JP5938084B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた多層配線層と、
前記多層配線層中に設けられた高周波配線と、
前記多層配線層中の前記半導体基板と前記高周波配線が設けられた第1の層との間の第2の層に設けられた複数のダミーメタルと、
を含み、
前記多層配線層は、平面視で、前記高周波配線の外縁で囲まれる第1の領域と当該第1の領域周囲の第2の領域とを含む高周波配線近傍領域と、当該高周波配線近傍領域以外の外部領域とを有し、
前記複数のダミーメタルは、前記高周波配線近傍領域および前記外部領域にそれぞれ分散配置され、前記高周波配線近傍領域の前記ダミーメタル間の平均間隔が、前記外部領域の前記ダミーメタル間の平均間隔よりも広い半導体装置が提供される。
図1および図2は、本実施の形態における半導体装置100の構成を示す平面図である。図3は、図1および図2のA−A'断面図である。
まず、処理層を選択する(S100)。つづいて、当該層における半導体装置100の回路構成に必要な導体パターンのレイアウトの情報や当該層における絶縁膜の材料等に基づき、当該層において必要なメタル密度の許容範囲を算出する(S102)。この処理は、従来のダミーメタルの配置パターンを決定する処理と同様である。従来は、このようにして算出した必要なメタル密度範囲内のたとえば中程度以上のある程度大きいメタル密度となるようにダミーメタルの配置パターンが決定されている。
半導体装置100においては、高周波配線102の側方、上下の高周波配線近傍領域110において、それ以外の外部領域112よりもダミーメタル104の配置パターンを粗にしている。このように、高周波配線102の磁界の影響を強く受け易い領域において、ダミーメタル104の量を少なくすることにより、ダミーメタル104に発生する渦電流を抑制することができる。とくに、高周波配線102が形成された第1の配線層122aと半導体基板120との間においては、高周波配線近傍領域110に多数のダミーメタル104が配置されると、高周波配線102と半導体基板120との間の誘電体の厚さが小さくなるため、寄生容量が大きくなるという問題もある。本実施の形態においては、このような領域におけるダミーメタル104の量を必要最小限とすることにより、高周波配線102の特性の劣化を防ぐことができる。さらに、高周波配線近傍領域110においても、必要最小限のダミーメタル104が分散配置されるようにすることにより、エロージョンやディッシング等を効果的に防ぐこともできる。
本実施の形態においては、高周波配線102の周囲の高周波配線近傍領域110と外部領域112との間に、ガードリング116が設けられている点で、図1から図3を参照して説明した第1の実施の形態における半導体装置100と異なる。なお、本実施の形態においても高周波配線102はインダクタである。
102 高周波配線
104 ダミーメタル
106 第1の領域
108 第2の領域
110 高周波配線近傍領域
112 外部領域
116 ガードリング
120 半導体基板
122 多層配線層
122a 第1の配線層
122b 第2の配線層
122c 第3の配線層
Claims (3)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた多層配線層と、
前記多層配線層の一つの配線層に設けられた高周波配線と、
前記多層配線層内で前記高周波配線と同じ配線層に設けられ、平面視してある領域内に分散配置された複数の第1ダミーメタルと、
前記多層配線層内で前記高周波配線と同じ配線層に設けられ、且つ平面視して前記領域の外側で分散配置された複数の第2ダミーメタルと、
前記多層配線層内で前記高周波配線を構成する配線層よりも下層に設けられた配線層に設けられ、平面視して前記高周波配線の内側に配置された複数の第3ダミーメタルと、
前記多層配線層内で前記複数の第3ダミーメタルと同じ配線層に設けられ、平面視して前記高周波配線の外側に配置された複数の第4ダミーメタルとを有し、
前記複数の第1ダミーメタルのうちの一部の複数は前記高周波配線の外側に配置され、前記複数の第1ダミーメタルのうちの他の複数は前記高周波配線の内側に配置され、
前記複数の第1ダミーメタルの平均密度は、前記複数の第2ダミーメタルの平均密度よりも低く、
前記多層配線層中に、平面視で前記高周波配線を囲むように設けられたガードリングをさらに含み、
前記複数の第1ダミーメタルは前記ガードリングの内側に設けられ、前記複数の第2ダミーメタルは前記ガードリングの外側に設けられている半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた多層配線層と、
前記多層配線層の一つの配線層に設けられた高周波配線と、
前記多層配線層内で前記高周波配線と同じ配線層に設けられ、平面視してある領域内に分散配置された複数の第1ダミーメタルと、
前記多層配線層内で前記高周波配線と同じ配線層に設けられ、且つ平面視して前記領域の外側で分散配置された複数の第2ダミーメタルと、
前記多層配線層内で前記高周波配線を構成する配線層よりも下層に設けられた配線層に設けられ、平面視して前記高周波配線の内側に配置された複数の第3ダミーメタルと、
前記多層配線層内で前記複数の第3ダミーメタルと同じ配線層に設けられ、平面視して前記高周波配線の外側に配置された複数の第4ダミーメタルとを有し、
前記複数の第1ダミーメタルのうちの一部の複数は前記高周波配線の外側に配置され、前記複数の第1ダミーメタルのうちの他の複数は前記高周波配線の内側に配置され、
前記複数の第1ダミーメタルの平均間隔は、前記複数の第2ダミーメタルの平均間隔よりも広く、
前記多層配線層中に、平面視で前記高周波配線を囲むように設けられたガードリングをさらに含み、
前記複数の第1ダミーメタルは前記ガードリングの内側に設けられ、前記複数の第2ダミーメタルは前記ガードリングの外側に設けられている半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記高周波配線は、インダクタとして機能する半導体装置。
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