JP2007180110A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに隣接して複数の金属配線11,12が配置され、これらの金属配線11,12にそれぞれスリット13,14が形成され、複数の金属配線11,12のうち少なくとも1つ以上の金属配線11,12におけるスリット13,14を、金属配線11,12の上面から見て金属配線11,12の延在方向に対して左右非対称に形成する。
【選択図】図1
Description
[構成]
図1は本発明に係る半導体装置の第1実施形態を示す平面図、図2は本発明に係る半導体装置の第1実施形態を示す断面図である。
次に、図9を参照して本実施形態の製造方法について説明する。
次に、配線抵抗の上昇率の観点から、従来方法と本実施形態による配線構造及び製造方法について比較を行い、本実施形態の優位性について説明する。
図10及び図11に基づいて本発明の第2実施形態を説明する。図10は本発明に係る半導体装置の第2実施形態を示す平面図、図11は本発明に係る半導体装置の第2実施形態を示す断面図である。なお、前記第1実施形態と同一又は対応する部分には、同一の符号を用いて説明する。以下の各実施形態及び各変形例も同様とする。
本実施形態の製造方法は、前記第1実施形態の製造方法と比較して金属配線11,12中に形成するスリット13,14の位置のみが異なる。したがって、本実施形態の製造方法としては、前記第1実施形態の製造方法と同一の製造方法を用い、スリット13,14を形成する位置のみを変更すればよい。よって、本実施形態の製造方法については、特に詳細な説明を省略する。
図14に基づいて本発明の第3実施形態を説明する。
次に、金属配線により形成されたインダクタの性能向上の観点から、従来方法と本実施形態による配線構造及び製造方法について比較を行い、本実施形態の優位性について図15〜図17に基づいて説明する。
本実施形態の製造方法は、前記第1実施形態の製造方法と比較して金属配線30中に形成する配線パターン及びスリット32の位置のみが異なる。したがって、本実施形態の製造方法としては、前記第1実施形態の製造方法と同一の製造方法を用い、配線溝の形成パターン及びスリット32を形成する位置のみを変更すればよい。よって、本実施形態の製造方法については、特に詳細な説明を省略する。
図18に基づいて本発明の第4実施形態を説明する。
本実施形態の製造方法は、前記第1、第2実施形態の製造方法と比較して金属配線中に形成するスリットの位置のみが異なる。したがって、本実施形態の製造方法としては、前記第1実施形態の製造方法と同一の製造方法を用い、スリットを形成する位置のみを変更すればよい。よって、本実施形態の製造方法については、特に詳細な説明を省略する。
12 金属配線
13 スリット
14 スリット
15 電流方向
16 電流方向
17 中心分割線
18 中心分割線
20 下層レベル配線
21 ビア
22 絶縁膜
23a,23b 配線溝
24a,24b 配線溝
25 配線材料
30 金属配線
31 引き出し線
32 スリット
40 金属配線
41 屈曲部を有する金属配線
42 屈曲部を有する金属配線
43 等間隔のスリットが形成された領域
44 等間隔のスリットが形成された領域
45 電流方向
46 電流方向
47 電流方向
48 スリット
49 スリット
50 スリット
51 スリット
52 スリット
53 等間隔に配置されたスリット
54 等間隔に配置されたスリット
Claims (19)
- 互いに隣接して複数の金属配線が配置され、これらの金属配線にそれぞれスリットが形成され、前記複数の金属配線のうち少なくとも1つ以上の金属配線における前記スリットを、前記金属配線の上面から見て当該金属配線の延在方向に対して左右非対称に形成したことを特徴とする半導体装置。
- 前記スリットは、前記金属配線の延在方向に対して複数に分割して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記スリットは、前記金属配線の延在方向と平行に、かつ略並列に複数本形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記スリットは、前記金属配線の延在方向に対して複数に分割して形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記分割された複数のスリットは、互いに斜めに隣接するべく配置されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記金属配線は、トランジスタを有する半導体基板上に実装されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 互いに略逆相の電流が流れる隣接した金属配線がそれぞれスリットを有し、前記隣接した金属配線のそれぞれの外側に形成されたスリットの密度が、前記隣接した金属配線のそれぞれの内側に形成されたスリットの密度よりも高いことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 互いに略同相の電流が流れる隣接した金属配線がそれぞれスリットを有し、前記隣接した金属配線のそれぞれの内側に形成されたスリットの密度が、前記隣接した金属配線のそれぞれの外側に形成されたスリットの密度よりも高いことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記スリットを有する金属配線により誘導素子が形成されたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記スリットを有する金属配線は、電源供給線に使用されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記スリットを有する金属配線は、接地線に使用されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記スリットにより複数に分割された金属配線のうち、最も配線幅の狭い配線の配線幅は、動作周波数及び金属配線材料により規定される表皮深さの略2倍よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- トランジスタ及び多層の金属配線を有し、該多層の金属配線が銅あるいは銅を主成分とする合金で形成されていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 少なくとも2層以上の複数の金属配線層を有する多層配線構造において、少なくとも1層以上の金属配線における一部の金属配線が、前記スリットを有することを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記金属配線は、スリット及び屈曲部が形成され、該屈曲部以外にスリットを有し、前記屈曲部を境にして前記金属配線におけるスリットの位置が、前記金属配線の延在方向に対して左右逆転していることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記金属配線は、スリット及び屈曲部が形成され、該屈曲部に等間隔に配置されたスリットを有し、前記屈曲部を境にして前記金属配線内部におけるスリットの位置が、前記金属配線の延在方向に対して左右逆転していることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記スリットを有する金属配線は、一部にスリットを有さず、該スリット有さない部分を境にして前記金属配線におけるスリットの位置が、前記金属配線の延在方向に対して左右逆転していることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記スリットを有する金属配線は、一部に等間隔に配置されたスリットを有し、該等間隔のスリットを有する部分を境にして前記金属配線におけるスリットの位置が、前記金属配線の延在方向に対して左右逆転していることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記複数の金属配線は、略同等の配線幅を有することを特徴とする請求項1乃至18のいずれか一項に記載の半導体装置。
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