JP2010509755A5

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Publication number: JP2010509755A5
Application number: JP2009535365A
Authority: JP
Filing date: 2007-11-01
Publication date: 2010-12-16
Anticipated expiration: 2027-11-01

Claims

（ａ）０．０１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の砥材、
（ｂ）０．０１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の酸化剤、
（ｃ）１ｐｐｍ〜５０００ｐｐｍの、頭部基及び末端基を含む両親媒性非イオン性界面活性剤、
（ｄ）１ｐｐｍ〜５００ｐｐｍのカルシウムイオンまたはマグネシウムイオン、
（ｅ）０．００１ｗｔ％〜０．５ｗｔ％の銅の腐食防止剤、及び
（ｆ）水、
を含む、ｐＨが６〜１２の化学機械研磨組成物。
該砥材がα−アルミナを含む、請求項１に記載の研磨組成物。
該α−アルミナが、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）及びポリスチレンスルホン酸からなる群から選択される負に帯電したポリマーまたは共重合体で処理された、請求項２に記載の研磨組成物。
該研磨組成物がさらにシリカを含む、請求項２に記載の研磨組成物。
該酸化剤が過酸化水素であり、そして該研磨組成物が０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の過酸化水素を含む、請求項１に記載の研磨組成物。
該研磨組成物が、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、グリシン、アスパラギン酸、グルコン酸、イミノ二酢酸、フマル酸、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸をさらに含む、請求項１に記載の研磨組成物。
該研磨組成物が酒石酸をさらに含む、請求項１に記載の研磨組成物。
該両親媒性非イオン性界面活性剤が、ポリオキシエチレン及びポリエチレンを含むブロックまたはグラフト共重合体である、請求項１に記載の研磨組成物。
該両親媒性非イオン性界面活性剤が８以上のＨＬＢを有する、請求項８に記載の研磨組成物。
該両親媒性非イオン性界面活性剤が５０００ダルトン以上の分子量を有する、請求項８に記載の研磨組成物。
該銅の腐食防止剤が、ベンゾトリアゾール、４−メチルベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾトリアゾール、５−クロロベンゾトリアゾール、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の複素環式化合物である、請求項１に記載の研磨組成物。
該銅の腐食防止剤がベンゾトリアゾールであり、そして該研磨組成物が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％のベンゾトリアゾールを含む、請求項１１に記載の研磨組成物。
該研磨組成物が５ｐｐｍ〜２５０ｐｐｍのカルシウムイオンを含む、請求項１に記載の研磨組成物。
該研磨組成物が水酸化アンモニウムをさらに含む、請求項１に記載の研磨組成物。
該研磨組成物のｐＨが７〜９である、請求項１に記載の研磨組成物。
基板を化学的機械的に研磨する方法であって、
（ｉ）基板を準備すること；
（ii）請求項１〜１５のいずれか一項に記載の研磨組成物を準備すること；
（iii）該基板を研磨パッドに、それらの間に該研磨組成物を伴って接触させること；
（iv）該研磨パッド及び該研磨組成物を該基板に対して相対的に動かすこと；並びに
（ｖ）該基板を研磨するために該基板の少なくとも一部を磨り減らすこと、
を含む、化学機械研磨方法。
該基板が、銅の少なくとも１層、ルテニウムの少なくとも１層、及びタンタルの少なくとも１層を含み、且つ少なくとも１のルテニウム層が少なくとも１の銅層及び少なくとも１のタンタル層の間に堆積される、請求項１６に記載の方法。
ルテニウムの少なくとも１層及び銅の少なくとも１層が電気的に接触しており、そして該研磨組成物中の銅の開路電位とルテニウムの回路電位との差が５０ｍＶ以下である、請求項１７に記載の方法。
少なくとも１つのタンタル層の少なくとも一部が基板を研磨するために磨り減らされる、請求項１７に記載の方法。