JP2011003727A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型半導体基板18の一方の主面側の、主電流の流れる活性部30に、第一凹部27aと、該第一凹部27aを挟んで所定のピッチで繰り返す第一突起状半導体部分28aとを有する表面構造29を備え、前記第一凹部27aは、絶縁膜15を介して埋設される導電体層16を有し、前記第一突起状半導体部分28aは、前記第一凹部27aと下端面を面一にするn型キャリア注入抑制層12と該キャリア注入抑制層12の上面に接するp型半導体層11とを有し、前記表面構造29の表面にオーミック接触する第1主電極14を有する半導体装置とする。
【選択図】 図1−5
Description
図1−1〜図1−5は本発明による定格1200V耐圧の還流ダイオードの主要な製造工程を順に示す要部断面図および要部斜視図である。主要な製造工程順に説明する。比抵抗60ΩcmのFZ−n型シリコン半導体基板20を材料とし、膜厚2μmの初期酸化膜21を形成する(図1−1(a))。この初期酸化膜21に、活性部30のパターニング/エッチングにより2μm幅で4μmピッチの平行ストライプ状初期酸化膜21と、同幅同ピッチの開口部22を交互に形成する(図1−1(b))。前記活性部30を取り巻く周辺耐圧構造部32の初期酸化膜パターンは開口部幅2μmと耐圧設計によりきまる所定幅の平行ストライプ状パターンである。前記活性部30と周辺耐圧構造部32の間に中間領域31を設ける。この中間領域31は1.5μm幅で4μmピッチの開口部パターンおよび2.5μm幅で4μmピッチの初期酸化膜パターンを交互に繰り返すパターンとする。さらに、この中間領域31は、さらに2.5μm幅の前記初期酸化膜21を直角に切断するとともに、1.5μm幅の前記開口部22間を相互に連結するようなパターンの開口連結部23を有している(図1−2(c))。この開口連結部23は、アノードp層11をストライプに直交する方向にも連結させることにより、逆回復時に周辺耐圧構造部32内の蓄積キャリアが集中して引き抜かれるルートとなるアノード電極14にコンタクトするアノードp層11最外周部とアノードp層の最外周端部である最大電界領域との間の距離を分離する構造にするためである。この分離構造は前記図9で説明した従来の分離構造と考え方は同じである。実施例1では、このような構造を有するダイオードを形成して逆回復耐量を向上させることができる。
2、11 アノードp層
3 アノードp層の端部
4 絶縁膜
5 アノード電極のコンタクト
12 注入抑制層
13a 第一突起状半導体部分
13b 第二突起状半導体部分
13c 第三突起状半導体部分
15 熱酸化膜
16 導電体層
17a 第一凹部
17b 第二凹部
17c 第三凹部
18 n型ドリフト層
20 半導体基板
21 初期酸化膜
22 開口部
23 開口連結部
24 n型バッファ層
25 n+型カソード層
26 カソード電極
27 パッシベーション層
30 活性部
31 中間領域
32 周辺耐圧構造部
Claims (8)
- 第1導電型半導体基板の一方の主面側の、主電流の流れる活性部に、第一凹部と、該第一凹部を挟んで所定のピッチで繰り返す第一突起状半導体部分とを有する表面構造を備え、前記第一凹部は、絶縁膜を介して埋設される導電体層を有し、前記第一突起状半導体部分は、前記第一凹部と下端面を面一にする第1導電型キャリア注入抑制層と該キャリア注入抑制層の上面に接する第2導電型半導体層とを有し、前記表面構造の表面にオーミック接触する第1主電極を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記第1導電型半導体基板の他方の主面側の、前記活性部に対応する位置に設けられる、前記第1導電型半導体基板より高濃度の第1導電型半導体層と、前記他方の主面側の全面に前記第1導電型半導体層より深く形成される、前記第1導電型半導体基板より高濃度で前記第1導電型半導体層より低濃度の第1導電型バッファ層とを有し、前記第1導電型半導体層表面にオーミック接触する第2主電極を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記活性部の外周に中間領域を介して周辺耐圧構造部を備え、該中間領域は、第二凹部と、該第二凹部を挟んで所定のピッチで繰り返す第二突起状半導体部分とを有し、前記第二凹部は、絶縁膜を介して埋設される導電体層を有し、前記第二凹部と下端面を面一にする第1導電型キャリア注入抑制層と該キャリア注入抑制層の上面に接する第2導電型半導体層とを有する前記第二突起状半導体部分は前記第一突起状半導体部分に延長部分として接続され、前記周辺耐圧構造部は、絶縁膜を介して埋設される導電体層を有する第三凹部と、第三凹部を挟み、該前記第三凹部と下端面を面一にする第1導電型キャリア注入抑制層と該キャリア注入抑制層の上面に接する第2導電型半導体層とを有する前記第三突起状半導体部分とを備えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記表面構造が、前記一方の主面に、誘電体膜をマスクとして選択的エピタキシャル成長により該誘電体膜を挟む所定のパターンピッチで、前記第1導電型キャリア注入抑制層と前記第2導電型半導体層とをこの順に堆積形成し、その後前記誘電体膜を除去して前記第一凹部として成し、該第一凹部挟む前記第一突起状半導体部分を形成する工程と、前記第一凹部に、絶縁膜を介して導電体層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1導電型キャリア注入抑制層と前記第2導電型半導体層とがそれぞれ対応する第1導電型ドーパントまたは第2導電型ドーパントを加える選択的エピタキシャル成長により順次堆積形成される工程を有することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1導電型ドーパントを加えた半導体単結晶層を成長させた後、該半導体結晶層に所定の深さに第2導電型ドーパントをイオン注入して前記上層の前記第2導電型半導体層と前記下層の第1導電型キャリア注入抑制層とを形成することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記選択的エピタキシャル成長による半導体単結晶層が前記誘電体膜のマスクの厚さより厚く形成され、その後前記誘電体膜のマスクの厚さを基準に研磨され除去されることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一方の主面にアノード電極を形成後、前記他方の主面側を所要の厚さに研削し、他方の主面からの水素イオン注入により全面に第1導電型バッファ層を形成し、前記一方の主面の活性部に対応する前記他方の主面に選択的イオン注入により第1導電型半導体層を形成することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
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