JP2010529642A - 半導体デバイスの応力のモデリング方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コンパクト・モデル内のモデル・パラメータの正確さを改善する計算方法は、応力モデルを、ベース・モデルを生成するデータセットに再フィッティングすることによって、独立に形成されたベース・モデルと応力モデルを矛盾が無いように適合させるための方法及びアルゴリズムを用いる(310、320)。再フィッティング・アルゴリズムは、応力モデルが寸法スケーリング・マクロから取得されるデータセットに適用されるので、ベース・モデルと応力モデルの間のあらゆる不一致を除去する。寸法スケーリング・マクロのデバイスに関する応力オフセットは、同じデバイスのモデル・パラメータの測定値にフィットするように計算される(340)。モデル・パラメータを寸法スケーリング・マクロからのデータセットにフィッティングするプロセスは、モデル・パラメータに関する定数、1次及び2次係数を計算し、これらが回路のシミュレーション及び最適化に用いられるモデル・パラメータ及びコンパクト・モデルの正確さを増すように用いられる(360)。
【選択図】図3
Description
寸法スケーリング・マクロを生成し、そして寸法スケーリング・マクロからの第1のデータセットをフィッティングすることによってベース・モデルを導出するステップであって、第1のモデル半導体デバイスの少なくとも1つの固有寸法が寸法スケーリング・マクロ内で変化し、ベース・モデルは少なくとも1つのモデル・パラメータを計算する機能を有する、ステップと、
レイアウト依存マクロを生成し、そしてレイアウト依存マクロからの第2のデータセットをフィッティングすることによって原の応力モデルを導出するステップであって、種々の形状寸法を有する少なくとも1つの形状クラスのインスタンスがレイアウト依存マクロ内の第2のモデル半導体デバイスの周りに存在し、原の応力モデルは少なくとも1つのモデル・パラメータを計算する機能を有する、ステップと、
原の応力モデルを第1のデータセットに再フィッティングして寸法依存応力オフセット関数を計算するステップと、
寸法依存応力オフセット関数を再フィッティング応力モデルに組み込んで少なくとも1つのモデル・パラメータに関する計算値を与えるステップと
を含む。
半導体デバイスのレイアウト依存構造部をレイアウト・データセットから抽出するステップと、
レイアウト依存構造部からの少なくとも1つの形状クラスのインスタンスを特徴付ける形状寸法を生成するステップと
を含むことができる。
寸法スケーリング・マクロからの第1のデータセットをベース・モデルにフィッティングするための第1のフィッティング手段であって、第1のモデル半導体デバイスの少なくとも1つの固有寸法が寸法スケーリング・マクロ内で変化し、ベース・モデルは少なくとも1つのモデル・パラメータを計算する機能を有する、第1のフィッティング手段と、
レイアウト依存マクロからの第2のデータセットを原の応力モデルにフィッティングするための第2のフィッティング手段であって、種々の形状寸法を有する少なくとも1つの形状クラスのインスタンスがレイアウト依存マクロ内の第2のモデル半導体デバイスの周りに存在し、原の応力モデルは少なくとも1つのモデル・パラメータを計算する機能を有する、第2のフィッティング手段と、
少なくとも1つのモデル・パラメータを第1のデータセットに再フィッティングして再フィッティング応力モデルを生成するための第3のフィッティング手段と
を備える。
半導体回路のレイアウト依存情報をレイアウト・データセットから抽出する抽出手段と、
レイアウト依存情報を受け取り、半導体回路内の半導体デバイスに関する少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータ値を生成する、半導体回路の性能のモデリングに用いるためのコンパクト・モデルであって、少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータ値は、原の応力モデルを寸法スケーリング・マクロからの第1のデータセットに再フィッティングすることによって生成される再フィッティング応力モデルから生成され、再フィッティング応力モデルは寸法依存応力オフセット関数に依存し、寸法依存応力オフセット関数は、応力をモデル・パラメータの測定値にフィッティングすることによって、レイアウト依存マクロからの第2のデータセットから生成される、コンパクト・モデルと
を含む。
半導体回路のレイアウト依存情報をレイアウト・データセットから抽出する抽出手段と、
レイアウト依存情報を受け取り、半導体回路をシミュレートするコンパクト・モデルであって、再フィッティング応力モデルは少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータ値を生成し、再フィッティング応力モデルは、原の応力モデルを寸法スケーリング・マクロからの第1のデータセットにフィッティングすることによって生成され、寸法依存応力オフセット関数に依存し、そして、寸法依存応力オフセット関数は、応力をモデル・パラメータの測定値にフィッティングすることによって、レイアウト依存マクロからの第2のデータセットから生成される、コンパクト・モデルと、
半導体回路の性能目標が満たされるどうかを判断し、性能目標が満たされない場合、性能目標が満たされない原因の診断を生成するための回路性能評価手段と
を備える。
L’→ Lpoly (D.8.b)
σ(L0,0)×O(L’)→ σLscale(Lpoly)=(σL Lscale(Lpoly)、σT Lscale(Lpoly)) (D.8.c)
Pf{σ(L0,0)}→ μ0 (D.8.d)
Pf{σ(L0,0)×O(L’)}→μ(σLscale(Lpoly)) (D.8.e)
3:ゲート導体
4:コンタクト・バー
6:活性領域
8、8’:浅いトレンチ分離
9:境界
Claims (30)
- 応力を加えられた半導体デバイスをモデリングする方法であって、
寸法スケーリング・マクロを生成し、前記寸法スケーリング・マクロからの第1のデータセットをフィッティングすることによってベース・モデルを導出するステップ(310)であって、第1のモデル半導体デバイスの少なくとも1つの固有寸法が前記寸法スケーリング・マクロ内で変化し、前記ベース・モデルは少なくとも1つのモデル・パラメータを計算する機能を有する、ステップと、
レイアウト依存マクロを生成し、前記レイアウト依存マクロからの第2のデータセットをフィッティングすることによって原の応力モデルを導出するステップ(320)であって、種々の形状寸法を有する少なくとも1つの形状クラスのインスタンスが前記レイアウト依存マクロ内の第2のモデル半導体デバイスの周りに存在し、前記原の応力モデルは前記少なくとも1つのモデル・パラメータを計算する機能を有する(330、340)、ステップと、
前記原の応力モデルを前記第1のデータセットに再フィッティングして寸法依存応力オフセット関数を計算するステップ(350、360)と、
前記寸法依存応力オフセット関数を再フィッティング応力モデルに組み込んで前記少なくとも1つのモデル・パラメータの計算値を与えるステップと
を含む方法。 - m’(L,G)=P(L,G)/Pf{σ(L,0)}の数学形を有する変形乗数関数m’(L,G)を計算するステップを更に含み、
ここでLは前記半導体デバイスの少なくとも1つの固有寸法のセットであり、Gは形状パラメータのセットであり、P(L,G)はモデル・パラメータに関する寸法及びジオメトリ依存の式であり、σ(L,0)は前記第1のモデル半導体デバイスに加わる応力に関する寸法依存の式であり、Pf{σ(L,0)}はG=0において見積られる前記再フィッティング応力モデルにおける前記モデル・パラメータに関する応力依存の式である、
請求項1に記載の方法。 - 前記変形乗数関数m’(L,G)の値は、前記再フィッティングに用いられる前記少なくとも1つの固有寸法の全ての値に対して1.0である、請求項2に記載の方法。
- 前記再フィッティング応力モデルには、縦応力成分及び横応力成分が用いられ、
前記縦応力成分及び前記横応力成分の両方の方向は、半導体基板の表面を表す平面内にあり、互いに直交する、
請求項1に記載の方法。 - 前記第1のデータセットの前記再フィッティングにより、前記少なくとも1つのモデル・パラメータに関する少なくとも1つの固有変数の定数、1次及び2次係数を計算するステップをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 前記半導体デバイスのレイアウト依存構造部をレイアウト・データセットから抽出するステップと、
前記レイアウト依存構造部からの少なくとも1つの形状クラスのインスタンスを特徴付ける形状寸法を生成するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記半導体デバイス、前記第1のモデル半導体デバイス、及び前記第2のモデル半導体デバイスは、それぞれ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、第1のモデルMOSFET、及び第2のモデルMOSFETである、請求項1に記載の方法。
- 前記再フィッティング応力モデルには、縦方向のチャネル応力である第1のスカラー、及び横方向のチャネル応力である第2のスカラーが用いられ、
前記MOSFET内の3次元応力場の効果は前記第1及び第2のスカラーによって近似される、
請求項7に記載の方法。 - 前記少なくとも1つのモデル・パラメータは、前記MOSFETのキャリア移動度、前記MOSFETの閾値電圧、前記MOSFETのチャネル内の応力、前記MOSFETのチャネル内の歪み、前記MOSFETのオン電流、前記MOSFETのオフ電流、及び前記MOSFETの実効電流から成る群から選択される少なくとも1つの物理量を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのモデル・パラメータは前記MOSFETのキャリア移動度である、請求項9に記載の方法。
- 前記第1のモデルMOSFETの前記少なくとも1つの固有寸法は、数学的意味において前記第1のモデル半導体デバイスの長さ及び幅を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1のデータセットの前記再フィッティングは、長さが変化する前記第1のモデルMOSFETに対して実行される、請求項11に記載の方法。
- 少なくとも1つの応力生成成分又は少なくとも1つの応力伝達成分を有する半導体デバイスをモデリングするためのシステムであって、
寸法スケーリング・マクロからの第1のデータセットをベース・モデルにフィッティングするための第1のフィッティング手段であって、第1のモデル半導体デバイスの少なくとも1つの固有寸法が前記寸法スケーリング・マクロ内で変化し、前記ベース・モデルは少なくとも1つのモデル・パラメータを計算する機能を有する、第1のフィッティング手段と、
レイアウト依存マクロからの第1のデータセットを原の応力モデルにフィッティングするための第2のフィッティング手段であって、種々の形状寸法を有する少なくとも1つの形状クラスのインスタンスが前記レイアウト依存マクロ内の第2のモデル半導体デバイスの周りに存在し、前記原の応力モデルは前記少なくとも1つのモデル・パラメータを計算する機能を有する、第2のフィッティング手段と、
前記少なくとも1つのモデル・パラメータを前記第1のデータセットに再フィッティングして再フィッティング応力モデルを生成する、第3のフィッティング手段と
を備えるシステム。 - 前記少なくとも1つのモデル・パラメータを前記第1のデータセットに前記フィッティングするステップ中に、少なくとも1つの応力オフセットを計算する計算手段をさらに備える、請求項13に記載のシステム。
- 前記再フィッティング応力モデルには、縦方向のチャネル応力である第1のスカラー、及び横方向のチャネル応力である第2のスカラーが用いられ、
前記MOSFET内の3次元応力場の効果は前記第1及び第2のスカラーによって近似される、
請求項13に記載のシステム。 - 前記少なくとも1つのモデル・パラメータに関する少なくとも1つの固有変数の定数、1次及び2次係数が、前記第1のデータセットの前記再フィッティングにより計算される、請求項13に記載のシステム。
- 前記半導体デバイス、前記第1のモデル半導体デバイス、及び前記第2のモデル半導体デバイスは、それぞれ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、第1のモデルMOSFET、及び第2のモデルMOSFETである、請求項13に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つのモデル・パラメータは、前記MOSFETのキャリア移動度、前記MOSFETの閾値電圧、前記MOSFETのチャネル内の応力、前記MOSFETのチャネル内の歪み、前記MOSFETのオン電流、前記MOSFETのオフ電流、及び前記MOSFETの実効電流から成る群から選択される少なくとも1つの物理量を含む、請求項17に記載のシステム。
- 半導体回路動作をシミュレートするためのシステムであって、
半導体回路のレイアウト依存情報をレイアウト・データセットから抽出する抽出手段と、
前記レイアウト依存情報を受け取り、前記半導体回路の性能をモデリングするのに用いるための前記半導体回路内の半導体デバイスの少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータ値を生成する、コンパクト・モデルと
を備え、
前記少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータ値は、原の応力モデルを寸法スケーリング・マクロからの第1のデータセットに再フィッティングすることによって生成される再フィッティング応力モデルから生成され、
前記再フィッティング応力モデルは寸法依存応力オフセット関数に依存し、
前記寸法依存応力オフセット関数は、応力をレイアウト依存マクロからの第1のデータセットからのモデル・パラメータの測定値にフィッティングすることによって生成される、
システム。 - m’(L,G)=P(L,G)/Pf{σ(L,0)}の数学形を有する変形乗数関数m’(L,G)を計算する手段を更に含み、
ここでLは前記半導体デバイスの少なくとも1つの固有寸法のセットであり、Gは形状パラメータのセットであり、P(L,G)はモデル・パラメータに関する寸法及びジオメトリ依存の式であり、σ(L,0)は前記第1のモデル半導体デバイスに加わる応力に関する寸法依存の式であり、Pf{σ(L,0)}は再フィッティング応力モデルにおける前記モデル・パラメータに関する応力依存の式である、
請求項19に記載のシステム。 - 前記半導体デバイスはMOSFETであり、前記再フィッティング応力モデルには、縦方向のチャネル応力である第1のスカラー、及び横方向のチャネル応力である第2のスカラーが用いられ、
前記MOSFET内の3次元応力場の効果は前記第1及び第2のスカラーによって近似される、
請求項19に記載のシステム。 - 前記半導体デバイスはMOSFETであり、
前記少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータは、前記MOSFETのキャリア移動度、前記MOSFETの閾値電圧、前記MOSFETのチャネル内の応力、前記MOSFETのチャネル内の歪み、前記MOSFETのオン電流、前記MOSFETのオフ電流、及び前記MOSFETの実効電流から成る群から選択される少なくとも1つの物理量を含む、
請求項19に記載の方法。 - 前記再フィッティング応力モデルには、縦応力成分及び横応力成分が用いられ、
前記縦応力成分及び前記横応力成分の両方の方向は、半導体基板の表面を表す平面内にあり、互いに直交する、
請求項19に記載のシステム。 - 前記少なくとも1つのモデル・パラメータに関する少なくとも1つの固有変数の定数、1次及び2次係数が、前記第1のデータセットの前記再フィッティングにより計算される、請求項23に記載のシステム。
- 半導体回路の設計を最適化するためのシステムであって、
前記半導体回路のレイアウト依存情報をレイアウト・データセットから抽出する抽出手段と、
前記レイアウト依存情報を受け取り、前記半導体回路をシミュレートするためのコンパクト・モデルであって、再フィッティング応力モデルが少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータ値を生成し、前記再フィッティング応力モデルは、原の応力モデルを寸法スケーリング・マクロからの第1のデータセットに再フィッティングすることによって生成され、寸法依存応力オフセット関数に依存し、前記寸法依存応力オフセット関数は、応力をレイアウト依存マクロからの第1のデータセットからのモデル・パラメータの測定値にフィッティングすることによって生成される、コンパクト・モデルと、
前記半導体回路の性能目標が満たされるかどうかを判断し、性能目標が満たされない場合に、前記性能目標が満たされない原因の診断を生成する回路性能評価手段と
を備えるシステム。 - 前記レイアウト・データセットは、前記性能目標が満たされない場合に、さらなるシミュレーションのために修正することができ、前記半導体回路の前記性能目標が達成されるか又はシミュレーションの結果がシミュレーションを停止するためのプリセット条件を満たすまで、もう1回りのシミュレーション手順が実行される、請求項25に記載のシステム。
- 前記再フィッティング応力モデルには、縦応力成分及び横応力成分が用いられ、前記再フィッティング応力モデルは、前記第1のデータセットの前記再フィッティングにより、前記少なくとも1つのモデル・パラメータに関する少なくとも1つの固有変数の定数、1次及び2次係数を与える、請求項25に記載のシステム。
- 前記半導体回路はMOSFETを含み、
前記少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータ値は、前記MOSFETのキャリア移動度、前記MOSFETの閾値電圧、前記MOSFETのチャネル内の応力、前記MOSFETのチャネル内の歪み、前記MOSFETのオン電流、前記MOSFETのオフ電流、及び前記MOSFETの実効電流から成る群から選択される少なくとも1つの物理量を表す、
請求項25に記載のシステム。 - 前記半導体回路はMOSFETを含み、
前記再フィッティング応力モデルには、縦方向のチャネル応力である第1のスカラー、及び横方向のチャネル応力である第2のスカラーが用いられ、
前記MOSFET内の3次元応力場の効果は前記第1及び第2のスカラーによって近似される、
請求項25に記載のシステム。 - 前記再フィッティング応力モデルは、前記少なくとも1つの応力依存モデル・パラメータに関する縦応力成分及び横応力成分の計算された定数、1次及び2次応力項係数を与える、
請求項25に記載のシステム。
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