JP2010287723A - 貼付方法及び貼付装置 - Google Patents
貼付方法及び貼付装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010287723A JP2010287723A JP2009140228A JP2009140228A JP2010287723A JP 2010287723 A JP2010287723 A JP 2010287723A JP 2009140228 A JP2009140228 A JP 2009140228A JP 2009140228 A JP2009140228 A JP 2009140228A JP 2010287723 A JP2010287723 A JP 2010287723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- adhesive
- solvent
- sticking
- support plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/14—Semiconductor wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1111—Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/16—Surface bonding means and/or assembly means with bond interfering means [slip sheet, etc. ]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る貼付方法は、ウエハ2上に設けられた第1接着剤層4と、第1接着剤層4上に設けられたセパレートフィルム5と、セパレートフィルム5上に設けられ、溶剤に対する溶解速度が第1接着剤層4よりも速い第2接着剤層6、又は、第1接着剤層4が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第2接着剤層6とを介して、ウエハ2にサポートプレート3を貼り付ける貼付工程を包含している。
【選択図】図1
Description
図1及び図2に示すように、本発明に係る貼付方法によって形成される積層体1は、ウエハ(基板)2、サポートプレート(支持板)3、第1接着剤層4、セパレートフィルム(分離膜層)5及び第2接着剤層6を含むように構成されている。積層体1において、第1接着剤層4、セパレートフィルム5及び第2接着剤層6は接着積層体7として、ウエハ2とサポートプレート3とを貼り合わせている。
第1接着剤層4は、ウエハ2とセパレートフィルム5とに接着している。第1接着剤層4は、ウエハ2とサポートプレート3とを、セパレートフィルム5及び第2接着剤層6を介して十分接着させることが可能な接着化合物(第1接着化合物)を含む第1接着剤材料により形成されていればよく、従来公知の接着剤材料を好適に使用可能である。第1接着剤層4を形成する第1接着剤材料としては、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂を含むものが挙げられる。
第2接着剤層6は、サポートプレート3側に位置し、サポートプレート3とセパレートフィルム5とを接着している。第2接着剤層6は、溶剤に対する溶解速度が第1接着剤層4よりも速い、又は第1接着剤層4が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解するように形成されている。
前記樹脂(A)を構成する単量体成分は、前記シクロオレフィン系モノマー(a1)と共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、下記一般式(2)で示されるようなアルケンモノマー(a2)をも含有することが好ましい。アルケンモノマー(a2)としては、例えば、エチレン、α−オレフィンなどが挙げられる。前記アルケンモノマー(a2)は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。
前記樹脂(A)を構成する単量体成分は、その50質量%以上が前記シクロオレフィン系モノマー(a1)であることが好ましく、より好ましくは60質量%以上が前記シクロオレフィン系モノマー(a1)であるのがよい。シクロオレフィン系モノマー(a1)が単量体成分全体の50質量%以上であると、高温環境下における接着強度が良好なものとなる。
セパレートフィルム5は、第1接着剤層4と第2接着剤層6との間に位置し、第1接着剤層4と第2接着剤層6とを分離するためのものである。すなわち、セパレートフィルム5は、第1接着剤層4と第2接着剤層6とが混ざり合ったり、一方の層が他方の層に沈み込んだりすることを防ぐ。したがって、セパレーフィルム5は、第1接着剤層4と第2接着剤層6とが混ざり合うミキシングや、沈み込みの発生を防ぐことが可能な材料により形成されていればよい。
本発明に係る貼付方法においては、ウエハ2上に第1接着剤層4を形成し、第1接着剤層4上にセパレートフィルム5を形成し、セパレートフィルム5上に第2接着剤層6を形成した後、第2接着剤層6上にサポートプレート3を接着させることによって、ウエハ2にサポートプレート3を貼り付ける。本発明に係る貼付方法は、上述したようにウエハ2にサポートプレート3を貼り付ける貼付手段を備えた貼付装置により実行されてもよい。
ここで、本発明に係る貼付方法により形成した積層体1について、ウエハ2の薄化処理等の、所定の処理を行った後、サポートプレート3をウエハ2から剥離するときの処理について説明する。
下記表1に示す配合量で、公知のラジカル重合により樹脂1〜3を合成した。
セパレートフィルム5としてPETフィルム、PENフィルム又はPIフィルムを用い、接着剤組成物2、4、5又は6をセパレートフィルム5上にアプリケーターを用いて塗工し、80℃で5分間乾燥させて、層厚10μmの第2接着剤層6を形成した。セパレートフィルム5上の第2接着剤層6にサポートプレート3を貼り合せ、ラミネーターを用いて、サポートプレート3にセパレートフィルム5を圧力2.0kg/cm2 、速度0.5m/min、温度120℃でラミネートした。
実施例1〜15の各積層体1を200℃で1時間加熱した後に、実施例1〜3は2−ヘプタノン中に、実施例4〜15はp−メンタン中にそれぞれ浸漬して超音波処理し、セパレートフィルム5を取り除いて、剥離評価を行った。実施例1〜15の全てにおいて、ウエハ2からのサポートプレート3の剥離が良好に行われた。
実施例1〜15の各積層体1において、第1接着剤層4の層厚をそれぞれ50μmとなるように形成し、これらの層のクラックの有無を目視により観察した。実施例1〜15の全てにおいてクラックの発生は無く、クラック耐性は良好であった。
実施例1〜15の各積層体1において、200℃で1時間加熱した後の接着積層体7の厚みを、加熱前の厚みと比較して、沈み込み評価を行った。実施例1〜15の全てにおいて、接着積層体7の加熱後の厚みと加熱前の厚みとの差は10μm以下であり、沈み込み量は極めて少なく、沈み込み評価の結果は良好であった。
実施例1〜15の各積層体1に対して、水(H2 O)、イソプロピルアルコール(IPA)、PGMEA、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)(2.38%)、NaOH(1質量%)及びフッ化水素(HF)(1質量%)に対する耐性を評価した。実施例1〜15の各積層体1を上述した溶剤に浸漬し、1時間後の接着積層体7の溶解状態を観察した。実施例1〜15の全てにおいて、接着積層体7は上述した溶剤に溶解せず、耐性を有していた。
実施例1〜15の各積層体1を200℃で1時間加熱した後、セパレートフィルム5の収縮状態を観察し、フィルム収縮を評価した。実施例1、2、7、8、10及び13において、セパレートフィルム5が若干収縮したが、他の実施例のセパレートフィルム5は収縮しなかった。
セパレートフィルム5としてPENフィルムを用いた。第2接着剤層6を形成する材料として、樹脂5及び樹脂6に、それぞれ軟化点135℃、分子量820のテルペン樹脂A(ヤスハラケミカル社製、クリアロンP135、水添テルペン樹脂)、軟化点115℃、分子量650のテルペン樹脂B(ヤスハラケミカル社製、クリアロンP115、水添テルペン樹脂)及び軟化点:105℃、分子量630のテルペン樹脂C(ヤスハラケミカル社製、クリアロンP105、水添テルペン樹脂)を混合したものを用いた。
実施例16〜21の積層体1を200℃で1時間加熱した後に、p−メンタン中に浸漬して超音波処理し、セパレートフィルム5を取り除いて、剥離評価を行った。実施例16〜21の全てにおいて、ウエハ2からのサポートプレート3の剥離が良好に行われた。また、テルペン樹脂A〜Cの混合によって、第2接着剤層の溶解性が向上した。
実施例16〜21の各積層体1において、第1接着剤層4の層厚をそれぞれ50μmとなるように形成し、これらの層のクラックの有無を目視により観察した。実施例16〜21の全てにおいてクラックの発生は無く、クラック耐性は良好であった。
実施例16〜21の各積層体1において、200℃で1時間加熱した後の接着積層体7の厚みを、加熱前の厚みと比較して、沈み込み評価を行った。実施例16〜21の全てにおいて、接着積層体7の加熱後の厚みと加熱前の厚みとの差は10μm以下、沈み込み量は極めて少なく、沈み込み評価の結果は良好であった。
実施例16〜21の各積層体1に対して、H2 O、IPA、PGMEA、NMP、DMSO、TMAH(2.38%)、NaOH(1%)及びHF(1%)に対する耐性を評価した。実施例16〜21の各積層体1を上述した溶剤に浸漬し、1時間後の接着積層体7の溶解状態を観察した。実施例16〜21の全てにおいて、接着積層体7は上述した溶剤に溶解せず、耐性を有していた。
実施例16〜21の各積層体1を200℃で1時間加熱した後、セパレートフィルム5の収縮状態を観察し、フィルム収縮を評価した。実施例16〜21の全ての積層体1において、セパレートフィルム5は収縮しなかった。
比較例1として、ウエハ2上に樹脂1の接着剤組成物1を用いて接着剤層を形成し、当該接着剤層にサポートプレート3を貼り合せて、積層体を形成した。比較例2として、ウエハ2上に樹脂1の接着剤組成物1を用いて接着剤層を形成し、サポートプレート3上に樹脂4の接着剤組成物4を用いて接着剤層を形成し、これらの接着剤層を貼り合せて、積層体を形成した。比較例3として、ウエハ2上に樹脂3の接着剤組成物3を用いて接着剤層を形成し、サポートプレート3上に樹脂4の接着剤組成物4を用いて接着剤層を形成し、これらの接着剤層を貼り合せて、積層体を形成した。
比較例1〜3の各積層体を200℃で1時間加熱した後に、p−メンタン中に浸漬して超音波処理し、ウエハ2からサポートプレート3を剥離して剥離評価を行った。比較例1の積層体においては、ウエハ2からサポートプレート3の剥離が可能であったが、比較例2及び3の積層体においては、2つの接着剤層にミキシングが発生し、接着剤層の溶解が困難となり、剥離が良好に行われなかった。
比較例1〜3の各積層体において、各接着剤層の層厚をそれぞれ50μmとなるように形成し、これらの層のクラックの有無を目視により観察した。比較例1の接着剤層及び比較例2のウエハ2側の接着剤層においてクラックが発生し、クラック耐性は十分ではなかった。
比較例1〜3の各積層体において、200℃で1時間加熱した後の接着剤層の厚みを、加熱前の厚みと比較して、沈み込み評価を行った。比較例1においては、接着剤層の厚みが40μm沈み込んでいた。比較例2及び3においては、それぞれ接着剤層が25μm及び20μm沈み込んでいた。
比較例1〜3の各積層体に対して、H2 O、IPA、PGMEA、NMP、DMSO、TMAH(2.38%)、NaOH(1%)及びHF(1%)に対する耐性を評価した。比較例1〜3の各積層体を上述した溶剤に浸漬し、1時間後の接着剤層の溶解状態を観察した。比較例1の積層体は、PGMEに対して溶解し、他の溶剤に対しては溶解しなかった。比較例2及び3の積層体は上述した溶剤に溶解しなかった。
2 ウエハ(基板)
3 サポートプレート(支持板)
4 第1接着剤層
5 セパレートフィルム(分離膜層)
6 第2接着剤層
7 接着積層体
Claims (12)
- 基板に支持板を貼り付ける貼付方法であって、
基板上に設けられた第1接着剤層と、
第1接着剤層上に設けられた分離膜層と、
上記分離膜層上に設けられ、溶剤に対する溶解速度が第1接着剤層よりも速い第2接着剤層、又は、第1接着剤層が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第2接着剤層と、
を介して、上記基板に上記支持板を貼り付ける貼付工程を包含していることを特徴とする貼付方法。 - 上記貼付工程の前に、上記基板上に第1接着剤層を形成する第1接着剤層形成工程をさらに包含することを特徴とする請求項1に記載の貼付方法。
- 上記貼付工程の前に、上記支持板上に第2接着剤層を形成する第2接着剤層形成工程をさらに包含することを特徴とする請求項1に記載の貼付方法。
- 上記分離膜層は、第1接着剤層及び第2接着剤層を溶解する溶剤に溶解しないことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の貼付方法。
- 上記分離膜層は、ポリエチレン樹脂、ポリイミド樹脂(PI)、ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート(ポリエステル樹脂(PET))、ポリフェニレンサイファイド、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレン樹脂、ナイロン、及びポリ乳酸樹脂からなる群より選択される樹脂を含む膜により形成されていることを特徴とする請求項4に記載の貼付方法。
- 第2接着剤層を形成する第2接着化合物の平均分子量は、第1接着剤層を形成する第1接着化合物の平均分子量の10%〜30%であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の貼付方法。
- 第2接着剤層を形成する第2接着化合物は、非極性溶媒溶解性化合物又は高極性溶媒溶解性化合物を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の貼付方法。
- 上記非極性溶媒溶解性化合物は、シクロオレフィンから誘導される構成単位を有する樹脂であることを特徴とする請求項7に記載の貼付方法。
- 上記高極性溶媒溶解性化合物は、コラーゲンペプチド、セルロース、及びポリビニルアルコール(PVA)からなる群より選択されることを特徴とする請求項7に記載の貼付方法。
- 第2接着剤層の層厚は、第1接着剤層の層厚よりも薄いことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の貼付方法。
- 上記支持板には、厚さ方向に貫通した複数の貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の貼付方法。
- 基板に支持板を貼り付ける貼付装置であって、
基板上に設けられた第1接着剤層と、
第1接着剤層上に設けられた分離膜層と、
上記分離膜層上に設けられ、溶剤に対する溶解速度が第1接着剤層よりも速い第2接着剤層、又は、第1接着剤層が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第2接着剤層と、
を介して、上記基板に上記支持板を貼り付ける貼付手段を備えていることを特徴とする貼付装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009140228A JP5489546B2 (ja) | 2009-06-11 | 2009-06-11 | 貼付方法及び貼付装置 |
KR1020100053812A KR20100133305A (ko) | 2009-06-11 | 2010-06-08 | 첩부 방법 및 첩부 장치 |
TW099118567A TW201119868A (en) | 2009-06-11 | 2010-06-08 | Sticking method and sticking apparatus |
US12/796,872 US8298365B2 (en) | 2009-06-11 | 2010-06-09 | Sticking method and sticking apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009140228A JP5489546B2 (ja) | 2009-06-11 | 2009-06-11 | 貼付方法及び貼付装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010287723A true JP2010287723A (ja) | 2010-12-24 |
JP5489546B2 JP5489546B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=43305375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009140228A Active JP5489546B2 (ja) | 2009-06-11 | 2009-06-11 | 貼付方法及び貼付装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8298365B2 (ja) |
JP (1) | JP5489546B2 (ja) |
KR (1) | KR20100133305A (ja) |
TW (1) | TW201119868A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014049698A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 剥離方法および剥離装置 |
WO2014050347A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法 |
US8975160B2 (en) | 2013-03-21 | 2015-03-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for semiconductor device |
JP2015054511A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京応化工業株式会社 | 積層体、積層体形成キットおよび積層体形成方法 |
WO2015046235A1 (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置、貼合基板の剥離方法、および接着剤の除去方法 |
KR20150125686A (ko) * | 2013-03-27 | 2015-11-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조용 가접합용 적층체 및 반도체 장치의 제조방법 |
WO2016152598A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | 富士フイルム株式会社 | キットおよび積層体 |
US9505201B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-11-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for manufacturing ceramic device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5619481B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2014-11-05 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物 |
JP5681502B2 (ja) | 2010-09-30 | 2015-03-11 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物 |
JP5661669B2 (ja) | 2011-09-30 | 2015-01-28 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルムおよび基板の処理方法 |
JP6114596B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-04-12 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法 |
JP5975918B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-08-23 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法 |
DE102013112245A1 (de) * | 2013-11-07 | 2015-05-07 | Siltectra Gmbh | Verfahren zum Fixieren von Festkörperplatten |
CN106165074B (zh) | 2014-03-19 | 2020-05-12 | 三星电子株式会社 | 制造半导体装置的方法 |
JP2016146429A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008060361A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nitto Denko Corp | 半導体ウェハの加工方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着シート |
JP2009288424A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Nikon Corp | 多層膜光学素子の製造方法および多層膜光学素子 |
JP2010109324A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 剥離方法、基板の接着剤、および基板を含む積層体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5291502A (en) * | 1992-09-04 | 1994-03-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Electrostatically tunable optical device and optical interconnect for processors |
US7473331B2 (en) * | 2003-10-08 | 2009-01-06 | General Electric Company | Method of applying an optical coating to an article surface |
US20050100665A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-05-12 | General Electric Company | Method for applying an optical coating to a surface of an article |
JP2006135272A (ja) * | 2003-12-01 | 2006-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法 |
JP2008094957A (ja) | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Fujitsu Ltd | 粘着剤及び粘着シート、並びにワークの剥離方法 |
CN102016664A (zh) * | 2008-05-06 | 2011-04-13 | 惠普开发有限公司 | 制造微尺寸的光学结构的方法 |
-
2009
- 2009-06-11 JP JP2009140228A patent/JP5489546B2/ja active Active
-
2010
- 2010-06-08 KR KR1020100053812A patent/KR20100133305A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-06-08 TW TW099118567A patent/TW201119868A/zh unknown
- 2010-06-09 US US12/796,872 patent/US8298365B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008060361A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nitto Denko Corp | 半導体ウェハの加工方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着シート |
JP2009288424A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Nikon Corp | 多層膜光学素子の製造方法および多層膜光学素子 |
JP2010109324A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 剥離方法、基板の接着剤、および基板を含む積層体 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9505201B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-11-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for manufacturing ceramic device |
JP2014049698A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 剥離方法および剥離装置 |
WO2014050347A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2014072451A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujifilm Corp | 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。 |
KR20150046230A (ko) * | 2012-09-28 | 2015-04-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조용 가접합층, 적층체, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR101669829B1 (ko) * | 2012-09-28 | 2016-11-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조용 가접합층, 적층체, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US8975160B2 (en) | 2013-03-21 | 2015-03-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for semiconductor device |
KR101713090B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2017-03-07 | 후지필름 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조용 가접합용 적층체 및 반도체 장치의 제조방법 |
US9716024B2 (en) | 2013-03-27 | 2017-07-25 | Fujifilm Corporation | Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices |
KR20150125686A (ko) * | 2013-03-27 | 2015-11-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조용 가접합용 적층체 및 반도체 장치의 제조방법 |
JP2015054511A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京応化工業株式会社 | 積層体、積層体形成キットおよび積層体形成方法 |
JPWO2015046235A1 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-03-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置、貼合基板の剥離方法、および接着剤の除去方法 |
WO2015046235A1 (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置、貼合基板の剥離方法、および接着剤の除去方法 |
JP2019125795A (ja) * | 2013-09-25 | 2019-07-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 貼合基板の剥離方法および接着剤の除去方法 |
WO2016152598A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | 富士フイルム株式会社 | キットおよび積層体 |
KR20170118890A (ko) * | 2015-03-23 | 2017-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 키트 및 적층체 |
JPWO2016152598A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2018-02-15 | 富士フイルム株式会社 | キットおよび積層体 |
KR102004195B1 (ko) | 2015-03-23 | 2019-07-26 | 후지필름 가부시키가이샤 | 키트 및 적층체 |
US10580640B2 (en) | 2015-03-23 | 2020-03-03 | Fujifilm Corporation | Kit and laminate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5489546B2 (ja) | 2014-05-14 |
KR20100133305A (ko) | 2010-12-21 |
US8298365B2 (en) | 2012-10-30 |
TW201119868A (en) | 2011-06-16 |
US20100314043A1 (en) | 2010-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5489546B2 (ja) | 貼付方法及び貼付装置 | |
JP5476046B2 (ja) | 剥離方法、基板の接着剤、および基板を含む積層体 | |
JP5728163B2 (ja) | 剥離方法、および剥離液 | |
KR102264947B1 (ko) | 접착제 조성물, 적층체 및 박리 방법 | |
JP5580800B2 (ja) | 積層体、およびその積層体の分離方法 | |
TW200842174A (en) | Composition for pressure sensitive adhesive film, pressure sensitive adhesive film, and dicing die bonding film including the same | |
JP5074940B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
KR100815383B1 (ko) | 점착필름 형성용 광경화성 조성물 및 이를 포함하는 다이싱다이본딩 필름 | |
JP5523922B2 (ja) | 剥離方法及び剥離装置 | |
JP5620782B2 (ja) | 積層体及び接着方法 | |
JP6353662B2 (ja) | 接着剤積層体及びその利用 | |
JP6374680B2 (ja) | 貼付方法 | |
JP5558191B2 (ja) | 剥離装置及び剥離方法 | |
JP5728243B2 (ja) | 積層体 | |
JP5576702B2 (ja) | 剥離方法及び剥離装置 | |
JP6871337B2 (ja) | 積層体の製造方法および基板の処理方法 | |
JP6606406B2 (ja) | 積層体の製造方法および基板の処理方法 | |
JP2012212816A (ja) | ダイシング・ダイボンディングテープ及びその製造方法並びに半導体チップの製造方法 | |
JP5632761B2 (ja) | 積層体 | |
JP2015116667A (ja) | 積層体、積層体の製造方法、及び基板の処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120327 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5489546 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |