JP2010507899A - 光電気装置 - Google Patents

光電気装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010507899A
JP2010507899A JP2009534520A JP2009534520A JP2010507899A JP 2010507899 A JP2010507899 A JP 2010507899A JP 2009534520 A JP2009534520 A JP 2009534520A JP 2009534520 A JP2009534520 A JP 2009534520A JP 2010507899 A JP2010507899 A JP 2010507899A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
organic
applying
organic material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009534520A
Other languages
English (en)
Inventor
ヤスパー ヨースト ミヘルズ,
ハルマンヌス フランシスクス マリア ショー,
モル, アントニウス マリア ベルナルドゥス ファン
ショールト オーストロム,
Original Assignee
ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー filed Critical ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー
Publication of JP2010507899A publication Critical patent/JP2010507899A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本発明は、基板、それに適用された第1の電極、第2の電極、第1の電極と第2の電極との間に配置される有機発光材料層、第2の電極に適用された多層シールを備える光電気装置、特に有機発光ダイオード装置であって、前記多層シールが高密度材料の少なくとも1つの層と有機材料の少なくとも1つの層とを備え、この有機材料には水分除去剤が混合されており、この水分除去剤が、加水分解を受けたときに酸性プロトンを生成しない有機組成物を含む光電気装置を提供する。さらに、本発明は、前記有機発光装置を備える物品と、前記装置を作成するための方法とに関する。

Description

本発明は、光電気装置、特に、有機発光ダイオード装置と、このような装置を備える物品と、このような装置を作成するための方法とに関する。
有機発光ダイオード(OLED)は、印加電圧の影響下で光を発する半導体装置である。有機発光ダイオードは、一般に、基板と活性ポリマー層または小分子層とを備え、これらの層は透明導電層の形状の前部電極と後部電極層との間に配置される。透明導電層と後部電極との間で、適切な電圧が印加された場合、活性ポリマー層で光が発生され、この光が透明導電層を介して発せられる。
通常、複数のOLED層は水分および酸素に敏感である。特に、後部電極層は、水および酸素と反応しやすいバリウムおよびカルシウム等のIIA族の金属を通常含むので、水および酸化剤に対して一般に敏感である。水および酸化剤への暴露と、その後の反応は、このような装置の寿命に著しい影響を与えることがある。
水および酸化剤が存在することにより生じる劣化からOLEDを保護するために、種々の方法が提案されてきた。
例えば、OLEDの基板に接着される蓋またはキャップで、OLEDを覆うことができる。蓋またはキャップは、典型的に、水蒸気伝達率および酸素伝達率が非常に低い高密度材料から作成される。このために使用されるこのような材料の例は、酸化アルミニウムおよび金属酸化物等の金属、例えばガラスを含む。このことに関しては、例えば、「特許文献1」および「特許文献2」を参照されたい。一般に、このような蓋またはキャップを使用すると非常に費用がかかり、さらに、前記蓋またはキャップを可撓性OLEDのために使用することができない。
OLEDを保護する他の方法には、多層バリア積層体による薄膜カプセルがある。このような多層バリア積層体が記載されている方法は、例えば、「特許文献3」、「特許文献4」、「特許文献5」および「特許文献6」に開示されている。この方法は、可撓性OLEDによく用いられる。多層バリア積層体は、(i)化学蒸着(CVD)法によって適用できる窒化金属等の高密度材料と、(ii)次の高密度層が適用される平滑な表面を提供しかつ種々の方法で適用できる有機平坦化層との複数の交互層を備える。この方法の欠点は、窒化金属層が、それぞれの有機平坦化層で完全に覆うことができないピンホールを常に含み、不可避的に、水が前記ピンホールを介してバリア積層体を通過してしまうことである。
独国特許第10236855号明細書 米国特許第6888307号明細書 国際公開第2005013336号パンフレット 米国特許第20030085652号明細書 米国特許第20030117068号明細書 米国特許第5757126号明細書 国際公開第2004107470号パンフレット
上記方法を考慮すると、OLEDをより効果的かつ効率的に保護することが明らかに必要であることが明白である。
ここで驚くべきことに、多層シールの1つの層が特定の除去剤を混合した有機材料を含む前記多層シールが使用された場合に、上記のことを実現できることが見出された。
したがって、本発明は、基板、それに適用された第1の電極、第2の電極、第1の電極と第2の電極との間に配置される有機発光材料の層、および第2の電極に適用された多層シールを備える光電気装置であって、前記多層シールが高密度材料の少なくとも1つの層と有機材料の少なくとも1つの層とを備え、この有機材料には水分除去剤が混合されており、この水分除去剤が、加水分解を受けたときに酸性プロトンを生成しない有機組成物を含む光電気装置に関する。
本発明によれば、光電気装置は適切には有機発光ダイオード装置(OLED)、液晶ディスプレイ(LCD)または太陽電池であり得る。好ましくは、本発明による光電気装置はOLEDである。本発明によるOLEDは、優れた防水性を提供するのと同時に、コストの観点から有利である。
適切には、本発明による装置では、第1の電極はアノードであり、第2の電極はカソードである。
第1の電極は透明導電性酸化物層を備えることが好ましい。マイクロ波スパッタリング法、大気圧化学蒸着(APCVD)法、低圧化学蒸着(LPCVD)法またはプラズマ強化化学蒸着(PECVD)法によって、透明導電性酸化物(TCO)層を基板に適切に適用できる。TCO層は、APCVD法またはスパッタリング法によって基板に適用されることが好ましい。TCO層は、少なくとも250℃、好ましくは少なくとも400℃の温度で、より好ましくは450〜550℃の範囲の、最も好ましくは490〜530℃の範囲の温度で、基板層、または除去可能な基板層に予め適用された1つ以上の透明層に適切に適用される。このような高温適用により、透明導電層が望ましい特性を得ることが可能になる。そのことは、有機発光材料層の効率を向上させるのと同時に、TCO層が有利なバリア層として作用するので有機発光材料層の長期性能を向上させる。
透明導電性酸化物層は、亜鉛酸化物、錫酸化物および/またはインジウム錫酸化物からなる群から選択される1つ以上の透明導電性酸化物を含み得る。好ましくは、透明導電性酸化物層は亜鉛酸化物および/または錫酸化物を含む。より好ましくは、透明導電性酸化物層は錫酸化物を含む。透明導電性酸化物には、インジウム、アルミニウム、フッ素、ガリウムまたはホウ素等の材料をドープできる。最も好ましくは、透明導電性酸化物層は、インジウムまたはフッ素がドープされた錫酸化物を含む。適切には、透明導電性酸化物層の厚さは、10nm〜2000nmの範囲、好ましくは450nm〜850nmの範囲、より好ましくは50〜150nmの範囲であり得る。
好ましくは、第1の電極はインジウム錫酸化物層を備える。
第2の電極は、アルミニウム、銀または金の層で覆われた、カルシウム、バリウム、フッ化リチウム、マグネシウムまたはイッテルビウム等の低作業機能材料層を備えることが可能である。
本発明によるOLEDが底部から(すなわち装置の基板側から直接)光を発する場合、第2の電極はバリウム層およびアルミニウム層、またはフッ化リチウム層およびアルミニウム層を備えることが好ましい。
第2の電極層は1nmから1マイクロメートルの範囲の厚さを適切に有することができる。スパッタリングまたは低圧熱蒸着によって、第2の電極を有機発光材料層に適切に適用できる。第2の電極は、低圧熱蒸着法によって発光材料層に適用されることが好ましい。
本発明に従って使用される基板は、金属層、合金層、ガラス層、セラミック層、またはポリマー層を適切に備えることが可能である。
本発明によるOLEDが底部から光を発する場合または透明である場合、基板は透明層を備えることが好ましい。頂部から光を発する本発明によるOLEDを金属箔加工し得る。
OLEDが非可撓性である場合、金属層、合金層、ガラス層またはセラミック層を備える基板が適切に使用される。
好ましくは、本発明は、可撓性基板を有する可撓性OLEDに関する。
OLEDが可撓性である場合、ポリマー基板を適切に使用できる。ポリマー基板は複数の層を含むことが可能であり、これらの層は、ポリイミド、ポリアミド、ポリアラミド、ポリエステル、ポリオレフィン、液晶ポリマー(LCP)、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、コポリマー、ポリマーブレンドおよび/または複合物からなる群から選択される1つ以上のポリマー材料を適切に含むことができる。ポリマー基板層は1種類以上のポリマーを含み得るが、実際には、特定の1種類のポリマーを使用することが好ましい。好ましくは、ポリマー基板層はポリエステルおよび/またはポリオレフィンを含む。より好ましくは、ポリマー基板層はポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリエチレンナフタレート(PEN)を含む。ポリマー基板層は、50マイクロメートル〜10センチメートルの範囲の、好ましくは100〜500マイクロメートルの範囲の厚さを適切に有することができる。
多層シールは少なくとも1つの高密度材料層を備える。「高密度材料」とは、汚染物質および有害な種、特に水および酸化剤の拡散が防止されるかまたは劇的に抑制されるように、十分に狭い原子間隔と十分に小さな亜分子移動度とを有する材料を意味する。典型的に、シールの水蒸気伝達率(WVTR)は<10−5g/m/日であるべきである。
本発明によれば、多層シールは少なくとも2つの高密度材料層と、水分除去剤が混合されている少なくとも1つの有機材料層とを備える。
多層シールは、第2の電極に直接適用されることができるか、または最初に第2の電極に適用された1つ以上の層に適用されることができる。適切には、多層シールは第2の電極に直接適用される。しかし、基板と第1の電極との間にバリア層が適用され、したがってこのバリア層が水分除去剤を含む場合、多層シールは、最初に第2の電極に適用された1つ以上の層に適切に適用することができる。
適切には、水分除去剤が混合された有機材料層は平坦化層である。本発明によれば、平坦化層は、下層表面の不規則な輪郭を反映する表面を有する層とは逆に、平滑な平坦面を有する層として定義される。
好ましくは、多層シールは、交互に連続する高密度材料層および有機材料層を備える。
適切には、最初に有機材料層が第2の電極に適用されるように、多層シールが配置される。
本発明の他の有利な実施形態では、最初に高密度材料層が第2の電極に適用されるように、多層シールが配置される。
好ましくは、本発明に従って使用される高密度材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、インジウム錫酸化物、インジウム錫亜鉛酸化物および金属からなる群から選択される。
より好ましくは、高密度材料は窒化ケイ素を含む。
好ましくは、多層シールに使用すべき有機材料は、ポリマー、フッ化ポリマー、パリレン、シクロテン、エポキシ樹脂、ポリアクリレート、ポリエステル、およびポリエーテルからなる群から選択される。
より好ましくは、有機材料は、ポリアクリレートとエポキシ樹脂とからなる群から選択される。
有機材料には、加水分解を受けたときに酸性プロトンを生成しない有機組成物を含む水分除去剤が混合されている。好ましくは、有機組成物は、オキサゾリジン、それらの誘導体、シアノアクリレート、およびイソシアネートからなる群から選択される。
このような水分除去剤の選択により、除去剤が有機材料に有利に溶解されることが保証される。したがって、無機除去剤(CaO等)が使用された場合に、有機材料のナノ粒子分散が不要となる。周知の無水物基の有機水分除去剤((特許文献7)参照)の場合と同様に、除去剤が加水分解を受けたときに酸性プロトンを生成しないことは、除去反応後に高反応性プロトンおよび可動プロトンが残留しないという利点を有する。
適切には、多層シールの全体の厚さは500〜100000nmの範囲、好ましくは500〜15000nmの範囲、より好ましくは1000〜5000nmの範囲であり得る。
少なくとも1つの高密度材料層は100〜1000nm、好ましくは150〜500nmの範囲の厚さを適切に有することができ、これに対して、少なくとも1つの有機材料層は200〜20000nmの範囲の、好ましくは500〜5000nmの範囲の厚さを適切に有することができる。
プラズマ強化化学蒸着またはマイクロ波スパッタリングによって、少なくとも1つの高密度材料層を第2の電極にまたは有機材料層に適切に適用できる。好ましくは、プラズマ強化化学蒸着によって、1つまたは複数の高密度材料層が第2の電極にまたは有機材料層に適用される。
スピンコーティング、ロールコーティング、スロットダイコーティング、ドクターブレード、インクジェット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、またはリバースグラビア印刷によって、水分除去剤が混合された少なくとも1つの有機材料層を第2の電極にまたは高密度材料層に適切に適用できる。好ましくは、インクジェット印刷によって、1つまたは複数の有機材料層が第2の電極にまたは高密度材料層に適用される。
第1の電極と第2の電極との間に複数の光電子有機材料層を配置し得る。これらの層は電子孔注入層、エレクトロルミネセンス層、孔阻止層および電子孔輸送層を含む。有機発光材料層は、色素分子またはフラーレン等の有機分子、あるいはポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、ポリアリレン、ポリカバゾール、ポリビニルカバゾール、およびこれらの誘導体、コポリマーおよび/または混合物からなる群から選択される半導電性ポリマーを適切に含むことができる。有機発光材料層は上記化合物の1つ以上の層を含み得るが、実際には、1つの層にポリエチレンジオキシチオフェンを使用することが好ましく、これに対して、第2の有機発光材料層は発光ポリマー層または光受容層を備える。有機発光材料層は10〜500nmの範囲の、好ましくは50〜200nmの範囲の厚さを適切に有することができる。ドクターブレード、スクリーン印刷またはインクジェット印刷等のスピンコーティング法または印刷法によって、有機発光材料層を第1の電極に適切に適用できる。好ましくは、有機発光材料層は100℃未満の温度で導電性ポリマー層に適用される。
より好ましくは、有機発光材料は、ポリ(p−フェニレンビニレン)およびそれらの誘導体、ポリ(フルオレン)およびそれらの誘導体、ポリ(p−フェニレンエチニレン)およびそれらの誘導体、ポリ(p−フェニレン)およびそれらの誘導体、ならびに任意の数の上記ポリマーおよび/または三重項放出色素のモノマーを含むコポリマーからなる群から選択される。
本発明の他の有利な実施形態では、有機発光材料は、ドーパントとしてホスト材料に埋め込まれた小分子発光材料である。発光ドーパントは蛍光性または燐光性であり得る。小分子蛍光ドーパントの適切な例はペリレン、ジスチリルビフェニル、キノンアクリドン、DPT、ルブレン、BTX、ABTXおよびDCJTBを含む。小分子燐光ドーパントの適切な例はFIrpic、(CFppy)Ir(pic)、Ir(ppy)、Ir(mpp)、Ir(ppy)acac、PtOEP、およびBtp2Ir(acac)を含む。蛍光ドーパント用の適切なホスト材料の例はTDK、DPVBi、Alq3、m−Alq3、およびGaq3を含む。燐光ドーパント用の適切なホスト材料の例はCBP、mCP、UGH2、PVK、TAZ、およびCN−PPVを含む。小分子ベースの装置は発光層の頂部に孔阻止層をしばしば必要とする。適切な孔阻止材料の例はBCPおよびBAlqを含む。小分子ベースの装置は電子孔輸送層をしばしば必要とする。適切な孔輸送材料の例はTPD、□−NPD、およびm−MTDATAを含む。適切な電子輸送材料の例はTAZ、PBD、およびAlq3である。
本発明の特に有利な実施形態では、基板と第1の電極との間にバリア層が適用され、このバリア層は少なくとも1つの高密度材料層と少なくとも1つの有機材料層とを備える。好ましくは、バリア層の有機材料には水分除去剤が混合され、この水分除去剤は、加水分解を受けたときに酸性プロトンを生成しない有機組成物を含む。
好ましくは、バリア層は少なくとも2つの高密度材料層と少なくとも2つの有機材料層とを備え、これにより、高密度材料層と有機材料層とが交互に適用される。
より好ましくは、有機材料層は平坦化層である。
適切には、バリア層は、交互に連続する高密度材料層および有機材料層を備え、これらの層には水分除去剤が混合されている。
さらに、本発明は、本発明による光電気装置を備える物品に関する。このような物品の適切な例は(可撓性)OLEDテレビディスプレイと、携帯電話、ダッシュボード、制御パネル用の(可撓性)OLEDディスプレイとを含む。このような物品の他の適切な例はOLED照明箔、OLED照明タイルおよびOLED照明パネルを含む。
その上、本発明は、本発明による装置を作成するための方法であって、
(a)基板を設けるステップと、
(b)第1の電極を基板に適用するステップと、
(c)有機発光材料を第1の電極に、またはそれに適用された任意の層に適用するステップと、
(d)第2の電極を有機発光材料の層に、またはそれに適用された任意の層に適用するステップと、
(e)高密度材料の層を第2の電極に適用し、高密度材料の層には、水分除去剤が混合された有機材料の層を適用するか、あるいは水分除去剤が混合された有機材料の層を第2の電極に適用し、水分除去剤が混合された有機材料の層には、高密度材料の層を適用するステップと、
を含む方法も提供する。
本発明によれば、第1の電極が適用される表面の反対側の基板表面は、上記のような多層シールによって保護することもできる。
したがって、本発明の他の有利な実施形態では、最初に、上記のような第1の多層シールが基板の第1の表面に適用され、その後、
(a)第1の多層シールが適用される表面の反対側に配置される基板表面に、第1の電極が適用され、
(b)有機発光材料が第1の電極に、またはそれに予め適用された任意の層に適用され、
(c)第2の電極が有機発光材料の層に、またはそれに予め適用された任意の層に適用され、さらに、
(d)第2の多層シールが第2の電極に適用される。
ステップ(d)では、高密度材料層が第2の電極に適用され、次に、高密度材料層には有機材料層が適用されるか、あるいは有機材料層が第2の電極に適用され、次に、有機材料層には高密度材料層が適用される。2つ以上の高密度材料層と2つ以上の有機材料層とを交互に適用できることが理解されるであろう。
本発明のさらに他の実施形態では、本発明によるOLEDが製造され、次に、第1の電極が適用された表面の反対側に配置される基板表面に、第2の多層シールが適用される。
さらに、本発明は、本発明による装置を作成するための方法であって、基板と第1の電極との間にバリア層が適用され、このバリア層が少なくとも1つの高密度材料層と少なくとも1つの有機材料層とを備える方法に関する。
したがって、本発明は、基板と第1の電極との間にバリア層を備える本発明による光電気装置を作成するための方法であって、
(a)基板を設けるステップと、
(b)高密度材料の層を基板に適用し、高密度材料の層には有機材料の層を適用するか、あるいは有機材料の層を基板に適用し、有機材料の層には高密度材料の層を適用することによって、バリア層を形成するステップと、
(c)このようにして得られたバリア層に第1の電極を適用するステップと、
(d)有機発光材料を第1の電極に、またはそれに適用された任意の層に適用するステップと、
(e)第2の電極を有機発光材料の層に、またはそれに適用された任意の層に適用するステップと、
(f)高密度材料の層を第2の電極に適用し、高密度材料の層には有機材料の層を適用するか、あるいは有機材料の層を第2の電極に適用し、有機材料の層には高密度材料の層を適用するステップと、
を含む方法も提供する。
好ましくは、ステップ(b)では、第2の高密度材料層が有機材料層に適用される。
好ましくは、ステップ(f)では、第2の高密度材料層が有機材料層に適用される。
次のように、本発明によるOLEDを作成できる。1つまたは複数のOLEDをガラス基板またはプラスチック基板に作成でき、これらの基板には、バリアコーティング、耐スクラッチコーティングまたは光出力結合強化コーティングを適用し得る。本発明によれば、バリアコーティングは、典型的に、水分除去剤が混合される有機層を含む。スパッタリングおよびパターン化により(例えば、リソグラフィ/エッチング、あるいは除去マスクまたはシャドーマスク//エッチングにより)、インジウム錫酸化物(ITO)アノード層を適用して、発光領域と非発光領域とを区別することができる。スパッタリングおよびパターン化によって、MAM(モリブデン−アルミニウム−モリブデン)構造を適用できる。次に、装置構成に応じて、レジスト層を適用して、例えばバンク構造およびセパレータ構造にリソグラフィ的にパターン化することが可能である。コーティング技術または印刷技術により、パターン化されたITO層の頂部には、ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS)を適用し得る。適用後、PEDOT/PSSを典型的に100〜200℃の温度に加熱して、水および添加剤を蒸発させ、層を焼成することができる。このことにより、PEDOT/PSS固体の含有量および適用に応じて、80〜200nmの乾燥層が残される。ガラス基板を200℃にすることが可能であり、一方、PETおよびPEN等のポリエステル箔基板の焼成温度は典型的に150℃を超えない。溶剤の蒸発を補助するために減圧を行い得る。コーティングまたは印刷によって、溶液から厚さ80nmの発光ポリマー(LEP)層をPEDOT/PSS層の頂部に適用することが可能である。減圧と組み合わせて高温(典型的に<130℃)を用いて、1つまたは複数のLEP溶剤を蒸発させ得る。その後の段階でLEPを必要としないかまたは含むべきでない箇所(例えば金属カプセル蓋が配置される箇所)は、レーザー除去によって処理される。当然、PEDOT/PSSおよびLEPが印刷によって選択的に適用された場合には、レーザー除去は不要である。次に、10−7mbarの熱蒸発により、バリウム/アルミニウムカソード(5nmのBa、100nmのAl)を適用し得る。シャドーマスクを用いて、パターン化されたカソードを適用できる。
次に、本発明によれば、薄膜カプセル積層体を使用して装置を保護できる。典型的なプロセスでは、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)およびコーティングまたは印刷、それに続き、光硬化、熱硬化または乾燥のそれぞれによって、窒化ケイ素(またはオキシ窒化ケイ素)層と有機平坦化層とを交互に適用できる。本発明によれば、1つ以上の有機平坦化層は水分除去剤を含む。
小分子LED(SMOLED)の場合、基板、ならびにITOの適用およびパターン化、ならびにMAM層およびレジスト層の適用およびパターン化は、OLEDのそれらのものと同等である。対照的に、材料が、溶液処理可能な誘導体でない限り、SMOLEDの活性層はコーティングまたは印刷によって典型的に適用されない。むしろ、活性層を適用するには熱蒸着を用いた方がよい。典型的に、SMOLEDは、OLEDよりも多い層、例えば、別個の孔阻止層および電子阻止層、ならびに電子孔注入層等を含み得る。これらの全ての層は、一般に、熱蒸発によって適用されるが、溶液処理可能な活性材料を含んでいる場合には、印刷またはコーティングによって適用することも可能である。SMOLEDの薄膜カプセルはOLEDの薄膜カプセルと同様である。
次に、本発明によれば、薄膜カプセル積層体を使用して、装置を保護できる。典型的なプロセスでは、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)およびコーティングまたは印刷、それに続き、光硬化、熱硬化または乾燥のそれぞれによって、窒化ケイ素(またはオキシ窒化ケイ素)層と有機平坦化層とを交互に適用し得る。本発明によれば、1つ以上の有機平坦化層は水分除去剤を含む。

Claims (37)

  1. 基板、該基板に適用された第1の電極、第2の電極、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置される有機発光材料の層、および前記第2の電極に適用された多層シールを備える光電気装置であって、前記多層シールが高密度材料の少なくとも1つの層と有機材料の少なくとも1つの層とを備え、前記有機材料には水分除去剤が混合されており、該水分除去剤が、加水分解を受けたときに酸性プロトンを生成しない有機組成物を含む光電気装置。
  2. 前記第1の電極がアノードであり、前記第2の電極がカソードである請求項1に記載の装置。
  3. 前記第1の電極が透明導電性酸化物層を備える請求項1または2に記載の装置。
  4. 前記第1の電極がインジウム錫酸化物層を備える請求項3に記載の装置。
  5. 前記第2の電極がバリウム層とアルミニウム層とを備える請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。
  6. 前記基板がポリマー基板である請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
  7. 前記基板が透明層を備える請求項6に記載の装置。
  8. 前記多層シールが前記第2の電極に直接適用される請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置。
  9. 前記多層シールが前記高密度材料の少なくとも2つの層と前記有機材料の少なくとも2つの層とを備え、前記高密度材料の前記層と前記有機材料の前記層とが交互に適用される請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。
  10. 前記有機材料の前記層が平坦化層である請求項1〜9のいずれか1項に記載の装置。
  11. 前記多層シールが、交互に連続する前記高密度材料の層および前記有機材料の層を備える請求項9または10に記載の装置。
  12. 最初に前記有機材料の層が前記第2の電極に適用されるように、前記多層シールが配置される請求項1〜11のいずれか1項に記載の装置。
  13. 最初に前記高密度材料の層が前記第2の電極に適用されるように、前記多層シールが配置される請求項1〜11のいずれか1項に記載の装置。
  14. 前記高密度材料が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、インジウム錫酸化物、インジウム錫亜鉛酸化物および金属からなる群から選択される請求項1〜13のいずれか1項に記載の装置。
  15. 前記高密度材料が窒化ケイ素を含む請求項14に記載の装置。
  16. 前記水分除去剤が混合された前記有機材料が、ポリマー、フッ化ポリマー、パリレン、シクロテン、エポキシ樹脂およびポリアクリレートからなる群から選択される請求項1〜15のいずれか1項に記載の装置。
  17. 前記水分除去剤が混合された前記有機材料が、ポリアクリレートとエポキシ樹脂とからなる群から選択される請求項16に記載の装置。
  18. 前記有機組成物が、オキサゾリジン、それらの誘導体、シアノアクリレート、またはイソシアネートからなる群から選択される請求項1〜17のいずれか1項に記載の装置。
  19. 前記有機組成物がオキサゾリジンまたはそれらの誘導体を含む請求項18に記載の装置。
  20. 前記有機発光材料が、ポリ(p−フェニレンビニレン)およびそれらの誘導体、ポリ(フルオレン)およびそれらの誘導体、ポリ(p−フェニレンエチニレン)およびそれらの誘導体、ポリ(p−フェニレン)およびそれらの誘導体、ならびに任意の数の前記ポリマーのモノマーを含むコポリマーからなる群から選択される請求項1〜19のいずれか1項に記載の装置。
  21. 前記光電気装置が有機発光装置である請求項1〜20のいずれか1項に記載の装置。
  22. 前記有機発光材料が小分子発光材料である請求項21に記載の装置。
  23. 前記有機発光材料が、ホスト種として請求項19に記載されている前記ポリマーまたはコポリマーの一方を使用した蛍光性または燐光性ドーパント分子を含む請求項22に記載の装置。
  24. 前記基板と前記第1の電極との間にはバリア層が適用され、該バリア層が高密度材料の少なくとも1つの層と有機材料の少なくとも1つの層とを備える請求項1〜23のいずれか1項に記載の装置。
  25. 前記バリア層および前記多層シールの前記有機材料には水分除去剤が混合されており、該水分除去剤が、加水分解を受けたときに酸性プロトンを生成しない有機組成物を含む請求項24に記載の装置。
  26. 前記バリア層が前記高密度材料の少なくとも2つの層と前記有機材料の少なくとも2つの層とを備え、前記高密度材料の前記層と前記有機材料の前記層とが交互に適用される請求項24または25に記載の装置。
  27. 前記有機材料の前記層が平坦化層である請求項24〜26のいずれか1項に記載の装置。
  28. 前記多層シールが、交互に連続する前記高密度材料の層および前記有機材料の層を備える請求項26または27に記載の装置。
  29. 前記高密度材料が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、インジウム錫酸化物、インジウム錫亜鉛酸化物および金属からなる群から選択される請求項24〜28のいずれか1項に記載の装置。
  30. 前記高密度材料が窒化ケイ素を含む請求項29に記載の装置。
  31. 前記水分除去剤が混合された前記有機材料が、ポリマー、フッ化ポリマー、パリレン、シクロテン、エポキシ樹脂およびポリアクリレートからなる群から選択される請求項24〜30のいずれか1項に記載の装置。
  32. 前記水分除去剤が混合された前記有機材料が、ポリアクリレートとエポキシ樹脂とからなる群から選択される請求項31に記載の装置。
  33. 前記有機材料が、オキサゾリジン、それらの誘導体、シアノアクリレート、またはイソシアネートからなる群から選択される請求項24〜32のいずれか1項に記載の装置。
  34. 前記有機組成物がオキサゾリジンまたはそれらの誘導体を含む請求項33に記載の装置。
  35. 物品であって、請求項1〜34のいずれか1項に記載の光電気装置を備える物品。
  36. 請求項1〜23のいずれか1項に記載の装置を作成するための方法であって、
    (a)基板を設けるステップと、
    (b)前記基板に第1の電極を適用するステップと、
    (c)有機発光材料を前記第1の電極に、または前記第1の電極に適用された任意の層に適用するステップと、
    (d)第2の電極を前記有機発光材料の層に、または前記有機発光材料の前記層に適用された任意の層に適用するステップと、
    (e)高密度材料の層を前記第2の電極に適用し、前記高密度材料の前記層には有機材料の層を適用するか、あるいは前記有機材料の層を前記第2の電極に適用し、前記有機材料の前記層には前記高密度材料の層を適用するステップと、
    を含む方法。
  37. 請求項24〜34のいずれか1項に記載の装置を作成するための方法であって、
    (a)基板を設けるステップと、
    (b)高密度材料の層を前記基板に適用し、前記高密度材料の前記層には有機材料の層を適用するか、あるいは前記有機材料の層を前記基板に適用し、前記有機材料の前記層には前記高密度材料の層を適用することによって、バリア層を形成するステップと、
    (c)このようにして得られた前記バリア層に第1の電極を適用するステップと、
    (d)有機発光材料を前記第1の電極に、または前記第1の電極に適用された任意の層に適用するステップと、
    (e)第2の電極を前記有機発光材料の層に、または前記有機発光材料の前記層に適用された任意の層に適用するステップと、
    (f)前記高密度材料の層を前記第2の電極に適用し、前記高密度材料の前記層には前記有機材料の層を適用するか、あるいは前記有機材料の層を前記第2の電極に適用し、前記有機材料の前記層には前記高密度材料の層を適用するステップと、
    を含む方法。
JP2009534520A 2006-10-27 2007-10-26 光電気装置 Pending JP2010507899A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06076945A EP1916725A1 (en) 2006-10-27 2006-10-27 Organic light emitting diode device with multilayer seal
PCT/NL2007/050517 WO2008051078A2 (en) 2006-10-27 2007-10-26 Organic light emitting diode device with multilayer seal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010507899A true JP2010507899A (ja) 2010-03-11

Family

ID=37498143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009534520A Pending JP2010507899A (ja) 2006-10-27 2007-10-26 光電気装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8373343B2 (ja)
EP (2) EP1916725A1 (ja)
JP (1) JP2010507899A (ja)
KR (1) KR20090103866A (ja)
WO (1) WO2008051078A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012533152A (ja) * 2009-07-10 2012-12-20 ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー 柔軟なオプトエレクトロニクス多層構造体をカプセル化する方法
JP2013074787A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 積層コア及びその製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101234229B1 (ko) 2010-06-11 2013-02-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
EP2445028A1 (en) 2010-10-25 2012-04-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Opto-electric device and method of manufacturing an opto-electric device
KR101213498B1 (ko) 2010-10-25 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 장치
WO2012160475A1 (en) * 2011-05-23 2012-11-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Fabrication apparatus for fabricating a layer structure
US8558436B2 (en) * 2011-09-13 2013-10-15 Switch Bulb Company, Inc. Scavengers for reducing contaminants in liquid-filled LED bulbs
FR3020179B1 (fr) 2014-04-22 2017-10-06 Saint Gobain Electrode supportee transparente pour oled
KR102325592B1 (ko) * 2015-03-02 2021-11-15 솔베이스페셜티폴리머스코리아 주식회사 배리어 막 형성용 조성물, 및 이로부터 얻어진 배리어 막
US9837634B2 (en) 2015-07-20 2017-12-05 Apple Inc. Electronic device display with multi-layer flexible encapsulation
CN112331773B (zh) * 2020-10-26 2023-02-07 复旦大学 一种全透明的防水柔性有机忆阻器及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087253A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電子デバイス
JP2005275227A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Konica Minolta Holdings Inc 表示素子
JP2005533919A (ja) * 2002-07-24 2005-11-10 アドヒーシブズ・リサーチ・インコーポレイテッド 形態変化可能な感圧接着剤テープ、およびそのディスプレイスクリーンにおける使用
JP2005319678A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Nippon Zeon Co Ltd 積層体、発光素子及びその使用
JP2006147528A (ja) * 2004-10-22 2006-06-08 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2337085A1 (en) * 1998-08-03 2000-02-17 Uniax Corporation Encapsulation of polymer-based solid state devices with inorganic materials
JP2004537448A (ja) * 2001-08-20 2004-12-16 ノバ−プラズマ インコーポレイテッド 気体および蒸気に対する浸透度の低いコーティング
JP2003282241A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2004281247A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
US20050023974A1 (en) 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
JP4561201B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005533919A (ja) * 2002-07-24 2005-11-10 アドヒーシブズ・リサーチ・インコーポレイテッド 形態変化可能な感圧接着剤テープ、およびそのディスプレイスクリーンにおける使用
JP2004087253A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電子デバイス
JP2005275227A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Konica Minolta Holdings Inc 表示素子
JP2005319678A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Nippon Zeon Co Ltd 積層体、発光素子及びその使用
JP2006147528A (ja) * 2004-10-22 2006-06-08 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012533152A (ja) * 2009-07-10 2012-12-20 ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー 柔軟なオプトエレクトロニクス多層構造体をカプセル化する方法
JP2013074787A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 積層コア及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1916725A1 (en) 2008-04-30
US20100079062A1 (en) 2010-04-01
US8373343B2 (en) 2013-02-12
WO2008051078A3 (en) 2008-06-26
EP2084760B1 (en) 2016-04-20
WO2008051078A2 (en) 2008-05-02
EP2084760A2 (en) 2009-08-05
KR20090103866A (ko) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010507899A (ja) 光電気装置
TW493359B (en) Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices
KR101462704B1 (ko) 배리어층 부착 기판, 표시 소자 및 표시 소자의 제조 방법
EP1816690B1 (en) OLED with area defined multicolor emission within a single lighting element
JP4977548B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2009037809A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
US20110043103A1 (en) Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same
US8773015B2 (en) Method for manufacturing organic electroluminescent element having organic layers with periodic structure
WO2009119558A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2013251191A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN105917736B (zh) 发光装置及发光装置的制造方法
US20060290272A1 (en) Enhancement of light extraction using gel layers with excavations
KR20010067868A (ko) 고내구성 유기발광소자 및 그 제조 방법
JP2008071608A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US7679282B2 (en) Polymer and small molecule based hybrid light source
JP5178431B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007287613A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2017130408A (ja) 発光装置
JP2010146822A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
Kim et al. Highly efficient white organic light emitting diodes using new blue fluorescence emitter
JP5248818B2 (ja) 発光素子およびその製造方法
JP2014165261A (ja) 有機発光表示装置およびその製造方法
JP2009037799A (ja) 発光素子およびその製造方法
JP2005183147A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2016115885A (ja) 有機el素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120221

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120518

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120525

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120619

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120626

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120718

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120725

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20130912

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20131007

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20131227

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140826

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140829

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140926

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141001