JP2010272680A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化された半導体装置を提供する。
【解決手段】テープ基板２には開口部９が形成され、片持ち梁状の延出部３ｂが内周縁９ｅから延出している。片持ち梁状の延出部３ｂの端部３ｂ１と半導体チップ１のチップ端子６とが接合され、この接合部分は封止レジン５によって封止されている。開口部９内には、テープ基板２及び応力緩衝層４は配置されておらず、封止レジン５のみが存在している。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置に関する。

近年、ＤＲＡＭパッケージの薄型化が求められている。しかし、チップ端子とテープ基板配線をリードボンディングによって接続するｕＢＧＡ構造、あるいはｕＢＧＡ構造を積層して構成されたｓＦＢＧＡ構造の場合、リードボンディングを行うための高さを確保する必要があるため、パッケージの薄型化には限界を生じる。また、リードボンディングを行うためには、直線状のリードをテープ基板から突出させる必要があるため、配線の引き回しにおける制約を受けてしまう。

図１に本発明に関連する技術による半導体装置の一例の模式的な側断面図を示す。

半導体装置１００は、半導体チップ１０１と、テープ基板１０２と、応力緩衝層１０４と、封止レジン１０５とを有する。テープ基板１０２は上面側に配線層１０３ａを備えており、下面側に半田ボール１０７を有する。配線層１０３ａ上には応力緩衝層１０４が積層されており、この応力緩衝層１０４は、コア層１０４ａと、コア層１０４ａの両面に設けられた接着層１０４ｂとを有する三層構造となっている。なお、半導体装置によっては、応力緩衝層１０４を備えていない構成もあるが、ここでは、応力緩衝層１０４を備えたものについて説明するものとする。テープ基板１０２と応力緩衝層１０４には、開口部１０９が形成されている。半導体チップ１０１の下面にはチップ端子１０６が設けられており、この半導体チップ１０１は、チップ端子１０６が開口部１０９内に配置されるように、応力緩衝層１０４の接着層１０４ｂ上に積層して搭載されている。チップ端子１０６と配線層１０３ａとはボンディングにより接合されている。すなわち、半導体装置１００は、テープ基板１０２の配線層１０３ａをボンディングツールにより切断し、さらに切断された配線層１０３ａをボンディングツールによりチップ端子１０６に押し付けることで配線層１０３ａをチップ端子１０６に接合している。

なお、開口部１０９内にある配線層１０３ａ、すなわち、リードは、切断される前の状態は直線状であり、かつ所定の長さを有する必要がある。これは、リードの形状が直線状でない場合、リードを切断するためにツールで荷重を加えようとしてもリードがたわみ変形してしまうため、切断が困難となってしまうためである。また、リードが所定の長さを有していない場合、切断したリードがチップ端子に届かず導通不良となる場合や、チップ端子接続後のリードに大きな張力が生じてリード断線の原因となる不具合が生じうるからである。

特開２００６−０１３５５３号公報

ところで、上述した方法では、配線層１０３ａを切断した後、チップ端子１０６の間に不要なテープ基板１０２が開口部１０９内に残存してしまう。また、応力緩衝層１０４を有する構成の場合、開口部１０９内には応力緩衝層１０４も残存してしまう。このため、半導体装置の幅方向の小型化も困難であった。

本発明の半導体装置は、開口部が形成された基板と、基板の主面上に形成された配線層と、配線層の一部であって、開口部の内周縁から片持ち梁状に延出した複数の延出部と、端子を備え、開口部に対応して端子が配置されるように基板上に搭載された半導体チップと、延出部の先端部と半導体チップの端子との接合部分を封止する樹脂と、を有し、開口部内には、開口部内には基板は存在せず、樹脂のみが存在している。

本発明の半導体装置は、基板が開口部内には存在しないため、その分半導体装置の幅方向の寸法を小さくすることができる。

本発明によれば、開口部内に残存していないので、その分半導体装置を小型化することができる。

本発明に関連する技術による半導体装置の一例の模式的な側断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の模式的な側断面図及び透過平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の模式的な側断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の模式的な透過平面図である。 本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の模式的な透過平面図である。 本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の模式的な透過平面図である。 延出部にねじれが生じる原理を説明するための図である。 本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の延出部の模式的な斜視図である。 本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の延出部の模式的な平面図である。 本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の延出部における押し付け跡を示す模式的な斜視図である。模式的な透過平面図である。 延出部にねじれが生じる原理を説明するための図である。 本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の延出部の模式的な斜視図である。 本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の延出部の模式的な平面図である。

（第１の実施形態）
図２に本実施形態に係る半導体装置の模式的な側断面図及び透過平面図を示す。

本実施形態の半導体装置１０は、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１と、テープ基板２と、応力緩衝層４と、半導体チップ１を封止する封止レジン５とを有する。

テープ基板２は主面２ａ上に配線層３を備えており、配線層３を備えた主面２ａとは反対側の面に半田ボール７を有する。また、テープ基板２には貫通穴２ｂが形成されており、主面２ａ側の配線層３と、主面２ａとは反対側の面に半田ボール７とはこの貫通穴２ｂを介して電気的に接続されている。

図２（ｂ）に示すように、テープ基板２には略長方形の開口部９が形成されている。開口部９は、２つの長辺９ａ、９ｂと２つの短辺９ｃ、９ｄを有する。これら各辺９ａ〜９ｄによって開口部９の内周縁９ｅが形成されている。また、この開口部９内には封止レジン５のみが存在している。

配線層３は、テープ基板２上に積層された積層部３ａと、開口部９の両側から延出した、片持ち梁状の複数の延出部３ｂとを有する。すなわち、延出部３ｂはフライングリードを構成している。これら各延出部３ｂと、開口部９の内周縁９ｅとのなす角度は実質的に直角である。また、各延出部３ｂは互いに平行に配列されている。片持ち梁状に内周縁９ｅから延出した延出部３ｂ（フライングリード）は、その端部３ｂ１がチップ端子６に接合されている。長辺９ａ側から延出している各延出部３ｂは、端子列６ａの各チップ端子６に接合され、長辺９ｂ側から延出している各延出部３ｂは、端子列６ｂの各チップ端子６に接合されている。すなわち、各延出部３ｂは延出している各辺から近い位置に設けられたチップ端子６に接合されている。また、延出部３ｂの端部３ｂ１とチップ端子６との接合部分は封止レジン５によって封止されている。なお、配線層３の他端は半田ボール７に接合されている。なお、本実施形態では、半導体チップ１の中央部であって、かつ長辺９ａ、９ｂに沿って、２つの端子列６ａ、６ｂのが配置されている例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。すわなち、本発明は、半導体チップ１の中央部であって、かつ長辺９ａ、９ｂに沿って、１つの端子列６ａあるいは端子列６ｂが配置されているものであってもよい。

配線層３上には応力緩衝層４が積層されており、この応力緩衝層４は、コア層４ａと、コア層４ａの両面に設けられた接着層４ｂとを有する三層構造となっている。半導体チップ１は応力緩衝層４の接着層４ｂ上に積層して搭載されている。

次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について図３を用いて説明する。

まず、図３（ａ）に示すように、開口部９と、主面２ａ上に形成された配線層３と、配線層３の一部であって開口部９の内周縁９ａ、９ｂから片持ち梁状に延出した複数の延出部３ｂとを備え、貫通穴２ｂが形成されたテープ基板２を用意する。

次に、図３（ｂ）に示すように、配線層３上に応力緩衝層４を形成する。なお、応力緩衝層４を設けない構成とする場合は、本工程は省略される。

次に、図３（ｃ）に示すように、応力緩衝層４上に半導体チップ１を搭載する。ここで、半導体チップ１の端子列６ａ、６ｂが開口部９内に配置されるように半導体チップ１を応力緩衝層４上に搭載する。なお、応力緩衝層４を設けない構成の場合、半導体チップ１は配線層３上に搭載される。

次に、図３（ｄ）に示すように、端子列６ａ、６ｂの各チップ端子６と延出部３ｂとを接合する。

次に、図３（ｅ）に示すように、半導体チップ１および開口部９内を封止レジン５によって封止する。開口部９内を封止レジン５によって封止することで延出部３ｂの先端部とチップ端子６との接合部分が封止レジン５によって封止される。

最後に、貫通穴２ｂが形成されている位置に半田ボール７を形成する。

以上の工程を経て、本実施形態の半導体装置１０が完成する。

本発明に関連する技術においては、半導体チップのチップ端子に接合される配線層は、応力緩衝層上に半導体チップが搭載された状態でボンディングツールによる切断および接合がなされていた。このため、ボンディングツールをストロークさせて配線層を切断するためには、応力緩衝層は少なくとも１００μｍ程度の厚みが必要であった。この厚みが１００μｍ未満であると、切断不良を生じる場合があるためである。このため、このような方法では、半導体装置の薄型化に限界があった。

一方、本実施形態の半導体装置１０の製造方法は、応力緩衝層４上に半導体チップ１を搭載する前に、開口部９側に、チップ端子６と接合されることとなる配線層３を露出させておき、さらに、片持ち梁状となるように切断しておく。このため、切断不良を回避するためだけに応力緩衝層４やテープ基板２の厚みを増す必要がない。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、応力緩衝層４の厚みを、配線層３の切断工程に制約されることなく薄くすることができ、さらには、本実施形態の半導体装置は、必要に応じて、応力緩衝層４を省略することも可能である。このため、本実施形態の製造方法による半導体装置１０は、その厚みを薄くすることができる。

また、図１で示した本発明に関連する技術で製造された半導体装置の場合、配線層１０３ａを切断した後、チップ端子１０６の間に不要なテープ基板１０２及び応力緩衝層１０４が開口部１０９内に残存してしまう。その結果、本発明に関連する技術で製造された半導体装置は幅方向の寸法の縮小化が困難であった。一方、本実施形態の場合、そもそもテープ基板２及び応力緩衝層４は開口部９外にのみ存在するのであって開口部９内にはこれらは存在せず、封止レジン５のみしか存在していない。つまり、製造された半導体装置１０の開口部９内にテープ基板２及び応力緩衝層４が残存するということはない。よって、本実施形態によれば、テープ基板２及び応力緩衝層４が開口部９内に存在しない分だけ、半導体装置１０の幅方向の寸法を縮小化することができる。

以下に説明する各実施形態の半導体装置の構成及び製造方法は第１の実施形態と基本的に同様であるため、詳細の説明は省略するものとし、第１の実施形態と異なる点についてのみ説明するものとする。また、説明に用いる符号も第１の実施形態と同様の部材については同じ符号を用いるものとする。
（第２の実施形態）
図４に本実施形態の半導体装置の模式的な側断面図を示す。

第１の実施形態では、長辺９ａ側から延出している各延出部３ｂは、端子列６ａの各チップ端子６に接合され、長辺９ｂ側から延出している各延出部３ｂは、端子列６ｂの各チップ端子６に接合されていた。端子列６ｂは、長辺９ｂから距離Ｓ１に位置に配置され、端子列６ａは長辺９ｂから距離Ｓ１よりも長い距離Ｓ２の位置に配置されている。すなわち、各延出部３ｂは延出している各辺から近い位置に設けられたチップ端子６に接合されていた。

これに対し、本実施形態の場合、各延出部３ｂは延出している各辺から遠い位置に設けられたチップ端子６に接合されている点で異なる。つまり、長辺９ｂ側から延出している各延出部３ｂは、距離Ｓ２の位置に配置されている端子列６ａの各チップ端子６に接合されている。なお、長辺９ａ側から延出している各延出部３ｂも、長辺９ａから遠い側に配置されている端子列６ｂの各チップ端子６に接合されているが、図４では、簡単のため、図示していない。

本発明に関連する技術の場合、リードを端子に接合する際にボンディングツールによってリードを切断する。このため、リードは、その形状及び長さが切断に適したものとしなければならない。一方、本実施形態の場合、半導体装置を小型化できるだけでなく、予め各延出部３ｂを形成しておき、その後にチップ端子６に接合するため、各延出部３ｂを延出している各辺から遠い位置に設けられたチップ端子６に接合する、といった自由度の高い構成をとることができる。
（第３の実施形態）
図５に本実施形態に係る半導体装置の模式的な透過平面図を示す。

第１の実施形態では、いずれの延出部３ｂも内周縁９ｅに対する角度が直角であった。これに対して、本実施形態では、図５に示すように、開口部９を開口方向にみたときの、延出部３ｂの根元部３ｂ２と内周縁９ｅとのなす角度が角度Ｒ１のもの、この角度Ｒ１とは異なる角度Ｒ２のもの、さらにこれら角度Ｒ１，Ｒ２とは異なる直角Ｒ３のもの等を含んでいる。つまり、延出部３ｂは各延出部３ｂ毎で異なる任意の角度で延出しており、その結果、各延出部３ｂどうしは互いに平行な関係とはなっていない。

本発明に関連する技術では、ボンディングツールにより開口部におけるリードを一様にかつ確実に切断するため、各リードは互いに平行な関係にする必要があった。一方、本実施形態では、ボンディングツールによる切断の制約を受けないため、各延出部３ｂが互いに平行な関係になければならない必要はない。このため、半田ボール７からチップ端子６までの配線の引き廻しの自由度が向上するので配線距離をできるだけ短くするような配線も可能となり、その結果、半導体装置を小型化できるとともに、電気特性を向上させることができる。
（第４の実施形態）
図６に本実施形態に係る半導体装置の模式的な透過平面図を示す。上述の各実施形態における延出部３ｂは内周縁９ｅから直線的に延出し、チップ端子６に接合されていた。これに対して本実施形態の延出部３ｂは、図６に示すように、根元部３ｂ２と端部３ｂ１との間に曲げ部１１を有する。

本発明に関連する技術では、ボンディングツールにより開口部におけるリードをたわみ変形させることなく一様にかつ確実に切断するため、各リードは直線状に延出させる必要があった。一方、本発明では、ボンディングツールによる切断の制約を受けないため、延出部３ｂに曲げ部１１が存在しても特に問題がない。第３の実施形態で説明したように、本発明は、電気特性を向上させるべく、半田ボール７からチップ端子６までの配線の引き廻し距離ができるだけ短くなるように延出部３ｂを引き廻すことができる。その一方で、隣接する延出部３ｂどうしが互いに近接しすぎてしまうことも生じうる。しかし、本実施形態のように延出部３ｂを曲げることで、延出部３ｂどうしが過度に近づかないようにして延出部３ｂどうしの絶縁を確実に確保しつつ、半田ボール７からチップ端子６までの配線の引き廻し距離をできるだけ短くすることが可能となる。また、本実施形態によれば、他の実施形態と同様に半導体装置を小型化することもできる。
（第５の実施形態）
図７に本実施形態に係る半導体装置の模式的な透過平面図を示す。上述の各実施形態における開口部９の内周縁９ｅは長辺９ａ、９ｂ、短辺９ｃ、９ｄのいずれもが直線状であったのに対し、本実施形態の内周縁９ｅは長辺９ａ、９ｂに鋸刃状に形成されている部分を有する。このような内周縁９ｅの形状は、各延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度をほぼ直角にするためのものである。

上述の各実施形態で説明したように、本発明はボンディングツールによる切断の制約を受けない。このため、電気的特性を向上させることを目的として、半田ボール７からチップ端子６までの配線の引き廻し距離が出来るだけ短くなるように配線を引き廻すことができる。しかし、この場合、内周縁９ｅの長辺９ａ、９ｂが直線状のままでは、内周縁９ｅから直角の角度で延出していない延出部３ｂが存在することになる。延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度は、延出部３ｂにねじれが生じないようにするため、できるだけ直角に近い角度とするのが好ましい。図８を用いて延出部にねじれが生じる原理について説明する。

図８（ａ）は、延出部３ｂがテープ基板２の内周縁９ｅからほぼ直角に延出している状態を示す、半導体装置の一部拡大斜視図である。

延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度が直角であって、チップ端子６に延出部３ｂを接合するための押圧力Ｆが延出部３ｂの長手方向軸上に印加された場合、延出部３ｂの根元部３ｂ２には均等な力がかかるので延出部３ｂはねじれにくい。一方、図８（ｂ）や図８（ｃ）に示すように、延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度が直角でない場合、根元部３ｂ２に不均一な力がかかってしまうことで、延出部３ｂは長手方向軸周りにねじれを生じてしまう。

そこで、本実施形態の半導体装置は、図７に示すように、各延出部３ｂの延出する方向に応じて内周縁９ｅの長辺９ａ、９ｂの形状を形成することで、各延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度がそれぞれほぼ直角になるようにしている。このため、本実施形態によれば、半導体装置を小型化できるとともに、延出部３ｂにねじれを生じさせることなく、電気的特性を向上させる配線の引き廻しが可能となる。
（第６の実施形態）
次に、図９に本実施形態に係る半導体装置の延出部の模式的な一部拡大斜視図を示す。

第５の実施形態では、延出部３ｂにねじれを生じさせないようにするため、各延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度がそれぞれ直角となるように内周縁９ｅの形状を形成した例について説明した。

本実施形態では、押圧力Ｆを延出部３ｂの中心軸からずらして印加することでねじれを防ぐ方法について説明する。

図９（ａ）に示すように、延出部３ｂがテープ基板２の内周縁９ｅからほぼ直角に延出している場合、押圧力Ｆが印加される押圧点Ｐは、延出部３ｂの長手方向に延びる中心軸Ｃ上に位置している。つまり、中心軸Ｃ上に押圧力Ｆをかけることでねじれは生じない。一方、図９（ｂ）や図９（ｃ）に示すように、延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度が直角でない場合、押圧点Ｐは中心軸Ｃからずれた点を押圧することでねじれが防止されている。

ここで、図１０および図９（ｃ）を用いて、押圧点Ｐの位置についてより詳細に説明する。押圧点Ｐから内周縁９ｅまでの距離をＬ１とし、押圧点Ｐから中心軸Ｃに向けて引いた直線Ｓと中心軸Ｃとの交点Ｐ１から内周縁９ｅまでの距離Ｌ２とする。このとき、Ｌ１＜Ｌ２となる位置に押圧点Ｐを定める。図９（ｃ）の構成の場合、延出部３ｂの中心軸Ｃ上を押圧すると、延出部３ｂはａ方向にねじれようとする。一方、Ｌ１＜Ｌ２となる位置に定めた押圧点Ｐに押圧力Ｆを印加すると、延出部３ｂはｂ方向にねじれようとする。つまり、本実施形態は、延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度が直角でないことにより生じるねじれと、押圧点Ｐが中心軸Ｃからずれていることにより生じるねじれとを相殺させることで中心軸Ｃ周りの延出部３ｂのねじれを抑制している。

なお、リード端を押圧しても完全にねじれが打ち消せない場合、ねじれを打ち消しあう位置に最も近く、なおかつボンディング不良を起こさない程度リード端から離れた位置を押圧点Ｐとする。

なお、図１１は、ボンディングツールにより延出部３ｂを押圧した際の押圧痕（押圧点Ｐ）を示す模式的な斜視図であり、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、図８（ａ）〜図８（ｃ）に対応している。いずれの延出部３ｂもねじれておらず、延出部３ｂの先端部の当接面３ｃが、端子６の接合面に対して平行な状態で接合されている。

以上、本実施形態によれば、半導体装置を小型化できるとともに、延出部３ｂと内周縁９ｅとのなす角度が直角でない場合であっても延出部３ｂにねじれを生じさせることなく延出部３ｂをチップ端子６に接合させることができる。
（第７の実施形態）
次に、図１２に本実施形態に係る半導体装置の延出部の模式的な一部拡大斜視図を示す。図１２に示す延出部３ｂは曲げ部１１を有する。曲げ部１１を有する延出部３ｂに対して中心軸Ｃ上に押圧力Ｆを印加すると、延出部３ｂにねじれが生じてしまう。なお、図１２では、理解を容易にするため、直角に折り曲げられた曲げ部１１を有する延出部３ｂを例示しているが、曲げ部１１の折れ曲がる角度は直角以外のものも含む。

そこで、本実施形態も第６の実施形態と同様に、図１３に示すように、押圧点Ｐを中心軸Ｃからずれた点に位置させる。すなわち、押圧点Ｐを、をずらす量は、ねじれを打ち消しあう点に位置させる。ここで、図１４を用いて、押圧点Ｐの位置についてより詳細に説明する。押圧点Ｐから内周縁９ｅまでの距離をＬ１とし、押圧点Ｐから中心軸Ｃに向けて引いた直線Ｓと中心軸Ｃとの交点Ｐ１から内周縁９ｅまでの距離Ｌ２とする。このとき、Ｌ１＜Ｌ２となる位置に押圧点Ｐを定める。

なお、リード端を押圧しても完全にねじれが打ち消せない場合、ねじれを打ち消しあう位置に最も近く、なおかつボンディング不良を起こさない程度リード端から離れた位置を押圧点Ｐとする。

以上、本実施形態によれば、半導体装置を小型化できるとともに、延出部３ｂが曲げ部１１を有する場合であっても延出部３ｂにねじれを生じさせることなく延出部３ｂをチップ端子６に接合させることができる。

１ 半導体チップ
２ テープ基板
２ａ 主面
２ｂ 貫通穴
３ 配線層
３ａ 積層部
３ｂ 延出部
３ｂ１ 端部
３ｂ２ 根元部
４ 応力緩衝層
４ａ コア層
４ｂ 接着層
５ 封止レジン
６ チップ端子
６ａ、６ｂ 端子列
７ 半田ボール
９ 開口部
９ａ、９ｂ 長辺
９ｃ、９ｄ 短辺
９ｅ 内周縁
１０ 半導体装置
１１ 曲げ部
２０ 押圧痕

Claims (18)

1. 開口部と、一主面上に形成された配線層と、前記配線層の一部であって前記開口部の内周縁から片持ち梁状に延出した複数の延出部とを備える基板と、
   前記開口部に対応して前記基板上に搭載されると共に、前記延出部と接合される端子を備えた半導体チップと、
   前記延出部の先端部と前記半導体チップの前記端子との接合部分を封止する樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 前記開口部は対向する複数の前記内周縁を備え、前記対向する複数の前記内周縁の間には前記基板が配置されていないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記端子は、前記半導体チップの中央部に、長辺方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記端子は、前記半導体チップの中央部に、長辺方向に沿って２列に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
5. 前記端子は、前記内周縁から第１の距離に配置された第１の端子と、前記内周縁から、前記第１の距離よりも長い距離の第２の距離となる位置に配置された第２の端子とを有し、前記延出部の先端部が、前記第２の端子と接合されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記延出部は、前記対向する複数の前記内周縁のそれぞれから前記端子に向かって延在して形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記基板と前記半導体チップとの間に配置された応力緩衝層を備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 前記応力緩衝層の厚みは、１００μｍ未満であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記開口部を開口方向にみたときの、前記延出部の根元部と前記内周縁との間の角度が直角以外の角度であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
10. 前記延出部の先端部と根元部との間に曲げ部を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
11. 前記開口部を開口方向にみたときの、前記延出部の根元部以外の部分と前記内周縁との間の角度が直角以外であってかつ前記延出部の根元部と前記開口部の前記内周縁との間の角度が直角であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
12. 前記延出部の前記先端部の、前記端子に対する当接面が、前記半導体チップの前記端子の、前記当接面が当接する面に対して平行な状態で接合されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
13. 前記延出部の前記先端部を前記端子に接合するための荷重が印加される前記延出部上の押圧点は、前記延出部の長手方向に延びる中心線周りの前記延出部のねじれを相殺させる位置に位置していることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
14. 前記延出部の前記先端部を前記端子に接合するための荷重が印加される前記延出部上の押圧点から前記内周縁までの距離を第１の距離とし、前記押圧点から前記延出部の長手方向の中心線に向けて引いた直線と前記中心線との交点から前記内周縁までの距離を第２の距離としたとき、前記第１の距離が前記第２の距離より短くなるように前記押圧点が位置していることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
15. 前記延出部は、前記基板上に前記半導体チップが搭載される前に予め形成されていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
16. 開口部と、一主面上に形成された配線層と、前記配線層の一部であって前記開口部の内周縁から片持ち梁状に延出した複数の延出部とを備える基板を用意する工程と、
    前記開口部に対応して前記基板上に半導体チップを搭載する工程と、
    前記半導体チップの端子と前記延出部とを接合する工程と、
    前記延出部の先端部と前記半導体チップの前記端子との接合部分を封止する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 前記接合する工程は、前記延出部の長手方向に延びる中心線周りの前記延出部のねじれを相殺させる位置を押圧して前記延出部と前記端子とを接合する工程を含むことを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
18. 前記接合する工程は、前記延出部の前記先端部を前記端子に接合するための荷重が印加される前記延出部上の押圧点から前記内周縁までの距離を第１の距離とし、前記押圧点から前記延出部の長手方向の中心線に向けて引いた直線と前記中心線との交点から前記内周縁までの距離を第２の距離としたとき、前記第１の距離が前記第２の距離より短くなる位置を押圧して、前記延出部と前記端子とを接合する工程とを含むことを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。

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