JP2010541216A5

JP2010541216A5 -

Info

Publication number: JP2010541216A5
Application number: JP2010526147A
Authority: JP
Filing date: 2008-08-27
Publication date: 2011-09-01

Claims

オプトエレクトロニクス半導体本体であって、
− 電磁放射（Ｓ）を放出する表側（１２）を有する基板（１１）と、
− 前記基板（１１）の裏側（１３）に配置されている半導体層列（１４）であって、前記電磁放射（Ｓ）を発生させる活性層（１９）を有する、前記半導体層列（１４）と、
− 前記基板（１１）とは反対を向いている、前記半導体層列（１４）の第１の面（１７）に配置されている第１および第２の電気接続層（１５，１６）と、
前記活性層（１９）によって生成される前記電磁放射（Ｓ）の一部を反射するため、前記基板（１１，１１’）とは反対を向いている、前記半導体層列（１４）の前記第１の面（１７）の特定のセクションに配置されているミラー（２７）とを備え、
前記ミラー（２７）が少なくとも１つのくぼみ（２２）を有し、前記第１の電気接続層（１５）が、前記少なくとも１つのくぼみ（２２）の中に前記半導体層列（１４）との導電性接触部を有する、
オプトエレクトロニクス半導体本体。
前記基板（１１）および半導体層列（１４）が窒化物系化合物半導体を含んでいる、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記基板（１１）が結晶性の窒化ガリウムを含んでいる、請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記基板（１１’）が、前記基板（１１’）の表側に配置されている補助キャリア（４０）を備えており、前記半導体層列（１４）が、前記基板（１１’）の裏側（１３）に配置されている窒化物系化合物半導体を含んでいる、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記補助キャリア（４０）が結晶性の酸化アルミニウムを含んでいる、請求項４に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記半導体層列（１４）に面している、前記補助キャリア（４０）の第１の主面（４２）が、所定の構造を備えている、請求項４または請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記基板（１１’）が、前記半導体層列（１４）に面している、前記補助キャリア（４０）の前記第１の主面（４２）に配置されている核形成層（７０）、を備えている、請求項４から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記核形成層（７０）が所定の構造を備えている、請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記基板（１１’）が、
前記半導体層列（１４）に面している、前記補助キャリア（４０）の前記第１の主面（４２）の上、または、前記補助キャリア（４０）の前記第１の主面（４２）に配置されている前記核形成層（７０）の上、に配置されているバッファ層（４１）、
を備えている、
請求項４から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記バッファ層（４１）が所定の構造を備えている、請求項９に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記基板（１１，１１’）の前記表側（１２）からの前記電磁放射（Ｓ）の放出が、取出し構造（５０）を通じて行われる、請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記取出し構造（５０，５０’，５０’’，５０’’’）が、マイクロレンズ（５１）、回折光学素子（５５）、フォトニック結晶（６０）、または格子（６５）を備えている、請求項１１に記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。
前記ミラー（２７）が誘電体層（２８）または金属層（２９）を備えている、請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体本体。