JP2010505256A - 半導体インダクタ及び該半導体インダクタの形成方法(オンチップ・インダクタ設計ルール) - Google Patents
半導体インダクタ及び該半導体インダクタの形成方法(オンチップ・インダクタ設計ルール) Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 具体的には、誘電体表面上に配置され、各々が設計ルール・チェック規則の関数として決定される幅、高さ、間隔、及び断面積を有する、複数の離間された平行金属ラインを含むインダクタが提供される。1つの平坦化プロセス規則に関して、80%金属対20%誘電体の表面の金属密度比が決定され、生成される。一実施例において、金属ラインの離間間隙の合計は、金属ラインの内部側壁高さの合計よりも小さい。1態様において、ラインの高さ、幅、及びライン間隔寸法のうちの少なくとも1つが、チップの歩留まり、チップの性能、チップの製造可能性、及びインダクタのQ値のうちの1つ又は複数のパラメータを最適化するように選択される。
【選択図】 図3
Description
本発明の1つの態様により、誘電体表面上に配置され、第1インダクタ・ポートと第2インダクタ・ポートを連結する複数の離間されたサブ100ナノメートル(100ナノメートル未満)の平行金属ラインを含む半導体構造体、及びその設計及び製造方法が提供される。ラインの各々はある幅及びある断面積を有し、各々のラインは隣接するラインから、各々が設計ルール・チェック規則の関数である離間間隙によって離間される。
これより本発明の実施形態を、実施例としてのみ、添付の図面を参照して説明する。
便宜のため、「発明を実施するための形態」は以下のセクション、
I.概要、
II.コンピュータ化された実施、
からなる。
図1は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の半導体の誘電体材料層12の上の、第1ポート14と第2ポート16の間の単一のラインから形成された従来のサブ100nmインダクタ10の概略図である。インダクタは、高性能無線周波数(RF)用途用の半導体回路構造体に一般に組み込まれる受動素子である。
次に図8を参照すると、本発明はまた、コンピュータ・システム802、例えば上記のEDAツールを用いるコンピュータ・システム802により実行されるプログラムを提供する形態で実施することができる。従って、本発明によるプログラムは、コンピュータ可読ストレージ媒体804にストアする、及び/又は、1つ若しくは複数の伝送媒体806、808を通じてアクセス可能にすることができる。
12:誘電体材料層
14:第1ポート
16:第2ポート
20、320:幅
22:孔
24:アレイ・パターン
40:長さL
50:固体ライン部分(断面)
200:集積回路チップ
202:前工程
204:後工程
212:シリコン層
214:ポリシリコン層
216:タングステン・コンタクト
218、220、224、226、228、230、232、234:メタライゼーション層
222:第1金属厚さ
240、242、244、246、248、250、252:誘電体材料層
262:第2金属厚さ
264:第3金属厚さ
300:マルチライン・インダクタ
314:第1ポート
316:第2ポート
328:複数
330:細ライン・インダクタ
332:ラインの間隔
340:長さL
342:間隔
412:ラインの高さ
420:ラインの幅
421、424、426:インダクタの表面
500、600、700:マルチライン・インダクタ構造体
530、630:平行細インダクタ・ライン
532、632、634:直交細コネクタ・ライン
530a−530f:ライン
532a、532b:コネクタ・ライン
540:ライン530aの部分
702、704、706、708:離間間隙
712、714、716、718、720:異なるライン幅
723,734、736、738、740:平行インダクタ・ライン
802:コンピュータ・システム
803、805:メモリ
804:コンピュータ可読ストレージ・システム
806:プログラム伝送装置
808:ネットワーク
810:遠隔コンピュータ・リソース(外部装置)
Claims (21)
- 誘電体表面上に配置され、第1インダクタ・ポートを第2インダクタ・ポートに連結する、複数の離間された平行金属ラインを含むサブ100ナノメートル・プロセス半導体インダクタであって、
前記ラインの各々はある幅及びある断面積を有し、各々のラインは隣接するラインからある離間間隙によって離間される、
インダクタ。 - 前記複数のラインの幅、断面積、及び離間間隙は、設計ルール・チェック規則の関数である、請求項1に記載のインダクタ。
- 前記設計ルール・チェック規則は化学機械的平坦化の金属比規則を含む、請求項1に記載のインダクタ。
- 前記複数のラインの幅、断面積、及び離間間隙は、80%金属対20%誘電体の表面の金属密度比を定める、請求項3に記載のインダクタ。
- 前記複数のラインの幅、断面積、及び離間間隙は、インダクタの長さ全体にわたって一定である、請求項1に記載のインダクタ。
- 前記インダクタは、10GHz無線周波数用に構成された相補型金属酸化膜半導体の上部化学機械的平坦化金属層内に形成される、請求項1に記載のインダクタ。
- 前記ラインの各々は間隙領域内に内部側壁を有し、前記内部側壁の各々は内部側壁高さを有し、前記離間間隙の合計は前記内部側壁高さの合計よりも小さい、請求項1に記載のインダクタ。
- 前記ラインの各々の幅は0.8ミクロンより大きいか又はそれに等しく、8ミクロンより小さいか又はそれに等しく、前記離間間隙の各々は約0.8ミクロンより大きいか又はそれに等しい、請求項1に記載のインダクタ。
- 前記複数のラインは、最初の最内側のラインから最後の最外側のラインに至るまで次第に大きくなるライン幅を有する、請求項1に記載のインダクタ。
- 前記複数のラインは複数のコネクタ・ラインをさらに含み、各々の前記コネクタ・ラインは前記離間された平行ラインのうちの少なくとも2つを連結する、請求項1に記載のインダクタ。
- 半導体インダクタを形成する方法であって、
電子設計自動化ツールを用いてサブ100ナノメートル・プロセスの金属ラインの高さ、幅、及びライン間隔寸法を、設計ルール・チェック規則の関数として決定するステップと、
前記決定された高さ、幅、及びライン間隔寸法に従って、誘電体基板上で第1ポートと第2ポートの間に複数の離間された平行金属ラインを形成するステップと
を含む方法。 - 前記設計ルール・チェック規則は化学機械的平坦化の金属比規則を含み、
前記金属比規則に適合するように前記複数のラインの幅、断面積、及び離間間隙を形成するステップをさらに含む、
請求項11に記載の方法。 - 前記ラインの高さ、幅、及びライン間隔寸法を前記決定するステップは、前記ラインの高さ、幅、及びライン間隔寸法のうちの少なくとも1つを、チップの歩留まり、チップの性能、チップの製造可能性、及びインダクタのQ値からなる群から選択される1つのパラメータを最適化するように、選択するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記ラインの各々の幅が0.8ミクロンより大きいか又はそれに等しく、8ミクロンより小さいか又はそれに等しくなるように選択するステップと、
前記離間間隙の各々が0.8ミクロンより大きいか又はそれに等しくなるように選択するステップと
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記決定された高さ、幅、及びライン間隔寸法に従って、各々のコネクタ・ラインが前記離間された平行ラインのうちの少なくとも2つを連結する、複数のコネクタ・ラインを形成するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記複数の離間された平行金属ラインを前記形成するステップは、間隙領域内に、各々が内部側壁高さを有する内部側壁を有する前記ラインを形成するステップをさらに含み、
前記離間間隙の合計は前記内部側壁高さの合計よりも小さい、
請求項12に記載の方法。 - 前記複数の離間された平行金属ラインを前記形成するステップは、最初の最内側のラインから最後の最外側のラインに至るまで次第に大きくなるライン幅を有する前記ラインを形成するステップを含む、請求項12に記載の方法。
- コンピュータ実行可能なプログラム・コードを作成するステップと、
前記作成されたプログラム・コードをコンピュータ可読媒体にストアするステップと、
コンピュータ・システムに配備され、その上で実行される前記プログラム・コードを提供するステップと
を含み、
前記プログラム・コードは、前記コンピュータ・システム上で実行されるとき、前記コンピュータ・システムに、
サブ100ナノメートル・プロセスの金属ラインの高さ、幅、及びライン間隔寸法を、化学機械的平坦化の金属比規則を含む設計ルール・チェック規則の関数として決定し、
前記決定された高さ、幅、及びライン間隔寸法に従って、基板上に複数の離間された平行金属ラインをプロセス装置に形成させる、
ことを実行させる方法。 - 前記プログラム・コードは前記コンピュータ上で実行されるとき、前記コンピュータに、前記ラインの高さ、幅、及びライン間隔寸法のうちの少なくとも1つを、チップの歩留まり、チップの性能、チップの製造可能性、及びインダクタのQ値からなる群から選択される1つのパラメータを最適化するように決定することを実行させる、請求項18に記載の方法。
- 半導体インダクタを形成するためのアプリケーションを配備する方法であって、
サブ100ナノメートル・プロセスの金属ラインの高さ、幅、及びライン間隔寸法を、化学機械的平坦化の金属比規則を含む設計ルール・チェック規則の関数として決定し、
前記決定された高さ、幅、及びライン間隔寸法に従って、基板上に複数の離間された平行金属ラインをプロセス装置に形成させる、
ようにコンピュータ・インフラストラクチャを動作可能に準備するステップ
を含む方法。 - 前記コンピュータ・インフラストラクチャは、前記ラインの高さ、幅、及びライン間隔寸法のうちの少なくとも1つを、チップの歩留まり、チップの性能、チップの製造可能性、及びインダクタのQ値からなる群から選択される1つのパラメータを最適化するように、決定するように動作可能である、請求項20に記載の方法。
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