JP2004247362A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高い電流増幅率を有し高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを得る。
【解決手段】半絶縁性基板上に第1導電型サブコレクタ層3と、第1導電型コレクタコンタクト層およびコレクタ層と、第2導電型たベース層7と、該ベース層7よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、第1導電型エミッタコンタクト層9とで、メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成している。また、エミッタ層は、故意に不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第1エミッタ領域11と、第2導電型ドーパントをドーピングした半導体の第2エミッタ領域12とから成り、第2エミッタ領域12が第1エミッタ領域11全体を囲っている。これによりエミッタ/ペース真性接合幅がサブミクロン以下にまで縮小でき、ICの消費電流の大幅な低減が図れる。また、エミッタ微細化に伴う電流増幅率の低下が抑制でき、高周波特性、信頼性に優れる。
【選択図】 図1
【解決手段】半絶縁性基板上に第1導電型サブコレクタ層3と、第1導電型コレクタコンタクト層およびコレクタ層と、第2導電型たベース層7と、該ベース層7よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、第1導電型エミッタコンタクト層9とで、メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成している。また、エミッタ層は、故意に不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第1エミッタ領域11と、第2導電型ドーパントをドーピングした半導体の第2エミッタ領域12とから成り、第2エミッタ領域12が第1エミッタ領域11全体を囲っている。これによりエミッタ/ペース真性接合幅がサブミクロン以下にまで縮小でき、ICの消費電流の大幅な低減が図れる。また、エミッタ微細化に伴う電流増幅率の低下が抑制でき、高周波特性、信頼性に優れる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関し、特に、低消費電力回路への適用を目的とした微細なトランジスタ寸法を有し、信頼性、高電流増幅率、高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は、エミッタにベースよりも広いバンドギャップを有する半導体材料を用いることにより、ホモ接合バイポーラトランジスタに較べてエミッタよりベースの不純物濃度を高めても高い電流増幅率を維持でき、ベース層の薄層化とべース抵抗の低減を同時に実現できる。このため、超高速動作が可能になる利点を有する。更にIII−V族化合物半導体を用いると、材料の選択によりへテロ接合の組合せ自由度が広がる。また、電子デバイスのみならず光デバイスとの融合も可能になる等、利点が増大する。
【0003】
III−V族化合物半導体HBTでは、特に、エミッタ材料にInP、ベース材料にInGaAsを用いたn−p−n型InP/InGaAsHBTにおいて、InGaAsの優れた電子輸送特性により、高速性能の指標である電流利得遮断周波数fTおよび最高発振周波数fmaxが300GHzを越える、バイポーラトランジスタの中での最高性能が得られている。
【0004】
【特許文献1】
特開平05−029336号公報
【特許文献2】
特開平08−288297号公報
【非特許文献1】
「S.Krishnan.Z.Griffith,M.Urteaga,Y.Wei,D.Scott,M.Dahlstrom.N.Parthasarathy and M.Rodwell.Proc.IEEE GaAs IC Symposium,2002,pp.294−296.」
【非特許文献2】
「Y、Matsuoka.S.Yamahata,K、Kurishima.and.Ito,Jpn.J.ppl.Phys、Vo1.35(1996)pp.5646−5654」
【0005】
実際、非特許文献1にHBT分周器ICに関する記載がある。
本記載のように、平面寸法0.7μm×8μmの微細エミッタを有するInP/InGaAsHBT分周器ICが試作され、87GHzもの高い周波数でのスタティック分周動作が確認されている。加えて、InP/InGaAsHBTは、エミッタ/ベース接合のターンオン電圧が低いため、IC低消費電力化に有利である。また、プロセス上では、特に、エッチング加工において、InGaAsとInPに対して各々が完壁な選択ウェットエッチング溶液を用いることができる。このため、エッチングのウェハー面内均一性に優れる。また、閾値に相当するエミッタ/ベース接合間ターンオン電圧のウェハー面内均一性が優れていることと含わせて、InP/lnGaAsHBTは、大規模ICを構成するデバイスとして期待できる。
【0006】
これらHBTの製作に関して、通常エピタキシャル成長により積層されたHBT構造を上層側から順にエッチング加工し、エミッタ、ベース、コレクタの各電極を形成する製造方法がとられており、メサ型トランジスタ構造となる。InP/InGaAsHBTでは、InGaAs、lnP層の選択エッチングを有効に活用して、ベース層、コレクタコンタクト層を露出させ、蒸着リフトオフ法によりp型オーミック電極メタルをベース層に、並びにn型オーミック電極メタルをエミッタコンタクト層およびコレクタコンタクト層に、各々を形成する。更にエッチングによる素子間分離を行い、ポリイミド、BCB等のスピンコーティング有機絶縁膜で半導体表面をパシベーションする工程が一般的である。
【0007】
本発明と技術分野の類似する上記の特許文献1は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの動作状態において、完全に空乏化するかまたは第2の導電型を有するワイドギャップ半導体よりなり、ベース領域の厚さよりも長い幅を有し、エミンタメサの周辺すべてを囲むようにエミッタメサに対してセルフアライン形成されたガードリングとエミッタメサの上及びエミッタメサの側壁とは隔離し、ガードリングに対してセルフアライン形成されたベース電極と平坦性を確保されベース電極の上まで伸張するエミッタ電極とを、有して構成している。
【0008】
また、上記の特許文献2は、半導体基板上に、コレクタ層、ベース層、ベース層よりもバンドギャップの大きな半導体からなるエミッタ層、および、エミッタ層よりもバンドギャップの小さな半導体からなるエミッタコンタクト層で構成されるメサ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタに関する発明であり、バンドギャップが厚さ方向に対して一定としたエミッタ層に外接して、エミッタ/ベース接合の周辺長部分にステップ状のエミッタガードリング構造を有することを特徴としている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなメサ型構造を有するInP/InGaAs系のヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の平面寸法は、エミッタメサエッチングのマスク寸法に大きく依存する。更にエミッタ領域の縮小を図るには、非特許文献2に記載されているように、エミッタコンタクト及びエミッタを構成するInGaAs層、InP層ヘサイドエッチングを加えることにより、エミッタ平面領域をエッチングマスク寸法よりも縮小することは可能である。しかし、ウェットエッチングによるサイドエッチング量の制御は、ウェハー面内均一性および再現性に課題があり、大規模集積回路への適用は難しい。従って、エミッタメサエッチングマスク寸法を縮小することが、トランジスタ微細化に必須である。しかしながら、公知の光リソグラフィー技術では、フォトレジストのアスペクト比を考慮するとサブミクロンパタンが限界となる問題点を有する。
【0010】
HBT微細化のもう一つの課題は、エミッタコンタクト層上へのエミッタオーミック電極の形成である。エミッタメサ寸法の微細化に伴うエミッタ電極寸法の縮小は、エミッタコンタクト抵抗の増大を招くばかりか、エミッタ電極メタルの剥離や配線とのコンタクト不良を招く原因となり、大規模集積回路の歩留まり低下要因となることが懸念される。
【0011】
微細エミッタメサ平面寸法よりも大きなエミッタ電極を形成する方策として、特許文献1に例示されているように、微細エミッタメサの周囲にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜の無機絶縁膜を埋め込み、エミッタコンタクト層と無機絶縁膜を含んだ平面領域にエミッタ平面寸法よりも大きな面積のエミッタ電極を形成することができる。しかし、エミッタメサ周囲に無機絶縁膜をエミッタメサの高さとほぼ同じ膜厚になるように埋め込むことは、制御性に乏しく面内均一性および再現性に難があり、大規模集積回路への適用は難しい。
【0012】
また、エミッタメサ平面寸法の縮小に伴いエミッタメサの周辺長と外部ベース領域の間に表面再結合リーク電流が発生し、電流増幅率を著しく低下させる。これは、エミッタ真性領域に対する周辺長の比率が増加するに伴い顕著になる。この表面再結合リーク電流を抑制するため、外部ベース層表面のエミッタメサ周辺に、ガードリング構造と称する再結合リーク電流抑制領域を設けることが有効である。これは、GaAs系HBTで良く用いられており、簿層化されたエミッタ層が空乏化することにより、エミッタメサ周辺とベース層間に発生する過剰なリーク電流を抑制するものである。
【0013】
比較的に表面再結合速度が小さいInGaAsをベース層に用いるInP/InGaAsHBTでも、エミッタ周辺のガードリング構造は必要不可欠であり、特許文献2に例示されるように、InPエミッタ層を途中までエッチングして階段形状を形成し、下層InPの迫り出し領域をガードリング領域として機能させている。しかしながら、この手法では、ガードリング領域を完全に空乏化させるためにかなり薄く(例えば10nm以下)下層InPを残す必要があり、そのためのInPエミッタ層のエッチング制御が課題である。
【0014】
本発明は、高い電流増幅率を有し高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、半絶縁性基板上に第1導電型ドーパントをドーピングしたサブコレクタ層と、第1導電型ドーパントをドーピングしたコレクタコンタクト層およびコレクタ層と、第1導電型とは反対の導電性を示す第2導電型ドーパントを高濃度ドーピングしたベース層と、該ベース層よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、第1導電型ドーパントを高濃度ドーピングしたエミッタコンタクト層とでメサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタに形成され、エミッタ層は不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第1エミッタ領域と第2導電型ドーパントをドーピングした半導体の第2エミッタ領域とから成り、該第2エミッタ領域が第1エミッタ領域の全体を囲って構成されたことを特徴としている。
【0016】
また、上記のエミッタ層とエミッタコンタクト層、およびエミッタ層とベース層の接合面において、第1エミッタ領域と第2エミッタ領域とがエミッタコンタクト層およびベース層と接しているとよい。
【0017】
さらに、上記エミッタ層とエミッタコンタクト層から成るエミッタメサの側壁がエミッタコンタクト層と第2エミッタ領域と連続して構成され、このエミッタメサ側壁には第1エミッタ領域が含まれず、ベース層がInGaAsで、エミッタ層がInPで夫々構成され、エミッタコンタクト層に少なくともInGaAsを含むとよい。
【0018】
本発明のヘメサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、エミッタコンタクト層上の所定の位置にパタニングしたフォトレジストあるいは絶縁膜をマスクとして、第2導電型不純物を少なくとも第2導電型ベース層に到達する加速電圧およびエミッタコンタクト層の第1導電型ドーパントのドーピング濃度を1/10から1/100の範囲になる第2導電型ドーパント濃度を満たす注入ドープ量で、エミッタコンタクト層およびエミッタ層にイオン注入を行う工程と、フォトレジストマスクあるいは絶縁膜を除去した後、活性化アニールを実施し第2導電型不純物をイオン注入した該エミッタ層の一部に第2導電型を有する第2エミッタ領域を形成する工程と、イオン注入用マスクとして使用したフォトレジストあるいは絶縁膜パタニングよりも大きな面積を有し、エミッタコンタクト層上の第2導電型不純物がイオン注入されない第1エミッタ領域全体とその周りの第2エミッタ領域の一部とを含む位置にパタニングしたフォトレジストをエッチングマスクとして、エミッタコンタクト層および第2エミッタ領域をエッチング除去しベース層を露出させる工程と、ベース層上にオーミック電極メタルおよびエミッタコンタクト層上にオーミック電極メタルを形成する工程と、を有して成ることを特徴としている。
【0019】
また、上記第1導電型ドーパントのドーピング濃度よりより低いドーピング濃度は、同じイオンが注入されたエミッタコンタクト層に対してはp型領域が形成されることがない様に低くする。より好ましくは、エミッタコンタクト層の高濃度n型ドーピング濃度に対して1/10から1/100の範囲内とし、高濃度n型ドーピングされたエミッタコンタクト層のキャリア濃度に与える影響を、より低くするとよい。
【0020】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して、本発明によるヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法の実施の形態を詳細に説明する。図1〜図7を参照すると、本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法の一実施形態が示されている。図1は実施例のヘテロ接合バイポーラトランジスタの断面構造例であり、図2〜図7はInP/InGaAsHBTの製造工程を示すトランジスタ断面構造図である。
【0021】
図1は、微細な真性エミッタを有し、エミッタ電極を、少なくとも真性エミッタ領域よりも大きな面積になるようにエミッタコンタクト層上に安定に形成し、優れた再結合リーク電流抑制領域を具備するInGaAs/InPHBTの断面構造の概略を示す。
【0022】
トランジスタ動作領域であるアンドープInPエミッタ領域(真性エミッタ領域)の周囲を、P型InP領域が挟む形で構成されているInPエミッタ層上の高濃度n型InPと高濃度n型InGaAs層から成るエミッタコンタクト上に、エミッタ電極13が設置される。真性エミッタ領域として機能するアンドープInPエミッタ領域(第1エミッタ領域11)にはエミッタコンタクト層からキャリアが注入されるが、p型InPエミッタ領域(第2エミッタ領域12)にはエミッタコンタクト層からのキャリアは注入されない。これにより、実効的なエミッタ/ベース接合は、第1エミッタ領域11とベース層7との接合面になる。
また、HBT動作において、真性エミッタ電流が流れる第1エミッタ領域11を第2エミッタ領域12が囲むことにより、高濃度p型InGaAsベースとInPエミッタメサ周辺部に発生する過剰な再結合リーク電流を、抑制することが可能になる。
【0023】
図1で表される様な微細真性エミッタを有し、エミッタ電極13を少なくとも真性エミッタ領域よりも大きな面積でエミッタコンタクト層上に安定に形成し、優れた再結合リーク電流抑制領域を具備するInGaAs/InP HBTを製造する。このためには、微細寸法の残しフォトレジストパタニングをエミッタコンタクト層上に形成し,このフォトレジストパタニングをマスクとしてp型不純物であるBeをイオン注入する。このBeイオン注入の加速電圧は、少なくともエミッタコンタクト層とエミッタ層を深さ方向全体に亘ってBeイオンが到達できる加速電圧とする。
【0024】
イオン注入ドープ量は、エミッタコンタクト層の高濃度n型ドーピング濃度に対して、1/10から1/100の範囲内にアクセプター濃度が入るように選択する。フォトレジストマスクを除去した後に活性化アニールを施すことで、アンドープInP層にp型領域が形成される。しかし、同じBeイオンが注入されたエミッタコンタクト層に対しては、p型領域が形成されることはない。これは、Beイオン注入ドープ量をエミッタコンタクト層のn型ドーピング濃度に対してかなり低く抑えているために、高濃度n型ドーピングされたエミッタコンタクト層のキャリア濃度には殆ど影響を与えないためである。
【0025】
次に、エミッタコンタクト層上にフォトレジストパタニングを行い、InGaAsとInPで構成されるエミッタコンタクト層とInPエミッタ層をエッチングし、InGaAsベース層7を露出させる。ここでエッチングマスクとして用いたフォトレジストパタニングの領域は、Beイオン注入マスクに用いたフォトレジストパタニング領域を全て含むものとする。エッチングマスクとして用いたフォトレジストの除去後、露出した外部ベース層上にオーミック性ベース電極メタル14を、またエミッタコンタクト層上にオーミック性エミッタ電極メタル13を、夫々形成する。
【0026】
(作用)
本実施の形態により、トランジスタ動作に寄与する真性InPエミッタ領域11の周囲に、p型InPエミッタ領域12が形成される。このことにより、InGaAsベース層7とエミッタメサ側壁間で発生する表面再結合リーク電流が抑制され、エミッタ寸法の縮小に伴う電流増幅率の低下を防ぐことが可能になる。
更に、真性エミッタ領域全てを含み、真性エミッタ領域よりも大きな面積を有するオーミック性エミッタ電極をエミッタコンタクト層上に安定に形成することができる。このため、エミッタ寸法の縮小に伴う集積回路の歩留まりを向上させることが可能になる。また、高い電流増幅率を有し、高周波特性に優れた低消費電力大規模集積回路を提供することができる。
【0027】
(製造方法の実施例)
本発明によるInP/InGaAsHBTの製造方法を、図2のHBT断面構造図を用いて説明する。図2は、エミッタコンタクト層を順次エピタキシャル成長させたHBTエピ層構造を示している。本図2において、半絶縁性InP基板(1)上にMOVPE、ガスソースMBE等のエピタキシャル成長法によって、InPおよびInGaAsパッファー層2、高濃度n型不純物をドーピングしたInPサブコレクタ層3、コレクタにオーミック性電極を形成するための高濃度n型ドーピングInGaAsコレクタコンタクト層4、選択ウェットエッチング時のエッチングストッパー層として働く高濃度n型ドーピングInP層5、故意にドーピングしていない(アンドープ)InGaAsコレクタ層6、炭素を高濃度ドーピングしたp型InGaAsベース層7、故意にドーピングしていない(アンドープ)InPエミッタ層8、高濃度n型不純物をドーピングしたInP9と、高濃度n型不純物をドーピングしたInGaAsから成るエミッタコンタクト層10を、順次エピタキシャル成長させたHBTエピ層構造を示している。
【0028】
図3は、フォトリソグラフィ技術により微細寸法でパタニングされた幅0.4μm程度のフォトレジスト16をマスクとしてBeイオンを注入する工程を示している。Beイオン注入の加速電圧は、Rp(注入イオンの平均飛程距離)+△Rp(分散)が少なくとも上記InGaAsとInPから成るエミッタコンタクト層とアンドープInP層全体に到達するように選ぶ。例えば、InGaAsエミッタコンタクト層、InPエミッタコンタクト層、InPエミッタ層の層厚が、各々100nm、30nm、70nmの場合は、60keVとなる。Beイオンの注入ドープ量は、4×1019/cm3程度の高濃度にn型不純物をドーピングしたInGaAsエミッタコンタクト層およびInPエミッタコンタクト層のドーピング濃度を殆ど低下させることがなく、同時にアンドープInP層内に1×1019/cm3程度の高濃度にp型領域を形成できるように選択する。
【0029】
図4は、フォトレジストを除去した後にアニールを実施し、イオン注入したBeを活性化させアンドープInP層内(参照;図2の8)にp型InP領域18を形成する工程を示している。アニール温度は、600〜700℃程度で、活性化率を向上させるためにラピッドサーマルアニーリング法を用いる。
【0030】
図5は、少なくともInPエミッタ層(参照;図2の8)内に形成されたp型InP領域(参照;図4の18)が、Beイオンが注入されていない真性アンドープInP領域を挟む平面領域を含むように、InGaAsエミッタコンタクト層上にパタニングされた幅0.8μm程度のフォトレジスト19をエッチングマスクにして、InGaAsエミッタコンタクト層、InPエミッタコンタクト層、p型InPエミッタ領域を順次エッチングし、InGaAsベース層を露出させる工程を示している。エッチング方法は、塩素ガスをベースとしたECR−RIEあるいはICP−RIEのドライエッチング法と、クエン酸水溶液/過酸化水素水および塩酸/リン酸/酢酸溶液による選択ウェットエッチング法を用いる。
【0031】
図6は、上記エッチングマスクに用いたフォトレジストを除去した後、外部InGaAsベース層上(参照;図2の7)およびInGaAsエミッタコンタクト層上(参照;図2の10)に、オーミック性電極メタルを形成する工程を示している。本実施例では、各オーミック性電極は非セルフアラインでパターンを規定し蒸着・リフトオフ法で電極を形成する。ベース電極14としてPt/Ti/Pt/AuあるいはTi/Pt/Au、エミッタ電極13としてTi/Pt/Auの積層構造を用いる。ここでエミッタ電極幅は、0.6μm程度である。
【0032】
図7は、上記エミッタ電極((参照;図6の13)、ベース電極((参照;図6の14)を含むエミッタ/ベースメサ型構造上にパタニングされたフォトレジストマスクを用いて、p型InGaAsベース層、アンドープInGaAsコレクタ層、n型InPエッチングストッパー層を選択ウェットエッチング法で除去し、高濃度ドーピングn型InGaAsコレクタコンタクト層を露出させる。本処理後、InGaAsコレクタコンタクト層上にオーミック性コレクタ電極を蒸着・リフトオフ法で形成し、素子間分離を行い、トランジスタ全面にパシベーション膜を皮膜する工程を示している。各半導体層のエッチングには、クエン酸水溶液/過酸化水素水および塩酸/リン酸/酢酸溶液による選択ウェットエッチングを使用している。コレクタ電極15として、Ti/Pt/Auの積層構造を用いる。パシベーション膜は、BCB・ポリイミド等の有機絶縁膜およびシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機絶縁膜が適用可能である。
【0033】
なお、本実施例においては、特にInP/InGaAsHBTの典型的な構造について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、エミッタにInAIAs層を用いたInAIAs/InGaAsHBTあるいはコレクタにInGaAsP層およびInP層を導入し高耐圧化を図ったダブルヘテロHBT構造にも適用可能であることは言うまでもない。また、本実施例ではp型不純物としてBeを採用したが、Mg、C、Zn、C等の他のp型不純物のイオン注入を行っても適用可能である。
【0034】
図3ではイオン注入マスクとして幅0.3μm程度のフォトレジスト16を例示したが、これはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機絶縁膜を用いてもイオン注入マスクに適用できる。InGaAsエミッタコンタクト層全面にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機絶縁膜を堆積し、光リソグラフィーにより上記幅0.3μm程度にパタニングされたフォトレジストをマスクに反応性イオンエッチング(RIE)で無機絶緑膜を加工する。等方性RIEを用いることにより加工された無機絶縁膜の寸法は、更に0.2〜0.1μmまで縮小することが可能になる。
【0035】
なお、上述の実施形態は本発明の好適な実施の一例である。ただし、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。多様化の構成例およびそれに付随する効果例を以下に列挙する。
エミッタ/ペース真性接合幅がサブミクロン以下にまで縮小でき、ICの消費電流の大幅な低減が図れる。また、エミッタ微細化に伴う電流増幅率の低下が抑制でき、高周波特性、信頼性に優れたHBT提供することができる。更に、真性エミッタ領域よりも大きなエミッタ電極をエミッタコンタクト層上に安定に設置できるため、真性エミッタ面積を縮小してもエミッタ電極面積は一定に保つことができる。このため、微細化に伴うエミッタ電極メタルの剥離や位置ズレ、配線との接合不良が大幅に回避され大規模集積回路の歩留まり向上が望める。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタに構成され、エミッタ層は故意に不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第1エミッタ領域と、第2導電型ドーパントをドーピングした半導体の第2エミッタ領域とから成り、第2エミッタ領域が第1エミッタ領域の全体を囲って構成されている。本構成によれば、p型ドーパントのイオン注入によりアンドープInP層内にガードリング領域として機能するp型InP領域を形成すると同時に、トランジスタ動作に寄与する真性エミッタ領域を微細化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法の実施形態を示したInP/InGaAsHBTの断面構造図である。
【図2】エミッタコンタクト層を順次エピタキシャル成長させたHBTエピ層構造を示している。
【図3】微細寸法でパタニングされたフォトレジストをマスクとして、Beイオンを注入する工程を示している。
【図4】イオン注入したBeを活性化させアンドープInP層内にp型領域を形成する工程を示している。
【図5】InGaAsベース層を露出させる工程を示している。
【図6】オーミック性電極メタルを形成する工程を示している。
【図7】トランジスタ全面にパシベーション膜を皮膜する工程を示している。
【符号の説明】
1 半絶縁性InP基板
2 バッファー層
3 n+−InPサブコレクタ層
4 n+−InGaAsコレクタコンタクト層
5 n+−InPエッチングストッパー層
6 アンドープInGaAsコレクタ層
7 p+−InGaAsベース層
8 アンドープInPエミッタ層
9 n+−InPエミッタコンタクト層
10 n+−InGaAsエミッタコンタクト層
11 第1エミッタ領域
12 第2エミッタ領域
13 エミッタ電極
14 ベース電極
15 コレクタ電極
16 フォトレジスト
17 Beイオン注入領域
18 p−InP領域
19 フォトレジスト
20 BCB(有機絶縁パシベーション膜)
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関し、特に、低消費電力回路への適用を目的とした微細なトランジスタ寸法を有し、信頼性、高電流増幅率、高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は、エミッタにベースよりも広いバンドギャップを有する半導体材料を用いることにより、ホモ接合バイポーラトランジスタに較べてエミッタよりベースの不純物濃度を高めても高い電流増幅率を維持でき、ベース層の薄層化とべース抵抗の低減を同時に実現できる。このため、超高速動作が可能になる利点を有する。更にIII−V族化合物半導体を用いると、材料の選択によりへテロ接合の組合せ自由度が広がる。また、電子デバイスのみならず光デバイスとの融合も可能になる等、利点が増大する。
【0003】
III−V族化合物半導体HBTでは、特に、エミッタ材料にInP、ベース材料にInGaAsを用いたn−p−n型InP/InGaAsHBTにおいて、InGaAsの優れた電子輸送特性により、高速性能の指標である電流利得遮断周波数fTおよび最高発振周波数fmaxが300GHzを越える、バイポーラトランジスタの中での最高性能が得られている。
【0004】
【特許文献1】
特開平05−029336号公報
【特許文献2】
特開平08−288297号公報
【非特許文献1】
「S.Krishnan.Z.Griffith,M.Urteaga,Y.Wei,D.Scott,M.Dahlstrom.N.Parthasarathy and M.Rodwell.Proc.IEEE GaAs IC Symposium,2002,pp.294−296.」
【非特許文献2】
「Y、Matsuoka.S.Yamahata,K、Kurishima.and.Ito,Jpn.J.ppl.Phys、Vo1.35(1996)pp.5646−5654」
【0005】
実際、非特許文献1にHBT分周器ICに関する記載がある。
本記載のように、平面寸法0.7μm×8μmの微細エミッタを有するInP/InGaAsHBT分周器ICが試作され、87GHzもの高い周波数でのスタティック分周動作が確認されている。加えて、InP/InGaAsHBTは、エミッタ/ベース接合のターンオン電圧が低いため、IC低消費電力化に有利である。また、プロセス上では、特に、エッチング加工において、InGaAsとInPに対して各々が完壁な選択ウェットエッチング溶液を用いることができる。このため、エッチングのウェハー面内均一性に優れる。また、閾値に相当するエミッタ/ベース接合間ターンオン電圧のウェハー面内均一性が優れていることと含わせて、InP/lnGaAsHBTは、大規模ICを構成するデバイスとして期待できる。
【0006】
これらHBTの製作に関して、通常エピタキシャル成長により積層されたHBT構造を上層側から順にエッチング加工し、エミッタ、ベース、コレクタの各電極を形成する製造方法がとられており、メサ型トランジスタ構造となる。InP/InGaAsHBTでは、InGaAs、lnP層の選択エッチングを有効に活用して、ベース層、コレクタコンタクト層を露出させ、蒸着リフトオフ法によりp型オーミック電極メタルをベース層に、並びにn型オーミック電極メタルをエミッタコンタクト層およびコレクタコンタクト層に、各々を形成する。更にエッチングによる素子間分離を行い、ポリイミド、BCB等のスピンコーティング有機絶縁膜で半導体表面をパシベーションする工程が一般的である。
【0007】
本発明と技術分野の類似する上記の特許文献1は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの動作状態において、完全に空乏化するかまたは第2の導電型を有するワイドギャップ半導体よりなり、ベース領域の厚さよりも長い幅を有し、エミンタメサの周辺すべてを囲むようにエミッタメサに対してセルフアライン形成されたガードリングとエミッタメサの上及びエミッタメサの側壁とは隔離し、ガードリングに対してセルフアライン形成されたベース電極と平坦性を確保されベース電極の上まで伸張するエミッタ電極とを、有して構成している。
【0008】
また、上記の特許文献2は、半導体基板上に、コレクタ層、ベース層、ベース層よりもバンドギャップの大きな半導体からなるエミッタ層、および、エミッタ層よりもバンドギャップの小さな半導体からなるエミッタコンタクト層で構成されるメサ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタに関する発明であり、バンドギャップが厚さ方向に対して一定としたエミッタ層に外接して、エミッタ/ベース接合の周辺長部分にステップ状のエミッタガードリング構造を有することを特徴としている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなメサ型構造を有するInP/InGaAs系のヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の平面寸法は、エミッタメサエッチングのマスク寸法に大きく依存する。更にエミッタ領域の縮小を図るには、非特許文献2に記載されているように、エミッタコンタクト及びエミッタを構成するInGaAs層、InP層ヘサイドエッチングを加えることにより、エミッタ平面領域をエッチングマスク寸法よりも縮小することは可能である。しかし、ウェットエッチングによるサイドエッチング量の制御は、ウェハー面内均一性および再現性に課題があり、大規模集積回路への適用は難しい。従って、エミッタメサエッチングマスク寸法を縮小することが、トランジスタ微細化に必須である。しかしながら、公知の光リソグラフィー技術では、フォトレジストのアスペクト比を考慮するとサブミクロンパタンが限界となる問題点を有する。
【0010】
HBT微細化のもう一つの課題は、エミッタコンタクト層上へのエミッタオーミック電極の形成である。エミッタメサ寸法の微細化に伴うエミッタ電極寸法の縮小は、エミッタコンタクト抵抗の増大を招くばかりか、エミッタ電極メタルの剥離や配線とのコンタクト不良を招く原因となり、大規模集積回路の歩留まり低下要因となることが懸念される。
【0011】
微細エミッタメサ平面寸法よりも大きなエミッタ電極を形成する方策として、特許文献1に例示されているように、微細エミッタメサの周囲にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜の無機絶縁膜を埋め込み、エミッタコンタクト層と無機絶縁膜を含んだ平面領域にエミッタ平面寸法よりも大きな面積のエミッタ電極を形成することができる。しかし、エミッタメサ周囲に無機絶縁膜をエミッタメサの高さとほぼ同じ膜厚になるように埋め込むことは、制御性に乏しく面内均一性および再現性に難があり、大規模集積回路への適用は難しい。
【0012】
また、エミッタメサ平面寸法の縮小に伴いエミッタメサの周辺長と外部ベース領域の間に表面再結合リーク電流が発生し、電流増幅率を著しく低下させる。これは、エミッタ真性領域に対する周辺長の比率が増加するに伴い顕著になる。この表面再結合リーク電流を抑制するため、外部ベース層表面のエミッタメサ周辺に、ガードリング構造と称する再結合リーク電流抑制領域を設けることが有効である。これは、GaAs系HBTで良く用いられており、簿層化されたエミッタ層が空乏化することにより、エミッタメサ周辺とベース層間に発生する過剰なリーク電流を抑制するものである。
【0013】
比較的に表面再結合速度が小さいInGaAsをベース層に用いるInP/InGaAsHBTでも、エミッタ周辺のガードリング構造は必要不可欠であり、特許文献2に例示されるように、InPエミッタ層を途中までエッチングして階段形状を形成し、下層InPの迫り出し領域をガードリング領域として機能させている。しかしながら、この手法では、ガードリング領域を完全に空乏化させるためにかなり薄く(例えば10nm以下)下層InPを残す必要があり、そのためのInPエミッタ層のエッチング制御が課題である。
【0014】
本発明は、高い電流増幅率を有し高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、半絶縁性基板上に第1導電型ドーパントをドーピングしたサブコレクタ層と、第1導電型ドーパントをドーピングしたコレクタコンタクト層およびコレクタ層と、第1導電型とは反対の導電性を示す第2導電型ドーパントを高濃度ドーピングしたベース層と、該ベース層よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、第1導電型ドーパントを高濃度ドーピングしたエミッタコンタクト層とでメサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタに形成され、エミッタ層は不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第1エミッタ領域と第2導電型ドーパントをドーピングした半導体の第2エミッタ領域とから成り、該第2エミッタ領域が第1エミッタ領域の全体を囲って構成されたことを特徴としている。
【0016】
また、上記のエミッタ層とエミッタコンタクト層、およびエミッタ層とベース層の接合面において、第1エミッタ領域と第2エミッタ領域とがエミッタコンタクト層およびベース層と接しているとよい。
【0017】
さらに、上記エミッタ層とエミッタコンタクト層から成るエミッタメサの側壁がエミッタコンタクト層と第2エミッタ領域と連続して構成され、このエミッタメサ側壁には第1エミッタ領域が含まれず、ベース層がInGaAsで、エミッタ層がInPで夫々構成され、エミッタコンタクト層に少なくともInGaAsを含むとよい。
【0018】
本発明のヘメサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、エミッタコンタクト層上の所定の位置にパタニングしたフォトレジストあるいは絶縁膜をマスクとして、第2導電型不純物を少なくとも第2導電型ベース層に到達する加速電圧およびエミッタコンタクト層の第1導電型ドーパントのドーピング濃度を1/10から1/100の範囲になる第2導電型ドーパント濃度を満たす注入ドープ量で、エミッタコンタクト層およびエミッタ層にイオン注入を行う工程と、フォトレジストマスクあるいは絶縁膜を除去した後、活性化アニールを実施し第2導電型不純物をイオン注入した該エミッタ層の一部に第2導電型を有する第2エミッタ領域を形成する工程と、イオン注入用マスクとして使用したフォトレジストあるいは絶縁膜パタニングよりも大きな面積を有し、エミッタコンタクト層上の第2導電型不純物がイオン注入されない第1エミッタ領域全体とその周りの第2エミッタ領域の一部とを含む位置にパタニングしたフォトレジストをエッチングマスクとして、エミッタコンタクト層および第2エミッタ領域をエッチング除去しベース層を露出させる工程と、ベース層上にオーミック電極メタルおよびエミッタコンタクト層上にオーミック電極メタルを形成する工程と、を有して成ることを特徴としている。
【0019】
また、上記第1導電型ドーパントのドーピング濃度よりより低いドーピング濃度は、同じイオンが注入されたエミッタコンタクト層に対してはp型領域が形成されることがない様に低くする。より好ましくは、エミッタコンタクト層の高濃度n型ドーピング濃度に対して1/10から1/100の範囲内とし、高濃度n型ドーピングされたエミッタコンタクト層のキャリア濃度に与える影響を、より低くするとよい。
【0020】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して、本発明によるヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法の実施の形態を詳細に説明する。図1〜図7を参照すると、本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法の一実施形態が示されている。図1は実施例のヘテロ接合バイポーラトランジスタの断面構造例であり、図2〜図7はInP/InGaAsHBTの製造工程を示すトランジスタ断面構造図である。
【0021】
図1は、微細な真性エミッタを有し、エミッタ電極を、少なくとも真性エミッタ領域よりも大きな面積になるようにエミッタコンタクト層上に安定に形成し、優れた再結合リーク電流抑制領域を具備するInGaAs/InPHBTの断面構造の概略を示す。
【0022】
トランジスタ動作領域であるアンドープInPエミッタ領域(真性エミッタ領域)の周囲を、P型InP領域が挟む形で構成されているInPエミッタ層上の高濃度n型InPと高濃度n型InGaAs層から成るエミッタコンタクト上に、エミッタ電極13が設置される。真性エミッタ領域として機能するアンドープInPエミッタ領域(第1エミッタ領域11)にはエミッタコンタクト層からキャリアが注入されるが、p型InPエミッタ領域(第2エミッタ領域12)にはエミッタコンタクト層からのキャリアは注入されない。これにより、実効的なエミッタ/ベース接合は、第1エミッタ領域11とベース層7との接合面になる。
また、HBT動作において、真性エミッタ電流が流れる第1エミッタ領域11を第2エミッタ領域12が囲むことにより、高濃度p型InGaAsベースとInPエミッタメサ周辺部に発生する過剰な再結合リーク電流を、抑制することが可能になる。
【0023】
図1で表される様な微細真性エミッタを有し、エミッタ電極13を少なくとも真性エミッタ領域よりも大きな面積でエミッタコンタクト層上に安定に形成し、優れた再結合リーク電流抑制領域を具備するInGaAs/InP HBTを製造する。このためには、微細寸法の残しフォトレジストパタニングをエミッタコンタクト層上に形成し,このフォトレジストパタニングをマスクとしてp型不純物であるBeをイオン注入する。このBeイオン注入の加速電圧は、少なくともエミッタコンタクト層とエミッタ層を深さ方向全体に亘ってBeイオンが到達できる加速電圧とする。
【0024】
イオン注入ドープ量は、エミッタコンタクト層の高濃度n型ドーピング濃度に対して、1/10から1/100の範囲内にアクセプター濃度が入るように選択する。フォトレジストマスクを除去した後に活性化アニールを施すことで、アンドープInP層にp型領域が形成される。しかし、同じBeイオンが注入されたエミッタコンタクト層に対しては、p型領域が形成されることはない。これは、Beイオン注入ドープ量をエミッタコンタクト層のn型ドーピング濃度に対してかなり低く抑えているために、高濃度n型ドーピングされたエミッタコンタクト層のキャリア濃度には殆ど影響を与えないためである。
【0025】
次に、エミッタコンタクト層上にフォトレジストパタニングを行い、InGaAsとInPで構成されるエミッタコンタクト層とInPエミッタ層をエッチングし、InGaAsベース層7を露出させる。ここでエッチングマスクとして用いたフォトレジストパタニングの領域は、Beイオン注入マスクに用いたフォトレジストパタニング領域を全て含むものとする。エッチングマスクとして用いたフォトレジストの除去後、露出した外部ベース層上にオーミック性ベース電極メタル14を、またエミッタコンタクト層上にオーミック性エミッタ電極メタル13を、夫々形成する。
【0026】
(作用)
本実施の形態により、トランジスタ動作に寄与する真性InPエミッタ領域11の周囲に、p型InPエミッタ領域12が形成される。このことにより、InGaAsベース層7とエミッタメサ側壁間で発生する表面再結合リーク電流が抑制され、エミッタ寸法の縮小に伴う電流増幅率の低下を防ぐことが可能になる。
更に、真性エミッタ領域全てを含み、真性エミッタ領域よりも大きな面積を有するオーミック性エミッタ電極をエミッタコンタクト層上に安定に形成することができる。このため、エミッタ寸法の縮小に伴う集積回路の歩留まりを向上させることが可能になる。また、高い電流増幅率を有し、高周波特性に優れた低消費電力大規模集積回路を提供することができる。
【0027】
(製造方法の実施例)
本発明によるInP/InGaAsHBTの製造方法を、図2のHBT断面構造図を用いて説明する。図2は、エミッタコンタクト層を順次エピタキシャル成長させたHBTエピ層構造を示している。本図2において、半絶縁性InP基板(1)上にMOVPE、ガスソースMBE等のエピタキシャル成長法によって、InPおよびInGaAsパッファー層2、高濃度n型不純物をドーピングしたInPサブコレクタ層3、コレクタにオーミック性電極を形成するための高濃度n型ドーピングInGaAsコレクタコンタクト層4、選択ウェットエッチング時のエッチングストッパー層として働く高濃度n型ドーピングInP層5、故意にドーピングしていない(アンドープ)InGaAsコレクタ層6、炭素を高濃度ドーピングしたp型InGaAsベース層7、故意にドーピングしていない(アンドープ)InPエミッタ層8、高濃度n型不純物をドーピングしたInP9と、高濃度n型不純物をドーピングしたInGaAsから成るエミッタコンタクト層10を、順次エピタキシャル成長させたHBTエピ層構造を示している。
【0028】
図3は、フォトリソグラフィ技術により微細寸法でパタニングされた幅0.4μm程度のフォトレジスト16をマスクとしてBeイオンを注入する工程を示している。Beイオン注入の加速電圧は、Rp(注入イオンの平均飛程距離)+△Rp(分散)が少なくとも上記InGaAsとInPから成るエミッタコンタクト層とアンドープInP層全体に到達するように選ぶ。例えば、InGaAsエミッタコンタクト層、InPエミッタコンタクト層、InPエミッタ層の層厚が、各々100nm、30nm、70nmの場合は、60keVとなる。Beイオンの注入ドープ量は、4×1019/cm3程度の高濃度にn型不純物をドーピングしたInGaAsエミッタコンタクト層およびInPエミッタコンタクト層のドーピング濃度を殆ど低下させることがなく、同時にアンドープInP層内に1×1019/cm3程度の高濃度にp型領域を形成できるように選択する。
【0029】
図4は、フォトレジストを除去した後にアニールを実施し、イオン注入したBeを活性化させアンドープInP層内(参照;図2の8)にp型InP領域18を形成する工程を示している。アニール温度は、600〜700℃程度で、活性化率を向上させるためにラピッドサーマルアニーリング法を用いる。
【0030】
図5は、少なくともInPエミッタ層(参照;図2の8)内に形成されたp型InP領域(参照;図4の18)が、Beイオンが注入されていない真性アンドープInP領域を挟む平面領域を含むように、InGaAsエミッタコンタクト層上にパタニングされた幅0.8μm程度のフォトレジスト19をエッチングマスクにして、InGaAsエミッタコンタクト層、InPエミッタコンタクト層、p型InPエミッタ領域を順次エッチングし、InGaAsベース層を露出させる工程を示している。エッチング方法は、塩素ガスをベースとしたECR−RIEあるいはICP−RIEのドライエッチング法と、クエン酸水溶液/過酸化水素水および塩酸/リン酸/酢酸溶液による選択ウェットエッチング法を用いる。
【0031】
図6は、上記エッチングマスクに用いたフォトレジストを除去した後、外部InGaAsベース層上(参照;図2の7)およびInGaAsエミッタコンタクト層上(参照;図2の10)に、オーミック性電極メタルを形成する工程を示している。本実施例では、各オーミック性電極は非セルフアラインでパターンを規定し蒸着・リフトオフ法で電極を形成する。ベース電極14としてPt/Ti/Pt/AuあるいはTi/Pt/Au、エミッタ電極13としてTi/Pt/Auの積層構造を用いる。ここでエミッタ電極幅は、0.6μm程度である。
【0032】
図7は、上記エミッタ電極((参照;図6の13)、ベース電極((参照;図6の14)を含むエミッタ/ベースメサ型構造上にパタニングされたフォトレジストマスクを用いて、p型InGaAsベース層、アンドープInGaAsコレクタ層、n型InPエッチングストッパー層を選択ウェットエッチング法で除去し、高濃度ドーピングn型InGaAsコレクタコンタクト層を露出させる。本処理後、InGaAsコレクタコンタクト層上にオーミック性コレクタ電極を蒸着・リフトオフ法で形成し、素子間分離を行い、トランジスタ全面にパシベーション膜を皮膜する工程を示している。各半導体層のエッチングには、クエン酸水溶液/過酸化水素水および塩酸/リン酸/酢酸溶液による選択ウェットエッチングを使用している。コレクタ電極15として、Ti/Pt/Auの積層構造を用いる。パシベーション膜は、BCB・ポリイミド等の有機絶縁膜およびシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機絶縁膜が適用可能である。
【0033】
なお、本実施例においては、特にInP/InGaAsHBTの典型的な構造について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、エミッタにInAIAs層を用いたInAIAs/InGaAsHBTあるいはコレクタにInGaAsP層およびInP層を導入し高耐圧化を図ったダブルヘテロHBT構造にも適用可能であることは言うまでもない。また、本実施例ではp型不純物としてBeを採用したが、Mg、C、Zn、C等の他のp型不純物のイオン注入を行っても適用可能である。
【0034】
図3ではイオン注入マスクとして幅0.3μm程度のフォトレジスト16を例示したが、これはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機絶縁膜を用いてもイオン注入マスクに適用できる。InGaAsエミッタコンタクト層全面にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機絶縁膜を堆積し、光リソグラフィーにより上記幅0.3μm程度にパタニングされたフォトレジストをマスクに反応性イオンエッチング(RIE)で無機絶緑膜を加工する。等方性RIEを用いることにより加工された無機絶縁膜の寸法は、更に0.2〜0.1μmまで縮小することが可能になる。
【0035】
なお、上述の実施形態は本発明の好適な実施の一例である。ただし、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。多様化の構成例およびそれに付随する効果例を以下に列挙する。
エミッタ/ペース真性接合幅がサブミクロン以下にまで縮小でき、ICの消費電流の大幅な低減が図れる。また、エミッタ微細化に伴う電流増幅率の低下が抑制でき、高周波特性、信頼性に優れたHBT提供することができる。更に、真性エミッタ領域よりも大きなエミッタ電極をエミッタコンタクト層上に安定に設置できるため、真性エミッタ面積を縮小してもエミッタ電極面積は一定に保つことができる。このため、微細化に伴うエミッタ電極メタルの剥離や位置ズレ、配線との接合不良が大幅に回避され大規模集積回路の歩留まり向上が望める。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタに構成され、エミッタ層は故意に不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第1エミッタ領域と、第2導電型ドーパントをドーピングした半導体の第2エミッタ領域とから成り、第2エミッタ領域が第1エミッタ領域の全体を囲って構成されている。本構成によれば、p型ドーパントのイオン注入によりアンドープInP層内にガードリング領域として機能するp型InP領域を形成すると同時に、トランジスタ動作に寄与する真性エミッタ領域を微細化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法の実施形態を示したInP/InGaAsHBTの断面構造図である。
【図2】エミッタコンタクト層を順次エピタキシャル成長させたHBTエピ層構造を示している。
【図3】微細寸法でパタニングされたフォトレジストをマスクとして、Beイオンを注入する工程を示している。
【図4】イオン注入したBeを活性化させアンドープInP層内にp型領域を形成する工程を示している。
【図5】InGaAsベース層を露出させる工程を示している。
【図6】オーミック性電極メタルを形成する工程を示している。
【図7】トランジスタ全面にパシベーション膜を皮膜する工程を示している。
【符号の説明】
1 半絶縁性InP基板
2 バッファー層
3 n+−InPサブコレクタ層
4 n+−InGaAsコレクタコンタクト層
5 n+−InPエッチングストッパー層
6 アンドープInGaAsコレクタ層
7 p+−InGaAsベース層
8 アンドープInPエミッタ層
9 n+−InPエミッタコンタクト層
10 n+−InGaAsエミッタコンタクト層
11 第1エミッタ領域
12 第2エミッタ領域
13 エミッタ電極
14 ベース電極
15 コレクタ電極
16 フォトレジスト
17 Beイオン注入領域
18 p−InP領域
19 フォトレジスト
20 BCB(有機絶縁パシベーション膜)
Claims (6)
- 半絶縁性基板上に第1導電型ドーパントをドーピングしたサブコレクタ層と、
前記第1導電型ドーパントをドーピングしたコレクタコンタクト層およびコレクタ層と、
前記第1導電型とは反対の導電性を示す第2導電型ドーパントを高濃度ドーピングしたベース層と、
該ベース層よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、
前記第1導電型ドーパントを高濃度ドーピングしたエミッタコンタクト層とでメサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタに形成され、
前記エミッタ層は不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第1エミッタ領域と前記第2導電型ドーパントをドーピングした半導体の第2エミッタ領域とから成り、該第2エミッタ領域が前記第1エミッタ領域の全体を囲って構成されたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 前記エミッタ層とエミッタコンタクト層、および前記エミッタ層とベース層の接合面において、前記第1エミッタ領域と第2エミッタ領域とが前記エミッタコンタクト層およびベース層と接して構成されたことを特徴とする請求項1に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
- 前記エミッタ層とエミッタコンタクト層から成るエミッタメサの側壁が前記エミッタコンタクト層と第2エミッタ領域と連続して構成され、該エミッタメサ側壁には前記第1エミッタ領域が含まれないことを特徴とする請求項1または2に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
- 前記ベース層がInGaAsで、前記エミッタ層がInPで夫々構成され、前記エミッタコンタクト層に少なくともInGaAsを含むことを特徴とする請求項1から3の何れかに記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
- エミッタコンタクト層上の所定の位置にパタニングしたフォトレジストあるいは絶縁膜をマスクとして、第2導電型不純物を少なくとも第2導電型ベース層に到達する加速電圧およびエミッタコンタクト層の第1導電型ドーパントのドーピング濃度よりより低いドーピング濃度になる第2導電型ドーパント濃度を満たす注入ドープ量で、エミッタコンタクト層およびエミッタ層にイオン注入を行う工程と、
前記フォトレジストマスクあるいは絶縁膜を除去した後に活性化アニールを実施し、前記第2導電型不純物をイオン注入した該エミッタ層の一部に第2導電型を有する第2エミッタ領域を形成する工程と、
前記フォトレジストマスクあるいは絶縁膜を除去した後に活性化アニールを実施し、前記第2導電型不純物をイオン注入した該エミッタ層の一部に第2導電型を有する第2エミッタ領域を形成する工程と、
前記イオン注入用マスクとして使用したフォトレジストあるいは絶縁膜パタニングよりも大きな面積を有し、前記エミッタコンタクト層上の第2導電型不純物がイオン注入されない第1エミッタ領域全体とその周りの第2エミッタ領域の一部とを含む位置にパタニングしたフォトレジストをエッチングマスクとして、前記エミッタコンタクト層および第2エミッタ領域をエッチング除去しベース層を露出させる工程と、
前記ベース層上にオーミック電極メタルおよびエミッタコンタクト層上にオーミック電極メタルを形成する工程と、を有して成ることを特徴とするメサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。 - 前記第1導電型ドーパントのドーピング濃度よりより低いドーピング濃度は、前記エミッタコンタクト層の高濃度n型ドーピング濃度に対して1/10から1/100の範囲内とし、前記高濃度n型ドーピングされたエミッタコンタクト層のキャリア濃度に与える影響をより低くしたことを特徴とする請求項5に記載のメサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。
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JP2003033005A Pending JP2004247362A (ja) | 2003-02-10 | 2003-02-10 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004247362A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008218636A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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2003
- 2003-02-10 JP JP2003033005A patent/JP2004247362A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008218636A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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