JP2010537445A - 出力ドライバステージのesd保護装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
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- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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Abstract
半導体チップの出力ドライバステージでのESD(Electro-Static Discharge)保護装置に対して開示する。本発明による出力ドライバステージのESD保護装置は、ソースが第1電源に連結されるPMOSトランジスター及びソースが第2電源に連結されるNMOSトランジスターを具備して、前記各MOSトランジスターのゲートには内部回路から出力信号がそれぞれ印加されて、前記各MOSトランジスターのドレインは出力パッドにそれぞれ連結される出力ドライバステージのESD保護装置で、前記MOSトランジスターのドレイン領域に形成されるコンタクトとゲートポリとの間の離隔間隔が、決められたデザインルール(Design Rule)による値より相対的にさらに大きい。
Description
本発明は、ESD保護装置に関するものであり、より詳細には、出力ドライバステージでのESD成分が内部回路に流入されることを防止するための出力ドライバステージのESD保護装置に関するものである。
人体や機械などに起因するESD(Electro-Static Discharge)成分が集積化された半導体チップ内部に入って行くようになると、半導体チップ内の非常に微細な内部回路が破壊されるか、または誤動作をする恐れがある。ESD成分は主に半導体チップの入/出力ドライバステージに流入される。
反面、ほとんどすべての半導体チップの入力ドライバステージにはESD保護装置が具備されている。半導体チップの出力ドライバステージにはESDに対する概念が定立されなかった時には別途のESD保護装置が具備されないことが一般的であったが、最近には半導体チップの出力ドライバステージに流入されるESD成分が内部回路に流入されないようにするためのESD保護装置が具備されていることが一般的である。
図1は、従来の出力ドライバステージのESD保護装置を示したものである。
図1を参照すると、従来の出力ドライバステージのESD保護装置100は2個のダイオード(DP、DN)及び制限抵抗(R1)を具備してなされる。制限抵抗(R1)は出力パッド(Output)にESD成分が流入された時、出力ドライバステージに具備されるPMOSトランジスター(P1)及びNMOSトランジスター(N1)へのESD成分の放電経路が形成されることを防止する。その代りにESD成分は2個のダイオード(DP、DN)のうちいずれか一つに形成される放電経路を通じて抜け出るようになる。よって、ESD成分は内部回路110に流入されない。
しかし、出力ドライバステージのESD保護のための前記ダイオードら(DP、DN)及び制限抵抗(R1)は全体的なチップサイズを大きくする要因になる。
本発明が解決しようとする技術的課題は、ダイオード及び制限抵抗がなくても、出力ドライバステージでESD成分が内部回路に流入されることを防止することができる出力ドライバステージのESD保護装置を提供することにある。
前記技術的課題を達成するための本発明による出力ドライバステージのESD保護装置の一実施例は、ソースが第1電源に連結されるPMOSトランジスター及びソースが第2電源に連結されるNMOSトランジスターを具備して、前記各MOSトランジスターのゲートには内部回路から出力信号がそれぞれ印加されて、前記各MOSトランジスターのドレインは出力パッドにそれぞれ連結される出力ドライバステージのESD保護装置で、前記各MOSトランジスターのドレイン領域に形成されるコンタクトとゲートポリとの間の離隔間隔が、決められたデザインルール(Design Rule)による値より相対的にさらに大きいことを特徴とする。
前記技術的課題を達成するための本発明による出力ドライバステージのESD保護装置の他の一実施例は、ソースが第1電源に連結されるPMOSトランジスター及びソースが第2電源に連結されるNMOSトランジスターを具備して、前記各MOSトランジスターのゲートには内部回路から出力信号がそれぞれ印加されて、前記各MOSトランジスターのドレインは出力パッドにそれぞれ連結される出力ドライバステージのESD保護装置で、前記各MOSトランジスターのドレインと出力パッドとの間には抵抗が形成されていることを特徴とする。
本発明による出力ドライバステージのESD保護装置は、出力ドライバステージに具備されるMOSトランジスターらのドレイン抵抗を高めるか、またはアクティブ抵抗などを利用することで出力パッドから流入されるESD成分が内部回路に流入されることを防止することができる。よって、従来のダイオード及び制限抵抗を除去することができて全体的なチップサイズを減らすことができる。
以下では本発明の具体的な実施例を、図面を参照して詳しく説明する。
図2は、本発明による出力ドライバステージのESD保護装置の一実施例を示したものである。
出力ドライバステージ200は、PMOSトランジスター(P1)及びNMOSトランジスター(N1)を具備してなされるが、PMOSトランジスター(P1)及びNMOSトランジスター(N1)は選択的にターン-オン(Turn-On)される。図2に示された例で、PMOSトランジスター(P1)はソースが第1電源電圧(VH)に連結されて、ドレインが出力パッド(Output)に連結されるノード(N1)に連結されて、ゲートに内部回路210から出力信号が印加される。NMOSトランジスター(N1)はソースが第2電源電圧(VL)に連結されて、ドレインが出力パッド(Output)に連結されるノード(N1)に連結されて、ゲートにPMOSトランジスター(P1)と同じく内部回路210から出力信号が印加される。第1電源電圧(VH)と第2電源電圧(VL)はお互いに異なる電圧準位を有して、図2では第1電源電圧(VH)は第2電源電圧(VL)より相対的に高い電圧準位を有するもののように示したが、その反対も行い得る。
図2に示された出力ドライバステージのESD保護装置は、従来のダイオード(DP、DN)及び制限抵抗(R1)がない。その代わりにドレイン抵抗、アクティブ抵抗、ウェル抵抗など(RN、RP)がこれらの代わりをする。
ここでドレイン抵抗の例を挙げると、MOSトランジスター製造工程時に電磁気的な特性を考慮して決められたデザインルール(Design Rule)にしたがってドレイン領域に形成されるコンタクトとゲートポリとの間の最小限の離隔間隔が必要である。これによって、ドレイン抵抗も不可欠に存在するようになる。ところが、決められたデザインルールによりMOSトランジスターを製造する場合、ドレイン抵抗はその抵抗値があまり大きくならなくてESD保護にあまり効果的ではない。
仮に、ドレイン領域に形成されるコンタクトとゲートポリとの間の離隔間隔を大きくすると、ドレイン抵抗も大きくなる。この場合、図2を参照すると、ESD成分が出力パッド(Output)に流入されると、流入されたESD成分は大部分ドレイン抵抗(RN、RP)を通じて消耗される。よって、内部回路210にはESDの影響を及ぼさないか、または極めて微弱な影響のみを及ぼす。
図3は、図2に示されたESD保護装置を具現することができる一例を示したものである。
図3を参照すると、アクティブ領域300には垂直方向にMOSトランジスター(P1、N1)それぞれのドレイン出力のための複数のコンタクト302及びMOSトランジスターそれぞれの電源電圧連結のための複数のコンタクト303が形成される。また、アクティブ領域300の上部にはMOSトランジスターそれぞれのゲート形成のためのゲートポリ(Gate Poly)301が形成される。
この時、ゲートポリ301はドレイン領域に形成される複数のコンタクト302及びソース領域に形成される複数のコンタクト303それぞれと離隔されていなければならない。これは前述したデザインルール(Design Rule)と同一な概念である。この時、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト302とゲートポリ301との間のアクティブ領域は、ドレイン抵抗310になる。ドレイン抵抗310の抵抗値は、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト302とゲートポリ301との間の離隔間隔(d1)によって決まる。ドレイン領域に形成される複数のコンタクト302とゲートポリ301との間の離隔間隔(d1)が決められたデザインルールによる値に近くなるとドレイン抵抗310の抵抗値は小さくなる。しかし、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト302とゲートポリ301との間の離隔間隔(d1)が大きいほどドレイン抵抗310の抵抗値は大きくなる。ドレイン抵抗310の抵抗値が大きいほど出力パッド(Output)に流入されたESD成分もさらにたくさん消耗される。
したがって、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト302とゲートポリ301との間の離隔間隔(d1)を決められたデザインルールによる値より大きくすることで、従来のダイオード(DP、DN)と制限抵抗(R1)がなくても、出力パッド(Output)に流入されたESD成分がドレイン抵抗310によって充分に消尽されて内部回路210に流入されることを防止することができる。
この時、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト302とゲートポリ301との間の離隔間隔(d1)が大きくなると、MOSトランジスターの面積が大きくなる。しかし、従来のダイオード (DP、DN)及び制限抵抗(R1)を除去する効果が、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト302とゲートポリ301との間の離隔間隔(d1)を決められたデザインルールによる値より大きくすることよりもチップサイズに関してずっと効率的であるので、MOSトランジスターの面積が大きくなる短所を相殺させることができる。ドレイン領域に形成される複数のコンタクト302とゲートポリ301との間の離隔間隔(d1)を決められたデザインルールによる値より少なくとも5%大きくすることが望ましい。
図4は、図2に示されたESD保護装置を具現することができる他の例を示したものであり、MOSトランジスターのドレインと出力パッドとの間に抵抗がさらに形成されている。
アクティブ領域400には、ゲートポリ401、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト402及びソース領域に形成される複数のコンタクト403が形成されている。抵抗は相対的に大きい不純物濃度を有するアクティブ(Active)領域または相対的に小さな不純物濃度を有するウェル(Well)領域に形成されることができる。相対的に少ない抵抗を希望する場合、抵抗でアクティブ領域が形成されて、相対的に大きい抵抗を希望する場合、抵抗でウェル領域が形成される。
図4を参照すると、抵抗の役割をするアクティブ領域など410にはドレイン領域に形成される複数のコンタクト402に相対的に近い複数のコンタクト411及び出力パッドに相対的に近い複数のコンタクト412が形成されている。ここで、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト402に相対的に近い複数のコンタクト411は、メタル421によって等電位になって、これによってドレイン領域に形成される複数のコンタクト402に相対的に近い複数のコンタクト411は省略することができる。
出力パッドに相対的に近い複数のコンタクト412は、メタル422によって出力パッドと連結される。この時、外部からESD成分が流入されることに備え、ESD成分が消耗することができる領域を充分にするために、出力パッドに相対的に近い複数のコンタクト412のオーバーラップ(Overlap)間隔(d2)を、決められたデザインルールによる値よりもおおよそ5%以上さらに大きくすることができる。ここで、出力パッドに相対的に近い複数のコンタクト412それぞれのオーバーラップ間隔(d2)は該当コンタクトからアクティブ領域など410の末端まで確保される間隔を意味する。
図4に示された例で、実質的な抵抗になる部分は、ドレイン領域に相対的に近い複数のコンタクト411と出力パッドに相対的に近い複数のコンタクト412の間の領域413である。よって、ESD成分が出力パッド(Output)に流入されると、流入されたESD成分は大部分アクティブ領域のうちで実質的な抵抗になる領域413で消耗される。よって、このような方式を通じても十分なESD保護効果を得ることができる。この場合、ドレイン領域に形成される複数のコンタクト402とゲートポリ401との間の離隔間隔を決められたデザインルールによる値にすることができる。
図2で、PMOSトランジスター(P1)及びNMOSトランジスター(N1)のESD保護効果を高めるために第1電源電圧(VH)と第2電源電圧(VL)との間にESD保護回路220をさらに具備することができる。この時、電源電圧間のESD保護回路220は直列(Series)で連結されたダイオードやバイポーラートランジスターまたはこれらの組合せであってもよい。
以上では本発明に対する技術思想を添付図面と共に叙述したが、これは本発明の望ましい実施例を例示的に説明したものであって、本発明を限定するものではない。また、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者なら誰も本発明の技術的思想の範疇を離脱しない範囲内で多様な変形及び模倣が可能であることは明白な事実である。
Claims (7)
- ソースが第1電源電圧に連結されるPMOSトランジスター及びソースが第2電源電圧に連結されるNMOSトランジスターを具備して、前記各MOSトランジスターのゲートには内部回路から出力信号がそれぞれ印加されて、前記各MOSトランジスターのドレインは出力パッドにそれぞれ連結される出力ドライバステージのESD保護装置において、
前記各MOSトランジスターのドレイン領域に形成されるコンタクトとゲートポリとの間の離隔間隔が、
決められたデザインルール(Design Rule)による値より相対的にさらに大きいことを特徴とする出力ドライバステージのESD保護装置。 - 前記各MOSトランジスターのドレイン領域に形成されるコンタクトとゲートポリとの間の離隔間隔は、
前記決められたデザインルールによる値より少なくとも5%さらに大きいことを特徴とする請求項1に記載の出力ドライバステージのESD保護装置。 - ソースが第1電源に連結されるPMOSトランジスター及びソースが第2電源に連結されるNMOSトランジスターを具備して、前記各MOSトランジスターのゲートには内部回路から出力信号がそれぞれ印加されて、前記各MOSトランジスターのドレインは出力パッドにそれぞれ連結される出力ドライバステージのESD保護装置において、
前記各MOSトランジスターのドレインと出力パッドとの間には抵抗が形成されていることを特徴とする出力ドライバステージのESD保護装置。 - 前記抵抗は、
アクティブ(Active)領域またはウェル(Well)領域に形成されることを特徴とする請求項3に記載の出力ドライバステージのESD保護装置。 - 前記アクティブ領域またはウェル領域に形成されるコンタクトのうちで出力パッドに相対的に近いコンタクトのオーバーラップ(Overlap)間隔は、
決められたデザインルールによる値より相対的にさらに大きいことを特徴とする請求項4に記載の出力ドライバステージのESD保護装置。 - 前記出力パッドに相対的に近いコンタクトのオーバーラップ間隔は、
前記決められたデザインルールによる値より少なくとも5%さらに大きいことを特徴とする請求項5に記載の出力ドライバステージのESD保護装置。 - 前記第1電源電圧と前記第2電源電圧との間のESD保護回路をさらに具備することを特徴とする請求項1ないし6のうちでいずれか一つに記載の出力ドライバステージのESD保護装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070087349A KR100878439B1 (ko) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 출력 드라이버단의 esd 보호 장치 |
PCT/KR2008/004410 WO2009028800A1 (en) | 2007-08-30 | 2008-07-29 | Electrostatic discharge protection device of output driver stage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010537445A true JP2010537445A (ja) | 2010-12-02 |
Family
ID=40387479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010522792A Withdrawn JP2010537445A (ja) | 2007-08-30 | 2008-07-29 | 出力ドライバステージのesd保護装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100246077A1 (ja) |
JP (1) | JP2010537445A (ja) |
KR (1) | KR100878439B1 (ja) |
CN (1) | CN101785108A (ja) |
WO (1) | WO2009028800A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101547309B1 (ko) * | 2009-02-26 | 2015-08-26 | 삼성전자주식회사 | 정전기 방전 보호 소자 및 이를 포함하는 정전기 방전 보호회로 |
US9608437B2 (en) * | 2013-09-12 | 2017-03-28 | Qualcomm Incorporated | Electro-static discharge protection for integrated circuits |
US10325901B1 (en) * | 2017-01-05 | 2019-06-18 | Xilinx, Inc. | Circuit for increasing the impedance of an ESD path in an input/output circuit and method of implementing the same |
CN109698192B (zh) * | 2017-10-23 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电保护电路、阵列基板及显示装置 |
CN114242715B (zh) * | 2021-12-01 | 2022-09-06 | 杭州傲芯科技有限公司 | 一种双向静电放电保护模块 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100223888B1 (ko) * | 1996-11-20 | 1999-10-15 | 구본준 | 정전기 보호회로 |
KR20000003590A (ko) * | 1998-06-29 | 2000-01-15 | 김영환 | Esd소자가 구비된 반도체장치 |
JP2003031672A (ja) | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP3808026B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2006-08-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
KR100680467B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-02-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 정전기 방전 보호 소자 |
-
2007
- 2007-08-30 KR KR1020070087349A patent/KR100878439B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-07-29 CN CN200880103914A patent/CN101785108A/zh active Pending
- 2008-07-29 US US12/675,304 patent/US20100246077A1/en not_active Abandoned
- 2008-07-29 JP JP2010522792A patent/JP2010537445A/ja not_active Withdrawn
- 2008-07-29 WO PCT/KR2008/004410 patent/WO2009028800A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009028800A1 (en) | 2009-03-05 |
US20100246077A1 (en) | 2010-09-30 |
CN101785108A (zh) | 2010-07-21 |
KR100878439B1 (ko) | 2009-01-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120316 |