JP2011003840A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011003840A JP2011003840A JP2009147760A JP2009147760A JP2011003840A JP 2011003840 A JP2011003840 A JP 2011003840A JP 2009147760 A JP2009147760 A JP 2009147760A JP 2009147760 A JP2009147760 A JP 2009147760A JP 2011003840 A JP2011003840 A JP 2011003840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- emitter
- bipolar transistor
- heterojunction bipolar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】エミッタ層は、第1の半導体層11と、第2の半導体層12と、第3の半導体層13との積層構造からなり、第3の半導体層13は、第2の半導体層12に対してウェット・エッチングにより選択的に除去でき、第2の半導体層12は、第1の半導体層11に対してウェット・エッチングにより選択的に除去でき、第1の半導体層11と第3の半導体層13のバンドギャップはベース層4のバンドギャップよりも大きく、第2の半導体層12は不純物添加によって縮退しており、第3の半導体層13は不純物添加によって中性領域を形成しているヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 基板上に、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層およびキャップ層が順次積層されたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記エミッタ層が、前記ベース層上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成された第3の半導体層とから構成されており、
前記第3の半導体層が、前記第2の半導体層に対して、ウェット・エッチングにより選択的に除去できる材料で形成されており、
前記第2の半導体層が、前記第1の半導体層に対して、ウェット・エッチングにより選択的に除去できる材料で形成されており、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層のバンドギャップが、前記ベース層のバンドギャップよりも大きく、
前記第2の半導体層が不純物添加によって縮退しており、
前記第3の半導体層が不純物添加によって中性領域を形成していることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 請求項1記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層が、InP、InAlP、InGaPのいずれかによって形成されており、
前記第2の半導体層が、InGaAs、InAlGaAs、GaAsSb、InGaAsSb、AlGaAsSbのいずれかによって形成されており、
前記第2の半導体層と前記第3の半導体層が、n型の半導体材料で形成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 請求項2記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層の材料としてInPが用いられており、
前記第2の半導体層の材料としてInGaAsが用いられており、
前記第2の半導体層の不純物濃度が1×1019cm−3以上であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 請求項2記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層の材料としてInPが用いられており、
前記第2の半導体層の材料としてInGaAsが用いられており、
前記第2の半導体層の厚さが5nm以下であり、かつ、前記第2の半導体層の不純物濃度が1×1018cm−3以上であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 請求項3乃至4のいずれかに記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記第3の半導体層の不純物濃度が1×1018cm−3以上であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、
前記第1の半導体層が、外部ベース領域におけるレッジ部を形成するために用いられていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009147760A JP5329315B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009147760A JP5329315B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011003840A true JP2011003840A (ja) | 2011-01-06 |
JP5329315B2 JP5329315B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=43561536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009147760A Expired - Fee Related JP5329315B2 (ja) | 2009-06-22 | 2009-06-22 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5329315B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016219726A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2019054021A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | アンリツ株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56116672A (en) * | 1980-02-04 | 1981-09-12 | Ibm | Semiconductor device |
JPS6246566A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS6247157A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS63291467A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
JPH02291134A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ及びその動作方法 |
JPH05243256A (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
JPH07106343A (ja) * | 1993-08-12 | 1995-04-21 | Fujitsu Ltd | ヘテロバイポーラ型半導体装置とその製造方法 |
JPH08250509A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Sharp Corp | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
JP2003023012A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
JP2006310519A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
-
2009
- 2009-06-22 JP JP2009147760A patent/JP5329315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56116672A (en) * | 1980-02-04 | 1981-09-12 | Ibm | Semiconductor device |
JPS6246566A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS6247157A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-02-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS63291467A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
JPH02291134A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ及びその動作方法 |
JPH05243256A (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
JPH07106343A (ja) * | 1993-08-12 | 1995-04-21 | Fujitsu Ltd | ヘテロバイポーラ型半導体装置とその製造方法 |
JPH08250509A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Sharp Corp | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
JP2003023012A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
JP2006310519A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016219726A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2019054021A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-04-04 | アンリツ株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
JP6990073B2 (ja) | 2017-09-12 | 2022-02-03 | アンリツ株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5329315B2 (ja) | 2013-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10636897B2 (en) | Semiconductor device having a collector layer including first-conductivity-type semiconductor layers | |
TWI695504B (zh) | 異質接面雙極性電晶體 | |
JP2004071669A (ja) | 半導体装置 | |
US10374071B2 (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
JP5329315B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
US6873029B2 (en) | Self-aligned bipolar transistor | |
JP4794899B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
JP2918275B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5133043B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
JP3688952B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路及びその製造方法 | |
JP5681031B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
JP2010287603A (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
JP3859149B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 | |
JP4092597B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5519542B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
JP5946136B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
JP5290909B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製法 | |
JP6096503B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
JP2558937B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
JP2014120503A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
JPS6381977A (ja) | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ | |
JP2001176881A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
JP2008218636A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2004247362A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
JP2014183145A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110803 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120530 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5329315 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |