JP2010538497A - 不揮発性半導体メモリ・デバイスにおける欠陥を修復するための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (71)
- 不揮発性半導体メモリ・デバイスを修復する方法であって、
不揮発性半導体メモリ・デバイスに関連付けられたイベント・インジケータを監視するステップと、
前記イベント・インジケータを用いてイベントを検出するステップと、
前記イベントの検出に応答して、前記デバイスをアニール処理するステップと
を含む方法。 - 前記イベント・インジケータが、メモリ耐久性インジケータを含み、前記検出するステップが、前記メモリ耐久性インジケータが規定の限度を超えていると判断するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスが、加熱素子に熱的に結合され、前記アニール処理するステップが、前記加熱素子に電力を供給するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記アニール処理するステップが、
前記不揮発性半導体メモリ・デバイスのジャンクション温度に対応するアニール処理温度を感知するステップと、
前記アニール処理温度を所定の温度範囲内で保つために、前記加熱素子に供給される電力を調整するステップと
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記アニール処理するステップが、所定の期間にわたって行われる請求項1に記載の方法。
- 前記アニール処理するステップが、約200℃〜300℃の間のジャンクション温度に前記デバイスを加熱するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記アニール処理するステップが、約250℃〜300℃の間のジャンクション温度に前記デバイスを加熱するステップを含む請求項6に記載の方法。
- 前記アニール処理するステップが、約200℃〜250℃の間のジャンクション温度に前記デバイスを加熱するステップを含む請求項6に記載の方法。
- 前記アニール処理するステップが、約150℃〜200℃の間のジャンクション温度に前記デバイスを加熱するステップを含む請求項6に記載の方法。
- 前記監視するステップが、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスが行った消去サイクルの回数を記録するステップを含み、前記検出するステップが、前記記録された消去サイクルの回数が規定の回数を超えていることを確かめるステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記監視するステップが、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスに関して検出されたエラーの回数を記録するステップを含み、前記検出するステップが、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスに関して検出された前記記録されたエラーの回数が規定の数を超えていることを確かめるステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記監視するステップが、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスをプログラムするために行われたプログラミング・ステップの数を記録するステップを含み、前記検出するステップが、前記記録されたプログラミング・ステップの数が規定の数を超えていることを確かめるステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記監視するステップが、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスの使用期間を記録するステップを含み、前記検出するステップが、前記記録された使用期間が規定の時間長を超えていることを確かめるステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスが、フラッシュメモリ・デバイスを含む請求項1に記載の方法。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスが、SONOS(半導体−酸化物−窒化物−酸化物−半導体)メモリ・デバイスを含む請求項1に記載の方法。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスが、半導体パッケージ内に配設され、前記加熱素子が、前記半導体パッケージ内に含まれる請求項1に記載の方法。
- 前記半導体パッケージが、追加の半導体デバイスを備え、前記加熱素子が、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスと前記追加の半導体デバイスとの間に積層される請求項16に記載の方法。
- 前記追加の半導体デバイスが、追加の不揮発性半導体メモリ・デバイスである請求項17に記載の方法。
- 前記追加の半導体デバイスが、揮発性半導体メモリ・デバイスである請求項17に記載の方法。
- 前記半導体パッケージが、追加の半導体デバイスと、複数の加熱素子とを備え、前記加熱素子と半導体デバイスが、スタック内に交互配置される請求項1に記載の方法。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスが、半導体パッケージ内に配設され、前記加熱素子が、前記半導体パッケージに取り付けられる請求項1に記載の方法。
- 前記加熱素子が、熱伝導性材料を介して前記半導体パッケージに取り付けられる請求項21に記載の方法。
- 欠陥をなくすように不揮発性半導体メモリ・デバイスを修復する方法であって、
半導体パッケージ内に含まれる不揮発性半導体メモリ・デバイスに関するメモリ耐久性インジケータを監視するステップと、
前記メモリ耐久性インジケータが規定の限度を超えていると判断するステップと、
前記メモリ耐久性インジケータが前記規定の限度を超えているという判断に応答して、前記デバイスをアニール処理するステップと
を含む方法。 - 前記デバイスをアニール処理するステップが、前記デバイスに熱的に結合された加熱素子に電力を供給するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記アニール処理するステップが、
前記デバイスのジャンクション温度に対応するアニール処理温度を監視するステップと、
前記アニール処理温度を所定の温度範囲内で保つために、前記加熱素子に供給される電力を調整するステップと
を含む請求項24に記載の方法。 - 前記アニール処理するステップが、約150℃と、前記半導体パッケージが変形せずに耐えることができる最高温度との間のジャンクション温度に前記デバイスを加熱するステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記監視するステップが、前記デバイスが行った消去サイクルの回数を記録するステップを含み、前記判断するステップが、前記記録された消去サイクルの回数が規定の回数を超えていることを確かめるステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記アニール処理するステップが、適切な外部物理的イベントが生じたときにのみ行われる請求項23に記載の方法。
- 前記適切な外部物理的イベントが、外部充電器から電力を受け取ることを含む請求項28に記載の方法。
- 前記監視するステップが、前記デバイスに関して検出されたエラーの回数を記録するステップを含み、前記判断するステップが、前記デバイスに関して検出された前記記録されたエラーの回数が規定の数を超えていることを確かめるステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記監視するステップが、前記デバイスをプログラムするために行われるプログラミング・ステップの数を記録するステップを含み、前記判断するステップが、前記記録されたプログラミング・ステップの数が規定の数を超えていることを確かめるステップを含む請求項23に記載の方法。
- 前記監視するステップが、前記デバイスの使用期間を記録するステップを含み、前記判断するステップが、前記記録された使用期間が規定の時間長を超えていることを確かめるステップを含む請求項23に記載の方法。
- 加熱素子が、前記半導体パッケージ内に含まれる請求項23に記載の方法。
- 前記半導体パッケージが、追加の半導体デバイスを備え、前記加熱素子が、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスと前記追加の半導体デバイスとの間に積層される請求項33に記載の方法。
- 前記追加の半導体デバイスが、追加の不揮発性半導体メモリ・デバイスである請求項34に記載の方法。
- 前記追加の半導体デバイスが、揮発性半導体メモリ・デバイスである請求項34に記載の方法。
- 前記半導体パッケージが、追加の半導体デバイスと、複数の加熱素子とを備え、前記加熱素子と半導体デバイスが、スタック内に交互配置される請求項23に記載の方法。
- 加熱素子が、前記半導体パッケージに取り付けられる請求項23に記載の方法。
- 前記加熱素子が、熱伝導性材料を介して前記半導体パッケージに取り付けられる請求項38に記載の方法。
- セルフアニール処理タイプ半導体装置であって、アニール処理が、前記装置の通常の動作環境で行われ、
不揮発性半導体メモリ・デバイスと、
前記メモリ・デバイスをアニール処理するために前記メモリ・デバイスに熱的に結合された加熱素子と、
前記不揮発性半導体メモリ・デバイスに信号を供給するために前記メモリ・デバイスに電気的に結合された第1の組の電気的コンタクトと、
前記加熱素子に電力を供給するために前記加熱素子に電気的に結合された第2の組の電気的コンタクトと
を備えるセルフアニール処理タイプ半導体装置。 - 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスが、フラッシュメモリを含む請求項40に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記メモリ・デバイスが、電荷捕獲不揮発性メモリを含む請求項40に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記電荷捕獲不揮発性メモリが、SONOS、TANOS、およびナノ結晶メモリ・デバイスからなる群から選択されるメモリ・デバイスを含む請求項42に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記加熱素子が、約150℃と、前記セルフアニール処理タイプ半導体装置が変形せずに耐えることができる最高温度との間のジャンクション温度で前記不揮発性半導体メモリ・デバイスをアニール処理するように構成される請求項40に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記加熱素子が、約250℃〜300℃の間のジャンクション温度で前記不揮発性半導体メモリ・デバイスをアニール処理するように構成される請求項44に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記加熱素子が、約200℃〜250℃の間のジャンクション温度で前記不揮発性半導体メモリ・デバイスをアニール処理するように構成される請求項44に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスのジャンクション温度に対応するアニール処理温度を監視するために温度センサを備える請求項40に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記温度センサが、前記アニール処理温度を所定の温度範囲内で保つために前記加熱素子に供給される電力を調整するための制御装置に結合される請求項47に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記温度センサが、前記不揮発性半導体メモリ・デバイス内に組み込まれる請求項47に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記温度センサが、前記加熱素子内に組み込まれる請求項47に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記半導体装置が、半導体パッケージである請求項40に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 追加の半導体デバイスをさらに備え、前記加熱素子が、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスと前記追加の半導体デバイスとの間に積層される請求項51に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記追加の半導体デバイスが、追加の不揮発性半導体メモリ・デバイスである請求項52に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記追加の半導体デバイスが、揮発性半導体メモリ・デバイスである請求項52に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 追加の加熱素子と、複数の追加の半導体デバイスとをさらに備え、前記加熱素子と半導体デバイスが、スタック内に交互配置される請求項51に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスおよび前記加熱素子を封じ込めるための成形材料をさらに備える請求項51に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 積層基板をさらに備え、前記メモリ・デバイスが、前記基板を介して前記第1の組の電気的コンタクトに電気的に結合され、前記加熱素子が、前記基板を介して前記第2の組の電気的コンタクトに電気的に結合される請求項51に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスおよび前記加熱素子を収容するためのケーシングをさらに備える請求項51に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記ケーシングが、セラミックである請求項58に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記不揮発性半導体メモリ・デバイスおよび前記加熱素子を収容するためのカバーをさらに備える請求項51に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記カバーが、金属製である請求項58に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記半導体装置が、基板をさらに備えるモジュールであり、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスが、前記基板に取り付けられたパッケージ化されたメモリ・デバイスである請求項40に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 断熱カバーをさらに備える請求項62に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記加熱素子が、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスに取り付けられる請求項62に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記加熱素子から前記不揮発性半導体メモリ・デバイスに熱を伝導するための放熱材料をさらに備える請求項64に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記基板に取り付けられた1つの追加のパッケージ化された不揮発性半導体メモリ・デバイスをさらに備え、前記加熱素子が、前記不揮発性半導体メモリ・デバイスおよび前記追加のメモリ・デバイスを覆う請求項62に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記半導体装置が、電子システムであり、前記電子システムが、前記加熱素子に供給される電力を調整するための制御装置をさらに備える請求項40に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記メモリ・デバイスのジャンクション温度に対応するアニール処理温度を監視するための温度センサを備え、前記温度センサが、前記制御装置に結合され、前記調整が、前記アニール処理温度を所定の温度範囲内で保つために電力レベルを調節することを含む請求項67に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記温度センサが、前記不揮発性半導体メモリ・デバイス内に組み込まれる請求項68に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記温度センサが、前記加熱素子内に組み込まれる請求項68に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
- 前記加熱素子に電力を供給するために、前記制御装置と前記加熱素子とに結合された電源をさらに備える請求項67に記載のセルフアニール処理タイプ半導体装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012142576A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 貫通電極を有する積層構造の半導体装置、半導体メモリ装置、半導体メモリ・システム及びその動作方法 |
WO2015008860A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | 日本電信電話株式会社 | 電気素子のパッケージ |
WO2016031117A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | 日本電信電話株式会社 | 電気素子のパッケージ |
KR101747191B1 (ko) | 2011-01-14 | 2017-06-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
JP2023067686A (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-16 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 3dフラッシュメモリモジュールチップおよびその製造方法 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11244727B2 (en) | 2006-11-29 | 2022-02-08 | Rambus Inc. | Dynamic memory rank configuration |
US8344475B2 (en) | 2006-11-29 | 2013-01-01 | Rambus Inc. | Integrated circuit heating to effect in-situ annealing |
EP2191473A2 (en) * | 2007-09-05 | 2010-06-02 | Rambus Inc. | Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices |
KR101413736B1 (ko) | 2007-09-13 | 2014-07-02 | 삼성전자주식회사 | 향상된 신뢰성을 갖는 메모리 시스템 및 그것의웨어-레벨링 기법 |
KR101624969B1 (ko) * | 2009-05-26 | 2016-05-31 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 배드 블록 관리 방법 |
TW201200853A (en) * | 2010-06-18 | 2012-01-01 | Ind Tech Res Inst | Measuring apparatus |
KR101660985B1 (ko) * | 2010-07-09 | 2016-10-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
US9014749B2 (en) | 2010-08-12 | 2015-04-21 | Qualcomm Incorporated | System and method to initiate a housekeeping operation at a mobile device |
US8488387B2 (en) * | 2011-05-02 | 2013-07-16 | Macronix International Co., Ltd. | Thermally assisted dielectric charge trapping flash |
US8724393B2 (en) | 2011-05-02 | 2014-05-13 | Macronix International Co., Ltd. | Thermally assisted flash memory with diode strapping |
US8824212B2 (en) | 2011-05-02 | 2014-09-02 | Macronix International Co., Ltd. | Thermally assisted flash memory with segmented word lines |
US8958242B2 (en) | 2011-05-05 | 2015-02-17 | Micron Technology, Inc. | Thermal treatment of flash memories |
TWI508075B (zh) * | 2011-06-09 | 2015-11-11 | Macronix Int Co Ltd | 熱協助介電電荷捕捉快閃記憶體 |
US8405214B2 (en) * | 2011-08-12 | 2013-03-26 | Nanya Technology Corp. | Semiconductor package structure with common gold plated metal conductor on die and substrate |
US20130126508A1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Extending Radiation Tolerance By Localized Temperature Annealing Of Semiconductor Devices |
CN109449129A (zh) * | 2013-03-01 | 2019-03-08 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体封装结构与其制造方法 |
US9734919B2 (en) | 2013-05-23 | 2017-08-15 | Seagate Technology Llc | Recovery of interfacial defects in memory cells |
US9064824B2 (en) * | 2013-11-12 | 2015-06-23 | International Business Machines Corporation | In-situ annealing for extending the lifetime of CMOS products |
US9348748B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-05-24 | Macronix International Co., Ltd. | Heal leveling |
US9559113B2 (en) | 2014-05-01 | 2017-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND |
KR102142590B1 (ko) | 2014-06-16 | 2020-08-07 | 삼성전자 주식회사 | 저항성 메모리 장치 및 저항성 메모리 장치의 동작방법 |
US9455038B2 (en) * | 2014-08-20 | 2016-09-27 | Sandisk Technologies Llc | Storage module and method for using healing effects of a quarantine process |
US9286991B1 (en) * | 2015-02-17 | 2016-03-15 | Darryl G. Walker | Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements |
EP3059760A1 (de) * | 2015-02-18 | 2016-08-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronische Vorrichtung |
US10499461B2 (en) * | 2015-12-21 | 2019-12-03 | Intel Corporation | Thermal head with a thermal barrier for integrated circuit die processing |
US10381100B2 (en) * | 2016-07-01 | 2019-08-13 | Synopsys, Inc. | Enhancing memory yield and performance through utilizing nanowire self-heating |
US9761290B1 (en) | 2016-08-25 | 2017-09-12 | Sandisk Technologies Llc | Overheat prevention for annealing non-volatile memory |
US10467134B2 (en) | 2016-08-25 | 2019-11-05 | Sandisk Technologies Llc | Dynamic anneal characteristics for annealing non-volatile memory |
US20180108642A1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | Globalfoundries Inc. | Interposer heater for high bandwidth memory applications |
US10545805B2 (en) * | 2017-03-29 | 2020-01-28 | Macronix International Co., Ltd. | Memory system, reading method thereof and writing method thereof |
US10834853B2 (en) | 2018-03-02 | 2020-11-10 | Micron Technology, Inc. | Electronic device with a card-level thermal regulator mechanism and associated systems, devices, and methods |
US10692793B2 (en) * | 2018-03-02 | 2020-06-23 | Micron Technology, Inc. | Electronic device with a package-level thermal regulator mechanism and associated systems, devices, and methods |
TWI747153B (zh) * | 2019-06-03 | 2021-11-21 | 旺宏電子股份有限公司 | 三維快閃記憶體模組以及三維快閃記憶體的修復與操作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831187A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | フラッシュメモリ |
JP2001325793A (ja) * | 2000-05-15 | 2001-11-22 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置のデータ保持方法 |
JP2004310930A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006196650A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 半導体不揮発性メモリ装置およびその消去方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3383614A (en) * | 1965-06-28 | 1968-05-14 | Texas Instruments Inc | Temperature stabilized semiconductor devices |
JPS5635383A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Kyoto Ceramic | Semiconductor integrated circuit support with heating mechanism |
US5324916A (en) | 1991-11-01 | 1994-06-28 | Hewlett-Packard Company | System and method for dynamic power compensation |
US5898706A (en) * | 1997-04-30 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Structure and method for reliability stressing of dielectrics |
US5956350A (en) * | 1997-10-27 | 1999-09-21 | Lsi Logic Corporation | Built in self repair for DRAMs using on-chip temperature sensing and heating |
US6009033A (en) * | 1998-11-24 | 1999-12-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of programming and erasing an EEPROM device under an elevated temperature and apparatus thereof |
JP3841607B2 (ja) * | 2000-02-03 | 2006-11-01 | 三井金属鉱業株式会社 | ニッケル粉及び導電ペースト |
US7177418B2 (en) | 2002-07-22 | 2007-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Power efficient ADSL central office downstream class G power switch |
US7173842B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-02-06 | Intel Corporation | Metal heater for in situ heating and crystallization of ferroelectric polymer memory film |
KR100546691B1 (ko) * | 2004-04-23 | 2006-01-26 | 동부아남반도체 주식회사 | 플래시 메모리 소자 및 그의 제조 방법과 프로그래밍/소거방법 |
US7064414B2 (en) * | 2004-11-12 | 2006-06-20 | International Business Machines Corporation | Heater for annealing trapped charge in a semiconductor device |
US7072219B1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-07-04 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for operating a non-volatile memory array |
KR100682925B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 멀티비트 비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 |
US7704847B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-04-27 | International Business Machines Corporation | On-chip heater and methods for fabrication thereof and use thereof |
US7495954B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-02-24 | Sandisk Corporation | Method for partitioned erase and erase verification to compensate for capacitive coupling effects in non-volatile memory |
US7876621B2 (en) * | 2007-04-23 | 2011-01-25 | Sandisk Il Ltd. | Adaptive dynamic reading of flash memories |
US7719048B1 (en) * | 2007-04-26 | 2010-05-18 | National Semiconductor Corporation | Heating element for enhanced E2PROM |
EP2191473A2 (en) * | 2007-09-05 | 2010-06-02 | Rambus Inc. | Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices |
-
2008
- 2008-09-04 EP EP08799167A patent/EP2191473A2/en not_active Withdrawn
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-
2012
- 2012-06-01 US US13/486,977 patent/US8497544B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831187A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | フラッシュメモリ |
JP2001325793A (ja) * | 2000-05-15 | 2001-11-22 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置のデータ保持方法 |
JP2004310930A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006196650A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 半導体不揮発性メモリ装置およびその消去方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012142576A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 貫通電極を有する積層構造の半導体装置、半導体メモリ装置、半導体メモリ・システム及びその動作方法 |
KR101747191B1 (ko) | 2011-01-14 | 2017-06-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
WO2015008860A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | 日本電信電話株式会社 | 電気素子のパッケージ |
JP2015023154A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日本電信電話株式会社 | 電気素子のパッケージ |
WO2016031117A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | 日本電信電話株式会社 | 電気素子のパッケージ |
JP2016051773A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 日本電信電話株式会社 | 電気素子のパッケージ |
JP2023067686A (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-16 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 3dフラッシュメモリモジュールチップおよびその製造方法 |
JP7362802B2 (ja) | 2021-10-29 | 2023-10-17 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 3dフラッシュメモリモジュールチップおよびその製造方法 |
Also Published As
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