JP2010525613A - 有機光電池 - Google Patents
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Abstract
Description
一態様では、本発明は、第1の電極および第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間の光活性層と、第1の電極と光活性層との間の第2の層とを備える物品である。第2の層は、含窒素化合物、含リン化合物、含硫黄化合物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む。この物品は、光電セルとして構成されている。
幾つかの実施形態では、第2の層または第3の層はホールブロック層である。
幾つかの実施形態では、化合物は含窒素化合物である。一定の実施形態では、含窒素化合物は1つ以上のアミノ基を含み、そのアミノ基は、1級アミノ基、2級アミノ基、または3級アミノ基を含むことが可能である。例えば、アミノ基は、NH2またはN(CH3)2を含む。
一部の実施形態では、前記化合物はR1N(R2R3)であり、R1、R2、およびR3は各々独立に、H、C1〜C20のアルキル、C1〜C20のアルコキシ、アリール、ヘテロアリール、C3〜C20のシクロアルキル、またはC3〜C20のヘテロシクロアルキルであるか、あるいはR1およびR2、R2およびR3、またはR1およびR3は、それらの結合した窒素原子と共にヘテロアリールまたはC3〜C20のヘテロシクロアルキルをなす。一定の実施形態では、R1は、Si(OR)3またはNH(R)で置換され
たC1〜C20アルキルであるか、COOHまたはSHで置換されたアリールであり、各Rは独立にC1〜C20アルキルである。例えば、この化合物は、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、(3−トリメトキシシリルプロピル)ジエチレントリアミン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジメチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、4−ジメチルアミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸、または4−アミノチオフェノールであってよい。
幾つかの実施形態では、化合物のうちの少なくとも一部の分子は第1の電極の表面へ吸着されている。
幾つかの実施形態では、光活性層は電子供与性材料および電子受容性材料を含む。
に含む。ホールブロック層は、LiF、金属酸化物およびそれらの組み合わせから選択された材料を含んでよい。
一部の実施形態では、このシステムは、第1の光活性層と第2の光活性層との間の再結合層をさらに含む。再結合層は、p型半導体材料およびn型半導体材料を含むことが可能である。一定の実施形態では、p型半導体材料およびn型半導体材料は、1つの層へと混合される。
幾つかの実施形態では、再結合層は、p型半導体材料を含む1つの層と、n型半導体材料を含む別の層との2つの層を含む一定の実施形態では、n型半導体材料を含む層は、第1の光活性層とp型半導体材料を含む層との間にある。n型半導体材料は、チタン酸化物、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される酸化物など、金属酸化物を含むことが可能である。一定の実施形態では、このシステムは、第1の光活性層とn型半導体材料を含む層との間の第4の層をさらに含み、第4の層は、含窒素化合物、含リン化合物、含硫黄化合物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される第2の化合物を含む。
実施形態では、次の利点のうちの1つ以上が提供されることが可能である。
一部の実施形態では、上述の化合物は、光活性層および電極とオーム接触を形成することが可能である。したがって、それらの化合物をホールブロック材料として用いると、光活性層とのオーム接触を自身では形成しない電極(例えば、インジウムスズ酸化物、銀もしくは金など仕事関数の大きな金属、またはチタン酸化物など仕事関数の小さな金属酸化物)の使用が可能となる。特に、そのようなホールブロック材料がチタン酸化物と組み合わせて用いられるとき、光活性層とのオーム接触をなさせるべくチタン酸化物をUV光に暴露する必要がないので、UV光への暴露による損傷が低減される。
図1には、光電セル100の断面図を示す。光電セル100は、基板110、電極120、ホールキャリア層130、光活性層140(例えば、電子受容性材料および電子供与性材料を含有する)、中間層150、電極160、および基板170を備える。
子を生じさせる。続いて、電子受容性材料によって、電子は中間層150を通じて電極360へと伝達され、電子供与性材料によって、ホールはホールキャリア層130を通じて電極120へと輸送される。電極160,120は、電極160から負荷を通じて電極120へと電子が流れるように、外部の負荷を介して電気的に接続されている。
3〜20個の炭素原子(例えば、3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20個の炭素原子)とを含む。ヘテロシクロアルキル部位の例には、4−テトラヒドロピラニルおよび4−ピラニルが含まれる。アリールは1つ以上の芳香環を含んでよい。アリール部位の例には、フェニル、フェニレン、ナフチル、ナフチレン、ピレニル、フルオレニル、アントリル、およびフェナントリルが含まれる。ヘテロアリールは1つ以上の芳香環を含んでよく、この環のうちの1つ以上は1つ以上の環ヘテロ原子(例えば、O,N,S)を含む。ヘテロアリール部位の例には、フリル、フリレン、ピロリル、チエニル、オキサゾールイル、イミダゾールイル、チアゾールイル、ピリジル、ピリミジニル、キナゾリニル、キノリル、イソキノリル、およびインドールイルが含まれる。
例えば、電極160)の表面へ吸着されている。例えば、この吸着はその分子上の基(例えば、アルコキシシリル基またはカルボン酸基)と電極160(例えば、インジウムスズ酸化物電極またはTiO2のコーティングされたインジウムスズ酸化物電極)の表面上の基(例えばヒドロキシル基)との間の化学反応を介して発生し得る。理論によって拘束されるものではないが、この吸着によって中間層150とその近隣の層との間の接着が改良されると考えられる。
を形成可能な代表的な材料には、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテルおよびポリエーテルケトンが含まれる。一定の実施形態では、ポリマーはフッ素化ポリマーであってよい。一部の実施形態では、ポリマー材料の組み合わせが用いられる。一定の実施態様では、基板110において、異なる領域は異なる材料から形成され得る。
ラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタレン、およびそれらの共重合体が含まれる。層130に用いられる市販のポリマーの例は、チオフェンポリマーのAir Products(登録商標)HILファミリーおよびチオフェンポリマーのH.C.Starck Baytron(登録商標)ファミリーを含む。幾つかの実施形態では、層130はポリマー用のドーパントも含むことが可能である。例えば、ドーパントはポリ(スチレンスルホナート)、(ポリスチレンスルホン酸)、またはスルホン化したテトラフルオロエチレン(tetrafluorethylene)を含む。幾つかの実施態様では、ホールキャリア層130には、ホールキャリア材料の組合せが含まれ得る。
電子受容性材料の例には、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、電子を受容可能な部位もしくは安定なアニオンを形成可能な部位を含むポリマー(例えば、CN基含有ポリマーまたはCF3基含有ポリマー)、およびそれらの組み合わせが含まれる。一部の実施態様では、電子受容性材料は置換フラーレン(例えば、PCBM)である。一部の実施形態では、光活性層140において複数の電子受容性材料の組み合わせが用いられてよい。
のフルオレン部位、化学式(20)のシロール部位、化学式(21)のシクロペンタジチオフェン部位、化学式(22)のフルオレノン部位、化学式(23)のチアゾール部位、化学式(24)のセレノフェン部位、化学式(25)のチアゾロチアゾール部位、化学式(26)のシクロペンタジチアゾール部位、化学式(27)のナフトチアジアゾール部位、化学式(28)のチエノピラジン部位、化学式(29)のシラシクロペンタジチオフェン部位、化学式(30)のオキサゾール部位、化学式(31)のイミダゾール部位、化学式(32)のピリミジン部位、化学式(33)のベンゾオキサゾール部位、または化学式(34)のベンゾイミダゾール部位を含むことが可能である、
ヘテロアリール、C3〜C20のシクロアルキル、またはC3〜C20のヘテロシクロアルキルである。一部の実施形態では、第2のコモノマー繰返し単位は、化学式(2)のベンゾチアジアゾール部位を含んでよく、R5,R6の各々はHである。
マーと、2つのハロ基を含む1つ以上のコモノマーとの間のクロスカップリング反応によって調製可能である。コモノマーは、米国特許出願第11/486,536号明細書、コッポ(Coppo)らによる、Macromolecules,2003年、第36巻、p.2705−2711、およびカート(Kurt)らによる、J.Heterocycl.Chem.、1970年、第6巻、p.629に記載されているものなど、当技術において知られている方法によって調製可能である。その内容を引用によって本明細書に援用する。
一般に、上記のホールキャリア層130、光活性層140、中間層150、および随意のホールブロック層の各々は、液体ベースのコーティング処理によって調製可能である。本明細書において言及する用語「液体ベースのコーティング処理」は、液体ベースのコーティング組成物を用いる処理を表す。液体ベースのコーティング組成物の例には、溶液、分散液または懸濁液が含まれる。液体ベースのコーティング組成物の濃度は、一般に所望の通りに調整されてよい。幾つかの実施形態では、濃度は、所望のコーティング組成物の粘度または所望のコーティングの厚みを得るように調整されてよい。
2050℃以上、または約300℃以上)で実行されてもよい。温度は、用いられるコーティング処理およびコーティング組成物など、様々な因子に応じて調整されてよい。例えば、無機ナノ粒子を含む層を調製する場合、ナノ粒子を高温(例えば、約300℃以上)で焼結させ、相互接続されたナノ粒子を形成することが可能である。一方、ポリマーのリンク剤(例えば、ポリ(チタン酸−n−ブチル))が無機ナノ粒子に添加される場合、焼結処理は低温(例えば、約300℃未満)で実行されてよい。
ール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタレン、ポリシクロペンタジチオフェン、ポリシラシクロペンタジチオフェン、ポリシクロペンタジチアゾール、ポリチアゾロチアゾール、ポリチアゾール、ポリベンゾチアジアゾール、ポリ(チオフェンオキシド)、ポリ(シクロペンタジチオフェンオキシド)、ポリチアジアゾロキノキサリン、ポリベンゾイソチアゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリチエノチオフェン、ポリ(チエノチオフェンオキシド)、ポリジチエノチオフェン、ポリ(ジチエノチオフェンオキシド)、ポリテトラヒドロイソインドールおよびそれらの共重合体が含まれる。金属酸化物は、本質的なp型半導体(例えば、銅酸化物、ストロンチウム銅酸化物、もしくはストロンチウムチタン酸化物)であってもよく、またはドーパントによるドーピング後にp型半導体を形成する金属酸化物(例えば、pドープした亜鉛酸化物もしくはpドープしたチタン酸化物)であってもよい。ドーパントの例には、フッ化物、塩化物、臭化物および沃化物の塩または酸が含まれる。一部の実施形態では、金属酸化物はナノ粒子の形態で用いられてよい。
2つの準セル(例えば、一方は、電極220、ホールキャリア層230、光活性層240、および再結合層242を含み、他方は、再結合層242、光活性層244、中間層250、および電極260を含む)の間の共通の電極と見なすことができると考えられる。一部の実施形態では、再結合層242は、上述のものなど、導電性メッシュ材料を含んでよい。導電性メッシュ材料は、準セルに同じ極性(p型またはn型)の選択的な接点を提供し、負荷へ電子を移動させるため、導電性が高く透明な層を提供することが可能である。
接続されるとき、2個の準セルを有するタンデム型セルは、次の層、すなわち、第1のカソード、第1のホールキャリア層、第1の光活性層、第1のホールブロック層(アノードとして機能することが可能である)、第2のホールブロック層(アノードとして機能することが可能である)、第2の光活性層、第2のホールキャリア層および第2のカソードを含むことが可能である。そのような実施形態では、第1および第2のホールブロック層は、2つの別個の層であってもよく、1つの単一の層であってもよい。第1のおよび第2のホールブロック層の伝導率が充分でない場合、必要な伝導率を提供する追加の層(例えば、導電性メッシュ層)が挿入されてもよい。
幾つかの実施形態では、光電セル100は下部電極としてのカソードと、上部電極としてのアノードとを含む。また、幾つかの実施形態では、光電セル100は下部電極としてのアノードと、上部電極としてのカソードとを含む。
以下の実施例は例示であって、限定を意図したものではない。
ITOのコーティングされたガラス基板を、アセトン、イソプロパノール中で、それぞれ超音波処理することによって、洗浄した。この基板を、次いで、UV/オゾンで処理した。次いで、2−メトキシエタノール溶液から、3−(2−アミノエチル)アミノプロピ
ルトリメトキシシラン(AEAP−TMOS)の薄層をブレードコートした。このようにして形成した膜を、ホットプレート上で乾燥させた。この膜の上にo−キシレン中のP3HTおよびC61−PCBMの半導体ブレンドをブレードコートし、乾燥させた。この半導体ブレンドの上に、PEDOT(0.2wt% DYNOL界面活性剤を含むBAYTRON PH)の層をブレードコートした。次いで、このデバイスをグローブボックス中でアニールし、続いて上部金属電極(100nm)として銀を蒸着させ、光電セルを形成した。AEAP−TMOSを用いなかったこと以外は同じようにして、別の光電セルを調製した。
ITOのコーティングされたガラス基板を、イソプロパノール中で、それぞれ超音波処理することによって、洗浄した。次いで、イソプロパノール溶液から、ポリエチレンイミンおよびグリセロールプロポキシラートトリグリシジルエーテル(GPTGE)の薄層をブレードコートした。このようにして形成した膜を、ホットプレート上で硬化させた。この膜の上にo−キシレン中のP3HTおよびC61−PCBMの半導体ブレンドをブレードコートし、乾燥させた。この半導体ブレンドの上に、PEDOT(BAYTRON PH)のホール注入層をブレードコートした。次いで、このデバイスをグローブボックス中でアニールし、続いて上部金属電極として銀を蒸着させ、光電セルを形成した。
Claims (80)
- 第1の電極および第2の電極と、
第1の電極と第2の電極との間の光活性層と、
第1の電極と光活性層との間の第2の層と、第2の層は、含窒素化合物、含リン化合物、含硫黄化合物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含むことと、
を含む、光電セルとして構成されている物品。 - 第2の層はホールブロック層である、請求項1に記載の物品。
- 前記化合物は含窒素化合物である請求項1に記載の物品。
- 前記含窒素化合物は1つ以上のアミノ基を含む請求項3に記載の物品。
- 前記アミノ基は、1級アミノ基、2級アミノ基、または3級アミノ基を含む請求項4に記載の物品。
- 前記アミノ基は、NH2またはN(CH3)2を含む請求項5に記載の物品。
- 前記化合物は、アルコキシルシリル基、クロロシリル基、カルボン酸基、塩化カルボニル基、ホスホン酸基、塩化ホスホリル基、またはチオール基を含む請求項4に記載の物品。
- 前記化合物はR1N(R2R3)であり、R1、R2、およびR3が各々独立に、H、C1〜C20のアルキル、C1〜C20のアルコキシ、アリール、ヘテロアリール、C3〜C20のシクロアルキル、またはC3〜C20のヘテロシクロアルキルであるか、R1およびR2、R2およびR3、またはR1およびR3が、それらの結合した窒素原子と共にヘテロアリールまたはC3〜C20のヘテロシクロアルキルをなす、請求項3に記載の物品。
- R1は、Si(OR)3またはNH(R)で置換されたC1〜C20アルキルであるか、COOHまたはSHで置換されたアリールであり、各Rは独立にC1〜C20アルキルである、請求項8に記載の物品。
- 前記化合物は、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、(3−トリメトキシシリルプロピル)ジエチレントリアミン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジメチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、4−ジメチルアミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸、または4−アミノチオフェノールである請求項3に記載の物品。
- 前記化合物のうちの少なくとも一部の分子は架橋している請求項1に記載の物品。
- 前記化合物のうちの少なくとも一部の分子は第1の電極の表面へ吸着されている請求項1に記載の物品。
- 前記化合物はポリマーである請求項1に記載の物品。
- 前記ポリマーはポリアミンである請求項13に記載の物品。
- 前記ポリマーはポリエチレンイミンである請求項14に記載の物品。
- 前記ポリマーのうちの少なくとも一部の分子は架橋剤によって架橋されている請求項13に記載の物品。
- 架橋剤は含エポキシ化合物を含む請求項16に記載の物品。
- 架橋剤はグリセロールプロポキシラートトリグリシジルエーテルまたはグリセロールジグリシジルエーテルを含む請求項17に記載の物品。
- 第2の層の厚さは約50nm以下である請求項1に記載の物品。
- 第2の層の厚さは約30nm以下である請求項1に記載の物品。
- 第2の層の厚さは約10nm以下である請求項1に記載の物品。
- 光活性層は電子供与性材料および電子受容性材料を含む請求項1に記載の物品。
- 電子供与性材料はポリマーを含む請求項22に記載の物品。
- 前記ポリマーは、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタレン、ポリシクロペンタジチオフェン、ポリシラシクロペンタジチオフェン、ポリシクロペンタジチアゾール、ポリチアゾロチアゾール、ポリチアゾール、ポリベンゾチアジアゾール、ポリ(チオフェンオキシド)、ポリ(シクロペンタジチオフェンオキシド)、ポリチアジアゾロキノキサリン、ポリベンゾイソチアゾール、ポリベンゾチアゾール、ポリチエノチオフェン、ポリ(チエノチオフェンオキシド)、ポリジチエノチオフェン、ポリ(ジチエノチオフェンオキシド)、ポリテトラヒドロイソインドール、およびそれらの共重合体からなる群から選択される請求項23に記載の物品。
- 電子供与性材料は、ポリチオフェン、ポリシクロペンタジチオフェン、およびそれらの共重合体からなる群から選択されるポリマーを含む請求項24に記載の物品。
- 電子供与性材料は、ポリ(3ヘキシルチオフェン)またはポリ(シクロペンタジチオフェン−ベンゾチアジアゾール)共重合体を含む請求項25に記載の物品。
- 電子受容性材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーおよびそれらの組み合わせから選択される材料を含む請求項22に記載の物品。
- 電子受容性材料は置換フラーレンを含む請求項27に記載の物品。
- 置換フラーレンは、C61−PCBMまたはC71−PCBMを含む請求項28に記載の物品。
- 第2の電極と光活性層との間のホールキャリア層をさらに含む請求項1に記載の物品。
- ホールキャリア層はポリマーを含む請求項30に記載の物品。
- 前記ポリマーは、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリカルバゾール、ポリビニルカル
バゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタレンおよびそれらの共重合体からなる群から選択される請求項31に記載の物品。 - 前記ポリマーは、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を含む請求項32に記載の物品。
- 第2の層と第1の電極との間のホールブロック層をさらに含む請求項1に記載の物品。
- ホールブロック層は、LiF、金属酸化物、およびそれらの組み合わせから選択される材料を含む請求項34に記載の物品。
- 前記化合物は含リン化合物である請求項1に記載の物品。
- 前記化合物は含硫黄化合物である請求項1に記載の物品。
- 第1の電極および第2の電極と、
第1の電極と第2の電極との間の、第1の光活性層および第2の光活性層と、
第1の電極と第2の電極との間の第3の層と、第3の層は、含窒素化合物、含リン化合物、含硫黄化合物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される第1の化合物を含むことと、
を含む、光電システムとして構成されているシステム。 - 第3の層はホールブロック層である請求項38に記載のシステム。
- 第1の化合物は含窒素化合物である請求項38に記載のシステム。
- 前記含窒素化合物は1つ以上のアミノ基を含む請求項40に記載のシステム。
- 前記アミノ基は、1級アミノ基、2級アミノ基、または3級アミノ基を含む請求項41に記載のシステム。
- 前記アミノ基は、NH2またはN(CH3)2を含む請求項42に記載のシステム。
- 第1の化合物は、アルコキシルシリル基、クロロシリル基、カルボン酸基、塩化カルボニル基、ホスホン酸基、塩化ホスホリル基、またはチオール基を含む請求項41に記載のシステム。
- 第1の化合物はR1N(R2R3)であり、R1、R2、およびR3が各々独立に、H、C1〜C20のアルキル、C1〜C20のアルコキシ、アリール、ヘテロアリール、C3〜C20のシクロアルキル、またはC3〜C20のヘテロシクロアルキルであるか、R1およびR2、R2およびR3、またはR1およびR3が、それらの結合した窒素原子と共にヘテロアリールまたはC3〜C20のヘテロシクロアルキルをなす、請求項40に記載のシステム。
- R1は、Si(OR)3またはNH(R)で置換されたC1〜C20アルキルであるか、COOHまたはSHで置換されたアリールであり、各Rは独立にC1〜C20アルキルである、請求項45に記載のシステム。
- 第1の化合物は、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、(3
−トリメトキシシリルプロピル)ジエチレントリアミン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジメチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、4−ジメチルアミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸、または4−アミノチオフェノールである請求項40に記載のシステム。 - 第1の化合物のうちの少なくとも一部の分子は架橋している請求項38に記載のシステム。
- 第1の化合物のうちの少なくとも一部の分子は第1の電極および第2の電極のうちの一方の表面へ吸着されている請求項38に記載のシステム。
- 第1の化合物はポリマーである請求項38に記載のシステム。
- 前記ポリマーはポリアミンである請求項50に記載のシステム。
- 前記ポリマーはポリエチレンイミンである請求項51に記載のシステム。
- 前記ポリマーのうちの少なくとも一部の分子は架橋剤によって架橋されている請求項50に記載のシステム。
- 架橋剤は含エポキシ化合物を含む請求項53に記載のシステム。
- 架橋剤はグリセロールプロポキシラートトリグリシジルエーテルまたはグリセロールジグリシジルエーテルを含む請求項54に記載のシステム。
- 第3の層の厚さは約50nm以下である請求項38に記載のシステム。
- 第3の層の厚さは約30nm以下である請求項38に記載のシステム。
- 第3の層の厚さは約10nm以下である請求項38に記載のシステム。
- 第1の光活性層は第1のバンドギャップを有し、第2の光活性層は第1のバンドギャップと異なる第2のバンドギャップを有する請求項38に記載のシステム。
- 第1の光活性層と第2の光活性層との間の再結合層をさらに含む請求項38に記載のシステム。
- 再結合層はp型半導体材料およびn型半導体材料を含む請求項60に記載のシステム。
- p型半導体材料およびn型半導体材料は1つの層へ混合される請求項61に記載のシステム。
- 再結合層は、p型半導体材料を含む1つの層と、n型半導体材料を含む別の層との2つの層を含む請求項61に記載のシステム。
- n型半導体材料を含む前記層は、第1の光活性層とp型半導体材料を含む前記層との間にある請求項63に記載のシステム。
- n型半導体材料は金属酸化物を含む請求項64に記載のシステム。
- 前記金属酸化物は、チタン酸化物、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される酸化物を含む請求項65に記載のシステム。
- 第1の光活性層とn型半導体材料を含む前記層との間の第4の層をさらに含み、第4の層は、含窒素化合物、含リン化合物、含硫黄化合物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される第2の化合物を含む、請求項65に記載のシステム。
- 第1の光活性層は第1の電極と再結合層との間にある請求項67に記載のシステム。
- 第3の層は第2の光活性層と第2の電極との間にある請求項68に記載のシステム。
- 第1の光活性層と第1の電極との間のホールキャリア層をさらに含む請求項69に記載のシステム。
- 第3の層と第2の電極との間のホールブロック層をさらに含む請求項70に記載のシステム。
- 再結合層は、p型半導体材料を含む1つの層と、含窒素化合物、含リン化合物、含硫黄化合物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される第2の化合物を含む別の層との2つの層を含む請求項60に記載のシステム。
- 第1の光活性層は第1の電極と再結合層との間にある請求項72に記載のシステム。
- 第2の化合物を含む前記層は、第1の光活性層とp型半導体材料を含む前記層との間に配置されている請求項73に記載のシステム。
- 第3の層は第2の光活性層と第2の電極との間にある請求項74に記載のシステム。
- 第1の光活性層と第1の電極との間のホールキャリア層をさらに含む請求項75に記載のシステム。
- 第3の層と第2の電極との間のホールブロック層をさらに含む請求項76に記載のシステム。
- システムはタンデム型の光電セルを含む請求項38に記載のシステム。
- 第1の化合物は含リン化合物である請求項38に記載のシステム。
- 第1の化合物は含硫黄化合物である請求項38に記載のシステム。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028688A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機薄膜太陽電池用材料及びそれを用いた有機薄膜太陽電池 |
JP2013082787A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 高分子化合物及びそれを用いた電子素子 |
JP2014027174A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子、太陽電池モジュール、及び光電変換素子の製造方法 |
JP2014049506A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機薄膜太陽電池素子の製造方法 |
JP2014513443A (ja) * | 2011-05-09 | 2014-05-29 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 多接合型光電池 |
JP2015012114A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JPWO2014002266A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-05-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
JPWO2014002257A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-05-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
WO2016181962A1 (ja) * | 2015-05-12 | 2016-11-17 | 住友化学株式会社 | 有機光電変換素子 |
JPWO2015159755A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2017-04-13 | 東レ株式会社 | 光起電力素子 |
JP2017098372A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 株式会社リコー | 光電変換素子及び太陽電池 |
JP2017143150A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
JP2017206479A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | 株式会社リコー | 有機材料および光電変換素子 |
JP2019140325A (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 国立大学法人山形大学 | 有機el素子 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8158881B2 (en) * | 2005-07-14 | 2012-04-17 | Konarka Technologies, Inc. | Tandem photovoltaic cells |
US7781673B2 (en) * | 2005-07-14 | 2010-08-24 | Konarka Technologies, Inc. | Polymers with low band gaps and high charge mobility |
US20080006324A1 (en) * | 2005-07-14 | 2008-01-10 | Konarka Technologies, Inc. | Tandem Photovoltaic Cells |
US20070181179A1 (en) | 2005-12-21 | 2007-08-09 | Konarka Technologies, Inc. | Tandem photovoltaic cells |
US8008424B2 (en) * | 2006-10-11 | 2011-08-30 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer |
US8008421B2 (en) * | 2006-10-11 | 2011-08-30 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cell with silole-containing polymer |
EP2258007A2 (en) * | 2008-02-21 | 2010-12-08 | Konarka Technologies, Inc. | Tandem photovoltaic cells |
EP2313926B1 (en) | 2008-07-16 | 2019-06-12 | Merck Patent GmbH | Methods of preparing photovoltaic modules |
US8455606B2 (en) | 2008-08-07 | 2013-06-04 | Merck Patent Gmbh | Photoactive polymers |
WO2010059498A2 (en) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Konarka Technologies, Inc. | Dye sensitized photovoltaic cell |
WO2010083161A1 (en) | 2009-01-13 | 2010-07-22 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic module |
US20100224252A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic Cell Having Multiple Electron Donors |
WO2010107795A1 (en) | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Konarka Technologies, Inc. | Metal substrate for a dye sensitized photovoltaic cell |
US20110303293A1 (en) * | 2009-03-17 | 2011-12-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Composition and device using same |
KR101038469B1 (ko) * | 2009-04-13 | 2011-06-01 | 광주과학기술원 | 고분자 전해질층을 이용한 적층형 유기태양전지 및 그 제조방법 |
JP5847075B2 (ja) | 2009-04-22 | 2016-01-20 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | プリント有機フォトダイオードアレイを備えるイメージング測定システム |
WO2010138414A1 (en) | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Konarka Technologies, Inc. | Reflective multilayer electrode |
JP5648380B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2015-01-07 | 三菱化学株式会社 | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法、並びに太陽電池 |
EP3134458B1 (en) | 2010-01-05 | 2023-11-01 | Raynergy Tek Inc. | Photovoltaic cell with benzodithiophene-containing polymer |
JP2013522879A (ja) | 2010-03-09 | 2013-06-13 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 緩衝層を備える光起電力モジュール |
KR101744904B1 (ko) * | 2010-03-22 | 2017-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점-블록공중합체 하이브리드 및 이의 제조 방법과 분산 방법, 그리고 양자점 블록공중합체 하이브리드를 포함하는 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
JP2013524536A (ja) * | 2010-04-06 | 2013-06-17 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 新規な電極 |
JP5633184B2 (ja) * | 2010-05-12 | 2014-12-03 | 三菱化学株式会社 | 光電変換素子 |
WO2011160021A2 (en) | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Konarka Technologies, Inc. | Fullerene derivatives |
KR101415822B1 (ko) * | 2010-06-29 | 2014-07-09 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
JP2013542585A (ja) | 2010-09-02 | 2013-11-21 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 新規な光活性ポリマーを含む太陽電池 |
US8778724B2 (en) * | 2010-09-24 | 2014-07-15 | Ut-Battelle, Llc | High volume method of making low-cost, lightweight solar materials |
JP5644415B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2014-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | 有機光電変換素子、およびそれを用いた有機太陽電池 |
JP2014507816A (ja) * | 2011-03-08 | 2014-03-27 | ユニヴァーシティ オブ サウス フロリダ | 微小電気機械システム用逆型有機太陽電池マイクロアレイ |
US20120234392A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
WO2012149189A2 (en) | 2011-04-28 | 2012-11-01 | Konarka Technologies, Inc. | Novel photoactive polymers |
EP2710611B1 (en) * | 2011-05-16 | 2019-03-20 | Georgia Tech Research Corporation | Method for producing low work function electrodes and low work function electrode |
US9203030B2 (en) * | 2011-05-16 | 2015-12-01 | Georgia Tech Research Corporation | Recyclable organic solar cells on substrates comprising cellulose nanocrystals (CNC) |
CN103782407B (zh) * | 2011-09-08 | 2016-07-27 | 富士通株式会社 | 光电转换元件及其制造方法 |
JP6090166B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2017-03-08 | コニカミノルタ株式会社 | 有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 |
KR20150003181A (ko) * | 2012-03-14 | 2015-01-08 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 실리콘 태양광발전을 위한 정공 차단 실리콘/티탄 산화물 헤테로접합 |
US20130263925A1 (en) | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Merck Patent Gmbh | Hole Carrier Layer For Organic Photovoltaic Device |
CN103311439B (zh) * | 2013-05-17 | 2015-07-15 | 中国科学院化学研究所 | 薄膜光电导探测器及其制备方法与应用 |
US9293632B2 (en) * | 2013-09-18 | 2016-03-22 | Globalfoundries Inc. | Pressure transfer process for thin film solar cell fabrication |
US20160329510A1 (en) * | 2013-12-26 | 2016-11-10 | Merck Patent Gmbh | Photovoltaic cells |
JP6114710B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2017-04-12 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池 |
US10686134B2 (en) * | 2016-01-28 | 2020-06-16 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element |
DK3484528T3 (da) | 2016-07-18 | 2021-02-15 | Janssen Pharmaceutica Nv | Tau-pet-billeddannelsesligander |
AT519193A1 (de) * | 2016-09-01 | 2018-04-15 | Univ Linz | Optoelektronischer Infrarotsensor |
WO2018065352A1 (en) | 2016-10-05 | 2018-04-12 | Merck Patent Gmbh | Organic photodetector |
WO2018078642A1 (en) | 2016-10-24 | 2018-05-03 | Indian Institute Of Technology, Guwahati | A microfluidic electrical energy harvester |
US20210402206A1 (en) * | 2018-10-26 | 2021-12-30 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Organic electric field light-emitting sheet for use in light cosmetology or light therapy |
CN112390947B (zh) * | 2019-08-16 | 2023-04-28 | 位速科技股份有限公司 | 电极界面层材料、两性离子聚合物和有机光伏元件 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11335651A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Nippon Nsc Ltd | 水系接着剤組成物 |
JP2004250522A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Kawamura Inst Of Chem Res | 重合体、重合体の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、および有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送層の製造方法 |
JP2005236794A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | デジタルカメラ |
JP2005235794A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Kyoto Univ | グラフト薄膜を用いた光電素子及び太陽電池 |
WO2005109539A1 (de) * | 2004-05-03 | 2005-11-17 | Merck Patent Gmbh | Elektronische vorrichtungen enthaltend organische halbleiter |
JP2006527490A (ja) * | 2003-06-12 | 2006-11-30 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 共有する有機電極を備えたタンデム型太陽電池 |
JP2006527277A (ja) * | 2003-04-22 | 2006-11-30 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 高分子酸コロイドにより製造された水分散性ポリチオフェン |
WO2007028036A2 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells integrated with bypass diode |
JP2007088033A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および撮像素子 |
JP2007115849A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 積層型有機太陽電池 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5155200A (en) * | 1990-04-20 | 1992-10-13 | Xerox Corporation | Polyarylamine polymers |
DE69217881T2 (de) * | 1991-12-24 | 1997-07-31 | Mitsui Toatsu Chemicals | Organisches elektrolumineszentes Dünnfilmelement |
US6198092B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-03-06 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration |
US6451415B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer |
NO312867B1 (no) * | 1999-06-30 | 2002-07-08 | Penn State Res Found | Anordning til elektrisk kontaktering eller isolering av organiske eller uorganiske halvledere, samt fremgangsmåte til densfremstilling |
US9607301B2 (en) * | 2000-04-27 | 2017-03-28 | Merck Patent Gmbh | Photovoltaic sensor facilities in a home environment |
US7022910B2 (en) | 2002-03-29 | 2006-04-04 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes |
EP1396033A4 (en) * | 2001-06-11 | 2011-05-18 | Univ Princeton | ORGANIC PHOTOVOLTAIC COMPONENTS |
US6596450B2 (en) * | 2001-09-10 | 2003-07-22 | Xerox Corporation | Charge transport components |
US7205081B2 (en) | 2001-12-14 | 2007-04-17 | Xerox Corporation | Imaging member |
US6866949B2 (en) * | 2002-03-08 | 2005-03-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Substrate film, gas barrier film, and display using the same |
EP1606846B1 (en) | 2003-03-24 | 2010-10-27 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cell with mesh electrode |
US6858363B2 (en) * | 2003-04-04 | 2005-02-22 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members |
JP4596409B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2010-12-08 | 株式会社東京技術研究所 | バルブ装着用ヒータユニット |
GB0309355D0 (en) * | 2003-04-24 | 2003-06-04 | Univ Cambridge Tech | Organic electronic devices incorporating semiconducting polymer |
US7777128B2 (en) | 2004-06-01 | 2010-08-17 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic module architecture |
US20050288182A1 (en) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Kazushi Torii | Water absorbent resin composition and production method thereof |
US20060112983A1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-06-01 | Nanosys, Inc. | Photoactive devices and components with enhanced efficiency |
WO2006086040A2 (en) * | 2004-11-24 | 2006-08-17 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic device having a phenanthroline exciton blocking layer |
US7985490B2 (en) * | 2005-02-14 | 2011-07-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Composition of conducting polymer and organic opto-electronic device employing the same |
US20060225778A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-10-12 | Christoph Brabec | Photovoltaic module |
US7825326B2 (en) | 2005-03-21 | 2010-11-02 | Konarka Technologies, Inc. | Polymer photovoltaic cell |
KR101213484B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2012-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전도성 고분자 조성물 및 이를 채용한 유기 광전 소자 |
US7541123B2 (en) | 2005-06-20 | 2009-06-02 | Xerox Corporation | Imaging member |
GB2430679A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Riso Nat Lab | Photovoltaic polymer |
-
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11335651A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Nippon Nsc Ltd | 水系接着剤組成物 |
JP2004250522A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Kawamura Inst Of Chem Res | 重合体、重合体の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、および有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送層の製造方法 |
JP2006527277A (ja) * | 2003-04-22 | 2006-11-30 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 高分子酸コロイドにより製造された水分散性ポリチオフェン |
JP2006527490A (ja) * | 2003-06-12 | 2006-11-30 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 共有する有機電極を備えたタンデム型太陽電池 |
JP2005235794A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Kyoto Univ | グラフト薄膜を用いた光電素子及び太陽電池 |
JP2005236794A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | デジタルカメラ |
WO2005109539A1 (de) * | 2004-05-03 | 2005-11-17 | Merck Patent Gmbh | Elektronische vorrichtungen enthaltend organische halbleiter |
JP2007536718A (ja) * | 2004-05-03 | 2007-12-13 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機半導体を含む電子デバイス |
WO2007028036A2 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells integrated with bypass diode |
JP2007088033A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および撮像素子 |
JP2007115849A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 積層型有機太陽電池 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028688A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機薄膜太陽電池用材料及びそれを用いた有機薄膜太陽電池 |
JP2014513443A (ja) * | 2011-05-09 | 2014-05-29 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 多接合型光電池 |
JP2013082787A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 高分子化合物及びそれを用いた電子素子 |
JPWO2014002266A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-05-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
JPWO2014002257A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-05-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
JP2014027174A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子、太陽電池モジュール、及び光電変換素子の製造方法 |
JP2014049506A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機薄膜太陽電池素子の製造方法 |
JP2015012114A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JPWO2015159755A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2017-04-13 | 東レ株式会社 | 光起電力素子 |
WO2016181962A1 (ja) * | 2015-05-12 | 2016-11-17 | 住友化学株式会社 | 有機光電変換素子 |
JPWO2016181962A1 (ja) * | 2015-05-12 | 2018-03-01 | 住友化学株式会社 | 有機光電変換素子 |
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