JP2010272641A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6085150B2 (ja) * 2012-03-16 2017-02-22 株式会社日立ハイテクサイエンス 試料作製装置及び試料作製方法
DE102012025880B4 (de) 2012-03-19 2025-03-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserdiodenvorrichtung
US8867582B2 (en) 2012-04-04 2014-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode assembly
DE102012102305B4 (de) * 2012-03-19 2025-07-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserdiodenvorrichtung
DE102012102306B4 (de) * 2012-03-19 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserdiodenvorrichtung
US8737445B2 (en) * 2012-04-04 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode assembly
DE102012103160A1 (de) 2012-04-12 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
US9008138B2 (en) 2012-04-12 2015-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode device
JP6143749B2 (ja) * 2012-06-25 2017-06-07 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ｍ面窒化物系発光ダイオードの製造方法
WO2014002339A1 (ja) 2012-06-29 2014-01-03 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光素子
WO2014097508A1 (ja) * 2012-12-19 2014-06-26 パナソニック株式会社 窒化物半導体レーザ素子
EP3323909B1 (en) * 2015-07-15 2025-10-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Coated substrate
JP2017143139A (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US11408065B2 (en) 2016-12-28 2022-08-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Coating
DE102017112610A1 (de) * 2017-06-08 2018-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaser und Betriebsverfahren für einen solchen Halbleiterlaser
JP7296934B2 (ja) * 2018-02-14 2023-06-23 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 窒化物半導体レーザ素子及び照明光源モジュール
GB2584150B (en) 2019-05-24 2021-05-19 Plessey Semiconductors Ltd LED precursor including a passivation layer
JP7438476B2 (ja) * 2019-08-20 2024-02-27 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
CN115373072B (zh) * 2021-05-21 2025-12-02 中国科学院半导体研究所 c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法
JP2023005918A (ja) * 2021-06-29 2023-01-18 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 窒化物半導体発光素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02288287A (ja) * 1989-04-27 1990-11-28 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JP4693351B2 (ja) 2001-10-26 2011-06-01 アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン エピタキシャル成長用基板
KR100679377B1 (ko) 2001-10-26 2007-02-05 암모노 에스피. 제트오. 오. 질화물 벌크 단결정층을 사용한 발광 디바이스 구조
KR20050054482A (ko) 2002-06-26 2005-06-10 암모노 에스피. 제트오. 오. 질화물 반도체 레이저 디바이스 및 그의 성능을향상시키기 위한 방법
JP4451371B2 (ja) 2004-12-20 2010-04-14 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子
CN1805230B (zh) * 2004-12-20 2011-06-01 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件及其制造方法
JP2007201373A (ja) 2006-01-30 2007-08-09 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JP4444304B2 (ja) 2006-04-24 2010-03-31 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5042609B2 (ja) 2006-12-08 2012-10-03 シャープ株式会社 窒化物系半導体素子
JP4978454B2 (ja) 2006-12-28 2012-07-18 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
US7646798B2 (en) * 2006-12-28 2010-01-12 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser element
US7804872B2 (en) 2007-06-07 2010-09-28 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser element
JP5572919B2 (ja) * 2007-06-07 2014-08-20 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子

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