閉ループ状の犠牲パタンは同心状に配置されている、請求項6または7に記載の半導体装置。
- 前記犠牲パタン群は、前記チップコーナーを挟む2つのチップ端面にほぼ等しい角度をなしかつ前記チップコーナーに対向する犠牲パタン斜辺を含む内部犠牲パタン群と、前記内部犠牲パタン群を外側から取り囲むように配置され、前記チップコーナーを挟む2つのチップ端面にそれぞれ平行な2辺を含み略L字形のL字形犠牲パタンとを含む、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記複数の犠牲パタンは、互いに接続されている連結層を含む、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記連結層は、平面的に見て網目状となっている、請求項13に記載の半導体装置。
- 前記犠牲パタンは、前記低誘電率膜のうち最下層にあるものを遮るように配置されている、請求項4から14のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記低誘電率膜は複数含まれており、前記犠牲パタンは、前記複数の低誘電率膜をいずれも遮るように配置されている、請求項4から14のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体装置の上面および前記シールリングを覆う窒化珪素膜をさらに有し、
前記窒化珪素膜には、前記シールリングと前記チップ端面との間に溝が形成されている、請求項4から16のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記犠牲パタンは、平面的に見て前記シールリングおよび前記外部シールリングとは分離して配置されている、請求項4から17のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に形成され、比誘電率が3.5以下の低誘電率膜を含む第二絶縁層と、
前記第二絶縁層上に形成された第三絶縁層と、
前記第一絶縁層、前記第二絶縁層および前記第三絶縁層内に形成され、平面的に見て閉ループ形状になっているシールリングと、を有し、
前記シールリングはチップのコーナー近傍にシールリング凸形部を有し、
少なくとも前記第一絶縁層と前記第二絶縁層との間においては、前記シールリング凸形部は前記閉ループ形状の内側に凸形状となっており、
前記低誘電率膜の比誘電率は前記第一絶縁層の比誘電率よりも小さく、
平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁でありかつ前記シールリングを取り囲む外部シールリングをさらに備え、
前記シールリングと前記外部シールリングとは平面的に見て分離されている、半導体装置。 - 前記シールリングは平面的に見て前記チップの外周に沿った四角形状である、請求項19に記載の半導体装置。
- 前記シールリング凸形部は、前記第一絶縁層と前記第二絶縁層との間に引き起こされるクラックの進展を妨げるように形成される、請求項19に記載の半導体装置。
- クラックの進展を妨げるように形成された壁形状の犠牲パタンをさらに有し、
前記犠牲パターンは前記チップの中央から見て、前記シールリング凸形部の外側に設けられ、
前記シールリングと前記外部シールリングとの間に前記犠牲パタンが形成されており、
前記犠牲パタンは、平面的に見て前記シールリングおよび前記外部シールリングとは分離して配置されている、請求項19に記載の半導体装置。 - 前記シールリングは水分遮断壁であり、
前記シールリング凸形部は、前記チップのコーナーを挟む2つのチップ端面に対してほぼ等しい角度をなしかつ前記チップのコーナーに対向するシールリング斜辺を有する、請求項19に記載の半導体装置。 - 前記チップを覆うレジンをさらに有する、請求項19に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第一絶縁層と、
前記第一絶縁層上に形成され、比誘電率が3.5以下の低誘電率膜を含む第二絶縁層と、
前記第二絶縁層上に形成された第三絶縁層と、
前記第一絶縁層、前記第二絶縁層および前記第三絶縁層内に形成され、平面的に見て閉ループ形状になっているシールリングと、を有し、
前記シールリングは、
第一チップ端面に沿うように形成された第一辺と、
前記第一辺の一端と一端が接続され、第二チップ端面とおおよそ平行に形成された第二辺と、
前記第二辺の他端と一端が電気的に接続され、前記第一チップ端面とおおよそ平行に形成された第三辺と、
前記第三辺の他端と一端が接続され、前記第二チップ端面に沿うように形成された第四辺とを有し、
前記第一辺、前記第二辺、前記第三辺および前記第四辺は少なくとも前記第一絶縁層と前記第二絶縁層の間には存在し、
前記低誘電率膜の比誘電率は前記第一絶縁層の比誘電率よりも小さく、
前記第一チップ端面と前記第二チップ端面によりチップのコーナー部を形成しており、
前記シールリングは前記チップのコーナー近傍においてシールリング凸形部を含み、
前記シールリング凸形部は前記閉ループ形の内側に凸形状となっており、
前記シールリング凸形部は、前記第二辺、前記第三辺を有し、
平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁でありかつ前記シールリングを取り囲む外部シールリングをさらに備え、
前記シールリングと前記外部シールリングとは平面的に見て分離されている、半導体装置。 - 前記シールリングは平面的に見て前記チップの外周に沿った四角形状である、請求項25に記載の半導体装置。
- 前記第二辺および第三辺は、前記第一絶縁層と前記第二絶縁層との間に引き起こされるクラックの進展を妨げるように形成される、請求項25に記載の半導体装置。
- クラックの進展を妨げるように形成された壁形状の犠牲パターンをさらに有し、前記犠牲パターンは前記チップの中央から見て、前記第二辺および第三辺よりも遠い所に設けられる、請求項25に記載の半導体装置。
- 前記シールリングは水分遮断壁であることを特徴とする、請求項25に記載の半導体装置。
- 前記チップの上側はレジンに覆われている、請求項25に記載の半導体装置。
- 前記シールリングは、前記第二辺の他端と一端が接続され、前記第三辺の一端と他端が接続された第五辺をさらに有し、
前記第五辺は前記第一チップ端面および前記第二チップ端面に対してほぼ等しい角度を有する、請求項25に記載の半導体装置。 - 前記第二辺、前記第三辺および前記第五辺により、前記閉ループ形状の内側に凸形状となっている前記シールリング凸形部を構成している、請求項31に記載の半導体装置。
- チップ中心から見て前記シールリング凸形部よりも外側に、クラックの進展を防止するための壁状構造物である犠牲パタンを備え、
前記シールリングと前記外部シールリングとの間に前記犠牲パタンが形成されている、請求項25に記載の半導体装置。 - 前記犠牲パタンは、平面的に見て前記シールリングおよび前記外部シールリングとは分離して配置されている、請求項33に記載の半導体装置。
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